JPH03287780A

JPH03287780A - 無電解銅めっき浴

Info

Publication number: JPH03287780A
Application number: JP8957590A
Authority: JP
Inventors: Fusayoshi Miura; 房美三浦; Kenichi Suzuki; 憲一鈴木
Original assignee: Toyota Central R&D Labs Inc
Current assignee: Toyota Central R&D Labs Inc
Priority date: 1990-04-04
Filing date: 1990-04-04
Publication date: 1991-12-18

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、無電解銅めっき浴に関し、さらに詳しくは、
弱酸〜弱アルカリ性の中性点近傍のｐＨ域でめっき可能
な無電解銅めっき浴に関するものである。

〔従来技術およびその問題点〕

従来より、無電解銅めっき浴として、錯化剤にＥＤＴＡ
　（エチレンジアミン４酢酸）を、還元剤としてＨＣＨ
○（ホルムアルデヒド）を用いるアルカリ浴（ｐＨ１２
，５前後）か一般に用いられている。しかしなから、こ
の従来浴は高アルカリ浴であるため、Ａβ、Ｚｎ系等の
耐アルカリ性の低い金属材料や、ポリイミド、ポジ形フ
ォトレジスト等の耐アルカリ性の低い樹脂材料上への直
接めっきか困難とされていた。

これら高アルカリ浴の欠点を解決する方法として、還元
剤にジメチルアミンポラン（ＤＭＡＢ）等のアミンホラ
ン系の化合物を用いることによりアルカリに敏感な基板
の無電解めっきを可能にした「無電解銅めっき浴」　（
特開平１−２４２７８１号公報）か提案されている。し
かしなから、この浴は、還元力の大きなアミンポラン系
化合物を用いるため非常に不安定な浴であり、錯化剤と
してＥＤＴＡとアルカノールアミンとを微妙な混合割合
で使用しないとめっき浴か分解し易いため実用に供する
ことか難しく°、また該浴で用いられているアミンボラ
ン系の還元剤は著しく高価であるという問題かあった。

さらに、該浴でのめっき処理により得られる皮膜は、硼
素（Ｂ）を含むため、硬い、脆い、電気抵抗か大きいな
どの問題かあった。

また、前記アルカリ浴の欠点を解決する他の方法として
、還元剤に次亜リン酸塩を、錯化剤としてビロリン酸を
用いることにより、臭いや毒性の強いホルムアルデヒド
を用いることなく低コストにて無電解銅メツキを行う「
無電解銅メツキ方法」　（特開平１−１８０９８６号公
報）が提案されている。しかしながら、このめっき浴を
用いてめっき処理して得られる皮膜は、リン（Ｐ）を共
析しており、Ｂ系還元剤を使用した前記方法と同様の問
題点を有し、しかもめっき速度が極めて小さいという問
題点かあった。

そこで、本発明者らは、上述の如き従来技術の問題点を
解決すべ（鋭意研究し、各種の系統的実験を重ねた結果
、本発明を成すに至ったものである。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、耐アルカリ性の低い材料でも密着性に
優れた柔軟な皮膜を形成することができる無電解銅めっ
き浴を提供することにある。

本発明者らは、上述の従来技術の問題に関し、以下のこ
とに着眼した。すなわち、先ず前記従来技術を耐アルカ
リ性の低い材料の無電解銅めっきに適用した場合の問題
点について検討した。

この場合、先ず第１に、還元剤の種類が不適切である。

すなわち、前記従来技術では還元剤としてホルムアルデ
ヒド等のアルデヒド類が開示されているが、該アルデヒ
ド類は高アルカリ性でのみ十分な還元力を発揮できる還
元剤であり、耐アルカリ性の低い材料に適用した場合に
は該材料を腐食あるいは変質劣化させるために不適切で
ある。

また、他の還元剤としてＣｕ以外の物質、例えばＢを共
析するジメチルアミンボラン等のボラン類およびＰを共
析する次亜リン酸塩を用いためっき浴が開示されている
が、この場合には該還元剤により生成するＣｕ皮膜は硬
く、かつ脆いので不適切である。

第２に、錯化剤の種類か不適切である。すなわち、前記
従来技術の高アルカリ浴で開示されたＥＤＴＡ　（エチ
レンジアミン４酢酸）は、錯化力が中性域で大きすぎる
ため、中性点近傍の１）Ｈ域てＣｕ−錯イオンを還元す
ることが困難である。

第３に、めっき浴のｐＨが不適切である。すなわち、耐
アルカリ性の低い材料を従来の高アルカリ性浴てめっき
した場合は、被処理材料処理の腐食や変質、劣化によっ
て密着力のあるＣｕ皮膜を得ることかできない。

そこで、これら従来技術の問題を克服する無電解銅めっ
き浴として、（ａ）中性点近傍のｐＨ域で還元力を発揮
し、しかもＣｕ以外の物質を共析しない還元剤を用いる
こと、（ｂ）中性点近傍のｐＨ域でＣｕをＣｕ−錯イオ
ンとして安定的に溶存でき、しかも上記（ａ）の条件を
満足する還元剤の存在下で安定的にＣｕを析出できる錯
化剤を用いること、（（Ｊ耐アルカリ性の低い材料上へ
のＣｕ皮膜か高い密着力を確保できるｐＨであること、
の三条性を満足する無電解銅めっき浴の構成とすること
に着目した。

そして本発明者らは、この還元剤としてヒドラジン類を
、錯化剤としてキレート化性アミンを用いてｐＨ６〜１
０の無電解銅めっき浴を構成することにより、安定性に
優れるとともに、耐アルカリ性の低い材料でも密着性に
優れた柔軟な銅皮膜を形成することかできる無電解銅め
っき浴を実現するに至った。

〔第１発明の説明〕第１発明の構成本第１発明の無電解銅めっき浴は、銅−錯イオンを供給
する銅化合物と還元剤と銅イオンの錯形成剤とからなる
無電解銅めっき浴において、還元剤としてのヒドラジン
類と、銅イオンの錯形成剤としてのキレート化性アミン
とから成り、浴のｐＨか６以上１０以下である。

第１発明の作用および効果本第１発明の無電解銅めっき浴は、耐アルカリ性の低い
材料でも密着性に優れた柔軟な皮膜を形成することがで
きる。

本第１発明の無電解銅めっき浴が上述の如き効果を発揮
するメカニズムについては未だ必ずしも明らかではない
が、次のように考えられる。

すなわち、本第１発明の無電解銅めっき浴は、還元剤と
して、ヒドラジン類を採用した。このヒドラジン類の還
元作用は、ｐＨが大きい（アルカリ）程大きくなる。し
かしながら、めっき浴の分解反応もこれに伴って増大す
る。本発明者らは、このヒドラジン類について鋭意研究
し、系統的実験を行った結果、ヒドラジン類を還元剤と
して用いた場合のめっき浴の適正なｐＨの範囲がｐＨ６
〜ｐＨ１０の範囲であることを見出した。一方、該めっ
き浴は、反応に従って酸性化するが、錯化剤として含ま
れているキレート化性アミンを銅イオンの錯形成剤とし
てのみならず、該酸性化に対しては適正なｐＨ域に抑制
する緩衝剤として働かせることにより、ヒドラジン類が
還元剤として働（設定したｐＨ６〜ｐＨ１０のｐＨに維
持することができ、ヒドラジン類の還元力を十分に発揮
できたものと考えられる。すなわち、キレート化性アミ
ンはＣｕ２＋と中性点近傍のｐＨ域で安定なＣＵ−錯イ
オンを形成するとともにｐＨ６〜ｐＨ１０の安定なｐ）
（域に保ち、しかもヒドラジン類の十分な還元作用によ
り中性点近傍のｐＨ域で安定的にＣｕイオンを析出させ
ているためと考えられる。従って、耐アルカリ性の低い
材料へめっきを行う場合、材料の腐食および化学的変質
を受ける前にＣｕ皮膜を被覆でき、密着性を確保できる
ものと考えられる。

また、ヒドラジン類は、分子内にＰ、Ｂのような銅皮膜
性能阻害元素を含まないので、析出Ｃｕ皮膜中にこれら
性能阻害元素を共析する虞が無く、さらに該析出Ｃｕ皮
膜は柔軟な性質を発揮することかできる。

従って、耐アルカリ性の低い材料でも密着性に優れた柔
軟な皮膜を形成することが可能になるものと思われる。

〔第２発明の説明〕以下に、第２発明として、本第１発明をより具体化した
発明を説明する。

本第２発明において、銅化合物は、めっき皮膜を形成す
るための主材としての銅イオン供給物質てあり、Ｃｕ”
−錯イオンを供給する物質である。

具体的には、硫酸銅（Ｃｕ　Ｓ　Ｏ４、Ｃｕ　Ｓ　０４
５Ｈ２０）’Ｐ、塩化第２銅（ＣｕＣＡ２、ＣｕＣｆ２
−２Ｈ２０）　、硝酸銅（Ｃｕ　Ｎ　Ｏ２、（：　ｕ　
Ｎ　Ｏ２・３Ｈ２０）、水酸化銅（Ｃｕ　（ＯＨ）　２
）等の２価のＣｕ　（ＩＩ）化合物を使用することがで
きる。この中ても、該物質として硫酸銅（ＣｕＳＯ４）
である場合は、腐食性の大きいハロゲンイオンである塩
素イオンを含まないので好ましい。

銅化合物の銅イオン濃度は、０．０２〜０．４モル程度
が好ましい。０．０２モル未満ては、めっき速度か遅く
、また０、４モルを超えるとめっき浴が不安定になり好
ましくない。なお、該銅イオン濃度か０．０４〜０．１
モルである場合には、めっき速度を速く、かつ、めっき
浴をより安定に保ことができるので、より好ましい。

次に、ヒドラジン類は、ヒドラジン（Ｎ、Ｈ，）単体の
ほか、抱水ヒドラジン（（Ｎ２　Ｈ，・Ｎ２０）、塩酸
ヒドラジン（Ｎ２Ｈ−・２８　Ｃｌ　）　、硫酸ヒドラ
ジン（Ｎ２Ｈ，・Ｈ２Ｓ　Ｏ４）を用いることかできる
。また、メチルヒドラジン、フェニルヒドラジン等のヒ
ドラジンモノ置換体およびこれらの塩を使用することか
できる。これらのうち、メチルヒドラジン等のヒドラジ
ンモノ置換体を還元剤とした場合にはめっき速度を大き
くてき有利であり、また抱水ヒドラジンや硫酸ヒドラジ
ンを用いた場合は経済的であり好ましい。

以下の説明において、このヒドラジン類は、代表として
ヒドラジンにより説明する。

ヒドラジンの酸化反応は、Ｎ２Ｈ，＋４０Ｈ−＝　　Ｎ２　＋４８２０＋４　ｅＥ
ｏ　＝　　　０．３１　０．０６ｐＨて示されるように
、１モルにつき４電子を放出てきる。従って、ヒドラジ
ンのめっき浴中の必要濃度は、還元の化学当量であるＣ
ｕ’＋錯イオンの１／２近くが好ましい。なお、該ヒド
ラジン濃度は、Ｃｕ２＋錯イオン濃度の１／１ｏ未満で
はめっき速度が低下して好ましくなく、またＣｕ２“錯
イオン濃度の２倍を超えるとめっき浴が不安定になり好
ましくない。

次に、キレート化性アミンは、エチレンジアミン、ジエ
チレントリアミン、トリエチレンテトラミン、トリアミ
ノトリエチルアミン、テトラエチレンペンタミン、ペン
タエチレンへ午サミン、等の少なくとも２個以上の窒素
（Ｎ）を持つポリアミンの少なくとも一種以上である。

さらに、これらに置換基を持つＮ−メチルジアミン、Ｎ
−エチルエチレンジアミン等のこれらの誘導体の少なく
とも一種以上である場合は、めっき速度が向上するので
好ましい。なお、このうち、エチレンジアミンは安価で
あり、経済的に最も好ましいものである。

これらキレート化性アミンの必要濃度は、アミンの種類
にもよるが、Ｃｕ２＋−錯イオンのモル数の２〜２５倍
が良い。キレート化性アミンの濃度かＣｕ２“−錯イオ
ンのモル数の２倍未満である場合は、めっき浴は著しく
不安定となり、好ましくなく２５倍を超えるとめっき浴
は過度に安定になりすぎめっき速度が低下して好ましく
ない。なお、該濃度がＣｕ”−錯イオンのモル数の８〜
１６倍である場合には、より好ましい。

また、浴のｐＨは、６〜１０である。これは、ｐＨが６
未満の場合はヒドラジンの還元力が小さくなるため好ま
しくなく、また該ｐＨか１０を超えた場合は浴が不安定
になり好ましくない。なお、このｐＨが６〜１０という
条件は、ｋｌ、Ｚｎ系合金の腐食性をできるだけ少なく
し、耐アルカリ性の低い有機材料の変質劣化を防ぐ観点
からも好都合である。また、特に該浴のｐＨを８〜９と
した場合には、ヒドラジンの還元力を十分にできるとと
もに浴の安定性を良好なものとすることがてきるので、
特に好ましい。

該ｐＨの調整は、キレート化性アミンがｐＨ６〜１０の
範囲で緩衝作用を示すため、該キレート化性アミンの濃
度や添加量を変えることによりできるが、さらに、ＨＣ
ｊ’　、　Ｈ２Ｓ　Ｏ４、ＣＨ，Ｃ０ＯＨ等の酸とＮａ
０ＨＳＫＯＨ等のアルカリを用いてｐＨの調整を行うこ
とかできる。なお、アンモニア（ＮＨ，）や有機酸を用
いてこのｐＨの調整をする場合には、該ＮＨ，や有機酸
か錯化剤として働き、錯交定性を変化させ、めっき速度
が変化することがある。さらに、有機酸、有機酸塩をｐ
Ｈ緩衝剤として適量加えてもよい。

本第２発明の無電解銅めっき浴は、前記Ｃｕ”−錯イオ
ン供給のためのＣｕ化合物と、キレート化性アミン、お
よびヒドラジン類の３種類の物質を必須要素として構成
してなる。さらに、めっき・速度を増加させるために、
トリエタノールアミン、クアドール等のアルカノールア
ミン、イミダゾール等の含窒素化合物およびアンモニア
や（ＮＨ４）２Ｓ０４等のアンモニウム塩を適量加えて
もよい。

さらに、従来の無電解Ｃｕめっき浴て用いられているよ
うな界面活性剤（ポリエチレングリコール、アルキルア
ミン系非イオン界面活性剤、ラウリル硫酸ナトリウム等
）や含窒素環状化合物（α。

α　ビビルジル、１，１０フエナントロリン、キノリン
）等の微量添加が、めっき不良の低減およびめっき膜の
機械的性質向上のために好ましい。

めっき浴の温度は、てきるたけ高く、７０°Ｃ以上で行
うのかめっき速度向上の点から好ましい。

本第２発明により、無電解銅めっき浴をｐＨ６〜１０の
弱酸性〜弱アルカリ性とすることかできるので、ＡＣＺ
ｎ系材料や耐アルカリ性の低い樹脂材料へ密着性に優れ
ためっき皮膜を形成することかできる。しかも、該めっ
き皮膜は、該めっきを施した材料を曲げてもクラック等
がはいることか極めて少なく、大変柔軟性を有している
。

また、該めっき浴を用いて処理した場合、皮膜中にＢや
Ｐの共析かないのて、柔軟性に富み、低抵抗率と電気導
電性に優れたＣｕ皮膜を得ることができる。

また、本めっき浴は、従来のホルマリンを含むアルカリ
浴の有していた問題である臭気がほとんど無く、中性点
近傍のｐＨ域のｐＨであるため、誤って人体に触れた場
合でも毒性が低く安全である。

また、本めっき浴は、還元剤としてジメチルアミンボラ
ンのような高価な物質を用いる必要がないので、低コス
トで中性点近傍のｐＨ域での無電解銅めっきを行うこと
かできる。

また、使い捨ての２液スプレータイプのめつき方法とは
異なり、−液タイプの浸漬タイプの連続浴とすることか
できるので経済的であり、工程を簡略化することができ
る。さらに、本発明の浴は、一つの浴で大気開放状態で
行う浸漬法によって安定的に連続的にめっき処理を行う
ことができるという利点を有する。

また、Ｃｕ”イオンの不均化反応を利用した２液タイプ
の浴に比べて溶液濃度を低くすることができるので、経
済的である。すなわち、本発明では、Ｃｕ　”！オンか
らの直接還元反応を利用しているため、極端にＣｕ”イ
オン濃度を濃くしてめっきを行う必要がなく経済的であ
る。

〔実施例〕

以下、本発明の詳細な説明する。

実施例ｌＣｕ５Ｏａ・５Ｈ２０とＮ２Ｈ４−Ｈ２ＳＯ，および錯
化剤を、第１表に示す条件にて浴温か９５°Ｃの本実施
例にかかる無電解銅めっき浴を用意した（試料番号１〜
１１）。

次に、このめっき浴の性能評価試験を行った。

先ず、大きさ３０ｍｍＸ　２０ｍｍ、厚さ２ｍｍのガラ
スエポキシ基板を常法にて化学エツチングをした後、市
販のＰｄ−３ｎコロイド触媒（シラプレー、ファーイー
スト社製）を吸着させ、さらに上記ガラス、エポキシ基
板を常法で活性化処理することにより、被試験材料を用
意した。

次いて、この被試験材料を前記めっき浴中に浸漬し、第
１表に示す処理条件にてめっき処理を施したところ、試
料番号１〜１１のめっき浴は、ともに安定的にめっきを
施すことかできた。所定時間経過後、めっき浴より被試
験材料を取り出したところ、本被試験材料は何れも基板
上に均一で平滑なＣｕめっき皮膜が形成されていた。ま
た、このめっき皮膜をＸ線回折試験により物質の同定を
したところ、Ｃｕ２Ｏ等のＣｕ以外の回折線は観測され
ず、純粋なＣｕ皮膜であることか確認された。

なお、比較のために、錯化剤として第２表に示すものを
用いたほかは、本実施例１と同様にして比較用めっき液
を作成しく試料番号Ｃｌ−Ｃ６）、同様に被試験材料に
めっき処理を施し、該被試験材料の性能評価試験を行っ
た。その結果、試料番号０１〜Ｃ３ては、めっき浴は著
しく不安定て建浴直後に室温で急激に分解し、Ｃｕ２Ｏ
を主成分とする沈澱か大量に生成し、めっきを行うこと
かできなかった。また、従来技術の高アルカリ−ホルム
アルデヒド浴で用いられているＥＤＴＡを錯化剤とした
試料番号Ｃ４では、めっき速度が著しく遅く、はとんど
めっきは生成しなかった。さらに、ｐＨか本発明の範囲
外である比較用めっき浴ては、試料番号Ｃ５ではめっき
速度か非常に小さく、試料番号Ｃ６ではめっき浴が不安
定となり液内のあちこちでＣｕの析出が起こり分解して
しまった。

以上より明らかの如く、本実施例のめつき浴は、還元剤
として高価なアミンボラン類を用いることなく安価なヒ
ドラジンを用いることにより、密着性に優れた良質の柔
軟性に優れたＣｕめつき皮膜が得られていることか分る
。

実施例２ＣｕＳＯａ・５Ｈ２０とＮ２Ｈ４および第２表に示す錯
化剤を第２表に示す組成比で混合し、ｐＨが９、浴温が
９５°Ｃの本実施例にかかる無電解銅めっき浴を用意し
た（試料番号１２〜２５）。

次に、このめっき浴の性能評価試験を行った。

先ず、大きさ３０Ｘ２０ｍｍ、厚さ０．３＋ｎｎ＋の銅
板を被試験材料として用意した。

次いで、この被試験材料を前記めっき浴中に浸漬し、第
２表に示す処理条件にてめっき処理を施した。所定時間
経過後、めっき浴より被試験材料を取り出したところ、
本被試験材料は何れも基板上に均一で平滑なＣｕめっき
皮膜か形成されていた。また、このめっき皮膜をＸ線回
折試験により物質の同定をしたところ、Ｃｕ２Ｏ等のＣ
ｕ以外の回折線は観測されず、純粋なＣｕ皮膜であるこ
とか確認された。さらに、得られた銅皮膜の柔軟性を９
０°曲げ試験により、目視て調べたところ大きなりラッ
クは観測されなかった。

なお、試料番号２０では、めっき浴は分解し、めっきを
行うことができなかった。これは、錯化剤の濃度かＣｕ
２＋錯イオンのモル数の２倍未満であるためと考えられ
る。また、試料番号２１ではめっき速度は著しく低下し
た。これは、錯化剤の濃度かＣｕ　”錯イオンのモル数
の２５倍を超え、浴が安定化しすぎたためと考えられる
。さらに、試料番号２２では、めっき速度か著しく低下
したこれは、ヒドラジンの濃度か銅錯イオンの１／１０
未満であるためと考えられる。また、試料番号２３では
、めっき浴かやや不安定となった。これは、ヒドラジン
の濃度か銅錯イオンの２倍を越えたためと考えられる。

また、試料番号２４ではめっき速度かやや小さく、試料
番号２５ではめっき浴はやや不安定となった。

以上より、本実施例では、銅錯イオンの濃度が０．０２
〜０．４モル、キレート化性アミンの濃度が該銅錯イオ
ンの２〜２５倍であり、かつヒドラジン類の濃度が銅錯
イオンのｌ／１０〜２倍であることが好ましいことが分
る。

実施例３第３表に示す銅化合物０．０４モル、ヒドラジン類０．
０４モルおよびキレート化性アミンを、同表に示す組成
比で混合し、浴温が９５°Ｃの本実施例にかかる無電解
銅めっき浴を用意した（試料番号２６〜３３）。

次に、このめっき浴の性能評価試験を行った。

先ず、実施例２と同様に被試験材料を用意し、次いで、
該被試験材料を前記めっき洛中に浸漬し、同様の処理条
件にてめっき処理を施した。

所定時間経過後、めっき浴より被試験材料を取り出した
ところ、本被試験材料は何れも基板上に均一で平滑なＣ
ｕめっき皮膜が形成されていた。

また、このめっき皮膜をＸ線回折試験により物質の同定
をしたところ、Ｃｕ２Ｏ等のＣｕ以外の回折線は観測さ
れず、純粋なＣｕ皮膜であることか確認された。さらに
、得られた銅皮膜の柔軟性を９０°曲げ試験により、目
視で調へたところ、クラックは観測されなかった。

第４表より明らかのごとく、本実施例では、還元剤とし
て抱水ヒドラジン（Ｎ２Ｈ４・Ｎ２０）、塩酸ヒドラジ
ン（Ｎ２Ｈ４・２８ＣＩり硫酸ヒドラジン（Ｎ２Ｈ４・
Ｈ２Ｓ０４）、メチルヒドラジン硫酸塩等の何れのヒド
ラジンを用いても同様に密着性に優れた良質の柔軟性に
優れたＣｕめつき皮膜か得られていることが分る。

また、主錯化剤のキレート化性アミン（エチレンジアミ
ン）に、さらに（ＮＨ，）２ＳＯ，、イミダゾール、ク
アドール、トリエタノールアミンを適量添加することに
より、めっき速度を向上できることが分る。

また、銅化合物として、Ｃｕ　ＣＩ！　！、（：　ｕ　
Ｓ　Ｏ４、Ｃｕ　Ｎ　Ｏ３等のものを用いても同様に密
着性に優れた良質の柔軟性に優れたＣｕめつき皮膜が得
られていることか分る。

実施例４ＣｕＳＯ４・５Ｈ２０を０．１２モルとＮ２Ｈ，・Ｈ２
ＳＯ４を０．０４モル、およびグアドール０．０６モル
とエチレンジアミン０．９６モルとを混合し、ｐＨか９
、浴温か９０°Ｃの本実施例にかかる無電解銅めっき浴
を用意した。

次に、このめっき浴の性能評価試験を行った。

先ず、大きさ５０Ｘ５０ｍｍ、厚さ１ｍｍの純ＡＡ製の
板（ＡＩｌｏｏ）を用意し、２Ｘ２ｍｍ口のめっき面を
形成し、それ以外はマスキング樹脂で被覆して被試験材
料とした。

次いて、この被試験材料をＮ１−Ｐ無電解めっきを０．
５μｍ形成した後、前記めっき浴中に浸漬してめっきを
１時間施した。次いて、得られためっき面にはんだ食わ
れ防止のためにＮ１−Ｐめっきを薄く施した後、Ｓｎめ
っきＣｕ線を介してはんだ付けを行い、ピーリングテス
ターによって密着強度を測定した。その結果、８　ｋｇ
／２ｍｍ口以上の値が得られ、破壊箇所ははんだ部であ
った。

比較−のために、還元剤としてホルムアルデヒドを０．
０８モル、錯化剤としてＥＤＴＡを０．０８モル、Ｃｕ
”−イオン供給化合物としてＣｕ　Ｓ　Ｏａ・５Ｈ７０
を０．０４モルを用いて比較用のアルカリ性無電解銅め
っき浴（ｐＨ１２，６、浴温６０”Ｃ）を用意した。次
いで、前記と同様に性能評価試験を試みたが、薄いＮｉ
膜のピンホールを通じてＡＩ！が激しく腐食され、めっ
き皮膜のふくれや欠陥が生じ、密着力はほとんどなく、
密着強度試験に供することができなかった。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）銅−錯イオンを供給する銅化合物と還元剤と銅イ
オンの錯形成剤とからなる無電解銅めっき浴において、
還元剤としてのヒドラジン類と、銅イオンの錯形成剤と
してのキレート化性アミンとから成り、浴のｐＨが６以
上１０以下である無電解銅めっき浴。