JPH03290357A - ウイスカー強化Ａｌ↓２Ｏ↓３・ＺｒＯ↓２複合焼結体の製造方法 - Google Patents
ウイスカー強化Ａｌ↓２Ｏ↓３・ＺｒＯ↓２複合焼結体の製造方法Info
- Publication number
- JPH03290357A JPH03290357A JP2091756A JP9175690A JPH03290357A JP H03290357 A JPH03290357 A JP H03290357A JP 2091756 A JP2091756 A JP 2091756A JP 9175690 A JP9175690 A JP 9175690A JP H03290357 A JPH03290357 A JP H03290357A
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- Japan
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- zro
- whisker
- sintered body
- sic
- sic whiskers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、Ａ２□０．・ＺｒＯ，系セラミックス材をＳ
ｉＣウィスカーで複合強化した焼結体の製造方法に関す
る。
ｉＣウィスカーで複合強化した焼結体の製造方法に関す
る。
〔従来の技術］
Ａｌ２Ｏ３・ＺｒＯ！系のセラミックスは材質的に優れ
た強度ならびに靭性を示すことから、多様なニーズに対
応できる適合性を備えているが、高温域においてＺｒＯ
２の添加効果が減退する固有の欠点がある。このため、
高温域での特性維持を図るために、組織内にＳｉＣウィ
スカーを分散させて複合強化（マルチタフニング）する
試みがなされている。
た強度ならびに靭性を示すことから、多様なニーズに対
応できる適合性を備えているが、高温域においてＺｒＯ
２の添加効果が減退する固有の欠点がある。このため、
高温域での特性維持を図るために、組織内にＳｉＣウィ
スカーを分散させて複合強化（マルチタフニング）する
試みがなされている。
ところが、ＳｉＣとＺｒＯ，が共存する組成系では焼結
時に下式の反応を起こし、ここで発生したＣＯガスが材
料組織に多数のボアを形成して強度低下を引き起こす問
題がある。
時に下式の反応を起こし、ここで発生したＣＯガスが材
料組織に多数のボアを形成して強度低下を引き起こす問
題がある。
ＺｒＯ２ ＋２ＳｉＣ−＋ＺｒＣ＋ＣＯ＋ＳｉＯ＋Ｓｉ
このような反応を抑制する対策として、ホットプレス焼
結のようにモールド加圧下で焼結をおこなう方法（特開
昭５７−２０５３６６号公報）または熱間等方圧（ＨＩ
Ｐ）焼結法（米国特許第４７４６６３５号明細書）が提
案されているが、ホットプレス方式では単純な形状しか
焼結できず、熱間等方圧酸形は高価な耐圧炉を必要とす
るためコスト高になる欠点がある。
このような反応を抑制する対策として、ホットプレス焼
結のようにモールド加圧下で焼結をおこなう方法（特開
昭５７−２０５３６６号公報）または熱間等方圧（ＨＩ
Ｐ）焼結法（米国特許第４７４６６３５号明細書）が提
案されているが、ホットプレス方式では単純な形状しか
焼結できず、熱間等方圧酸形は高価な耐圧炉を必要とす
るためコスト高になる欠点がある。
このほかに焼結時のガス雰囲気を不活性とすることが知
られており、ＣＯガス雰囲気中で焼結処理する方法が提
案されている。しかし、ＣＯガスの使用は取扱い上に危
険性を伴う問題点がある。
られており、ＣＯガス雰囲気中で焼結処理する方法が提
案されている。しかし、ＣＯガスの使用は取扱い上に危
険性を伴う問題点がある。
〔発明が解決しようとする課題］
本発明者は、ＳｉＣとＺｒＯ２の反応を防止するために
は、ＳｉＣウィスカー、Ａｆ、Ｏ，、ＺｒＯ２からなる
３威分混合物を冷間等方圧酸形したのち不活性ガス加圧
下で焼結させることが有効であることを確認し、既に特
願平２−２００４１号として提案した。ところが、この
方法を採る場合にもガス加圧焼結に必要な耐圧炉を設置
しなければならない難点があった。
は、ＳｉＣウィスカー、Ａｆ、Ｏ，、ＺｒＯ２からなる
３威分混合物を冷間等方圧酸形したのち不活性ガス加圧
下で焼結させることが有効であることを確認し、既に特
願平２−２００４１号として提案した。ところが、この
方法を採る場合にもガス加圧焼結に必要な耐圧炉を設置
しなければならない難点があった。
本発明の目的は、ＳｉＣとＺｒＯ，の反応を伴わず、か
つ常圧焼結化が可能なウィスカー強化Ａｌ、０３ ・Ｚ
ｒＯ，複合焼結体の製造方法を提供しようとするところ
にある。
つ常圧焼結化が可能なウィスカー強化Ａｌ、０３ ・Ｚ
ｒＯ，複合焼結体の製造方法を提供しようとするところ
にある。
本発明においては、上記の目的を予め特定された膜厚の
Ｓｉ、Ｎ、被覆を施したＳｉＣウィスカーを強化材とす
ることにより解決したものである。
Ｓｉ、Ｎ、被覆を施したＳｉＣウィスカーを強化材とす
ることにより解決したものである。
表面を種々の非反応性物質で被覆したＳｉＣウィスカー
を強化材としたセラミックス複合材の製造方法は従来か
ら開発されており、Ｓｉ、Ｎ、で表面改質したＳｉＣウ
ィスカーを適用する方法も特開平１−４１５８７７号公
報および特願平１−１２５４２６号として本出願人によ
って既に提案されている。
を強化材としたセラミックス複合材の製造方法は従来か
ら開発されており、Ｓｉ、Ｎ、で表面改質したＳｉＣウ
ィスカーを適用する方法も特開平１−４１５８７７号公
報および特願平１−１２５４２６号として本出願人によ
って既に提案されている。
しかし、本発明はセラミックス母材としてＡ ｚ ２０
、・ＺｒＯ，系を対象とした場合に最適な５ｉｓＮ４の
被覆厚さを解明した点に従来技術とは異なる発明の要素
がある。
、・ＺｒＯ，系を対象とした場合に最適な５ｉｓＮ４の
被覆厚さを解明した点に従来技術とは異なる発明の要素
がある。
〔課題を解決するための手段］
すなわち、本発明によるウィスカー強化Ａｆｆｉ。
０、・ＺｒＯ，複合焼結体の製造方法は、表面に厚さ２
０〜１００人の５ｉｓＮ＜被膜を形成したＳｉＣウィス
カーをＡｌｔｏｓ粉末およびＺｒＯ。
０〜１００人の５ｉｓＮ＜被膜を形成したＳｉＣウィス
カーをＡｌｔｏｓ粉末およびＺｒＯ。
粉末と湿式混合し、該混合物を冷間等方圧（ＩＪＰ）成
形したのち不活性ガス雰囲気下で常圧焼結することを構
成上の特徴とする。
形したのち不活性ガス雰囲気下で常圧焼結することを構
成上の特徴とする。
本発明の強化材となるＳｉＣウィスカーは、直径０．１
〜２．０μｍ、長さ５〜３０μ陣の針状単結晶で、表面
に厚さ２０〜１００人の５ｉｆｆＮ４からなる高密度で
均質な被膜を形成したものが使用に供される。Ｓｉ、Ｎ
４の被膜厚さが２０人未満であると基材ＳｉＣウィスカ
ーとＺｒＯ，との反応を阻止する機能が付与されず、１
００人を越えると強度の減退を招く。
〜２．０μｍ、長さ５〜３０μ陣の針状単結晶で、表面
に厚さ２０〜１００人の５ｉｆｆＮ４からなる高密度で
均質な被膜を形成したものが使用に供される。Ｓｉ、Ｎ
４の被膜厚さが２０人未満であると基材ＳｉＣウィスカ
ーとＺｒＯ，との反応を阻止する機能が付与されず、１
００人を越えると強度の減退を招く。
ＳｉＣウィスカーの表面にＳｉ、Ｎ４の被膜を形成する
方法には、ポリカルボシランの溶液にＳｉＣウィスカー
を均一分散させて濾過・乾燥したのち窒化性雰囲気中で
熱処理する方法（特開平ｌ−１１５８７７号公報）、Ｓ
ｉＣウィスカーを酸化処理して表面にＳｉＯ□の薄膜を
形成し、還元成分として熱硬化性樹脂を被着した状態で
窒化性ガス雰囲気下で熱処理する方法（特願平１−１２
５４２６号）等があるが、これらの方法では本発明で必
要な２０〜１００人範囲の高密度で均質な薄膜を形成す
ることが困難である。
方法には、ポリカルボシランの溶液にＳｉＣウィスカー
を均一分散させて濾過・乾燥したのち窒化性雰囲気中で
熱処理する方法（特開平ｌ−１１５８７７号公報）、Ｓ
ｉＣウィスカーを酸化処理して表面にＳｉＯ□の薄膜を
形成し、還元成分として熱硬化性樹脂を被着した状態で
窒化性ガス雰囲気下で熱処理する方法（特願平１−１２
５４２６号）等があるが、これらの方法では本発明で必
要な２０〜１００人範囲の高密度で均質な薄膜を形成す
ることが困難である。
本発明の目的には、ポリシラザンを有ｍ溶媒に溶解した
溶液にＳｉＣウィスカーを分散させて濾過・乾燥したの
ち窒化性雰囲気中で１２００〜１６００°Ｃの温度に焼
成処理する方法が好適に用いられる。この場合に反応基
材となるポリシラザンは、下式（１）または（２）の化
学構造が繰り返し結合した形態を有するものである。
溶液にＳｉＣウィスカーを分散させて濾過・乾燥したの
ち窒化性雰囲気中で１２００〜１６００°Ｃの温度に焼
成処理する方法が好適に用いられる。この場合に反応基
材となるポリシラザンは、下式（１）または（２）の化
学構造が繰り返し結合した形態を有するものである。
上式において、Ｒは水素、メチル基、エチル基、ｎ−プ
ロピル基、イソプロピル基、１〜６個の炭素原子をもつ
低級アルキル基、１〜６個の炭素原子ヲもつ低級アルコ
キシ基、ビニル基、アリル基、ベンジル基、６〜１０個
の炭素原子をもつ低級アリール基、ジアルキルシリル基
、ジアルキルアミノ基またはフェニル基である。ｎ、ｍ
は２以上であり、ｎは５から約２４までの範囲、ｍは３
〜１２までの範囲にある。
ロピル基、イソプロピル基、１〜６個の炭素原子をもつ
低級アルキル基、１〜６個の炭素原子ヲもつ低級アルコ
キシ基、ビニル基、アリル基、ベンジル基、６〜１０個
の炭素原子をもつ低級アリール基、ジアルキルシリル基
、ジアルキルアミノ基またはフェニル基である。ｎ、ｍ
は２以上であり、ｎは５から約２４までの範囲、ｍは３
〜１２までの範囲にある。
このようにポリシラザンは−３−Ｎ−が繰り返し主鎖に
より構成されているため、含有Ｎ成分が窒化反応に寄与
して生成を促進させる機能を果たし、高密度で均質な厚
さ１００Å以下の薄膜層を呈するＳｉ、Ｎ、に転化する
。
より構成されているため、含有Ｎ成分が窒化反応に寄与
して生成を促進させる機能を果たし、高密度で均質な厚
さ１００Å以下の薄膜層を呈するＳｉ、Ｎ、に転化する
。
上記の５ｉｌＮ４被膜を形成されたＳｉＣウィスカーは
、Ａｌ、○、粉末およびＺｒＯ，粉末と混合する。Ａｌ
□○、粉末には平均粒子径０． １〜１．ＯｔＩｍ、純
度９９％以上のα−結晶型のものが好ましく用いられ、
またＺｒＯ，粉末には平均粒子径０．１〜１．０μ−の
微粒子であって、高靭性を与えるために０．５〜５ｓ＋
ｏ １％のＹｚＯｑを含むものが好適に使用される。
、Ａｌ、○、粉末およびＺｒＯ，粉末と混合する。Ａｌ
□○、粉末には平均粒子径０． １〜１．ＯｔＩｍ、純
度９９％以上のα−結晶型のものが好ましく用いられ、
またＺｒＯ，粉末には平均粒子径０．１〜１．０μ−の
微粒子であって、高靭性を与えるために０．５〜５ｓ＋
ｏ １％のＹｚＯｑを含むものが好適に使用される。
成分の配合比率としては、全体量に対してＳｉＣウィス
カーならびにＺｒＣｈを５〜２０ｖｏｌ％の範囲に設定
することが好ましい。ＳｉＣウィスカーの配合量が５Ｖ
ｏ１％を下廻ると複合効果が発揮されず、２０ＶＯ１％
を越えると緻密化が不十分となる。ＺｒＯ□の配合量が
５ｖｏｌ％未満の場合には常温における強度、靭性の劣
化、焼結組織の疎密化を生じ、２０ｖｏｌ％を越す配合
は高温物性の低下を招く。
カーならびにＺｒＣｈを５〜２０ｖｏｌ％の範囲に設定
することが好ましい。ＳｉＣウィスカーの配合量が５Ｖ
ｏ１％を下廻ると複合効果が発揮されず、２０ＶＯ１％
を越えると緻密化が不十分となる。ＺｒＯ□の配合量が
５ｖｏｌ％未満の場合には常温における強度、靭性の劣
化、焼結組織の疎密化を生じ、２０ｖｏｌ％を越す配合
は高温物性の低下を招く。
混合処理は、適宜な分散液媒と共にＳｉＣウィスカーを
ボールミルのような攪拌混合器に入れ、均質混合される
まで湿式混合する方法でおこなわれる。得られた混合物
から液媒を除去し、ついで冷間等方圧（ＣＩＰ）装置を
用いて成形する。成形には、少なくとも３ ｔｏｎ／ｃ
１の圧力を負荷することが緻密組織を形成するうえで重
要である。
ボールミルのような攪拌混合器に入れ、均質混合される
まで湿式混合する方法でおこなわれる。得られた混合物
から液媒を除去し、ついで冷間等方圧（ＣＩＰ）装置を
用いて成形する。成形には、少なくとも３ ｔｏｎ／ｃ
１の圧力を負荷することが緻密組織を形成するうえで重
要である。
等方組織体に形成された成形物は、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎ２等
の不活性ガス雰囲気下で常圧焼結する。この際の焼結温
度は、１５００〜１８００°Ｃの範囲に設定することが
望ましい。ｌ ５００ ”Ｃ未満の焼結温度では焼結が
十分に進行せず、１８００°Ｃを越える高温度ではＡｌ
２Ｏ３の異常粒成長が起きるほか、ＳｉＣとＺｒＯ，の
反応性が増大して５ｉｚＮ４被覆では反応を抑制するこ
とができなくなる。
の不活性ガス雰囲気下で常圧焼結する。この際の焼結温
度は、１５００〜１８００°Ｃの範囲に設定することが
望ましい。ｌ ５００ ”Ｃ未満の焼結温度では焼結が
十分に進行せず、１８００°Ｃを越える高温度ではＡｌ
２Ｏ３の異常粒成長が起きるほか、ＳｉＣとＺｒＯ，の
反応性が増大して５ｉｚＮ４被覆では反応を抑制するこ
とができなくなる。
本発明によれば、ＡＩ！、、Ｏｘ ’ ＺｒＯ，系セ
ラミツクスをＳｉＣウィスカー複合強化するにあたり、
表面に厚さ２０〜１００入のＳｉ、Ｎｔ被被膜形成した
ＳｉＣウィスカーを用いることにより焼結時に起生ずる
強化材成分のＳｉＣとマトリックス収骨であるＺｒＯ２
との反応を効果的に阻止し、よって不活性ガス雰囲気中
での常圧下における焼結化が可能となる。
ラミツクスをＳｉＣウィスカー複合強化するにあたり、
表面に厚さ２０〜１００入のＳｉ、Ｎｔ被被膜形成した
ＳｉＣウィスカーを用いることにより焼結時に起生ずる
強化材成分のＳｉＣとマトリックス収骨であるＺｒＯ２
との反応を効果的に阻止し、よって不活性ガス雰囲気中
での常圧下における焼結化が可能となる。
また、Ｚ ｒ Ｏ，成分は常温域ではＳｉＣウィスカー
と共に強化材として機能し、焼結時には焼結助剤として
機能するから、上記の反応阻止作用と相俟って常圧焼結
による組織の緻密化に貢献する。
と共に強化材として機能し、焼結時には焼結助剤として
機能するから、上記の反応阻止作用と相俟って常圧焼結
による組織の緻密化に貢献する。
したがって、常に強度および靭性に優れる高品位のウィ
スカー強化Ａｎ、Ｏ，・ＺｒＯ２複合焼結体を製造する
ことができる。
スカー強化Ａｎ、Ｏ，・ＺｒＯ２複合焼結体を製造する
ことができる。
［実施例〕
以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
実施例１
（１）ＳｉＣウィスカーの表面改質
ポリシラザンの６５％トルエン溶液を更にトルエンに溶
解し、７日間静置して濃度の異なる均一な溶液を作製し
た。この溶液中に平均直径１． ０μ顛、平均長さ３０
μ鴎のＳｉＣウィスカー（東海カーボン■製、“トーカ
ウィスカー１００ ）を投入し、２．５時間攪拌混合し
て均一に分散させた。
解し、７日間静置して濃度の異なる均一な溶液を作製し
た。この溶液中に平均直径１． ０μ顛、平均長さ３０
μ鴎のＳｉＣウィスカー（東海カーボン■製、“トーカ
ウィスカー１００ ）を投入し、２．５時間攪拌混合し
て均一に分散させた。
分散液を吸引濾過して得られたＳｉＣウィスカーの湿潤
集合体を１００″Ｃの温度で乾燥したのち十分にほぐし
、更に１７０°Ｃで２時間真空乾燥してポリシラザン成
分を完全に硬化させた。
集合体を１００″Ｃの温度で乾燥したのち十分にほぐし
、更に１７０°Ｃで２時間真空乾燥してポリシラザン成
分を完全に硬化させた。
ついで、被着成分を固定化したＳｉＣウィスヵーヲＮ
ｚ雰囲気に保持されたエレマ炉に移し、１０°Ｃ／分の
昇温速度により１４００°Ｃの温度まで上昇させて焼成
処理をおこなった。
ｚ雰囲気に保持されたエレマ炉に移し、１０°Ｃ／分の
昇温速度により１４００°Ｃの温度まで上昇させて焼成
処理をおこなった。
このように処理された各ＳｉＣウィスカーの表面を透過
型電子顕微鏡（ＴＥＭ）で観察したところ、１０〜１０
０人の範囲で膜厚の異なる均一かつ緻密な層に改質して
いることが判明した。また、膜層を電子線回折で分析し
た結果、Ｓｉ、Ｎ、であることが確認された。
型電子顕微鏡（ＴＥＭ）で観察したところ、１０〜１０
０人の範囲で膜厚の異なる均一かつ緻密な層に改質して
いることが判明した。また、膜層を電子線回折で分析し
た結果、Ｓｉ、Ｎ、であることが確認された。
（２）焼結処理
ついで、表面に被膜厚１０〜２００人のＳｉ。
Ｎ４層を形成した各ＳｉＣウィスカー１５ｖｏｌ％を、
Ａ １２ ｚ○３粉末〔住友化学■製、＾ＫＰ−３０）
７５ｖｏｌ％およびＺｒＯ，粉末〔東ソー■製、ＴＺ
−２Ｙ）１０ｖｏｌ％と共にボールミルに入れ、エタノ
ールを分散媒として十分に攪拌し湿式混合した。
Ａ １２ ｚ○３粉末〔住友化学■製、＾ＫＰ−３０）
７５ｖｏｌ％およびＺｒＯ，粉末〔東ソー■製、ＴＺ
−２Ｙ）１０ｖｏｌ％と共にボールミルに入れ、エタノ
ールを分散媒として十分に攪拌し湿式混合した。
得られた混合スラリーを加熱したエタノール分散媒を蒸
発除去したのち、均質混合物を内径５０■■のモールド
に充填して５００ ｋｇ／ｃａｂ”の圧力により成形し
、引き続き冷間等方圧成形装置に移し６ ｔｏｎ／ｃ
ｍ”で成形して円盤状の成形体を得た。
発除去したのち、均質混合物を内径５０■■のモールド
に充填して５００ ｋｇ／ｃａｂ”の圧力により成形し
、引き続き冷間等方圧成形装置に移し６ ｔｏｎ／ｃ
ｍ”で成形して円盤状の成形体を得た。
ついで、該成形体をＡｒガス雰囲気下で１７５０℃の温
度に２時間保持して焼結体を製造した。
度に２時間保持して焼結体を製造した。
（３）特性評価
上記の常圧焼結により得られた各複合焼結体につき曲げ
強度および破壊靭性を測定し、その結果をＳｉＣウィス
カーに被覆した５ｔ３Ｎ４の厚さに対比させて図（グラ
フ）に示した。
強度および破壊靭性を測定し、その結果をＳｉＣウィス
カーに被覆した５ｔ３Ｎ４の厚さに対比させて図（グラ
フ）に示した。
なお、曲げ強度はＪＩＳ試験法（長さ４０ｍ５、巾４ｍ
ｓ 、厚す３＋＋ｎ ）および５ＥＮＢＴ、Ｐ（長さ４
０−園、中３問、厚さ４ｍ１ｍ、ノツチ深さ１層園、ノ
ツチ巾０．１＋ｇｍ）を採取してスパン３ｏ■園、３点
曲げにより測定し、また破壊靭性は前記試片につき上ス
パンｌＯ■―、下スパン３０ｍｍで４点曲げにより測定
した。
ｓ 、厚す３＋＋ｎ ）および５ＥＮＢＴ、Ｐ（長さ４
０−園、中３問、厚さ４ｍ１ｍ、ノツチ深さ１層園、ノ
ツチ巾０．１＋ｇｍ）を採取してスパン３ｏ■園、３点
曲げにより測定し、また破壊靭性は前記試片につき上ス
パンｌＯ■―、下スパン３０ｍｍで４点曲げにより測定
した。
図示のグラフから、ＳｉＣウィスカーに被覆するＳｉ、
Ｎ４層の厚さが２０入を下地る場合には曲げ強度および
破壊靭性が上昇です、また１００人を越えると曲げ強度
が急激に低下することが判明した。
Ｎ４層の厚さが２０入を下地る場合には曲げ強度および
破壊靭性が上昇です、また１００人を越えると曲げ強度
が急激に低下することが判明した。
実施例２
実施例１で形成した厚さ５０入のＳｉ、Ｎ、被膜のＳｉ
Ｃウィスカーを用い、これを実施ｆＮ１と同一のＡｊ’
、Ｏ，粉末およびＺ ｒ Ｏｚ粉末と各種の配合割合で
湿式混合した。混合スラリーを乾燥したのち、実施例１
と同様に成形、焼結処理して複合焼結体を製造した。
Ｃウィスカーを用い、これを実施ｆＮ１と同一のＡｊ’
、Ｏ，粉末およびＺ ｒ Ｏｚ粉末と各種の配合割合で
湿式混合した。混合スラリーを乾燥したのち、実施例１
と同様に成形、焼結処理して複合焼結体を製造した。
このようにして製造した各ＳｉＣウィスカー強化Ａｎ、
○、・ＺｒＯ！複合焼結体につき常温時と１０００°Ｃ
加熱時における曲げ強度および破壊靭性を測定し、その
結果を表１に示した。
○、・ＺｒＯ！複合焼結体につき常温時と１０００°Ｃ
加熱時における曲げ強度および破壊靭性を測定し、その
結果を表１に示した。
表１の結果から、各複合焼結体はいずれも良好な特性を
示したが、ＳｉＣウィスカーの配合量が２０ｖｏｌ％を
越す例（Ｒｕｎ Ｎｏ、４）では常温時の曲げ強度が低
下し、ＺｒＯ□配合量が２０ｖｏｌ％を上地る例（Ｒｕ
ｎ Ｎｏ、６）では１０００℃加熱時の曲げ強度および
破壊靭性値が低下する傾向を示した。また、ＺｒＯ２を
配合しない例（Ｒａｎ Ｎｏ、８）では、常温特性が増
大しなかった。
示したが、ＳｉＣウィスカーの配合量が２０ｖｏｌ％を
越す例（Ｒｕｎ Ｎｏ、４）では常温時の曲げ強度が低
下し、ＺｒＯ□配合量が２０ｖｏｌ％を上地る例（Ｒｕ
ｎ Ｎｏ、６）では１０００℃加熱時の曲げ強度および
破壊靭性値が低下する傾向を示した。また、ＺｒＯ２を
配合しない例（Ｒａｎ Ｎｏ、８）では、常温特性が増
大しなかった。
〔発明の効果］
以上のとおり、本発明によれば表面に厚さ２０〜１００
人のＳｌ、Ｎａ被膜を形成したＳｉＣウィスカーを用い
ることにより、常圧焼結法で優れた複合特性を備えるウ
ィスカー強化Ａｌ！○。
人のＳｌ、Ｎａ被膜を形成したＳｉＣウィスカーを用い
ることにより、常圧焼結法で優れた複合特性を備えるウ
ィスカー強化Ａｌ！○。
ＺｒＯ２？１合焼結体を製造することが可能となる。
したがって、高性能のセラミックス複合材を効率よく得
ることができる。
ることができる。
図は実施例１によるＳｉＣウィスカーのＳｉ。
Ｎ４被膜の厚さ（人）と曲げ強度および破壊靭性との関
係を示したグラフである。
係を示したグラフである。
Claims (2)
- １．表面に厚さ２０〜１００ÅのＳｉ＿３Ｎ＿４被膜を
形成したＳｉＣウィスカーをＡｌ＿２Ｏ＿３粉末および
ＺｒＯ＿２粉末と湿式混合し、該混合物を冷間等方圧（
ＣＩＰ）成形したのち不活性ガス雰囲気下で常圧焼結す
ることを特徴とするウィスカー強化Ａｌ＿２Ｏ＿３・Ｚ
ｒＯ＿２複合焼結体の製造方法。 - ２．ＳｉＣウィスカーおよびＺｒＯ＿２の配合量を５〜
２０ｖｏｌ％の範囲に設定する請求項１記載のウィスカ
ー強化Ａｌ＿２Ｏ＿３・ＺｒＯ＿２複合焼結体の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2091756A JPH03290357A (ja) | 1990-04-06 | 1990-04-06 | ウイスカー強化Ａｌ↓２Ｏ↓３・ＺｒＯ↓２複合焼結体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2091756A JPH03290357A (ja) | 1990-04-06 | 1990-04-06 | ウイスカー強化Ａｌ↓２Ｏ↓３・ＺｒＯ↓２複合焼結体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03290357A true JPH03290357A (ja) | 1991-12-20 |
Family
ID=14035386
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2091756A Pending JPH03290357A (ja) | 1990-04-06 | 1990-04-06 | ウイスカー強化Ａｌ↓２Ｏ↓３・ＺｒＯ↓２複合焼結体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03290357A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001089255A (ja) * | 1999-09-16 | 2001-04-03 | Sgl Technik Gmbh | 繊維束で強化された複合材料 |
-
1990
- 1990-04-06 JP JP2091756A patent/JPH03290357A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001089255A (ja) * | 1999-09-16 | 2001-04-03 | Sgl Technik Gmbh | 繊維束で強化された複合材料 |
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