JPH03288494A - 多層セラミック基板のバイヤ形成方法 - Google Patents
多層セラミック基板のバイヤ形成方法Info
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- JPH03288494A JPH03288494A JP9058090A JP9058090A JPH03288494A JP H03288494 A JPH03288494 A JP H03288494A JP 9058090 A JP9058090 A JP 9058090A JP 9058090 A JP9058090 A JP 9058090A JP H03288494 A JPH03288494 A JP H03288494A
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- Japan
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- mask film
- conductor
- ceramic substrate
- multilayer ceramic
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
各層間の電気的接続を行うバイアの接続性向上を図りう
る多層セラミック基板のバイア形成方法に関し、 バイアの電気的接続の信頼性を向上させることを目的と
し、 マスクフィルムか配設されたグリーンシートに孔空は加
工を行いバイア孔を形成した後、該バイア孔に導体を充
填し、続いて該マスクフィルムを剥離させた上で該グリ
ーンシー）・を複数枚積層して焼成することにより該導
体をも焼威し各層間における電気的導通を行うバイ゛ヤ
を形成する多層セラミック基板のバイア形成方法におい
て、上記マスクフィルムを剥離させる工程の後に、該グ
リーンシートの該マスクフィルムか配設されていた面に
、該導体と導通させっ−）該バイア孔を塞ぐランドを形
成する。
る多層セラミック基板のバイア形成方法に関し、 バイアの電気的接続の信頼性を向上させることを目的と
し、 マスクフィルムか配設されたグリーンシートに孔空は加
工を行いバイア孔を形成した後、該バイア孔に導体を充
填し、続いて該マスクフィルムを剥離させた上で該グリ
ーンシー）・を複数枚積層して焼成することにより該導
体をも焼威し各層間における電気的導通を行うバイ゛ヤ
を形成する多層セラミック基板のバイア形成方法におい
て、上記マスクフィルムを剥離させる工程の後に、該グ
リーンシートの該マスクフィルムか配設されていた面に
、該導体と導通させっ−）該バイア孔を塞ぐランドを形
成する。
本発明は多層セラミック基板のバイア形成方法に係り、
特に各層間の電気的接続を行うバイアの接続性向上を図
りつる多層セラミック基板のバイア形成方法に関する。
特に各層間の電気的接続を行うバイアの接続性向上を図
りつる多層セラミック基板のバイア形成方法に関する。
一般に、半導体素子を搭載する回路基板としてセラミッ
ク基板が広く用いられている。セラミック基板は耐熱性
、放熱性、！気持性７機械的強度等の面で良好な特性を
有している。このセラミック基板はグリーンシートを焼
成することにより製造される。
ク基板が広く用いられている。セラミック基板は耐熱性
、放熱性、！気持性７機械的強度等の面で良好な特性を
有している。このセラミック基板はグリーンシートを焼
成することにより製造される。
また昨今では、半導体素子の高集積化が急速に行われて
おり、これに対応するため導体パターンが形成された薄
いセラミック板を多層形成することにより導体パターン
の高密度化を図った多層セラミック基板が提供されてい
る。
おり、これに対応するため導体パターンが形成された薄
いセラミック板を多層形成することにより導体パターン
の高密度化を図った多層セラミック基板が提供されてい
る。
この多層セラミック基板では多層された各セラミック板
間の電気的導通を図るためバイアが形成されている。こ
のバイアは、セラミック板に形成されたバイア孔 （セ
ラミック板を上下に貫通する小径孔）に導体を充填した
構造を有し、各セラミック板間の電気的導通を図る機能
を奏する。よって、バイアが適正に形成されないと、各
層間の電気的導通が図れなくなりセラミック基板として
機能しなくなってしまう。
間の電気的導通を図るためバイアが形成されている。こ
のバイアは、セラミック板に形成されたバイア孔 （セ
ラミック板を上下に貫通する小径孔）に導体を充填した
構造を有し、各セラミック板間の電気的導通を図る機能
を奏する。よって、バイアが適正に形成されないと、各
層間の電気的導通が図れなくなりセラミック基板として
機能しなくなってしまう。
そこで、高い信頼性を有するバイアを形成しつるバイア
形成方法か望まれている。
形成方法か望まれている。
第２図に従来におけるバイア（ＶＩＡ）の形成方法を示
す。
す。
従来バイアを形成するには、先ず同図（Ａ）に示すよう
にグリーンシートｌにマスクフィルム２を配設し、続い
てこの上部よりパンチングによりグリーンシート１及び
マスクフィルム２を共に穿孔し、同図（Ｂ）に示すよう
にバイア孔３を形成する。
にグリーンシートｌにマスクフィルム２を配設し、続い
てこの上部よりパンチングによりグリーンシート１及び
マスクフィルム２を共に穿孔し、同図（Ｂ）に示すよう
にバイア孔３を形成する。
バイア孔３が形成されると、同図（Ｃ）に示すようにバ
イア孔３に導体４（銅ペースト又は金属粉、図中梨地で
示す）を充填し、次に同図（Ｄ）に示すようにグリーン
シートｌのマスクフィルム２の配設面と異なる面にバイ
ア孔３を塞ぐようにランド５が形成される。
イア孔３に導体４（銅ペースト又は金属粉、図中梨地で
示す）を充填し、次に同図（Ｄ）に示すようにグリーン
シートｌのマスクフィルム２の配設面と異なる面にバイ
ア孔３を塞ぐようにランド５が形成される。
次に、同図（Ｅ）に示すようにマスクフィルム２をグリ
ーンシートｌから剥離させる。このように形成されたグ
リーンシートｌは同図（Ｆ）に示されるように積層され
た上で焼成処理され、多層セラミック基板が形成されて
いた。
ーンシートｌから剥離させる。このように形成されたグ
リーンシートｌは同図（Ｆ）に示されるように積層され
た上で焼成処理され、多層セラミック基板が形成されて
いた。
しかるに、上記従来のバイア形成方法ては、第２図（Ｅ
）に示すマスクフィルム２の剥離工程において、バイア
孔３に充填された導体４がマスクフィルム２の剥離に伴
いマスクフィルム２に持って行かれてしまい、バイア孔
３に対する導体４の充填量が減ってしまうという課題か
あった。
）に示すマスクフィルム２の剥離工程において、バイア
孔３に充填された導体４がマスクフィルム２の剥離に伴
いマスクフィルム２に持って行かれてしまい、バイア孔
３に対する導体４の充填量が減ってしまうという課題か
あった。
これについて第３図を用いて説明する。同図（Ａ）に拡
大して示すように、パンチング処理の際、マスクフィル
ム２は樹脂製であるためその孔形成部分に伸びか生じて
縁部か内側へ垂れ込んだ状態となる。この状態でバイア
孔３に導体４か充填された後、マスクフィルム２か剥離
されると、同図（Ｂ）に示されるように、マスクフィル
ム２のバイア孔３の形成位置に充填されていた導体４か
マスクフィルム２の剥離と共に取り去られる際、グリー
ンシートｌに形成されたバイア孔３内の導体４の一部か
合わせて取り去られてしまう。このため、マスクフィル
ム２を剥離した後バイア孔３の上部に導体４の存在しな
い間隙部７か形成されてしまう。
大して示すように、パンチング処理の際、マスクフィル
ム２は樹脂製であるためその孔形成部分に伸びか生じて
縁部か内側へ垂れ込んだ状態となる。この状態でバイア
孔３に導体４か充填された後、マスクフィルム２か剥離
されると、同図（Ｂ）に示されるように、マスクフィル
ム２のバイア孔３の形成位置に充填されていた導体４か
マスクフィルム２の剥離と共に取り去られる際、グリー
ンシートｌに形成されたバイア孔３内の導体４の一部か
合わせて取り去られてしまう。このため、マスクフィル
ム２を剥離した後バイア孔３の上部に導体４の存在しな
い間隙部７か形成されてしまう。
具体例を述べれば、グリーンシートｌの厚さ寸法を２７
５μｍ、バイア孔３の径寸法を９０μｍ。
５μｍ、バイア孔３の径寸法を９０μｍ。
マスクフィルム２の厚さ寸法を３８μｍとすると、発生
する間隙部７の高さ寸法は最大で９０μｍとなる。９０
７Ｉｍもの高さを有する間隙部７か形成されたグリーン
シートｌを積層すると、第２図（Ｆ）に示されるように
、各バイア間に間隙か発生する。上記間隙部７にはグリ
ーンシートｌが積層されることによりランド５が圧入さ
れるが、間隙部７の高さか９０μｍもあるとランド５も
導体４に届かず、各バイア間に間隙が発生する。このた
め各層間の電気的接続ができなくなり、バイアの接続信
頼性が低下し、ひいてはセラミック基板の信頼性が低下
するという課題があった。
する間隙部７の高さ寸法は最大で９０μｍとなる。９０
７Ｉｍもの高さを有する間隙部７か形成されたグリーン
シートｌを積層すると、第２図（Ｆ）に示されるように
、各バイア間に間隙か発生する。上記間隙部７にはグリ
ーンシートｌが積層されることによりランド５が圧入さ
れるが、間隙部７の高さか９０μｍもあるとランド５も
導体４に届かず、各バイア間に間隙が発生する。このた
め各層間の電気的接続ができなくなり、バイアの接続信
頼性が低下し、ひいてはセラミック基板の信頼性が低下
するという課題があった。
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、バイア
の電気的接続の信頼性を向上し得る多層セラミック基板
のバイア形成方法を提供することを目的とする。
の電気的接続の信頼性を向上し得る多層セラミック基板
のバイア形成方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために本発明では、マスクフィルム
（２）か配設されたグリーンシート（１）に孔空は加工
を行いバイア孔（３）を形成した後、このバイア孔（３
）に導体（４）を充填し、続いて上記マスクフィルム（
２）を剥離させた上でグリーンシート（１）を複数枚積
層して焼成することにより上記導体（４）をも焼成し各
層間における電気的導通を行うバイアを形成する多層セ
ラミック基板のバイア形成方法において、 上記マスクフィルム（２）を剥離させる工程の後に、グ
リーンシート（１）の上記マスクフィルム（２）が配設
されていた面に、上記導体（４）と導通させつつバイア
孔（３）を塞ぐランド（８）を形成したことを特徴とす
るものである。
（２）か配設されたグリーンシート（１）に孔空は加工
を行いバイア孔（３）を形成した後、このバイア孔（３
）に導体（４）を充填し、続いて上記マスクフィルム（
２）を剥離させた上でグリーンシート（１）を複数枚積
層して焼成することにより上記導体（４）をも焼成し各
層間における電気的導通を行うバイアを形成する多層セ
ラミック基板のバイア形成方法において、 上記マスクフィルム（２）を剥離させる工程の後に、グ
リーンシート（１）の上記マスクフィルム（２）が配設
されていた面に、上記導体（４）と導通させつつバイア
孔（３）を塞ぐランド（８）を形成したことを特徴とす
るものである。
本発明方法では、マスクフィルム（２）を剥離させる工
程の後に、グリーンシート（１）の上記マスクフィルム
（２）が配設されていた面に、上記導体（４）と導通さ
せつつバイア孔（３）を塞ぐランド（８）を形成するた
め、マスクフィルム（２）の剥離により導体（４）の上
部の一部分が取り去られ間隙部が形成されたような場合
でも、るランド（８）がこの間隙部内に装填される。こ
のように、ランド（８）は間隙部を補填する機能を奏す
るため、バイアの電気的接続の信頼性を向上させること
ができる。
程の後に、グリーンシート（１）の上記マスクフィルム
（２）が配設されていた面に、上記導体（４）と導通さ
せつつバイア孔（３）を塞ぐランド（８）を形成するた
め、マスクフィルム（２）の剥離により導体（４）の上
部の一部分が取り去られ間隙部が形成されたような場合
でも、るランド（８）がこの間隙部内に装填される。こ
のように、ランド（８）は間隙部を補填する機能を奏す
るため、バイアの電気的接続の信頼性を向上させること
ができる。
次に本発明方法の一実施例について図面と共に説明する
。第１図は本発明の一実施例である多層セラミック基板
のバイア形成方法の工程図である。尚、同図（Ａ）〜（
Ｅ）に示す工程は従来におけるバイアの製造方法と全く
同一である。このため、各図に示される工程は簡単に説
明する。
。第１図は本発明の一実施例である多層セラミック基板
のバイア形成方法の工程図である。尚、同図（Ａ）〜（
Ｅ）に示す工程は従来におけるバイアの製造方法と全く
同一である。このため、各図に示される工程は簡単に説
明する。
バイアを形成するには、先ずグリーンシート１にマスク
フィルム２を配設しく同図（Ａ）に示す）、続いてこの
上部よりパンチングによりグリーンシートｌ及びマスク
フィルム２を共に穿孔してバイア孔３を形成する（同図
（Ｂ）に示す）。
フィルム２を配設しく同図（Ａ）に示す）、続いてこの
上部よりパンチングによりグリーンシートｌ及びマスク
フィルム２を共に穿孔してバイア孔３を形成する（同図
（Ｂ）に示す）。
バイア孔３か形成されると、バイア孔３に銅粉にバイン
ダーを含有させた導体４を充填しく同図（Ｃ）に示す）
、次にグリーンシート１のマスクフィルム２の配設面と
異なる面にバイア孔３を塞ぐようにランド５を形成する
（同図（Ｄ）に示す）。 次に、マスクフィルム２をグ
リーンシートｌから剥離させる（同図（Ｅ）に示す）。
ダーを含有させた導体４を充填しく同図（Ｃ）に示す）
、次にグリーンシート１のマスクフィルム２の配設面と
異なる面にバイア孔３を塞ぐようにランド５を形成する
（同図（Ｄ）に示す）。 次に、マスクフィルム２をグ
リーンシートｌから剥離させる（同図（Ｅ）に示す）。
このマスクフィルム２を剥離させる際、バイア孔３に充
填された導体４の一部がマスクフィルム２と共に取り去
られてしまうことは前述した通りである。 第１図（Ｆ
）は本発明方法の特徴となる工程である。同図に示され
るように、マスクフィルム２が剥離されると、グリーン
シートｌのマスクフィルム２か剥離された面にはランド
８がバイア孔３をその上部から塞ぐように配設される。
填された導体４の一部がマスクフィルム２と共に取り去
られてしまうことは前述した通りである。 第１図（Ｆ
）は本発明方法の特徴となる工程である。同図に示され
るように、マスクフィルム２が剥離されると、グリーン
シートｌのマスクフィルム２か剥離された面にはランド
８がバイア孔３をその上部から塞ぐように配設される。
このランド８は導体ペーストを例えばスクリーン印刷す
ることによ形成される。このように、まだ軟性を有する
導体ペーストをバイア孔３に配設することにより、ラン
ド８は間隙部７が形成されているバイア孔３の内部まで
深く入り込む。よって、ランド８と導体４は確実に電気
的接続がされる。上記のように、本発明方法により形成
されたバイア９は、バイア孔３の上下端部にランド５，
８か配設された構造となる。
ることによ形成される。このように、まだ軟性を有する
導体ペーストをバイア孔３に配設することにより、ラン
ド８は間隙部７が形成されているバイア孔３の内部まで
深く入り込む。よって、ランド８と導体４は確実に電気
的接続がされる。上記のように、本発明方法により形成
されたバイア９は、バイア孔３の上下端部にランド５，
８か配設された構造となる。
上記の如くバイア９が形成されたセラミック板１０は同
図（Ｇ）に示されるように、複数枚積層された上で焼成
処理が行われ、多層セラミック基板１１が形成される。
図（Ｇ）に示されるように、複数枚積層された上で焼成
処理が行われ、多層セラミック基板１１が形成される。
このセラミック板１０が積層される際、セラミック板Ｉ
Ｏに形成されたバイア９の上下位置にはランド５．８が
形成されているため、隣接する各セラミック板ｌＯ同士
の電気的接続は各ランド５，８か圧接することにより、
確実に行われる。よって各バイア９間の電気的接続性は
向上し、多層セラミック基板１１の信頼性を向上させる
ことができる。
Ｏに形成されたバイア９の上下位置にはランド５．８が
形成されているため、隣接する各セラミック板ｌＯ同士
の電気的接続は各ランド５，８か圧接することにより、
確実に行われる。よって各バイア９間の電気的接続性は
向上し、多層セラミック基板１１の信頼性を向上させる
ことができる。
上述のように、本発明によれば、バイアの電気的接続性
を向上でき、ひいては多層セラミック基板の信頼性を向
上させることができる等の特長を有する。
を向上でき、ひいては多層セラミック基板の信頼性を向
上させることができる等の特長を有する。
第１図は本発明の一実施例であるバイアの形成方法をそ
の工程順に示す図、 第２図は従来におけるバイアの形成方法の一例をその工
程順に示す図、 第３図は従来のバイア形成方法で生じていた不都合を説
明するための図である。 図において、 ■はグリーンシート、 ２はマスクフィルム、 ３はバイア孔、 ４は導体、 ５．８はランド、 ７は間隙部、 ９はバイア、 １０はセラミック板、 １１は多層セラミック基板 を示す。 同
の工程順に示す図、 第２図は従来におけるバイアの形成方法の一例をその工
程順に示す図、 第３図は従来のバイア形成方法で生じていた不都合を説
明するための図である。 図において、 ■はグリーンシート、 ２はマスクフィルム、 ３はバイア孔、 ４は導体、 ５．８はランド、 ７は間隙部、 ９はバイア、 １０はセラミック板、 １１は多層セラミック基板 を示す。 同
Claims (1)
- マスクフィルム（２）が配設されたグリーンシート（
１）に孔空け加工を行いバイア孔（３）を形成した後、
該バイア孔（３）に導体（４）を充填し、続いて該マス
クフィルム（２）を剥離させた上で該グリーンシート（
１）を複数枚積層して焼成することにより該導体（４）
をも焼成し各層間における電気的導通を行うバイア（９
）を形成する多層セラミック基板のバイア形成方法にお
いて、上記マスクフィルム（２）を剥離させる工程の後
に、該グリーンシート（１）の該マスクフィルム（２）
が配設されていた面に、該導体（４）と導通させつつ該
バイア孔（３）を塞ぐランド（８）を形成することを特
徴とする多層セラミック基板のバイア形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2090580A JPH0828578B2 (ja) | 1990-04-05 | 1990-04-05 | 多層セラミック基板のバイヤ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2090580A JPH0828578B2 (ja) | 1990-04-05 | 1990-04-05 | 多層セラミック基板のバイヤ形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03288494A true JPH03288494A (ja) | 1991-12-18 |
| JPH0828578B2 JPH0828578B2 (ja) | 1996-03-21 |
Family
ID=14002378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2090580A Expired - Fee Related JPH0828578B2 (ja) | 1990-04-05 | 1990-04-05 | 多層セラミック基板のバイヤ形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0828578B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100900687B1 (ko) * | 2007-11-05 | 2009-06-01 | 삼성전기주식회사 | 그린시트, 그린시트 제조방법, 및 적층 유전체 부품제조방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62125692A (ja) * | 1985-11-26 | 1987-06-06 | 富士通株式会社 | グリ−ンシ−トのｖｉａ充填法 |
-
1990
- 1990-04-05 JP JP2090580A patent/JPH0828578B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62125692A (ja) * | 1985-11-26 | 1987-06-06 | 富士通株式会社 | グリ−ンシ−トのｖｉａ充填法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100900687B1 (ko) * | 2007-11-05 | 2009-06-01 | 삼성전기주식회사 | 그린시트, 그린시트 제조방법, 및 적층 유전체 부품제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0828578B2 (ja) | 1996-03-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |