JPH03290930A - 加工方法 - Google Patents
加工方法Info
- Publication number
- JPH03290930A JPH03290930A JP30323190A JP30323190A JPH03290930A JP H03290930 A JPH03290930 A JP H03290930A JP 30323190 A JP30323190 A JP 30323190A JP 30323190 A JP30323190 A JP 30323190A JP H03290930 A JPH03290930 A JP H03290930A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- oxide film
- silicon
- silicon oxide
- recess
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明は、シリコン素体の表面からドライエツチングに
より所定の深さをもつ凹部を形成する加工方法に関する
。
より所定の深さをもつ凹部を形成する加工方法に関する
。
例えばシリコンからなる薄いダイヤフラム部にゲージ抵
抗を形成する半導体圧力センサの製造のためには、単結
晶シリコン基板に凹部を形成する加工が行われる。この
ような加工方法には、弗酸等を用いるウェントエッチン
グあるいはＣＦ、 ＣＦ。
抗を形成する半導体圧力センサの製造のためには、単結
晶シリコン基板に凹部を形成する加工が行われる。この
ような加工方法には、弗酸等を用いるウェントエッチン
グあるいはＣＦ、 ＣＦ。
等の反応性ガスを用いるドライエツチングが適用される
。ウェフトエツチング方法は、第２図＋ａ＋に示すよう
にシリコン基！２１にシリコン酸化膜２２およびシリコ
ン窒化ｗａ２３からなるマスクを被加工部２４が露出さ
れるように被着させ、第２図Ｃｂ）に示すように弗酸系
溶液あるいはアルカリ溶液でシリコン基板の被加工部２
４をエツチングして、凹部２５を形成するものである。
。ウェフトエツチング方法は、第２図＋ａ＋に示すよう
にシリコン基！２１にシリコン酸化膜２２およびシリコ
ン窒化ｗａ２３からなるマスクを被加工部２４が露出さ
れるように被着させ、第２図Ｃｂ）に示すように弗酸系
溶液あるいはアルカリ溶液でシリコン基板の被加工部２
４をエツチングして、凹部２５を形成するものである。
一方、ドライエツチング方法は、第３図（Ｊ１）に示す
ように、シリコン基板２１にアル果ニウムからなるマス
ク２６を、あるいは第４図（ａ）に示すようにシリコン
基板２１にシリコン酸化膜からなるマスク２７をウェッ
トエツチング方法の場合と同様に被着させ、陽極結合方
式あるいは陰極接合方式の平行平板型ドライエツチング
装置にてシリコンをエンチングして、第３図０１１）あ
るいは第４図（ｂ）に示すような凹部２５を形成しよう
とするものである。
ように、シリコン基板２１にアル果ニウムからなるマス
ク２６を、あるいは第４図（ａ）に示すようにシリコン
基板２１にシリコン酸化膜からなるマスク２７をウェッ
トエツチング方法の場合と同様に被着させ、陽極結合方
式あるいは陰極接合方式の平行平板型ドライエツチング
装置にてシリコンをエンチングして、第３図０１１）あ
るいは第４図（ｂ）に示すような凹部２５を形成しよう
とするものである。
このような凹部の形成はマイクロ機能部品においても必
要とされている。
要とされている。
〔発明が解決しようとする！１１１り
上記の加工方法のうち、陽極結合方式の平行平板型ドラ
イエツチング装置を用いる方法は、深い凹部の形成も可
能で、その利用が期待できるが、所定の深さの凹部を形
成するには、エツチング時間と加工深さの関係を出して
おき、エツチング時間を制御する方法がとられていた。
イエツチング装置を用いる方法は、深い凹部の形成も可
能で、その利用が期待できるが、所定の深さの凹部を形
成するには、エツチング時間と加工深さの関係を出して
おき、エツチング時間を制御する方法がとられていた。
しかし、エンチング時間と加工深さの関係は、基板が異
なることにより微妙に変化するので、正確な凹部深さを
得ることが難しく、センサのダイヤフラムやマイクロ機
能部品などの凹部形状の要求精度を満足させることが困
難であった。
なることにより微妙に変化するので、正確な凹部深さを
得ることが難しく、センサのダイヤフラムやマイクロ機
能部品などの凹部形状の要求精度を満足させることが困
難であった。
本発明の目的は、シリコン素体の表面から所定の深さの
凹部をドライエツチングにより精度よく形成する加工方
法を提供することにある。
凹部をドライエツチングにより精度よく形成する加工方
法を提供することにある。
上記の目的を達成するために、本発明の加工方法は、平
行な両面の間に所定の厚さをもつシリコン素体の一面に
シリコン酸化膜を形成し、他面にマスクを形成してその
面からＳＦ、と０．との混合ガスを用いるドライエツチ
ングを行い、エツチングによって生ずる凹部がシリコン
酸化膜に達したことを検知してエツチングを終結するも
のとする。
行な両面の間に所定の厚さをもつシリコン素体の一面に
シリコン酸化膜を形成し、他面にマスクを形成してその
面からＳＦ、と０．との混合ガスを用いるドライエツチ
ングを行い、エツチングによって生ずる凹部がシリコン
酸化膜に達したことを検知してエツチングを終結するも
のとする。
そのような加工方法において、予めシリコン素体の一面
に形成されたシリコン酸化膜に他の素体を接合したのち
シリコン素体の他面から加工することがシリコンダイヤ
プラムの作成に有効である。
に形成されたシリコン酸化膜に他の素体を接合したのち
シリコン素体の他面から加工することがシリコンダイヤ
プラムの作成に有効である。
また、本発明は、平行な両面の間に所定の厚さをもつ二
つのシリコン素体をシリコン酸化膜を介して接合し、両
面にそれぞれマスクを形成して各面からＳＦ６＋Ｏｘの
混合ガスを用いるドライエツチングを行い、エツチング
によって生ずる各凹部がシリコン酸化膜に達したことを
検知してエツチングを終結するものとする。
つのシリコン素体をシリコン酸化膜を介して接合し、両
面にそれぞれマスクを形成して各面からＳＦ６＋Ｏｘの
混合ガスを用いるドライエツチングを行い、エツチング
によって生ずる各凹部がシリコン酸化膜に達したことを
検知してエツチングを終結するものとする。
ＳＦｈ とＯｔの混合ガスを用いるドライエツチングに
おいては、シリコンとシリコン酸化膜とのエツチングさ
れる割合は１：１００である。すなわち、選択比が１０
０であって、例えばシリコンが１００μツチングされる
時間にシリコン酸化膜は１μしかエツチングされない、
したがって、事実上はドライエツチングで形成される凹
部がシリコン酸化膜に到達すると、エツチングは一時的
に停止した状態になり、エツチングがシリコン酸化膜ま
で到達したことを、例えばプラズマの発光スペクトル強
度をモニターすることで検知してエツチングを終結すれ
ば、底部にシリコン酸化膜を残した凹部を有するシリコ
ン素体を得ることができる。そして、予めシリコン酸化
膜に他の素体を接合しておけば、底部にシリコン酸化膜
に覆われた素体が残る凹部を有するシリコン素体を得る
ことができる。また、シリコン酸化膜を介して接合され
た二つのシリコン素体の両面からＳＦ４と０！の混合ガ
スを用いる選択的ドライエツチングを行えば両面から形
成された二つの凹部の間にシリコン酸化膜を有する素体
を°得ることができる。
おいては、シリコンとシリコン酸化膜とのエツチングさ
れる割合は１：１００である。すなわち、選択比が１０
０であって、例えばシリコンが１００μツチングされる
時間にシリコン酸化膜は１μしかエツチングされない、
したがって、事実上はドライエツチングで形成される凹
部がシリコン酸化膜に到達すると、エツチングは一時的
に停止した状態になり、エツチングがシリコン酸化膜ま
で到達したことを、例えばプラズマの発光スペクトル強
度をモニターすることで検知してエツチングを終結すれ
ば、底部にシリコン酸化膜を残した凹部を有するシリコ
ン素体を得ることができる。そして、予めシリコン酸化
膜に他の素体を接合しておけば、底部にシリコン酸化膜
に覆われた素体が残る凹部を有するシリコン素体を得る
ことができる。また、シリコン酸化膜を介して接合され
た二つのシリコン素体の両面からＳＦ４と０！の混合ガ
スを用いる選択的ドライエツチングを行えば両面から形
成された二つの凹部の間にシリコン酸化膜を有する素体
を°得ることができる。
第１図（Ｊｌｌ、（ｂｌは本発明の一実施例を示す、第
１図ｆａ＋は厚さ５００ Ｉｎａのシリコン基板１を示
し、その一方の面上に真空蒸着法により厚さ５！ｍのア
ルミニウム膜３を被着し、凹部を形成する部分４のアル
ミニウム膜をりん硝酸等のユンチング液で除去して第１
図（ａ＋に示すように被加工部分４にシリコン基板１１
を露出させる。次に、第５図に示すような陽極結合方式
の平行平板型ドライエツチング装置を用いてエツチング
を行う。この装置は、本出願人の特許出願に係る特願平
Ｊ−１０２０２８号明細書に記載されているもので 反
応室３１内にステージを兼ねる下部電極３２と上部電極
３３が５０ｍ１ｌれて対向している０反応槽の底板３４
の周縁部に分散して設けられた排気管３５が底板と平行
に下部電極３２の中心に向かって開口している。上部電
極３３にはマンチングチューナ３６を介して高周波電源
３７が接続されている０反応槽３１の頂部３８と上部電
極３３の接続体３９との間隙４０が反応ガス４１の導入
口となる。
１図ｆａ＋は厚さ５００ Ｉｎａのシリコン基板１を示
し、その一方の面上に真空蒸着法により厚さ５！ｍのア
ルミニウム膜３を被着し、凹部を形成する部分４のアル
ミニウム膜をりん硝酸等のユンチング液で除去して第１
図（ａ＋に示すように被加工部分４にシリコン基板１１
を露出させる。次に、第５図に示すような陽極結合方式
の平行平板型ドライエツチング装置を用いてエツチング
を行う。この装置は、本出願人の特許出願に係る特願平
Ｊ−１０２０２８号明細書に記載されているもので 反
応室３１内にステージを兼ねる下部電極３２と上部電極
３３が５０ｍ１ｌれて対向している０反応槽の底板３４
の周縁部に分散して設けられた排気管３５が底板と平行
に下部電極３２の中心に向かって開口している。上部電
極３３にはマンチングチューナ３６を介して高周波電源
３７が接続されている０反応槽３１の頂部３８と上部電
極３３の接続体３９との間隙４０が反応ガス４１の導入
口となる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）平行な両面間に所定の厚さをもつシリコン素体の一
面にシリコン酸化膜を形成し、他面にマスクを形成して
その面から六弗化硫黄と酸素の混合ガスを用いるドライ
エッチングを行い、エッチングによって生ずる凹部がシ
リコン酸化膜に達したことを検知してエッチングを終結
することを特徴とする加工方法。 ２）請求項１記載の方法において、予めシリコン素体の
一面に形成されたシリコン酸化膜に他の素体を接合した
のちシリコン素体の他面から加工する加工方法。 ３）それぞれ平行な両面の間に所定の厚さをもつ二つの
シリコン素体をシリコン酸化膜を介して結合し、両面に
それぞれマスクを形成して各面から六弗化硫黄と酸素の
混合ガスを用いるドライエッチングを行い、エッチング
によって生ずる凹部がシリコン酸化膜に達したことを検
知してエッチングを終結することを特徴とする加工方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30323190A JPH03290930A (ja) | 1990-03-09 | 1990-11-08 | 加工方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5926290 | 1990-03-09 | ||
| JP2-59262 | 1990-03-09 | ||
| JP30323190A JPH03290930A (ja) | 1990-03-09 | 1990-11-08 | 加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03290930A true JPH03290930A (ja) | 1991-12-20 |
Family
ID=26400318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30323190A Pending JPH03290930A (ja) | 1990-03-09 | 1990-11-08 | 加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03290930A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007103550A (ja) * | 2005-10-03 | 2007-04-19 | Fuji Electric Fa Components & Systems Co Ltd | プラズマエッチング加工方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61239675A (ja) * | 1985-04-16 | 1986-10-24 | Toshiba Corp | 半導体圧力センサ及びその製造方法 |
| JPS63271976A (ja) * | 1987-04-28 | 1988-11-09 | Sony Corp | 圧力センサの製法 |
| JPS6466938A (en) * | 1987-09-07 | 1989-03-13 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
-
1990
- 1990-11-08 JP JP30323190A patent/JPH03290930A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61239675A (ja) * | 1985-04-16 | 1986-10-24 | Toshiba Corp | 半導体圧力センサ及びその製造方法 |
| JPS63271976A (ja) * | 1987-04-28 | 1988-11-09 | Sony Corp | 圧力センサの製法 |
| JPS6466938A (en) * | 1987-09-07 | 1989-03-13 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007103550A (ja) * | 2005-10-03 | 2007-04-19 | Fuji Electric Fa Components & Systems Co Ltd | プラズマエッチング加工方法 |
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