JPH0329012B2 - - Google Patents
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- JPH0329012B2 JPH0329012B2 JP60038144A JP3814485A JPH0329012B2 JP H0329012 B2 JPH0329012 B2 JP H0329012B2 JP 60038144 A JP60038144 A JP 60038144A JP 3814485 A JP3814485 A JP 3814485A JP H0329012 B2 JPH0329012 B2 JP H0329012B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mold
- molding
- optical glass
- glass element
- aln
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/01—Manufacture or treatment
- H10W74/016—Manufacture or treatment using moulds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B11/00—Pressing molten glass or performed glass reheated to equivalent low viscosity without blowing
- C03B11/06—Construction of plunger or mould
- C03B11/08—Construction of plunger or mould for making solid articles, e.g. lenses
- C03B11/084—Construction of plunger or mould for making solid articles, e.g. lenses material composition or material properties of press dies therefor
- C03B11/086—Construction of plunger or mould for making solid articles, e.g. lenses material composition or material properties of press dies therefor of coated dies
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2215/00—Press-moulding glass
- C03B2215/02—Press-mould materials
- C03B2215/08—Coated press-mould dies
- C03B2215/10—Die base materials
- C03B2215/11—Metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2215/00—Press-moulding glass
- C03B2215/02—Press-mould materials
- C03B2215/08—Coated press-mould dies
- C03B2215/14—Die top coat materials, e.g. materials for the glass-contacting layers
- C03B2215/22—Non-oxide ceramics
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は、光学ガラス素子成形用金型に係り、
特に光学ガラスを加熱プレスにより所望の成形品
にするための光学ガラス素子成形用金型とその製
造方法に関する。 従来技術 従来から光学ガラスを加熱プレスにより所望の
成形品にすることは、特公昭55−11624号公報に
より知られている。しかし、該公報における金型
による場合は、ガラス素子と加熱プレス用金型と
の離型性に問題があり、特に像形成用光学レンズ
に要求される厳密な表面形状および表面特性を満
足することは困難である。これは、離型性がプレ
ス金型の材質に起因するガラス濡れ性に大きく依
存していることによる。 上記離型性の向上を図る手段として、金型の材
料にガラス状炭素、タングステン合金または石英
ガラスを用いたものが米国特許第4098596号およ
びオランダ国特許第80030号明細書に開示されて
おり、また、金型材料にSUS400系ステンレス鋼
を用いたものが米国特許第316861号明細書に開示
されている。 しかし、上記ステンレス鋼等の金属からなる金
型は、ガラスの成形および熱間加圧の各行程にお
ける温度サイクルにより結晶粒の成長を生じて結
晶構造が変化し、この結晶金型の表面が肌荒れし
たものとなり、ひいては成形品の表面形状や離型
性を劣化せしめ成形早期に製品の平滑度や光沢を
損なうとともに、金型寿命を非常に短くするとい
う問題がある。 また、ガラス状炭素からなる金型は、酸化しや
すくかつ構造的に弱く成形面に損傷を受けやすい
という問題があり、しかも、熱伝導度が低くかつ
耐破壊衝撃力も低いという問題がある。このこと
は、ガラスを加熱軟化して加圧成形するのに好ま
しくないものである。 さらに、石英ガラスからなる金型は、高い濡れ
性を有するとともに、熱伝導性が低いので、上記
ガラス状炭素からなる金型と同様の問題を有して
いる。 また、金型材料にTiNを用いたものも、特開
昭59−123629号公報に提案されているが、金型温
度が500℃以上になると酸化してしまい、高温の
成形加工に適さないという問題を有している。 発明の目的 本発明は上記した点に鑑みてなされたもので、
高温時における離型性および表面特性の向上を図
ることができかつ寿命の長い光学ガラス素子成形
用金型を提供することを目的とするものである。 発明の構成 上記目的を達成するため本発明に係る光学ガラ
ス素子成形用金型は、所望の成形物にプレス成形
するために形成された所定形状を有する成形面に
AlNからなる被着膜を形成したことをその特徴
とするとともに上記AlNからなる被着膜の形成
に当り、PVD法（物理的蒸着法）により蒸着膜
を蒸着して形成することをその特徴とするもので
ある。 実施例 以下、本発明の実施例を第１図乃至第３図を参
照して説明する。 第１図は本発明の一実施例を示したもので、金
型１は、上面に所望の成形物に対応する形状すな
わち本実施例においては球面状に形成された成形
面２を有しており、この金型１は、Cr、Mo、Ｗ
を含有し約0.02％以下の極低炭素含有のNi基合金
を鍜造圧延し、硬度をHRC40以上に高めたものを
所定形状に加工したものである。 そして、上記成形面２には、AlNの被着膜３
が形成されており、この被着膜３は、上記成形面
２をダイヤモンドペーストにより最終的に＃8000
〜14000の細かいもので研磨し、さらに、SiO2系
の微粒研磨材で仕上げ研磨を行ない表面粗さを
Rmax＝0.02μｍ以下とした後に、イオンビーム
スパツタリング装置により蒸着形成されるもので
ある。このイオンビームスパツタリング装置は、
第２図に示すように、真空チヤンバ４にはイオン
ビーム源５が連通して設けられ、真空チヤンバ４
内には、上記イオンビーム源５からのイオンビー
ム照射方向に対してほぼ45°の角度を有するよう
に、AlNの焼結体からなるターゲツト６が配設
されている。また、上記真空チヤンバ４の内部で
あつて上記ターゲツト６に対してほぼ45°の角度
を有するように対向する位置には、金型１を支持
する基台７が配設され、この基台７の内部には、
冷却水菅８およびヒータ９が導通され、基台７に
接続された熱電対１０の測定温度に応じて基台７
の温度を高精度に制御するようになされている。
さらに、真空チヤンバ４には、排気系接続用の排
気口１１が設けられている。 上記装置においては、基台７に金型１をその成
形面２がターゲツト６に対向するように取付け、
真空チヤンバ４を排気系により排気口１１を介し
て真空排気する。そして、イオンビーム源５から
ArイオンビームあるいはＮイオンビームをター
ゲツト６に照射し、ターゲツト材であるAlNを
飛散させ金型１の成形面２に堆積させることによ
り、AlNの被着膜３を形成するようになされる。 この装置を用いて下表の条件に従つてスパツタ
リングを行なつたところ、1.5μｍ厚のAlN膜を得
ることができた。
特に光学ガラスを加熱プレスにより所望の成形品
にするための光学ガラス素子成形用金型とその製
造方法に関する。 従来技術 従来から光学ガラスを加熱プレスにより所望の
成形品にすることは、特公昭55−11624号公報に
より知られている。しかし、該公報における金型
による場合は、ガラス素子と加熱プレス用金型と
の離型性に問題があり、特に像形成用光学レンズ
に要求される厳密な表面形状および表面特性を満
足することは困難である。これは、離型性がプレ
ス金型の材質に起因するガラス濡れ性に大きく依
存していることによる。 上記離型性の向上を図る手段として、金型の材
料にガラス状炭素、タングステン合金または石英
ガラスを用いたものが米国特許第4098596号およ
びオランダ国特許第80030号明細書に開示されて
おり、また、金型材料にSUS400系ステンレス鋼
を用いたものが米国特許第316861号明細書に開示
されている。 しかし、上記ステンレス鋼等の金属からなる金
型は、ガラスの成形および熱間加圧の各行程にお
ける温度サイクルにより結晶粒の成長を生じて結
晶構造が変化し、この結晶金型の表面が肌荒れし
たものとなり、ひいては成形品の表面形状や離型
性を劣化せしめ成形早期に製品の平滑度や光沢を
損なうとともに、金型寿命を非常に短くするとい
う問題がある。 また、ガラス状炭素からなる金型は、酸化しや
すくかつ構造的に弱く成形面に損傷を受けやすい
という問題があり、しかも、熱伝導度が低くかつ
耐破壊衝撃力も低いという問題がある。このこと
は、ガラスを加熱軟化して加圧成形するのに好ま
しくないものである。 さらに、石英ガラスからなる金型は、高い濡れ
性を有するとともに、熱伝導性が低いので、上記
ガラス状炭素からなる金型と同様の問題を有して
いる。 また、金型材料にTiNを用いたものも、特開
昭59−123629号公報に提案されているが、金型温
度が500℃以上になると酸化してしまい、高温の
成形加工に適さないという問題を有している。 発明の目的 本発明は上記した点に鑑みてなされたもので、
高温時における離型性および表面特性の向上を図
ることができかつ寿命の長い光学ガラス素子成形
用金型を提供することを目的とするものである。 発明の構成 上記目的を達成するため本発明に係る光学ガラ
ス素子成形用金型は、所望の成形物にプレス成形
するために形成された所定形状を有する成形面に
AlNからなる被着膜を形成したことをその特徴
とするとともに上記AlNからなる被着膜の形成
に当り、PVD法（物理的蒸着法）により蒸着膜
を蒸着して形成することをその特徴とするもので
ある。 実施例 以下、本発明の実施例を第１図乃至第３図を参
照して説明する。 第１図は本発明の一実施例を示したもので、金
型１は、上面に所望の成形物に対応する形状すな
わち本実施例においては球面状に形成された成形
面２を有しており、この金型１は、Cr、Mo、Ｗ
を含有し約0.02％以下の極低炭素含有のNi基合金
を鍜造圧延し、硬度をHRC40以上に高めたものを
所定形状に加工したものである。 そして、上記成形面２には、AlNの被着膜３
が形成されており、この被着膜３は、上記成形面
２をダイヤモンドペーストにより最終的に＃8000
〜14000の細かいもので研磨し、さらに、SiO2系
の微粒研磨材で仕上げ研磨を行ない表面粗さを
Rmax＝0.02μｍ以下とした後に、イオンビーム
スパツタリング装置により蒸着形成されるもので
ある。このイオンビームスパツタリング装置は、
第２図に示すように、真空チヤンバ４にはイオン
ビーム源５が連通して設けられ、真空チヤンバ４
内には、上記イオンビーム源５からのイオンビー
ム照射方向に対してほぼ45°の角度を有するよう
に、AlNの焼結体からなるターゲツト６が配設
されている。また、上記真空チヤンバ４の内部で
あつて上記ターゲツト６に対してほぼ45°の角度
を有するように対向する位置には、金型１を支持
する基台７が配設され、この基台７の内部には、
冷却水菅８およびヒータ９が導通され、基台７に
接続された熱電対１０の測定温度に応じて基台７
の温度を高精度に制御するようになされている。
さらに、真空チヤンバ４には、排気系接続用の排
気口１１が設けられている。 上記装置においては、基台７に金型１をその成
形面２がターゲツト６に対向するように取付け、
真空チヤンバ４を排気系により排気口１１を介し
て真空排気する。そして、イオンビーム源５から
ArイオンビームあるいはＮイオンビームをター
ゲツト６に照射し、ターゲツト材であるAlNを
飛散させ金型１の成形面２に堆積させることによ
り、AlNの被着膜３を形成するようになされる。 この装置を用いて下表の条件に従つてスパツタ
リングを行なつたところ、1.5μｍ厚のAlN膜を得
ることができた。
【表】
このAlN膜は極めて密であり、従来のものと
比較して高温（500℃以上）における離型性が著
しく向上していることが確認され、さらに、表面
粗さについても、従来のものが高温時に劣化して
Rmax＝0.04〜0.05μｍであるのに対して、向上し
ていることがわかつた。 なお、AlN膜を形成する手段として、ターゲ
ツトをAlにより形成し、真空チヤンバ内をN2ガ
スまたはNH3ガスの雰囲気としてスパツタリン
グを行なうようにしてもよい。また、上記金型を
WC−Co合金やFe基耐熱合金により形成するよ
うにしてもよく、上述のNi基合金やWC−Co合
金からなる金型の場合には、N2ガスやNH3ガス
雰囲気中でAlN粒子の活性化をプラズマ放電で
行なう活性化イオンプレーテイング法により
AlN膜を形成するようにすれば、速い蒸着速度
でかつ化学量論比を有する膜形成が可能となる。 また本発明の他の実施例として、金型１をセラ
ミツク材により形成してもよい。この場合、セラ
ミツク材としてAlN焼結体を用い、上述の実施
例と同様、成形面２をダイヤモンドペーストによ
り研磨した後、成形面２にRFスパツタリング装
置によりAlNからなる被着膜３を形成させる。
このRFスパツタリング装置は、第３図に示すよ
うに、真空チヤンバ１２の内部上面には、このチ
ヤンバ上板と一体に形成されたホルダ１３が設け
られ、真空チヤンバ１２の内部下面には、上記ホ
ルダ１３に対向するAlN焼結体により形成され
たターゲツト電極１４が設けられている。また、
真空チヤンバ１２には、図示しない排気系に接続
される排気口１５およびガス導入口１６がそれぞ
れ設けられており、さらに、アースされたホルダ
１３とターゲツト電極１４との間に高周波電圧を
印加する高周波電源１７が設けられている。さら
に、ホルダ１３とダーゲツト電極１４との間に
は、開閉自在にシヤツタ１８が配設されている。 上記装置においては、真空チヤンバ１２を真空
排気しガス導入口１６からAr等の不活性ガスを
導入して所定圧のガス雰囲気とした後、ダーゲツ
ト電極１４とホルダ１３との間に高周波電源１７
により数KVの高周波電圧を印加してプラズマを
発生させ、ターゲツト材料を飛散させることによ
り、ホルダ１３に取付けられた金型にAlN膜を
形成するようになされる。これにより、金型１の
成形面２に3μｍ厚のAlNの被着膜３が形成され、
他結晶体であるAlN結晶体により形成された金
型に研磨後も残留する段差を除去することができ
る。 本実施例に係る金型を用いてSF系ガラスとの
濡れ角を測定した結果、550℃において濡れ角θ
＝110°という値を得ることができ、これは、
Si3N4（シリコンナイトライド）、TiNに比べて同
等以上に濡れ性の低いことを示しており、したが
つて、高い離型性を得ることが可能となる。さら
に、本実施例においては、金型材料と被着膜とが
同じ材質で構成されるので、密着度が極めて高く
剥離等を生じることがない。 なお、上記セラミツク材としてSi3N4を用いる
ようにしてもよく、この場合は、AlNを被着源
とした電子ビームスパツタリングと金型の成形面
に対するＮイオンビーム照射とを同時に行なう手
段により、AlN膜を形成させるようにすればよ
い。発明の効果 以上述べたように本発明は、所望の成形物をプ
レス成形するための成形面にAlNの被着膜を形
成して構成したので、成形面が高い温度において
も高硬度を有しかつ酸化しにくくなり、したがつ
て高温時（600℃以上）での離型性の向上および
表面粗さの向上を図ることができる。その結果、
高い型温度を必要とするプレス成形を高い面精度
で行なうことができ、さらに、低い型温度では金
型寿命を著しく長くすることが可能となる等の効
果を奏する。特に本発明の第２発明によれば、第
１発明の光学ガラス素子成形用金型を適確に製造
することができる。
比較して高温（500℃以上）における離型性が著
しく向上していることが確認され、さらに、表面
粗さについても、従来のものが高温時に劣化して
Rmax＝0.04〜0.05μｍであるのに対して、向上し
ていることがわかつた。 なお、AlN膜を形成する手段として、ターゲ
ツトをAlにより形成し、真空チヤンバ内をN2ガ
スまたはNH3ガスの雰囲気としてスパツタリン
グを行なうようにしてもよい。また、上記金型を
WC−Co合金やFe基耐熱合金により形成するよ
うにしてもよく、上述のNi基合金やWC−Co合
金からなる金型の場合には、N2ガスやNH3ガス
雰囲気中でAlN粒子の活性化をプラズマ放電で
行なう活性化イオンプレーテイング法により
AlN膜を形成するようにすれば、速い蒸着速度
でかつ化学量論比を有する膜形成が可能となる。 また本発明の他の実施例として、金型１をセラ
ミツク材により形成してもよい。この場合、セラ
ミツク材としてAlN焼結体を用い、上述の実施
例と同様、成形面２をダイヤモンドペーストによ
り研磨した後、成形面２にRFスパツタリング装
置によりAlNからなる被着膜３を形成させる。
このRFスパツタリング装置は、第３図に示すよ
うに、真空チヤンバ１２の内部上面には、このチ
ヤンバ上板と一体に形成されたホルダ１３が設け
られ、真空チヤンバ１２の内部下面には、上記ホ
ルダ１３に対向するAlN焼結体により形成され
たターゲツト電極１４が設けられている。また、
真空チヤンバ１２には、図示しない排気系に接続
される排気口１５およびガス導入口１６がそれぞ
れ設けられており、さらに、アースされたホルダ
１３とターゲツト電極１４との間に高周波電圧を
印加する高周波電源１７が設けられている。さら
に、ホルダ１３とダーゲツト電極１４との間に
は、開閉自在にシヤツタ１８が配設されている。 上記装置においては、真空チヤンバ１２を真空
排気しガス導入口１６からAr等の不活性ガスを
導入して所定圧のガス雰囲気とした後、ダーゲツ
ト電極１４とホルダ１３との間に高周波電源１７
により数KVの高周波電圧を印加してプラズマを
発生させ、ターゲツト材料を飛散させることによ
り、ホルダ１３に取付けられた金型にAlN膜を
形成するようになされる。これにより、金型１の
成形面２に3μｍ厚のAlNの被着膜３が形成され、
他結晶体であるAlN結晶体により形成された金
型に研磨後も残留する段差を除去することができ
る。 本実施例に係る金型を用いてSF系ガラスとの
濡れ角を測定した結果、550℃において濡れ角θ
＝110°という値を得ることができ、これは、
Si3N4（シリコンナイトライド）、TiNに比べて同
等以上に濡れ性の低いことを示しており、したが
つて、高い離型性を得ることが可能となる。さら
に、本実施例においては、金型材料と被着膜とが
同じ材質で構成されるので、密着度が極めて高く
剥離等を生じることがない。 なお、上記セラミツク材としてSi3N4を用いる
ようにしてもよく、この場合は、AlNを被着源
とした電子ビームスパツタリングと金型の成形面
に対するＮイオンビーム照射とを同時に行なう手
段により、AlN膜を形成させるようにすればよ
い。発明の効果 以上述べたように本発明は、所望の成形物をプ
レス成形するための成形面にAlNの被着膜を形
成して構成したので、成形面が高い温度において
も高硬度を有しかつ酸化しにくくなり、したがつ
て高温時（600℃以上）での離型性の向上および
表面粗さの向上を図ることができる。その結果、
高い型温度を必要とするプレス成形を高い面精度
で行なうことができ、さらに、低い型温度では金
型寿命を著しく長くすることが可能となる等の効
果を奏する。特に本発明の第２発明によれば、第
１発明の光学ガラス素子成形用金型を適確に製造
することができる。
第１図乃至第３図はそれぞれ本発明の一実施例
を示したもので、第１図は金型の縦断面図、第２
図はイオンビームスパツタリング装置の概略構成
図、第３図はRFスパツタリング装置の概略構成
図である。 １……金型、２……成形面、３……被着膜、
４，１２……真空チヤンバ、５……イオンビーム
源、６……ターゲツト、７……基台、８……冷却
水管、９……ヒータ、１０……熱電対、１１，１
５……排気口、１３……ホルダ、１４……ターゲ
ツト電極、１６……ガス導入口、１７……高周波
電源、１８……シヤツタ。
を示したもので、第１図は金型の縦断面図、第２
図はイオンビームスパツタリング装置の概略構成
図、第３図はRFスパツタリング装置の概略構成
図である。 １……金型、２……成形面、３……被着膜、
４，１２……真空チヤンバ、５……イオンビーム
源、６……ターゲツト、７……基台、８……冷却
水管、９……ヒータ、１０……熱電対、１１，１
５……排気口、１３……ホルダ、１４……ターゲ
ツト電極、１６……ガス導入口、１７……高周波
電源、１８……シヤツタ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 所望の成形物にプレス成形するため所定形状
の成形面が形成された光学ガラス素子成形用金型
において、上記成形面にAlNのみからなる被着
膜を形成したことを特徴とする光学ガラス素子成
形用金型。 ２ 上記金型をNi基合金、Fe基耐熱合金あるい
はWC−Co系合金のいずれかの金属材料により形
成したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の光学ガラス素子成形用金型。 ３ 上記金型をAlNあるいはSi3N4のいずれかを
主成分とするセラミツク材料により形成したこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光学ガ
ラス素子成形用金型。 ４ 所望の成形物にプレス成形するため所定形状
の成形面が形成された光学ガラス素子成形用金型
の製造方法において、 上記金型の成形面にPVD法（物理的蒸着法）
によりAlNのみからなる蒸着膜を蒸着すること
を特徴とする光学ガラス素子成形用金型の製造方
法。 ５ 上記PVD法はイオンビームスパツタリング
またはRFスパツタリング等のスパツタリングを
用いることを特徴とする特許請求の範囲第４項記
載の光学ガラス素子成形用金型の製造方法。 ６ 上記PVD法はイオンプレーテイング法を用
いることを特徴とする特許請求の範囲第４項記載
の光学ガラス素子成形用金型の製造方法。 ７ 上記成形面は、Rmaxで0.05μｍ以下の面粗
さに加工した後、上記蒸着膜を蒸着することを特
徴とする特許請求の範囲第４項記載の光学ガラス
素子成形用金型の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60038144A JPS61197430A (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | 光学ガラス素子成形用金型とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60038144A JPS61197430A (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | 光学ガラス素子成形用金型とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61197430A JPS61197430A (ja) | 1986-09-01 |
| JPH0329012B2 true JPH0329012B2 (ja) | 1991-04-22 |
Family
ID=12517222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60038144A Granted JPS61197430A (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | 光学ガラス素子成形用金型とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61197430A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2572047B2 (ja) * | 1986-10-06 | 1997-01-16 | オリンパス光学工業株式会社 | ガラスプレス装置部材 |
| JP2711580B2 (ja) * | 1990-01-12 | 1998-02-10 | アルプス電気株式会社 | 成形金型の製造方法 |
| US8887532B2 (en) * | 2010-08-24 | 2014-11-18 | Corning Incorporated | Glass-forming tools and methods |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2529473C3 (de) * | 1975-07-02 | 1980-11-20 | Danfoss A/S, Nordborg (Daenemark) | Gleitschuhanordnung, insbesondere für Axial- und Radialkolbenmaschinen |
-
1985
- 1985-02-27 JP JP60038144A patent/JPS61197430A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61197430A (ja) | 1986-09-01 |
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