JPH03290939A - 半導体チップのボンディング構造 - Google Patents
半導体チップのボンディング構造Info
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- JPH03290939A JPH03290939A JP2092604A JP9260490A JPH03290939A JP H03290939 A JPH03290939 A JP H03290939A JP 2092604 A JP2092604 A JP 2092604A JP 9260490 A JP9260490 A JP 9260490A JP H03290939 A JPH03290939 A JP H03290939A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor chip
- conductive film
- tape carrier
- pressure
- lead
- Prior art date
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体チップをテープキャリアにボンディングする構造
に係わり、特にバンプレスのボンディング構造に関し、 熱圧着時の圧力が低いことで半導体チップが損傷する恐
れがない、バンプレスの半導体チップのボンディング構
造を提供することを目的とし、上面に電極が所望に配列
した半導体チップと、絶縁性高分子基体に導電性粒子と
接着剤樹脂とが分散し、該電極に対応する個所が高導電
化されてビアが形成され、該半導体チップの上面に重畳
貼着される加圧導電性フィルムと、リードインナー端が
該ビアに重畳するよう、多数のリードが配列形成された
テープキャリアとを備え、該加圧導電性フィルムを介し
て熱圧着されることで、該半導体チップの該電極と該テ
ープキャリアの該リードとが接続される構成とする。
に係わり、特にバンプレスのボンディング構造に関し、 熱圧着時の圧力が低いことで半導体チップが損傷する恐
れがない、バンプレスの半導体チップのボンディング構
造を提供することを目的とし、上面に電極が所望に配列
した半導体チップと、絶縁性高分子基体に導電性粒子と
接着剤樹脂とが分散し、該電極に対応する個所が高導電
化されてビアが形成され、該半導体チップの上面に重畳
貼着される加圧導電性フィルムと、リードインナー端が
該ビアに重畳するよう、多数のリードが配列形成された
テープキャリアとを備え、該加圧導電性フィルムを介し
て熱圧着されることで、該半導体チップの該電極と該テ
ープキャリアの該リードとが接続される構成とする。
本発明は、半導体チップをテープキャリアにボンディン
グする構造に係わり、特にバンプレスのボンディング構
造に関する。
グする構造に係わり、特にバンプレスのボンディング構
造に関する。
近年は、導電性高分子合成法の開発が進み、導電率が高
く、しかも空気中でも安定な導電性高分子フィルムが得
られるようになっている。
く、しかも空気中でも安定な導電性高分子フィルムが得
られるようになっている。
一方近年はＩＣ特にＬＳＩ等の半導体部品の多ピン化に
伴い、半導体チップの電極をテープキャリア、即ちＴＡ
Ｂ （Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎ
ｇ）のリードのリードインナー端にボンディングして、
半導体チップをテープキャリアに組み込み、そのテープ
キャリアのリードアウタ一端を回路基板のパターンにボ
ンディングするという、半導体チップの搭載手段が、自
動実装化が容易であるので、広く使用されている。
伴い、半導体チップの電極をテープキャリア、即ちＴＡ
Ｂ （Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎ
ｇ）のリードのリードインナー端にボンディングして、
半導体チップをテープキャリアに組み込み、そのテープ
キャリアのリードアウタ一端を回路基板のパターンにボ
ンディングするという、半導体チップの搭載手段が、自
動実装化が容易であるので、広く使用されている。
詳述すると第３図に図示したように、テープキャリア２
は、帯状の樹脂フィルム（例えばポリイミド系樹脂テー
プ）３の両側縁に沿って、スプロケットホール４を２列
に配列し、中央部に搭載すべき半導体チップｌの平面視
形状より所望に大きい角形のチップ用ホール５を、−列
に配列しである。
は、帯状の樹脂フィルム（例えばポリイミド系樹脂テー
プ）３の両側縁に沿って、スプロケットホール４を２列
に配列し、中央部に搭載すべき半導体チップｌの平面視
形状より所望に大きい角形のチップ用ホール５を、−列
に配列しである。
テープキャリア２は、このチップ用ホール５内に半導体
チップｌを連続的に組み込んでいくものである。
チップｌを連続的に組み込んでいくものである。
テープキャリア２はテープ工程において、接着剤付き樹
脂フィルム３を帯状に切断し、スプロケットホール４、
及びチップ用ホール５をパンチングする。そしてさらに
、チップ用ホール５のそれぞれの４辺の外側に、平行に
梯形状の４個の長孔６をパンチングしてサポートフィル
ム部８を設ける。
脂フィルム３を帯状に切断し、スプロケットホール４、
及びチップ用ホール５をパンチングする。そしてさらに
、チップ用ホール５のそれぞれの４辺の外側に、平行に
梯形状の４個の長孔６をパンチングしてサポートフィル
ム部８を設ける。
次に銅箔をラミネートして、フォトレジスト手段・エツ
チング手段により、先端のリードインナー端１０ａがサ
ポートフィルム部８からチップ用ホール５内に各辺に直
交して突出し、かつリードアウタ一端１０ｂ側がそれぞ
れの長孔６に架橋するような細長い短冊形のリード１０
を配列形成する。
チング手段により、先端のリードインナー端１０ａがサ
ポートフィルム部８からチップ用ホール５内に各辺に直
交して突出し、かつリードアウタ一端１０ｂ側がそれぞ
れの長孔６に架橋するような細長い短冊形のリード１０
を配列形成する。
そして、組立工程で半導体チップｌを下方からチップ用
ホール５内に挿入し、半導体チップｌの電極を対応する
リード１０のリードインナー端１０ａに位置合わせし、
電極上に設けた例えば金バンプを、それぞれのリードイ
ンナー端１０ａに接着して、半導体チップをフェースア
ップにボンディングしている。
ホール５内に挿入し、半導体チップｌの電極を対応する
リード１０のリードインナー端１０ａに位置合わせし、
電極上に設けた例えば金バンプを、それぞれのリードイ
ンナー端１０ａに接着して、半導体チップをフェースア
ップにボンディングしている。
その後、長孔６を通過する角形の鎖線Ｘに沿って、それ
ぞれのリード及び樹脂フィルム３を切断することで、枠
形のサポートフィルム部８を設けてそれぞれのリード１
０を保持させている。
ぞれのリード及び樹脂フィルム３を切断することで、枠
形のサポートフィルム部８を設けてそれぞれのリード１
０を保持させている。
次に、半導体チッ、プをセラミック基板等の回路基板（
図示省略）にグイボンディングし、それぞれのリード１
０のリードアウタ一端１０ｂを、回路基板に設けなパタ
ーンの端末に重畳し、ボンディングツールを用いて、リ
ードとパターンとを熱圧着して接続している。
図示省略）にグイボンディングし、それぞれのリード１
０のリードアウタ一端１０ｂを、回路基板に設けなパタ
ーンの端末に重畳し、ボンディングツールを用いて、リ
ードとパターンとを熱圧着して接続している。
そしてさらに、半導体チップの電極面を、例えばエポキ
シ系樹脂よりなる封止剤で覆って、半導体チップを保護
している。
シ系樹脂よりなる封止剤で覆って、半導体チップを保護
している。
ところで、上記の半導体チップのボンディング方法は、
金バンプを介してリードと電極とが熱圧着されているの
で、金バンプの材料費が高く、取付は作業に時間を要し
てコスト高になり、且つ、熱圧着時の圧力や熱等により
半導体チップが損傷する恐れがある。
金バンプを介してリードと電極とが熱圧着されているの
で、金バンプの材料費が高く、取付は作業に時間を要し
てコスト高になり、且つ、熱圧着時の圧力や熱等により
半導体チップが損傷する恐れがある。
したがって、テープキャリアを用いた半導体チップのバ
ンプレスボンディング構造が要望されている。
ンプレスボンディング構造が要望されている。
半導体チップのバンプレスボンディング構造は、特開昭
６３−４６３３号公報にも提示されたように、はぼ第４
図に示すような構成である。
６３−４６３３号公報にも提示されたように、はぼ第４
図に示すような構成である。
第４図において、薄い角板状の半導体チップｌには、そ
の表面の周縁に沿って、電極１Ａが配列されている。
の表面の周縁に沿って、電極１Ａが配列されている。
２は、枠形のサポートフィルム部８と、中央部分がサポ
ートフィルム部８の下面に密着することで、サポートフ
ィルム部８に所望に配列保持された多数のリードＩＯと
、からなるテープキャリアである。
ートフィルム部８の下面に密着することで、サポートフ
ィルム部８に所望に配列保持された多数のリードＩＯと
、からなるテープキャリアである。
それぞれのリード１０は、リードインナー端１０ａが半
導体チップ１のそれぞれの電極１Ａに対応し、リードア
ウタ一端１０ｂが図示省略した回路基板のそれぞれのパ
ターンに対応するように形成されている。
導体チップ１のそれぞれの電極１Ａに対応し、リードア
ウタ一端１０ｂが図示省略した回路基板のそれぞれのパ
ターンに対応するように形成されている。
２０は、カーボンブラック、ニッケル、銅、銀等の導電
性粒子を、電気絶縁性樹脂９例えばジアリルスフレート
樹脂中に分散した異方性導電フィルムであって、所望の
個所を加圧するとフィルムの厚さ方向（垂直方向）に導
電性を有するが、長さ方向は導電性がなく絶縁性を有す
るという異方性を備えたものである。
性粒子を、電気絶縁性樹脂９例えばジアリルスフレート
樹脂中に分散した異方性導電フィルムであって、所望の
個所を加圧するとフィルムの厚さ方向（垂直方向）に導
電性を有するが、長さ方向は導電性がなく絶縁性を有す
るという異方性を備えたものである。
また、異方性導電フィルム２０には、接着剤樹脂を混入
することで、接着性が付与されている。
することで、接着性が付与されている。
そして、異方性導電フィルム２０を半導体チップｌの電
極面に貼着し、さらに異方性導電フィルム２０上にテー
プキャリア２を重畳し、半導体チップｌを所望の温度に
加熱した基台に載せ、上方から所望の温度に加熱したボ
ンディングツール５０を所望の圧力で押下し熱圧着する
ことで、異方性導電フィルム２０を介してテープキャリ
ア２に半導体チップｌをボンディングしている。
極面に貼着し、さらに異方性導電フィルム２０上にテー
プキャリア２を重畳し、半導体チップｌを所望の温度に
加熱した基台に載せ、上方から所望の温度に加熱したボ
ンディングツール５０を所望の圧力で押下し熱圧着する
ことで、異方性導電フィルム２０を介してテープキャリ
ア２に半導体チップｌをボンディングしている。
即ち、半導体チップｌの電極１Ａと、テープキャリア２
の対応するリードＩＯとが、異方性導電フィルム２０を
介して導通している。
の対応するリードＩＯとが、異方性導電フィルム２０を
介して導通している。
異方性導電フィルム２０を用いた方法は、金バンプ等を
必要としないので、低コスト化が推進される。
必要としないので、低コスト化が推進される。
また、バンプを用いた熱圧着手段に比較して、温度条件
が低温で良いという利点がある。
が低温で良いという利点がある。
さらにまた、半導体チップｌの電極面の全面に異方性導
電フィルム２０が密着しているので、半導体チップ１が
封止されるというメリットがある。
電フィルム２０が密着しているので、半導体チップ１が
封止されるというメリットがある。
しかしながら上記従来の異方性導電フィルムは、電気絶
縁性樹脂中に分散した導電性粒子を加圧密着させること
で導通状態にするものである。
縁性樹脂中に分散した導電性粒子を加圧密着させること
で導通状態にするものである。
したがって、熱圧着時の圧力がバンプ方法に比較しては
低いものの、なお相当に高くて、半導体チップが損傷す
る恐れがあった。
低いものの、なお相当に高くて、半導体チップが損傷す
る恐れがあった。
本発明はこのような点に鑑みて創作されたもので、熱圧
着時の圧力が低いことで半導体チップが損傷する恐れが
ない、バンプレスの半導体チップのボンディング構造を
提供することを目的としている。
着時の圧力が低いことで半導体チップが損傷する恐れが
ない、バンプレスの半導体チップのボンディング構造を
提供することを目的としている。
上記の目的を達成するために本発明は、第１図に例示し
たように、絶縁性高分子基体に導電性粒子と接着剤樹脂
とを分散した加圧導電性フィルム３０を設け、半導体チ
ップｌの電極１Ａに対応する個所を高導電化して加圧導
電性フィルム３０にビア３１を配列形成する。
たように、絶縁性高分子基体に導電性粒子と接着剤樹脂
とを分散した加圧導電性フィルム３０を設け、半導体チ
ップｌの電極１Ａに対応する個所を高導電化して加圧導
電性フィルム３０にビア３１を配列形成する。
一方、それぞれのリードインナー端１０ａが加圧導電性
フィルム３０のビア３１に重畳するように、多数のリー
ド１０を配列形成したテープキャリア２を設ける。
フィルム３０のビア３１に重畳するように、多数のリー
ド１０を配列形成したテープキャリア２を設ける。
そして、半導体チップ１に加圧導電性フィルム３０を重
畳貼着し、さらにテープキャリア２を重畳して、加圧導
電性フィルム３０を介して熱圧着することで、半導体チ
ップ１の電極１Ａとテープキャリア２のリードＩＯとが
、接続されるという構成こする。
畳貼着し、さらにテープキャリア２を重畳して、加圧導
電性フィルム３０を介して熱圧着することで、半導体チ
ップ１の電極１Ａとテープキャリア２のリードＩＯとが
、接続されるという構成こする。
上述のように、加圧導電性フィルム３０には、それぞれ
の電極１Ａに対応する部分に、予め導通状態になってい
るビア３１を設けである。
の電極１Ａに対応する部分に、予め導通状態になってい
るビア３１を設けである。
即ち、本発明は熱圧着時に従来のように電気絶縁性樹脂
中に分散した導電性粒子を加圧密着させる必要がないの
で、熱圧着時の圧力を低圧力にしても、電極１Ａとリー
ド１０とが導通状態になりその状態を保持する。
中に分散した導電性粒子を加圧密着させる必要がないの
で、熱圧着時の圧力を低圧力にしても、電極１Ａとリー
ド１０とが導通状態になりその状態を保持する。
したがって、熱圧着時に半導体チップが損傷する恐れが
ない。
ない。
以下図を参照しながら、本発明の詳細な説明する。なお
、全図を通じて同一符号は同一対象物を示す。
、全図を通じて同一符号は同一対象物を示す。
第１図は本発明の実施例の断面図、第２図の（ａ）。
（ｂ）、 （Ｃ）は加圧導電性フィルムの製造工程を示
す図である。
す図である。
第１図において、薄い角板状の半導体チップｌの表面に
は、周縁に沿って電極１Ａを所望に配列しである。
は、周縁に沿って電極１Ａを所望に配列しである。
半導体チップｌをフェースアップにボンディングするテ
ープキャリア２は、枠形のサポートフィルム部８と、中
央部分がサポートフィルム部８の下面に密着することで
、サポートフィルム部８に所望に配列保持された、半導
体チップｌの電極数に等しい数のリード１０とから構成
されている。
ープキャリア２は、枠形のサポートフィルム部８と、中
央部分がサポートフィルム部８の下面に密着することで
、サポートフィルム部８に所望に配列保持された、半導
体チップｌの電極数に等しい数のリード１０とから構成
されている。
それぞれのリード１０は、リードインナー端１０ａが半
導体チップ１のそれぞれの電極１Ａに対応し、且つ、リ
ードアウタ一端１０ｂが図示省略した回路基板のそれぞ
れのパターンに対応するように形成されている。
導体チップ１のそれぞれの電極１Ａに対応し、且つ、リ
ードアウタ一端１０ｂが図示省略した回路基板のそれぞ
れのパターンに対応するように形成されている。
３０は、ポリエチレン、ポリスチレン、シリコーン系高
分子等の絶縁性高分子基体に、銀、銅。
分子等の絶縁性高分子基体に、銀、銅。
ニッケル等の導電性粒子を分散させて得られた加圧導電
性フィルムであって、その平面視形状は、半導体チップ
ｌの平面視形状に等しいか、それよりもわずかに大きい
。
性フィルムであって、その平面視形状は、半導体チップ
ｌの平面視形状に等しいか、それよりもわずかに大きい
。
なお、加圧導電性フィルム３０には、接着剤樹脂を混入
させて、上下面が他の物体の表面に接着するという、接
着性を付与させである。
させて、上下面が他の物体の表面に接着するという、接
着性を付与させである。
電極１Ａにビア３１を位置合わせして、加圧導電性フィ
ルム３０を半導体チップｌの電極面に貼着し、さらにそ
れぞれのビア３１にリードインナー端１０ａを位置合わ
せして、加圧導電性フィルム３０上にテープキャリア２
を重畳した後に、半導体チップｌを所望の温度に加熱し
た基台に載せ、上方から所望の温度に加熱したボンディ
ングツールを押下して、熱圧着することで、加圧導電性
フィルム３０を介して半導体チップｌをテープキャリア
２にボンディングしている。
ルム３０を半導体チップｌの電極面に貼着し、さらにそ
れぞれのビア３１にリードインナー端１０ａを位置合わ
せして、加圧導電性フィルム３０上にテープキャリア２
を重畳した後に、半導体チップｌを所望の温度に加熱し
た基台に載せ、上方から所望の温度に加熱したボンディ
ングツールを押下して、熱圧着することで、加圧導電性
フィルム３０を介して半導体チップｌをテープキャリア
２にボンディングしている。
即ち、半導体チップｌの電極１Ａと、テープキャリア２
の対応するリード１０とが、加圧導電性フィルム３０の
ビア３１を介して導通している。
の対応するリード１０とが、加圧導電性フィルム３０の
ビア３１を介して導通している。
上述のように、予め導通状態になっているビア３１を設
けた加圧導電性フィルム３０を介して、半導体チップｌ
をボンディングしているので、熱圧着時の圧力を低圧力
にしても、電極１Ａとビア３１．ビア３１とリード１０
とが、それぞれ接着する。
けた加圧導電性フィルム３０を介して、半導体チップｌ
をボンディングしているので、熱圧着時の圧力を低圧力
にしても、電極１Ａとビア３１．ビア３１とリード１０
とが、それぞれ接着する。
したがって、熱圧着時に半導体チップが損傷する恐れが
ない。
ない。
また、金バンプ等を必要としないので、低コスト化が推
進され、さらにまた、半導体チップの電極面の全面に加
圧導電性フィルムが密着しているので、半導体チップが
封止されるという効果がある。
進され、さらにまた、半導体チップの電極面の全面に加
圧導電性フィルムが密着しているので、半導体チップが
封止されるという効果がある。
以下、第２図を参照しながら、ビアの製造について説明
する。
する。
第２図（ａｌに示す３０Ａは、ポリエチレン、ポリスチ
レン、シリコーン系高分子等の絶縁性高分子基体に、銀
、銅、ニッケル等の導電性粒子を分散させて得られた加
圧導電性フィルムであって、ビアが形成されていないも
のである。
レン、シリコーン系高分子等の絶縁性高分子基体に、銀
、銅、ニッケル等の導電性粒子を分散させて得られた加
圧導電性フィルムであって、ビアが形成されていないも
のである。
即ち、この加圧導電性フィルム３０Ａは、部分的に所望
の圧力を附加すると、その加圧部分のみが導通状態とな
り、圧力を除去すると絶縁状態に復帰する性質を゛備え
ている。
の圧力を附加すると、その加圧部分のみが導通状態とな
り、圧力を除去すると絶縁状態に復帰する性質を゛備え
ている。
上述のような加圧導電性フィルム３０Ａを、ピロール、
チオフェン、アニリン或いはこれらの誘電体のモノマー
を溶解させたアセトニトリル等の溶液中に浸漬し、上記
のモノマーを加圧導電性フィルム３０Ａに含浸させる。
チオフェン、アニリン或いはこれらの誘電体のモノマー
を溶解させたアセトニトリル等の溶液中に浸漬し、上記
のモノマーを加圧導電性フィルム３０Ａに含浸させる。
次にビアを形成するには、第２図（ｂ）に示すような基
板を用いてビア部分のみを加圧し、電圧を印加して導電
性高分子を合成する。
板を用いてビア部分のみを加圧し、電圧を印加して導電
性高分子を合成する。
詳述すると、４０Ａ、４０Ｂは金属よりなる平板状の一
対の基板であって、相対向する面に所望数の突起４５を
配設しである。なお、この基板４０Ａ、、４０Ｂは突起
４５の先端面（即ち電極部）以外の表面を、合成樹脂の
絶縁膜で被覆しである。
対の基板であって、相対向する面に所望数の突起４５を
配設しである。なお、この基板４０Ａ、、４０Ｂは突起
４５の先端面（即ち電極部）以外の表面を、合成樹脂の
絶縁膜で被覆しである。
上述の加圧導電性フィルム３０Ａを、一対の基板４０Ａ
、 ４０Ｂで挟み、ビア３１を設けるべき位置を突起４
５で加圧する。
、 ４０Ｂで挟み、ビア３１を設けるべき位置を突起４
５で加圧する。
このように加圧した状態で、モノマーを含浸させた加圧
導電性フィルム３０Ａを、例えば、Ｌ、 ＣＩ！０４
（リチウムパークロレイト）。
導電性フィルム３０Ａを、例えば、Ｌ、 ＣＩ！０４
（リチウムパークロレイト）。
Ｌ、ＢＦ４（リチウムテトラフルオロボレイト）等の支
持電解質を含むアセトニトリルや、蒸留水等電解溶液中
に浸漬する。
持電解質を含むアセトニトリルや、蒸留水等電解溶液中
に浸漬する。
そして突起４５を作用電極として所望の電圧を印加し、
加圧部分（ビアとすべき部分）に導電性高分子を成長さ
せる。
加圧部分（ビアとすべき部分）に導電性高分子を成長さ
せる。
つぎに、電解溶液中から加圧導電性フィルム３０Ａを取
り出し、未反応のモノマー成分をアセトニトリル等を用
いて除去し乾燥する。
り出し、未反応のモノマー成分をアセトニトリル等を用
いて除去し乾燥する。
このようにして、第２図（ｃ）に図示したように、半導
体チップ１の電極に対応する部分にビア３１を有する加
圧導電性フィルム３０を設ける。
体チップ１の電極に対応する部分にビア３１を有する加
圧導電性フィルム３０を設ける。
以上説明したように本発明は、予めビアを設けた加圧導
電性フィルムを介して、半導体チップをテープキャリア
にボンディングする構造であって、熱圧着時に、ボンデ
ィングツールの押圧力を小さくし得るとともに、その衝
撃を加圧導電性フィルムが緩和するので、半導体チップ
が損傷する恐れがない。
電性フィルムを介して、半導体チップをテープキャリア
にボンディングする構造であって、熱圧着時に、ボンデ
ィングツールの押圧力を小さくし得るとともに、その衝
撃を加圧導電性フィルムが緩和するので、半導体チップ
が損傷する恐れがない。
また、金バンプ等を必要としないので、低コスト化が推
進され、さらにまた、半導体チップの電極面の全面が加
圧導電性フィルムで覆われているので、半導体チップが
封止される等、実用上で優れた効果を奏する。
進され、さらにまた、半導体チップの電極面の全面が加
圧導電性フィルムで覆われているので、半導体チップが
封止される等、実用上で優れた効果を奏する。
第１図は本発明の実施例の断面図、
第２図の（ａ）、 （ｂ）、 （ｃ）は加圧導電性フィ
ルムの製造工程を示す図、 第３図はテープキャリアの斜視図、 第４図は従来例の断面図である。 図において、 ｌは半導体チップ、 １Ａは電極、 ２はテープキャリア、 ８はサポートフィルム部、 １０はリード、 １０ａはリードインナー端、 １０ｂはリードアウタ一端、 ２０は異方性導電フィルム、 ３０は加圧導電性フィルム、 ３１はビア、 ４０Ａ、 ４０Ｂは基板、 ４５は突起、 ５０はボンディングツールをそれぞれ示す。 ２ Ｔ−ブ＋ヤリ丁 （ａ）［二二二３３０ Ａ
ルムの製造工程を示す図、 第３図はテープキャリアの斜視図、 第４図は従来例の断面図である。 図において、 ｌは半導体チップ、 １Ａは電極、 ２はテープキャリア、 ８はサポートフィルム部、 １０はリード、 １０ａはリードインナー端、 １０ｂはリードアウタ一端、 ２０は異方性導電フィルム、 ３０は加圧導電性フィルム、 ３１はビア、 ４０Ａ、 ４０Ｂは基板、 ４５は突起、 ５０はボンディングツールをそれぞれ示す。 ２ Ｔ−ブ＋ヤリ丁 （ａ）［二二二３３０ Ａ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 上面に電極（１Ａ）が所望に配列した半導体チップ（
１）と、 絶縁性高分子基体に導電性粒子と接着剤樹脂とが分散し
、該電極（１Ａ）に対応する個所が高導電化されてビア
（３１）が形成され、該半導体チップ（１）の上面に重
畳貼着される加圧導電性フィルム（３０）と、 リードインナー端（１０ａ）が該ビア（３１）に重畳す
るよう、多数のリード（１０）が配列形成されたテープ
キャリア（２）とを備え、 該加圧導電性フィルム（３０）を介して熱圧着されるこ
とで、該半導体チップ（１）の該電極（１Ａ）と該テー
プキャリア（２）の該リード（１０）とが接続されたこ
とを特徴とする半導体チップのボンディング構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2092604A JPH03290939A (ja) | 1990-04-06 | 1990-04-06 | 半導体チップのボンディング構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2092604A JPH03290939A (ja) | 1990-04-06 | 1990-04-06 | 半導体チップのボンディング構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03290939A true JPH03290939A (ja) | 1991-12-20 |
Family
ID=14059054
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2092604A Pending JPH03290939A (ja) | 1990-04-06 | 1990-04-06 | 半導体チップのボンディング構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03290939A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8084712B2 (en) | 2007-03-16 | 2011-12-27 | TEN Medias LLC | Method and apparatus for laser marking objects |
-
1990
- 1990-04-06 JP JP2092604A patent/JPH03290939A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8084712B2 (en) | 2007-03-16 | 2011-12-27 | TEN Medias LLC | Method and apparatus for laser marking objects |
| US8884185B2 (en) | 2007-03-16 | 2014-11-11 | Ten Media, Llc. | Method and apparatus for laser marking objects |
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