JPH03291046A - マルチチップカラーイメージセンサー - Google Patents
マルチチップカラーイメージセンサーInfo
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- JPH03291046A JPH03291046A JP2092050A JP9205090A JPH03291046A JP H03291046 A JPH03291046 A JP H03291046A JP 2092050 A JP2092050 A JP 2092050A JP 9205090 A JP9205090 A JP 9205090A JP H03291046 A JPH03291046 A JP H03291046A
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- light
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- Color Television Image Signal Generators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、マルチチップカラーイメージセンサ−に係り
、特に複数の受光窓を有する半導体イメージセンサ−が
複数個配列され、複数の受光窓で一つのカラー受光要素
を構成するマルチチップカラーイメージセンサ−に関す
る。
、特に複数の受光窓を有する半導体イメージセンサ−が
複数個配列され、複数の受光窓で一つのカラー受光要素
を構成するマルチチップカラーイメージセンサ−に関す
る。
［従来の技術］
従来から、ファクシミリなどの原稿読み取り部には、受
光窓を一直線上に配置したＣＯＤイメージセンサ−、バ
イポーライメージセンサ−に代表される半導体イメージ
センサ−が利用されている。−射的にこれらの使用方式
として、長手方向が数ミリから数十ミリの半導体イメー
ジセンサ−チップを複数個ならべて読み取り原稿と同一
サイズにし、１対１の光学系、例えばセルホックレンズ
アレイ（商品名、日本板硝子（株）製）等を用いて密着
型イメージセンサ−として使用する、いわゆるマルチチ
ップ方式がある。
光窓を一直線上に配置したＣＯＤイメージセンサ−、バ
イポーライメージセンサ−に代表される半導体イメージ
センサ−が利用されている。−射的にこれらの使用方式
として、長手方向が数ミリから数十ミリの半導体イメー
ジセンサ−チップを複数個ならべて読み取り原稿と同一
サイズにし、１対１の光学系、例えばセルホックレンズ
アレイ（商品名、日本板硝子（株）製）等を用いて密着
型イメージセンサ−として使用する、いわゆるマルチチ
ップ方式がある。
第１３図はマルチチップ方式の半導体イメージセンサ−
の概略的平面図である。
の概略的平面図である。
第１４図は上記マルチチップ方式の半導体イメージセン
サ−のＡ部拡大図である。
サ−のＡ部拡大図である。
第１５図は上記マルチチップ方式の半導体イメージセン
サ−を用いた光学系を示す構成図である。
サ−を用いた光学系を示す構成図である。
第１３図及び第１５図において、１は原稿、４は所望の
回路を配置した半導体イメージセンサ−実装用の回路基
板、８１〜Ｓｏはライン状に配列された半導体イメージ
センサ−１５はセルホックレンズアレイ、６は原稿照明
用ＬＥＤを示している。第１４図において、７は受光窓
であり各半導体イメージセンサ−の受光窓は一直線に配
置されている。
回路を配置した半導体イメージセンサ−実装用の回路基
板、８１〜Ｓｏはライン状に配列された半導体イメージ
センサ−１５はセルホックレンズアレイ、６は原稿照明
用ＬＥＤを示している。第１４図において、７は受光窓
であり各半導体イメージセンサ−の受光窓は一直線に配
置されている。
このマルチチップ方式の半導体イメージセンサ−は、縮
小光学系が不要で小型化が可能な特徴をを有しており、
ファクシミリ等の画像処理装置に多く用いられている。
小光学系が不要で小型化が可能な特徴をを有しており、
ファクシミリ等の画像処理装置に多く用いられている。
さて、近年、これらの半導体イメージセンサ−に対して
、従来からのモノクロに加えてカラーセンサーの要望が
多くなってきた。カラー化の実現として最も一般的な方
式として、上記マルチチップ方式の半導体イメージセン
サ−が検討されており、例えば以下の三通りの方式で対
応することが上げられている。
、従来からのモノクロに加えてカラーセンサーの要望が
多くなってきた。カラー化の実現として最も一般的な方
式として、上記マルチチップ方式の半導体イメージセン
サ−が検討されており、例えば以下の三通りの方式で対
応することが上げられている。
第１の方式は、モノクロ用イメージセンサ−に対して画
素（受光窓）ピッチを１７３として一行の受光部でＲＥ
Ｄ、 ＧＲＥＥＮ、 ＢＬＵＥのカラーフィルターを順
番に受光窓上に配置し、となりあった３つの受光窓、す
なわち、 ＲＥＤ、ＧＲＥＥＮ、ＢＬＵＥ各々１受光窓
づつの出力をもって、カラ−１ドツト分（一つのカラー
受光要素）とする方式である。
素（受光窓）ピッチを１７３として一行の受光部でＲＥ
Ｄ、 ＧＲＥＥＮ、 ＢＬＵＥのカラーフィルターを順
番に受光窓上に配置し、となりあった３つの受光窓、す
なわち、 ＲＥＤ、ＧＲＥＥＮ、ＢＬＵＥ各々１受光窓
づつの出力をもって、カラ−１ドツト分（一つのカラー
受光要素）とする方式である。
第１６図（Ａ）はモノクロの場合の受光窓の配置を示す
説明図、第１６図（Ｂ）はカラーの場合の受光窓の配置
を示す説明図である。
説明図、第１６図（Ｂ）はカラーの場合の受光窓の配置
を示す説明図である。
第１６図（Ａ）、（Ｂ）において、８ａ、８ｂは半導体
イメージセンサ−１７ａ、７ｂは受光窓であり、モノク
ロの場合の受光窓７ａのピッチ（主走査方向の受光窓ピ
ッチ）に対し、カラーの場合の受光窓７ｂのピッチ（主
走査方向の受光窓ピッチ）はｌ／３であり、受光窓７ｂ
にはＲＥＤ、 ＧＲＥＥＮ。
イメージセンサ−１７ａ、７ｂは受光窓であり、モノク
ロの場合の受光窓７ａのピッチ（主走査方向の受光窓ピ
ッチ）に対し、カラーの場合の受光窓７ｂのピッチ（主
走査方向の受光窓ピッチ）はｌ／３であり、受光窓７ｂ
にはＲＥＤ、 ＧＲＥＥＮ。
ＢＬＵＥのカラーフィルターが順次配置されている。
なお、このような方式はインライン方式と呼ばれる。
第２の方式は、半導体イメージセンサ−上の受光窓を１
行から３行にし、各々の行間（副走査方向の受光窓ピッ
チ）を主走査方向の受光窓ピッチと同じか、又は整数倍
にする方式であり、例えば行間を主走査方向のピッチと
同じにした場合、第１行及び第２行の出力をメモリーに
入れて、第１行の出力を２行、第２行の出力を１行おく
らせて出力し、それと第３行の出力をもってカラー１ド
ツト（一つのカラー受光要素）とする方式である。
行から３行にし、各々の行間（副走査方向の受光窓ピッ
チ）を主走査方向の受光窓ピッチと同じか、又は整数倍
にする方式であり、例えば行間を主走査方向のピッチと
同じにした場合、第１行及び第２行の出力をメモリーに
入れて、第１行の出力を２行、第２行の出力を１行おく
らせて出力し、それと第３行の出力をもってカラー１ド
ツト（一つのカラー受光要素）とする方式である。
第１７図は受光窓の配置を示す説明図である。
第１７図において、ｌＯは半導体イメージセンサ−１９
は受光窓である。Ｐは主走査方向の受光窓９のピッチ、
Ｑは受光窓９の行間ピッチ（副走査方向の受光窓ピッチ
）を示すものである。例えば第１行目の受光窓にＲＥＤ
のカラーフィルター第２行目の受光窓にＧＲＥＥＮのカ
ラーフィルター第３行目の受光窓にＢＬＵＥのカラーフ
ィルターが配置される。
は受光窓である。Ｐは主走査方向の受光窓９のピッチ、
Ｑは受光窓９の行間ピッチ（副走査方向の受光窓ピッチ
）を示すものである。例えば第１行目の受光窓にＲＥＤ
のカラーフィルター第２行目の受光窓にＧＲＥＥＮのカ
ラーフィルター第３行目の受光窓にＢＬＵＥのカラーフ
ィルターが配置される。
第３の方式は、１行の受光窓をもつ半導体イメージセン
サ−を３行配置し、各行の半導体イメージセンサ−ごと
にカラーフィルターを配置する方式である。
サ−を３行配置し、各行の半導体イメージセンサ−ごと
にカラーフィルターを配置する方式である。
第１８図は半導体イメージセンサ−の配置を示す説明図
である。
である。
同図において、７は受光窓、１１は第１行目の半導体イ
メージセンサ−１１２は第２行目の半導体イメージセン
サ−１１３は第３行目の半導体イメージセンサ−である
。例えば第１行目の半導体イメージセンサ−の受光窓に
ＲＥＤのカラーフィルター、第２行目の半導体イメージ
センサ−の受光窓にＧＲＥＥＮのカラーフィルター、第
３行目の半導体イメージセンサ−の受光窓にＢＬＵＥの
カラーフィルターが配置される。
メージセンサ−１１２は第２行目の半導体イメージセン
サ−１１３は第３行目の半導体イメージセンサ−である
。例えば第１行目の半導体イメージセンサ−の受光窓に
ＲＥＤのカラーフィルター、第２行目の半導体イメージ
センサ−の受光窓にＧＲＥＥＮのカラーフィルター、第
３行目の半導体イメージセンサ−の受光窓にＢＬＵＥの
カラーフィルターが配置される。
なお、以上説明した各従来例において、副走査方向は読
み取り原稿の進む方向、主走査方向は受光窓のならぶ方
向である。又、行とは副走査方向の受光部のならび、列
とは主走査方向の受光窓のならびである。
み取り原稿の進む方向、主走査方向は受光窓のならぶ方
向である。又、行とは副走査方向の受光部のならび、列
とは主走査方向の受光窓のならびである。
第１９図は、上記主走査方向及び副走査方向を図示する
ための説明図である。
ための説明図である。
同図において、１６は副走査方向、１７は主走査方向、
１４はマルチチップイメージセンサ−の第１チツプの読
み取りはじめの受光窓の位置、１５は最終チップの最終
読み取り受光窓の位置である。
１４はマルチチップイメージセンサ−の第１チツプの読
み取りはじめの受光窓の位置、１５は最終チップの最終
読み取り受光窓の位置である。
しかしながら、以上説明した三方式のマルチチップカラ
ーイメージセンサ−には、次の様な問題があった。
ーイメージセンサ−には、次の様な問題があった。
まず、第１の方法たるインライン方式の場合であるが、
この場合は例えば、第２０図に示す様に半導体イメージ
センサ−の各チップのつなぎ目のドツトピッチが正規ピ
ッチに対してきわめて大きくなることが問題となる。
この場合は例えば、第２０図に示す様に半導体イメージ
センサ−の各チップのつなぎ目のドツトピッチが正規ピ
ッチに対してきわめて大きくなることが問題となる。
ここで、ドツトのピッチとはインライン方式の場合、カ
ラーセンサーではＲＥＤ 、 ＧＲＥＥＮ 、 ＢＬＵ
Ｅの３つの受光窓でカラーの１ドツト（一つのカラー受
光要素）を構成するので、等制約にＧＲＥＥＮ −ＧＲ
ＥＥＮ 、 ＲＥＤ −ＲＥＤ 、 ＢＬＵＥ−ＢＬＩ
ＪＥ間に相当する。第２０図では、ＧＲＥＥＮ−ＧＲＥ
ＥＮ間で示しである。
ラーセンサーではＲＥＤ 、 ＧＲＥＥＮ 、 ＢＬＵ
Ｅの３つの受光窓でカラーの１ドツト（一つのカラー受
光要素）を構成するので、等制約にＧＲＥＥＮ −ＧＲ
ＥＥＮ 、 ＲＥＤ −ＲＥＤ 、 ＢＬＵＥ−ＢＬＩ
ＪＥ間に相当する。第２０図では、ＧＲＥＥＮ−ＧＲＥ
ＥＮ間で示しである。
今、ＰＩを正規のピッチ、Ｐ２を半導体イメージセンサ
−のつなぎ目のピッチとし、Ａを最端受光窓エツジと半
導体イメー、ジセンサーチップエッジとの距離、Ｂを半
導体イメージセンサ−のつなぎ目のすき間、Ｄを各受光
窓間の距離とすると、Ｐ２は、 Ｐ ｘ ＝ Ｐ ＋ ＋ ２ Ａ ＋ Ｂ −Ｄ ・
・・・・・■となり、半導体イメージセンサ−の各チッ
プのつなぎ目のドツトピッチＰｚ （以下、ピッチＰ
２という）は正規のピッチＰ、（以下、ピッチＰ、とい
う）よりも２Ａ＋Ｂ−Ｄ分だけ大きくなる。
−のつなぎ目のピッチとし、Ａを最端受光窓エツジと半
導体イメー、ジセンサーチップエッジとの距離、Ｂを半
導体イメージセンサ−のつなぎ目のすき間、Ｄを各受光
窓間の距離とすると、Ｐ２は、 Ｐ ｘ ＝ Ｐ ＋ ＋ ２ Ａ ＋ Ｂ −Ｄ ・
・・・・・■となり、半導体イメージセンサ−の各チッ
プのつなぎ目のドツトピッチＰｚ （以下、ピッチＰ
２という）は正規のピッチＰ、（以下、ピッチＰ、とい
う）よりも２Ａ＋Ｂ−Ｄ分だけ大きくなる。
ここで具体的に解像度を４００ＤＰＩ （１インチあた
り４００ドツト）でピッチＰ１、ピッチＰ２を計算して
みる。
り４００ドツト）でピッチＰ１、ピッチＰ２を計算して
みる。
ピッチＰ、は、
Ａについては、半導体ウェハーから半導体イメージセン
サ−を切り出す時の受光窓への影響を考えて２０μｍと
する。
サ−を切り出す時の受光窓への影響を考えて２０μｍと
する。
Ｂについては、半導体イメージセンサ−のグイボンディ
ング精度により約２０μｍとなる。Ｄについては各受光
窓のアイソレーションなどを考えて約６μｍとする。こ
の時のピッチＰ２は、Ｐ＝６３．５μｍ、Ａ＝２０Ｉｉ
ｍ、Ｂ＝２０μｍ、Ｄ＝６μｍを０式に代入して、 Ｐｇ ＝６３．５ （μｍ）＋２Ｘ２０ （ｕｍ）÷２
０ｆμｍ）−６（ｕ ｍ）＝１１７．５（μｍ）となる
。
ング精度により約２０μｍとなる。Ｄについては各受光
窓のアイソレーションなどを考えて約６μｍとする。こ
の時のピッチＰ２は、Ｐ＝６３．５μｍ、Ａ＝２０Ｉｉ
ｍ、Ｂ＝２０μｍ、Ｄ＝６μｍを０式に代入して、 Ｐｇ ＝６３．５ （μｍ）＋２Ｘ２０ （ｕｍ）÷２
０ｆμｍ）−６（ｕ ｍ）＝１１７．５（μｍ）となる
。
よって、
２
□″Ｆ１．８５倍となる。
Ｐ。
一般にカラーセンサーの場合、１．８５倍程度のピッチ
ずれは、出力画像に悪影響を与えてしまう働 次に、第２の方式の３ライン方式の場合であるが、これ
は第２１図に示す様にピッチずれに関してはインライン
方式より対応しやすい。
ずれは、出力画像に悪影響を与えてしまう働 次に、第２の方式の３ライン方式の場合であるが、これ
は第２１図に示す様にピッチずれに関してはインライン
方式より対応しやすい。
３ライン方式においてはＲＥＤ 、 ＧＲＥＥＮ 、
ＢＬＵＥのカラーフィルターが行ごとに設けられるため
、第２１図に示すように、正規のピッチＰ、は隣接する
カラーフィルターのピッチとなり、半導体イメージセン
サ−の各チップのつなぎ目のドツトピッチＰ４は隣接す
る半導体イメージセンサ−チップの端部のカラーフィル
ターのピッチとなる。
ＢＬＵＥのカラーフィルターが行ごとに設けられるため
、第２１図に示すように、正規のピッチＰ、は隣接する
カラーフィルターのピッチとなり、半導体イメージセン
サ−の各チップのつなぎ目のドツトピッチＰ４は隣接す
る半導体イメージセンサ−チップの端部のカラーフィル
ターのピッチとなる。
今、ピッチＰ、を６３．５μｍ、受光窓の主走査方向の
サイズを３０μｍとすると Ｐ４ ＝２Ａ＋Ｂ＋３０（μｍ）＝９０（μｍ）となる
。
サイズを３０μｍとすると Ｐ４ ＝２Ａ＋Ｂ＋３０（μｍ）＝９０（μｍ）となる
。
この時ピッチＰ４はピッチＰ、の約１．４２倍となる。
出力画像としては、画像に影響を与えるピッチづれは一
般に１．５倍以上であるので、この値は問題ないと言え
る。しかし、３ライン方式の場合、外部にメモリーが必
要となり、システム全体が複雑になり、コストもアップ
する。
般に１．５倍以上であるので、この値は問題ないと言え
る。しかし、３ライン方式の場合、外部にメモリーが必
要となり、システム全体が複雑になり、コストもアップ
する。
第３の方式の場合であるが、この場合は先に示した３ラ
イン方式よりも大きいメモリーが必要となり、さらに各
々の半導体イメージセンサ−の実装精度も向上させる必
要があり、実現はかなりむづかしいと考えられる。
イン方式よりも大きいメモリーが必要となり、さらに各
々の半導体イメージセンサ−の実装精度も向上させる必
要があり、実現はかなりむづかしいと考えられる。
［発明が解決しようとする課題］
以上説明したようにマルチチップカラーイメージセンサ
−を構成するための三つの方法はそれぞれ課題を有する
が、第１の方法たるインライン方式は、メモリが不要で
あるためシステムの簡易化、コスト低減が可能である等
の長所を有することから注目されている。
−を構成するための三つの方法はそれぞれ課題を有する
が、第１の方法たるインライン方式は、メモリが不要で
あるためシステムの簡易化、コスト低減が可能である等
の長所を有することから注目されている。
本発明の目的は上記インライン方式で問題となっていた
半導体イメージセンサ−チップのつなぎ目（第２０図に
おいてＡとＢの部分）で原稿データが欠落する問題を解
決することにある。
半導体イメージセンサ−チップのつなぎ目（第２０図に
おいてＡとＢの部分）で原稿データが欠落する問題を解
決することにある。
［課題を解決するための手段〕
本発明のマルチチップカラーイメージセンサ−は、複数
の受光窓を有する半導体イメージセンサ−が複数個配列
され、主走査方向の複数の受光窓で一つのカラー受光要
素を構成するマルチチップカラーイメージセンサ−にお
いて、 前記半導体イメージセンサ−の端部のカラー受光要素を
構成する複数の受光窓の一部または全部を、副走査方向
に並置したことを特徴とする。
の受光窓を有する半導体イメージセンサ−が複数個配列
され、主走査方向の複数の受光窓で一つのカラー受光要
素を構成するマルチチップカラーイメージセンサ−にお
いて、 前記半導体イメージセンサ−の端部のカラー受光要素を
構成する複数の受光窓の一部または全部を、副走査方向
に並置したことを特徴とする。
なお、ここで「副走査方向に並置したＪとは。
第１２図（Ａ）に示すように、複数の（図中では、簡易
化のため三つのみ示す）受光窓２２を、主走査方向１７
について直角に（副走査方向１６について平行に）配置
する場合に限定されず、第１２図（Ｂ）に示すように、
複数の受光窓２２を、副走査方向１６と非平行に配置し
た場合を含むものとする。また第１２図（Ａ）、（Ｂ）
では、複数の受光窓２２は一直線状に配置されているが
、本願においては、直線状に配置されていない場合も含
むものとする。後述する実施例においては簡易化のため
複数の受光窓を、主走査方向について直角に（副走査方
向について平行に）配置した場合について説明する。
化のため三つのみ示す）受光窓２２を、主走査方向１７
について直角に（副走査方向１６について平行に）配置
する場合に限定されず、第１２図（Ｂ）に示すように、
複数の受光窓２２を、副走査方向１６と非平行に配置し
た場合を含むものとする。また第１２図（Ａ）、（Ｂ）
では、複数の受光窓２２は一直線状に配置されているが
、本願においては、直線状に配置されていない場合も含
むものとする。後述する実施例においては簡易化のため
複数の受光窓を、主走査方向について直角に（副走査方
向について平行に）配置した場合について説明する。
［作用］
従来のインライン方式のマルチチップカラーイメージセ
ンサ−は、既に第２０図を用いて説明したようにピッチ
Ｐ２はピッチＰ１に２Ａ＋Ｂ−Ｄを加えたものとなる。
ンサ−は、既に第２０図を用いて説明したようにピッチ
Ｐ２はピッチＰ１に２Ａ＋Ｂ−Ｄを加えたものとなる。
本発明は、半導体イメージセンサ−の端部のカラー受光
要素を構成する三受光窓の配置を、副走査方向に並置す
ることで、半導体イメージセンサ−の各チップのつなぎ
目のドツトピッチＰ４を、隣接する半導体イメージセン
サ−の副走査方向に並置された複数の受光窓の主走査方
向の中心位置間のピッチとするものである。ここで本発
明によるピッチＰ４は２Ａ＋Ｂに主走査方向の受光窓の
長さしを加えたものとなり、Ｐ、＝２．〜＋Ｂ＋Ｌどな
る。
要素を構成する三受光窓の配置を、副走査方向に並置す
ることで、半導体イメージセンサ−の各チップのつなぎ
目のドツトピッチＰ４を、隣接する半導体イメージセン
サ−の副走査方向に並置された複数の受光窓の主走査方
向の中心位置間のピッチとするものである。ここで本発
明によるピッチＰ４は２Ａ＋Ｂに主走査方向の受光窓の
長さしを加えたものとなり、Ｐ、＝２．〜＋Ｂ＋Ｌどな
る。
従来のドツトピッチＰ２と本発明の場合のドツトピッチ
Ｐ４の差を具体的に計算すると、ｐｔ −Ｐ４ ＝
（Ｐｌ＋２Ａ＋Ｂ−ＤＪ−（２Ａ＋Ｂ＋Ｌ）＝Ｐ、
−Ｄ−Ｌ となる。ここでＰｌはＰ、＝３Ｄ＋３Ｌ （従来例と本
発明とにおける受光窓の長さし及び受光窓間の距離りを
等しいとする）であるから Ｐ、−Ｐ４＝２ （ＤＪＬ）＞０ となる。
Ｐ４の差を具体的に計算すると、ｐｔ −Ｐ４ ＝
（Ｐｌ＋２Ａ＋Ｂ−ＤＪ−（２Ａ＋Ｂ＋Ｌ）＝Ｐ、
−Ｄ−Ｌ となる。ここでＰｌはＰ、＝３Ｄ＋３Ｌ （従来例と本
発明とにおける受光窓の長さし及び受光窓間の距離りを
等しいとする）であるから Ｐ、−Ｐ４＝２ （ＤＪＬ）＞０ となる。
このように本発明においては、半導体イメージセンサ−
の各チップのつなぎ目のドツトピッチを従来のインライ
ン方式のマルチチップカラーイメージよりも小さくする
ことができる。
の各チップのつなぎ目のドツトピッチを従来のインライ
ン方式のマルチチップカラーイメージよりも小さくする
ことができる。
なお、本発明のマルチチップカラーイメージセンサ−に
おいては、副走査方向に並置した受光窓の内少なくとも
一つの受光窓からの出力信号を、隣接する半導体イメー
ジセンサ−のつなぎ目に相当する領域からの出力信号と
して処理することができる。
おいては、副走査方向に並置した受光窓の内少なくとも
一つの受光窓からの出力信号を、隣接する半導体イメー
ジセンサ−のつなぎ目に相当する領域からの出力信号と
して処理することができる。
［実施例］
以下、本発明の実施例について図面を用いて詳細に説明
する。
する。
ここで示す例は、解像度が４００ＤＰＩ、すなわち、カ
ラーの１ドツトを構成する受光窓群（玉受光窓でカラー
１ドツト）が６３．５μｍピッチで主走査方向に配列さ
れている半導体イメージセンサ−を使用しており、１つ
の半導体イメージセンサ−上にはカラーの３１６ドツト
、すなわち９４８個の受光窓が配置されている。各受光
窓の主走査方向の受光窓の大きさは１５μｍであり、受
光窓間のアイソレーションと配線として約６μｍ使用し
ている。玉受光窓で６３．５μｍとするためにアイソレ
ーションの巾約６μｍを一部調整しである。半導体イメ
ージセンサ−チップの主走査方向の長さは、約２Ｏｎ＋
ｍであり、この半導体イメージセンサ−を１１個主走査
方向に受光窓が一直線となる様に回路基板上に配置して
Ａ４サイズの読み取りが可能としたものである。
ラーの１ドツトを構成する受光窓群（玉受光窓でカラー
１ドツト）が６３．５μｍピッチで主走査方向に配列さ
れている半導体イメージセンサ−を使用しており、１つ
の半導体イメージセンサ−上にはカラーの３１６ドツト
、すなわち９４８個の受光窓が配置されている。各受光
窓の主走査方向の受光窓の大きさは１５μｍであり、受
光窓間のアイソレーションと配線として約６μｍ使用し
ている。玉受光窓で６３．５μｍとするためにアイソレ
ーションの巾約６μｍを一部調整しである。半導体イメ
ージセンサ−チップの主走査方向の長さは、約２Ｏｎ＋
ｍであり、この半導体イメージセンサ−を１１個主走査
方向に受光窓が一直線となる様に回路基板上に配置して
Ａ４サイズの読み取りが可能としたものである。
第１０図及び第１１図は本発明のマルチチップカラーイ
メージセンサ−の実施例の全体構成の概略的平面図であ
る。
メージセンサ−の実施例の全体構成の概略的平面図であ
る。
両図において、２３が所望の回路を配置した回路基板、
２０は本発明を用いた半導体イメージセンサ−１２２は
主走査方向に垂直に配置した受光窓、２１は他の受光窓
である。
２０は本発明を用いた半導体イメージセンサ−１２２は
主走査方向に垂直に配置した受光窓、２１は他の受光窓
である。
第１０図は、回路基板２３の両側に受光窓２２を配置し
た場合を示し、第１１図は、回路基板２３の片側に受光
窓２２を配置した場合を示すものである。なお、以下の
実施例では回路基板２３の両側（７）受光窓２２を配置
した場合について説明する。
た場合を示し、第１１図は、回路基板２３の片側に受光
窓２２を配置した場合を示すものである。なお、以下の
実施例では回路基板２３の両側（７）受光窓２２を配置
した場合について説明する。
第１図は本発明のマルチチップカラーイメージセンサ−
の第１実施例の部分拡大図であり、上記第１０図Ｂ部拡
大図に対応し、本発明の特徴となる部分の説明図である
。
の第１実施例の部分拡大図であり、上記第１０図Ｂ部拡
大図に対応し、本発明の特徴となる部分の説明図である
。
既に述べたように、４００ＤＰＩの場合カラーの１ドツ
トのピッチＰ＋は６３．５μｍであり、２４の３受光窓
は、ＧＲＥＥＮを中心にこのピッチで順次配置されてい
る。
トのピッチＰ＋は６３．５μｍであり、２４の３受光窓
は、ＧＲＥＥＮを中心にこのピッチで順次配置されてい
る。
ここで半導体イメージセンサ−２０の両端の３受光窓２
２もピッチ６３．５ｕｍで１つ前のＧＲＥＥＮの受光窓
から配置されることが望ましい。すなわち、ｐ１＝Ｐｓ
（Ｐ−は１つ前ＧＲＥＥＨの受光窓の中心位置と三
つの受光窓の主走査方向の中心位置とのピッチを示す）
であることが望ましい。これはピッチずれによる出力画
像の影響がなくなるからであり、これを実現するために
３受光窓２２の主走査方向の中心位置はすぐとなりのＢ
ＬＵＥの受光窓の中心位置からピッチＰ、の２倍の距離
だけはなれた位置にある。
２もピッチ６３．５ｕｍで１つ前のＧＲＥＥＮの受光窓
から配置されることが望ましい。すなわち、ｐ１＝Ｐｓ
（Ｐ−は１つ前ＧＲＥＥＨの受光窓の中心位置と三
つの受光窓の主走査方向の中心位置とのピッチを示す）
であることが望ましい。これはピッチずれによる出力画
像の影響がなくなるからであり、これを実現するために
３受光窓２２の主走査方向の中心位置はすぐとなりのＢ
ＬＵＥの受光窓の中心位置からピッチＰ、の２倍の距離
だけはなれた位置にある。
なお、ピッチずれによる出力画像の影響をなくすために
、半導体イメージセンサ−のつなぎ目でのピッチＰ４も
ピッチＰ３、ピッチＰ、に近づけることが望ましいこと
は熱論である。
、半導体イメージセンサ−のつなぎ目でのピッチＰ４も
ピッチＰ３、ピッチＰ、に近づけることが望ましいこと
は熱論である。
本実施例においては、３つの受光窓２２の配置を副走査
方向に対して並置したため、第２０図に示したインライ
ン方式のマルチチップイメージセンサ−に比べて、半導
体イメージセンサ−のつなぎ目のピッチＰ４をピッチＰ
、又はＰ、に近づけることが可能となる。
方向に対して並置したため、第２０図に示したインライ
ン方式のマルチチップイメージセンサ−に比べて、半導
体イメージセンサ−のつなぎ目のピッチＰ４をピッチＰ
、又はＰ、に近づけることが可能となる。
ここで具体的にピッチＰ４について計算してみる。
今、３受光窓２２のエツジから半導体イメージセンサ−
のエツジまでの距１１１［Ａを２０μｍ（グイボンド精
度及び受光窓への影響から与えられる値）、半導体イメ
ージセンサ−のつなぎ目間隔Ｂを２０μｍ（グイボンド
精度より与えられる値）とすると、 となる。
のエツジまでの距１１１［Ａを２０μｍ（グイボンド精
度及び受光窓への影響から与えられる値）、半導体イメ
ージセンサ−のつなぎ目間隔Ｂを２０μｍ（グイボンド
精度より与えられる値）とすると、 となる。
Ｐ４とＰＩ （又はｐ、）の比は
Ｐ４ ／Ｐ、 ＝７５／６３．５＝１．１８すなわち、
ピッチづれは１，１８倍となり、画質にほとんど問題の
ない値となる。
ピッチづれは１，１８倍となり、画質にほとんど問題の
ない値となる。
さらに主走査方向に直角に配置されている受光窓２２の
第１受光窓（第１図ではＲＥＤ ）の外側のエツジから
第３受光窓（第１図ではＢＬＵＥ）の外側のエツジまで
の距離Ｗは受光窓２１のピッチＰ。
第１受光窓（第１図ではＲＥＤ ）の外側のエツジから
第３受光窓（第１図ではＢＬＵＥ）の外側のエツジまで
の距離Ｗは受光窓２１のピッチＰ。
の３倍以下、すなわち６３．５μｍ以下に設定されてい
る。この主走査方向の巾Ｗを６３．５μｍ以下としてい
ること、すなわち、４００ＤＰＩのカラー１ドツトの中
以下とすることにより、この三受光窓の読み取り位置は
、原稿の同一点を読んでいる場合と略等価になる。
る。この主走査方向の巾Ｗを６３．５μｍ以下としてい
ること、すなわち、４００ＤＰＩのカラー１ドツトの中
以下とすることにより、この三受光窓の読み取り位置は
、原稿の同一点を読んでいる場合と略等価になる。
以上説明した実施例においては、カラーフィルターは赤
（ＲＥＤ）、緑（ＧＲＥＥＮ）、青（ＢＬＵＥ）として
記載したが、その他の色、例えばシアン、マゼンタ、黄
から構成してもよい。
（ＲＥＤ）、緑（ＧＲＥＥＮ）、青（ＢＬＵＥ）として
記載したが、その他の色、例えばシアン、マゼンタ、黄
から構成してもよい。
第２図（Ａ）、（Ｂ）は本発明のマルチチップカラーイ
メージセンサ−の第２実施例及び第３実施例の部分拡大
図である。
メージセンサ−の第２実施例及び第３実施例の部分拡大
図である。
本実施例（第２実施例及び第３実施例）は、半導体イメ
ージセンサ−の端部に、副走査方向に並置する受光窓を
、二つとしたものである。
ージセンサ−の端部に、副走査方向に並置する受光窓を
、二つとしたものである。
第２図（Ａ）に示す第２実施例は、他の受光窓と同様に
配列されたカラーフィルターＧの受光窓上に、カラーフ
ィルターＢの受光窓を配置しており、この二つの受光窓
が本願でいう「副走査方向に並置した」受光窓である。
配列されたカラーフィルターＧの受光窓上に、カラーフ
ィルターＢの受光窓を配置しており、この二つの受光窓
が本願でいう「副走査方向に並置した」受光窓である。
この二つの受光窓と、すぐ隣のカラーフィルターＲの受
光窓とで一つのカラー受光要素を構成している。
光窓とで一つのカラー受光要素を構成している。
なお、ここでは、すぐ隣のカラーフィルターＲの受光窓
の中心位置と上記カラーフィルターＧの受光窓の中心位
置との距離は、その他の受光窓のピッチＰ、と等しくな
っている。
の中心位置と上記カラーフィルターＧの受光窓の中心位
置との距離は、その他の受光窓のピッチＰ、と等しくな
っている。
第２図（Ｂ）に示する第３実施例は、カラーフィルター
Ｇの受光窓とカラーフィルターＢの受光窓との中間が、
主走査方向に配列された他の受光窓の中心と一致するよ
うに配置している。
Ｇの受光窓とカラーフィルターＢの受光窓との中間が、
主走査方向に配列された他の受光窓の中心と一致するよ
うに配置している。
第３図（Ａ）、（Ｂ）は本発明のマルチチップカラーイ
メージセンサ−の第４実施例及び第５実施例の部分拡大
図である。
メージセンサ−の第４実施例及び第５実施例の部分拡大
図である。
第３図（Ａ）に示す第４実施例は、他の受光窓と同様に
配列されたカラーフィルターＧの受光窓の両側に、それ
ぞれカラーフィルターＲ，Ｂの受光窓を配置しており、
この三つの受光窓が本願でいう「副走査方向に並置した
」受光窓である。
配列されたカラーフィルターＧの受光窓の両側に、それ
ぞれカラーフィルターＲ，Ｂの受光窓を配置しており、
この三つの受光窓が本願でいう「副走査方向に並置した
」受光窓である。
なお、ここでは、すぐ隣のカラーフィルターＧの受光窓
の中心位置と、上記副走査方向に並置したカラーフィル
ターＧの受光窓の中心位置との距離は、その他の受光窓
のピッチＰ、の二倍となりている。
の中心位置と、上記副走査方向に並置したカラーフィル
ターＧの受光窓の中心位置との距離は、その他の受光窓
のピッチＰ、の二倍となりている。
第３図（Ｂ）に示する第５実施例は、他の受光窓と同様
に配列されたカラーフィルター〇の受光窓の上側に、二
つのカラーフィルターＲ，Ｈの受光窓を配置している。
に配列されたカラーフィルター〇の受光窓の上側に、二
つのカラーフィルターＲ，Ｈの受光窓を配置している。
なお、以上説明した実施例は、カラー色がＲｌＧ、Ｂの
三色の場合を示したが、二色あるいは四色以上であって
も本発明を適用することができる。以下、その−例につ
いて説明する。
三色の場合を示したが、二色あるいは四色以上であって
も本発明を適用することができる。以下、その−例につ
いて説明する。
第４図（Ａ）、ＣＢ）は本発明のマルチチップカラーイ
メージセンサ−の第６実施例及び第７実施例の部分拡大
図である。
メージセンサ−の第６実施例及び第７実施例の部分拡大
図である。
第５図（Ａ）、 （Ｂ）は本発明のマルチチップカラー
イメージセンサ−の第８実施例及び第９実施例の部分拡
大図である。
イメージセンサ−の第８実施例及び第９実施例の部分拡
大図である。
第４図（Ａ）、（Ｂ）及び第５図（Ａ）、（Ｂ）に示し
た各実施例は、半導体イメージセンサ−の端部において
、副走査方向に並置する受光窓を、二つとしたものであ
り、二色のカラーフィルターＲ，Ｇの受光窓で一つのカ
ラー受光要素を構成するものであ机 各図において、２５は一つのカラー受光要素を構成する
受光窓である。
た各実施例は、半導体イメージセンサ−の端部において
、副走査方向に並置する受光窓を、二つとしたものであ
り、二色のカラーフィルターＲ，Ｇの受光窓で一つのカ
ラー受光要素を構成するものであ机 各図において、２５は一つのカラー受光要素を構成する
受光窓である。
第４図（Ａ）に示す第６実施例は、他の受光窓と同様に
配列されたカラーフィルターＧの受光窓上に、カラーフ
ィルター只の受光窓を配置しており、この二つの受光窓
が本願でいう「副走査方向に並置したＪ受光窓である。
配列されたカラーフィルターＧの受光窓上に、カラーフ
ィルター只の受光窓を配置しており、この二つの受光窓
が本願でいう「副走査方向に並置したＪ受光窓である。
なお、ここでは、すぐ隣のカラーフィルターＧの受光窓
の中心位置と、上記副走査方向に並置した受光窓である
カラーフィルターＧの受光窓の中心位置との距離は、そ
の他の受光窓のピッチＰ。
の中心位置と、上記副走査方向に並置した受光窓である
カラーフィルターＧの受光窓の中心位置との距離は、そ
の他の受光窓のピッチＰ。
と等しくなっている。
第４図ＣＢ）に示す第７実施例は、カラーフィルター〇
の受光窓とカラーフィルターＲの受光窓との中間が、主
走査方向に配列された他の受光窓の中心と一致するよう
に配置している。
の受光窓とカラーフィルターＲの受光窓との中間が、主
走査方向に配列された他の受光窓の中心と一致するよう
に配置している。
第５図（Ａ）に示す第８実施例は、第４図（Ａ）に示す
第６実施例に比べて、すぐ隣のカラーフィルターＧの受
光窓の中心位置と、副走査方向に並置した受光窓である
カラーフィルター〇の受光窓の中心位置との距離を、そ
の他の受光窓のピッチＰ、の二倍としたものである。
第６実施例に比べて、すぐ隣のカラーフィルターＧの受
光窓の中心位置と、副走査方向に並置した受光窓である
カラーフィルター〇の受光窓の中心位置との距離を、そ
の他の受光窓のピッチＰ、の二倍としたものである。
第５図（Ｂ）に示す第９実施例は、第４図（Ｂ）に示す
第７実施例に比べて、すぐ隣のカラーフィルターＧの受
光窓の中心位置と、カラーフィルターＧの受光窓とカラ
ーフィルターＲの受光窓との中間の中心位置との距離を
、その他の受光窓のピッチＰ、の二倍としたものである
。
第７実施例に比べて、すぐ隣のカラーフィルターＧの受
光窓の中心位置と、カラーフィルターＧの受光窓とカラ
ーフィルターＲの受光窓との中間の中心位置との距離を
、その他の受光窓のピッチＰ、の二倍としたものである
。
第６図（Ａ） 、 （Ｂ）は本発明のマルチチップカラ
ーイメージセンサ−の第１０実施例及び第１１実施例の
部分拡大図である。
ーイメージセンサ−の第１０実施例及び第１１実施例の
部分拡大図である。
第７図（Ａ） 、 （Ｂ）は本発明のマルチチップカラ
ーイメージセンサ−の第１２実施例及び第１３実施例の
部分拡大図である。
ーイメージセンサ−の第１２実施例及び第１３実施例の
部分拡大図である。
第８図（Ａ） 、 （Ｂ）は本発明のマルチチップカラ
ーイメージセンサ−の第゛１４実施例及び第１５実施例
の部分拡大図である。
ーイメージセンサ−の第゛１４実施例及び第１５実施例
の部分拡大図である。
第９図（Ａ）、（Ｂ）は本発明のマルチチップカラーイ
メージセンサ−の第１６実施例及び第１７実施例の部分
拡大図である。
メージセンサ−の第１６実施例及び第１７実施例の部分
拡大図である。
第６図（Ａ）、（Ｂ）に示した各実施例は、半導体イメ
ージセンサ−の端部に、副走査方向に並置する受光窓を
、三つとしたものであり、この三つの受光窓と、すぐ隣
のカラーフィルターの受光窓とで一つのカラー受光要素
を構成している。
ージセンサ−の端部に、副走査方向に並置する受光窓を
、三つとしたものであり、この三つの受光窓と、すぐ隣
のカラーフィルターの受光窓とで一つのカラー受光要素
を構成している。
第７図（Ａ）、ＣＢ）〜第９図（Ａ）、（Ｂ）に示した
各実施例は、半導体イメージセンサ−の端部に、副走査
方向に並置する受光窓を、四つとしたものであり、この
四つの受光窓で一つのカラー受光要素を構成している。
各実施例は、半導体イメージセンサ−の端部に、副走査
方向に並置する受光窓を、四つとしたものであり、この
四つの受光窓で一つのカラー受光要素を構成している。
各図において、２６は一つのカラー受光要素を構成する
受光窓である。
受光窓である。
第６図（Ａ）に示す第１０実施例は、他の受光窓と同様
に配列されたカラーフィルターＧの受光窓の両側に、カ
ラーフィルターＣｙ、Ｍｇの受光窓を配置しており、こ
の三つの受光窓が本願でいう「副走査方向に並置した」
受光窓である。この三つの受光窓と、すぐ隣のカラーフ
ィルターの受光窓Ｙｅとで一つのカラー受光要素を構成
している。
に配列されたカラーフィルターＧの受光窓の両側に、カ
ラーフィルターＣｙ、Ｍｇの受光窓を配置しており、こ
の三つの受光窓が本願でいう「副走査方向に並置した」
受光窓である。この三つの受光窓と、すぐ隣のカラーフ
ィルターの受光窓Ｙｅとで一つのカラー受光要素を構成
している。
なお、ここでは、すぐ隣のカラーフィルターＹｅの受光
窓の中心位置と、上記副走査方向に並置した受光窓であ
るカラーフィルターＧの受光窓の中心位置との距離は、
その他の受光窓のピッチＰｓと等しくなっている。
窓の中心位置と、上記副走査方向に並置した受光窓であ
るカラーフィルターＧの受光窓の中心位置との距離は、
その他の受光窓のピッチＰｓと等しくなっている。
第６図（Ｂ）に示す第１１実施例は、カラーフィルター
Ｇの受光窓の上に、カラーフィルターＣｙ、Ｍｇの受光
窓を配置している。
Ｇの受光窓の上に、カラーフィルターＣｙ、Ｍｇの受光
窓を配置している。
第７図（Ａ）に示す第１２実施例は、他の受光窓と同様
に配列されたカラーフィルターＧの受光窓上にカラーフ
ィルターＹｅの受光窓を配置され、カラーフィルター〇
の受光窓下にカラーフィルターＣｙ、Ｍｇの受光窓を配
置されている。この四つの受光窓が本願でいう「副走査
方向に並置した」受光窓である。
に配列されたカラーフィルターＧの受光窓上にカラーフ
ィルターＹｅの受光窓を配置され、カラーフィルター〇
の受光窓下にカラーフィルターＣｙ、Ｍｇの受光窓を配
置されている。この四つの受光窓が本願でいう「副走査
方向に並置した」受光窓である。
なお、ここでは、すぐ隣のカラーフィルターＭｇの受光
窓の中心位置と、上記副走査方向に並置した受光窓であ
るカラーフィルターＧの受光窓の中心位置との距離は、
その他の受光窓のピッチＰ、の二倍である。
窓の中心位置と、上記副走査方向に並置した受光窓であ
るカラーフィルターＧの受光窓の中心位置との距離は、
その他の受光窓のピッチＰ、の二倍である。
第７図（Ｂ）に示す第１３実施例は、カラーフィルター
Ｙｅ、Ｇの受光窓とカラーフィルターＣｙ＋ Ｍｇの受
光窓との中間が、主走査方向に配列された他の受光窓の
中心と一致するように配置している。
Ｙｅ、Ｇの受光窓とカラーフィルターＣｙ＋ Ｍｇの受
光窓との中間が、主走査方向に配列された他の受光窓の
中心と一致するように配置している。
第８図（Ａ）に示す第１４実施例は、他の受光窓と同様
に配列されたカラーフィルター〇の受光窓上にカラーフ
ィルターｃｙの受光窓を配置し、カラーフィルター〇の
受光窓下にカラーフィルターＹｅ、Ｍｇの受光窓を配置
している。この四つの受光窓が本願でいう「副走査方向
に並置した」受光窓である。
に配列されたカラーフィルター〇の受光窓上にカラーフ
ィルターｃｙの受光窓を配置し、カラーフィルター〇の
受光窓下にカラーフィルターＹｅ、Ｍｇの受光窓を配置
している。この四つの受光窓が本願でいう「副走査方向
に並置した」受光窓である。
なお、ここでは、すぐ隣のカラーフィルターｃｙの受光
窓の中心位置と、上記副走査方向に並置した受光窓であ
るカラーフィルター〇の受光窓の中心位置との距離は、
その他の受光窓のピッチＰ３の二倍である。
窓の中心位置と、上記副走査方向に並置した受光窓であ
るカラーフィルター〇の受光窓の中心位置との距離は、
その他の受光窓のピッチＰ３の二倍である。
第８図（Ｂ）に示す第１５実施例は、カラーフィルター
Ｃｙ、Ｇの受光窓とカラーフィルター０Ｙｅ、Ｍｇの受
光窓との中間が、主走査方向に配列された他の受光窓の
中心と一致するように配置している。
Ｃｙ、Ｇの受光窓とカラーフィルター０Ｙｅ、Ｍｇの受
光窓との中間が、主走査方向に配列された他の受光窓の
中心と一致するように配置している。
第９図（Ａ）に示す第１６実施例は、第８図（Ａ）に示
す第１４実施例に比べて、すぐ隣のカラーフィルターＣ
ｙの受光窓の中心位置と、副走査方向に並置した受光窓
であるカラーフィルターＧの受光窓の中心位置との距離
を、その他の受光窓のピッチＰ３の四倍としたものであ
る。
す第１４実施例に比べて、すぐ隣のカラーフィルターＣ
ｙの受光窓の中心位置と、副走査方向に並置した受光窓
であるカラーフィルターＧの受光窓の中心位置との距離
を、その他の受光窓のピッチＰ３の四倍としたものであ
る。
第９図（Ｂ）に示す第１７実施例は、第８図（Ｂ）に示
す第１５実施例に比べて、すぐ隣のカラーフィルターｃ
ｙの受光窓の中心位置と、カラーフィルターＣｙ、Ｇの
受光窓とカラーフィルターＹｅ、Ｍｇの受光窓との中間
の中心位置との距離を、その他の受光窓のピッチＰ、の
四倍としたものである。
す第１５実施例に比べて、すぐ隣のカラーフィルターｃ
ｙの受光窓の中心位置と、カラーフィルターＣｙ、Ｇの
受光窓とカラーフィルターＹｅ、Ｍｇの受光窓との中間
の中心位置との距離を、その他の受光窓のピッチＰ、の
四倍としたものである。
［発明の効果］
以上詳細に説明したように、本発明のマルチチップカラ
ーイメージセンサ−によれば、次の効果を得ることがで
きる。
ーイメージセンサ−によれば、次の効果を得ることがで
きる。
（１）半導体イメージセンサ−のつなぎ目でのカラー１
ドツトに対応するピッチを正規のピッチに近づけること
ができ、出力画像で、つなぎめの画像の影響をほぼなく
すことができる。
ドツトに対応するピッチを正規のピッチに近づけること
ができ、出力画像で、つなぎめの画像の影響をほぼなく
すことができる。
（２）半導体イメージセンサ−のつなぎ目の間隔（半導
体イメージセンサ−どうしのすきま）が従来のモノクロ
センサーの場合と同じままで対応でき、実装精度が従来
のグイボンド装置で対応できる。
体イメージセンサ−どうしのすきま）が従来のモノクロ
センサーの場合と同じままで対応でき、実装精度が従来
のグイボンド装置で対応できる。
（３）３ライン方式に比べ、メモリーなどの外部部品が
不要となり、システムが簡単になる。
不要となり、システムが簡単になる。
（４）従来例の第３の方法（チップを３行）並べる方法
よりもチップ数が１７３となり、コストダウンとなり又
組立時間の短縮となる。
よりもチップ数が１７３となり、コストダウンとなり又
組立時間の短縮となる。
第１図は本発明のマルチチップカラーイメージセンサ−
の第１実施例の部分拡大図である。 第２図（Ａ）、（Ｂ）は本発明のマルチチップカラーイ
メージセンサ−の第２実施例及び第３実施例の部分拡大
図である。 第３図（Ａ）、（Ｂ）は本発明のマルチチップカラーイ
メージセンサ−の第４実施例及び第５実施例の部分拡大
図である。 第４図（Ａｌ、（Ｂ）は本発明のマルチチップカラーイ
メージセンサ−の第６実施例及び第７実施例の部分拡大
図である。 第５図（Ａ）、（Ｂ）は本発明のマルチチプカラーイメ
ージセンサーの第８実施例及び第９実施例の部分拡大図
である。 第６図（Ａ） 、 （Ｂ）は本発明のマルチチップカラ
ーイメージセンサ−の第１０実施例及び第１１実施例の
部分拡大図である。 第７図（Ａ）、（Ｂ）は本発明のマルチチップカラーイ
メージセンサ−の第１２実施例及び第１３実施例の部分
拡大図である。 第８図（Ａ）、（Ｂ）は本発明のマルチチップカラーイ
メージセンサ−の第１４実施例及び第１５実施例の部分
拡大図である。 第９図（Ａ） 、 （Ｂ）は本発明のマルチチップカラ
ーイメージセンサ−の第１６実施例及び第１７実施例の
部分拡大図である。 第１０図及び第１１図は本発明のマルチチップカラーイ
メージセンサ−の実施例の全体構成の概略的平面図であ
る。 第１２図（Ａ）、（Ｂ）本発明を説明するためのマルチ
チップカラーイメージセンサ−の部分拡大図である。 第１３図は本発明のマルチチップ方式の半導体イメージ
センサ−の概略的平面図である。 第１４図は上記のマルチチップ方式の半導体イメージセ
ンサ−のＡ部拡大図である。 第１５図は上記マルチチップ方式の半導体イメージセン
サ−を用いた光学系を示す構成図である。 第１６図（Ａ）はモノクロの場合の受光窓の配置を示す
説明図、第１６図（Ｂ）はカラーの場合の受光窓の配置
を示す説明図である。 第１７図は受光窓の配置を示す説明図である。 第１８図は半導体イメージセンサ−の配置を示す説明図
である。 第１９図は、主走査方向及び主走査方向を図示するため
の説明図である。 第２０図は、インライン方式の従来のマルチチップカラ
ーイメージセンサ−の受光窓配置を示す説明図である。 第２１図は、３ライン方式の従来のマルチチップカラー
イメージセンサ−の受光窓配置を示す説明図である。 ｌ：原稿、４．２３＋回路基板、５：セルホックレンズ
アレイ、６ ： ＬＥＤ、７，７ａ、７ｂ。 ９．２１：受光窓、８ ａ、８ ｂ＋ Ｓ ＋ 〜Ｓｎ
、１０〜１３，２０：半導体イメージセンサ−２２，
２４：カラー１ドツト（１つのカラー受光要素）を構成
する三受光窓。
の第１実施例の部分拡大図である。 第２図（Ａ）、（Ｂ）は本発明のマルチチップカラーイ
メージセンサ−の第２実施例及び第３実施例の部分拡大
図である。 第３図（Ａ）、（Ｂ）は本発明のマルチチップカラーイ
メージセンサ−の第４実施例及び第５実施例の部分拡大
図である。 第４図（Ａｌ、（Ｂ）は本発明のマルチチップカラーイ
メージセンサ−の第６実施例及び第７実施例の部分拡大
図である。 第５図（Ａ）、（Ｂ）は本発明のマルチチプカラーイメ
ージセンサーの第８実施例及び第９実施例の部分拡大図
である。 第６図（Ａ） 、 （Ｂ）は本発明のマルチチップカラ
ーイメージセンサ−の第１０実施例及び第１１実施例の
部分拡大図である。 第７図（Ａ）、（Ｂ）は本発明のマルチチップカラーイ
メージセンサ−の第１２実施例及び第１３実施例の部分
拡大図である。 第８図（Ａ）、（Ｂ）は本発明のマルチチップカラーイ
メージセンサ−の第１４実施例及び第１５実施例の部分
拡大図である。 第９図（Ａ） 、 （Ｂ）は本発明のマルチチップカラ
ーイメージセンサ−の第１６実施例及び第１７実施例の
部分拡大図である。 第１０図及び第１１図は本発明のマルチチップカラーイ
メージセンサ−の実施例の全体構成の概略的平面図であ
る。 第１２図（Ａ）、（Ｂ）本発明を説明するためのマルチ
チップカラーイメージセンサ−の部分拡大図である。 第１３図は本発明のマルチチップ方式の半導体イメージ
センサ−の概略的平面図である。 第１４図は上記のマルチチップ方式の半導体イメージセ
ンサ−のＡ部拡大図である。 第１５図は上記マルチチップ方式の半導体イメージセン
サ−を用いた光学系を示す構成図である。 第１６図（Ａ）はモノクロの場合の受光窓の配置を示す
説明図、第１６図（Ｂ）はカラーの場合の受光窓の配置
を示す説明図である。 第１７図は受光窓の配置を示す説明図である。 第１８図は半導体イメージセンサ−の配置を示す説明図
である。 第１９図は、主走査方向及び主走査方向を図示するため
の説明図である。 第２０図は、インライン方式の従来のマルチチップカラ
ーイメージセンサ−の受光窓配置を示す説明図である。 第２１図は、３ライン方式の従来のマルチチップカラー
イメージセンサ−の受光窓配置を示す説明図である。 ｌ：原稿、４．２３＋回路基板、５：セルホックレンズ
アレイ、６ ： ＬＥＤ、７，７ａ、７ｂ。 ９．２１：受光窓、８ ａ、８ ｂ＋ Ｓ ＋ 〜Ｓｎ
、１０〜１３，２０：半導体イメージセンサ−２２，
２４：カラー１ドツト（１つのカラー受光要素）を構成
する三受光窓。
Claims (6)
- （１）複数の受光窓を有する半導体イメージセンサーが
複数個配列され、主走査方向の複数の受光窓で一つのカ
ラー受光要素を構成するマルチチップカラーイメージセ
ンサーにおいて、 前記半導体イメージセンサーの端部のカラー受光要素を
構成する複数の受光窓の一部または全部を、副走査方向
に並置したことを特徴とするマルチチップカラーイメー
ジセンサー。 - （２）請求項１記載のマルチチップカラーイメージセン
サーにおいて、副走査方向に並置した複数の受光窓の内
、一つの受光窓が、主走査方向に平行な他の受光窓と一
直線上に配置されていることを特徴とするマルチチップ
カラーイメージセンサー。 - （３）請求項１又は請求項２記載のマルチチップカラー
イメージセンサーにおいて、副走査方向に並置した複数
（ｎ）の受光窓の第１番目の受光窓の外側エッジから第
ｎ番目の受光窓の外側エッジまでの距離が、主走査方向
の他の受光窓のピッチｎ倍以下であることを特徴とする
マルチチップカラーイメージセンサー。 - （４）請求項１、２、又は３記載のマルチチップカラー
イメージセンサーにおいて、 副走査方向に並置した複数（ｎ）の受光窓の主走査方向
の中心位置と、同じ半導体イメージセンサーの主走査方
向に隣の受光窓の主走査方向の受光窓の中心位置との距
離が、他の主走査方向の受光窓のピッチの二倍であるこ
とを特徴とするマルチチップカラーイメージセンサー。 - （５）請求項１、２、３又は４記載のマルチチップカラ
ーイメージセンサーにおいて、副走査方向に並置した複
数の受光窓に、各々異なる色のカラーフィルターが配置
され、他の受光窓にも、該異なる色のカラーフィルター
が順次配置されていることを特徴とするマルチチップカ
ラーイメージセンサー。 - （６）請求項５記載のマルチチップカラーイメージセン
サーにおいて、異なる色のカラーフィルターの一部また
は全部が赤、緑、青又はシアン、マゼンタ、黄から選ば
れた組合せであることを特徴とするマルチチップカラー
イメージセンサー。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2092050A JP2695506B2 (ja) | 1990-04-09 | 1990-04-09 | マルチチップカラーイメージセンサー |
| US07/680,692 US5315412A (en) | 1990-04-06 | 1991-04-04 | Multi-chip color image sensor with light-receiving windows arranged to provide sensor output signals corresponding to the gap between adjacent sensors |
| US08/180,317 US5587814A (en) | 1990-04-06 | 1994-01-12 | Color image sensor including plural light-receiving windows and color filters |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2092050A JP2695506B2 (ja) | 1990-04-09 | 1990-04-09 | マルチチップカラーイメージセンサー |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03291046A true JPH03291046A (ja) | 1991-12-20 |
| JP2695506B2 JP2695506B2 (ja) | 1997-12-24 |
Family
ID=14043687
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2092050A Expired - Fee Related JP2695506B2 (ja) | 1990-04-06 | 1990-04-09 | マルチチップカラーイメージセンサー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2695506B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011171927A (ja) * | 2010-02-17 | 2011-09-01 | Mitsubishi Electric Corp | 画像読取装置及び方法 |
| CN107786774A (zh) * | 2016-08-29 | 2018-03-09 | 精工爱普生株式会社 | 扫描仪及图像数据的生成方法 |
-
1990
- 1990-04-09 JP JP2092050A patent/JP2695506B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011171927A (ja) * | 2010-02-17 | 2011-09-01 | Mitsubishi Electric Corp | 画像読取装置及び方法 |
| CN107786774A (zh) * | 2016-08-29 | 2018-03-09 | 精工爱普生株式会社 | 扫描仪及图像数据的生成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2695506B2 (ja) | 1997-12-24 |
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Legal Events
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