JPH0329110A - 磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体及びその製造方法Info
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- JPH0329110A JPH0329110A JP16078589A JP16078589A JPH0329110A JP H0329110 A JPH0329110 A JP H0329110A JP 16078589 A JP16078589 A JP 16078589A JP 16078589 A JP16078589 A JP 16078589A JP H0329110 A JPH0329110 A JP H0329110A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気記録媒体、及び、その製造方法に係り、特
に、磁気記録装置に用いられる磁気記録媒体に関する。
に、磁気記録装置に用いられる磁気記録媒体に関する。
近年、コンピュータ・システムにおける外部記憶装置と
しての磁気ディスクの重要性が増大し，その記憶密度は
年々著しく増している。従来、磁気記録媒体は、針状γ
−Ｆｅ２０ａｖＩｉ粒子を有機バインダ中に分散した粘
性材料をアルミニウム合金基板上にスピン塗布後、焼威
した塗布型媒体の薄膜化を中心に開発が進められ、現在
広く用いられている。しかし、より高密度化を達成する
には媒体の薄膜化が必要となるが、現在の塗布型媒体で
は技術的に限界があると考えられ、これに代わる高密度
磁気ディスクとして、薄膜化が容易な金属磁性薄膜媒体
をもつ磁気ディスクが注目されている。この金属磁性薄
膜媒体はメッキ技術によって形或するメッキ磁気ディス
ク、金属磁性膜（Ｃｏ−Ｃｒ，Ｇｏ−Ｎｉ等）、あるい
は、金属酸化物（γ−ＦｅｚＯａ等）を用いたスパツタ
ディスク等が開発され、記録密度を大巾に増加しうるち
のと期待されている． この様な薄膜連続媒体を用いた磁気ディスクの一般的な
構造は次のようである。基板は高純度アルミニウム合金
が用いられ、その上に下地層が形威される。下地層の上
に磁性層が形成されるが，この二層の間には両層の密着
性向上や磁性層の特性向上を目的として中間層が形成さ
れることがある．磁性層の上には保護層、あるいは、潤
滑層が形成される． この下地層は、磁性層の薄膜化を可能とし、低浮上量に
おける安定したヘッド浮揚状態を確保するための平坦性
、および，平滑性が要求され、基板欠陥の著しい低減が
必要とされる。また、下地層には機械的強度、加工性、
研磨性などの諸特性の他に．例えば，特開昭５９ −
４５６３４号公報に記載されているように、磁性層、あ
るいは、保護層、潤滑層の形成過程における熱処理によ
っても下地層が帯磁しないことが要求される． ，下地層に無電解めっき法で形成したＮｉ−Ｐ膜が一般
的に用いられているが、これ以外に，例えば、特開昭５
７−１６９９３０号公報に記載されているように、金属
アンダーコート層を形或する方法や特開昭４９−７４９
１１号公報，特開昭５７ − ５０３２４号公報，特開
昭５９ − ２１７２２５号公報，特開昭６０ − ２
０１５２４号公報，特開昭６３−１８３６１２号公報に
記載されているように，金属の酸化物，窒化物等を形成
する方法が知られている。
しての磁気ディスクの重要性が増大し，その記憶密度は
年々著しく増している。従来、磁気記録媒体は、針状γ
−Ｆｅ２０ａｖＩｉ粒子を有機バインダ中に分散した粘
性材料をアルミニウム合金基板上にスピン塗布後、焼威
した塗布型媒体の薄膜化を中心に開発が進められ、現在
広く用いられている。しかし、より高密度化を達成する
には媒体の薄膜化が必要となるが、現在の塗布型媒体で
は技術的に限界があると考えられ、これに代わる高密度
磁気ディスクとして、薄膜化が容易な金属磁性薄膜媒体
をもつ磁気ディスクが注目されている。この金属磁性薄
膜媒体はメッキ技術によって形或するメッキ磁気ディス
ク、金属磁性膜（Ｃｏ−Ｃｒ，Ｇｏ−Ｎｉ等）、あるい
は、金属酸化物（γ−ＦｅｚＯａ等）を用いたスパツタ
ディスク等が開発され、記録密度を大巾に増加しうるち
のと期待されている． この様な薄膜連続媒体を用いた磁気ディスクの一般的な
構造は次のようである。基板は高純度アルミニウム合金
が用いられ、その上に下地層が形威される。下地層の上
に磁性層が形成されるが，この二層の間には両層の密着
性向上や磁性層の特性向上を目的として中間層が形成さ
れることがある．磁性層の上には保護層、あるいは、潤
滑層が形成される． この下地層は、磁性層の薄膜化を可能とし、低浮上量に
おける安定したヘッド浮揚状態を確保するための平坦性
、および，平滑性が要求され、基板欠陥の著しい低減が
必要とされる。また、下地層には機械的強度、加工性、
研磨性などの諸特性の他に．例えば，特開昭５９ −
４５６３４号公報に記載されているように、磁性層、あ
るいは、保護層、潤滑層の形成過程における熱処理によ
っても下地層が帯磁しないことが要求される． ，下地層に無電解めっき法で形成したＮｉ−Ｐ膜が一般
的に用いられているが、これ以外に，例えば、特開昭５
７−１６９９３０号公報に記載されているように、金属
アンダーコート層を形或する方法や特開昭４９−７４９
１１号公報，特開昭５７ − ５０３２４号公報，特開
昭５９ − ２１７２２５号公報，特開昭６０ − ２
０１５２４号公報，特開昭６３−１８３６１２号公報に
記載されているように，金属の酸化物，窒化物等を形成
する方法が知られている。
磁気記録媒体の基板は、一般に．ＡＱ−Ｍｇ合金が用い
られているが、磁気ヘッドと磁気記録媒体の接触時の衝
撃に対しても磁気記録媒体の表面が損傷しないように、
特開昭６０− ２０１５２４号公報に記載されているよ
うに、クロムの窒化物を下地層に用いることは従来から
知られていた．しかし、本発明者らが検討した結果、ク
ロムの窒化物には、合或条件によって、硬度の高いＣｒ
２Ｎ と下地層には適さない硬度の低いＣｒＮとが形成
することを見出だした。
られているが、磁気ヘッドと磁気記録媒体の接触時の衝
撃に対しても磁気記録媒体の表面が損傷しないように、
特開昭６０− ２０１５２４号公報に記載されているよ
うに、クロムの窒化物を下地層に用いることは従来から
知られていた．しかし、本発明者らが検討した結果、ク
ロムの窒化物には、合或条件によって、硬度の高いＣｒ
２Ｎ と下地層には適さない硬度の低いＣｒＮとが形成
することを見出だした。
本発明の目的は、高硬度のクロムの窒化物Ｃｒ２Ｎ層、
もしくは，Ｃｒ２Ｎ とＣｒＮの混合層を下地層として
用いることにより、磁気ヘッドに対する耐摺動性に優れ
た磁気記録媒体を提供することにある。
もしくは，Ｃｒ２Ｎ とＣｒＮの混合層を下地層として
用いることにより、磁気ヘッドに対する耐摺動性に優れ
た磁気記録媒体を提供することにある。
上記目的は、磁気記録媒体用の基板面の下地層として５
硬度の低いＣｒＮを用いるのではなく、非磁性で機械的
強度に優れた材料であるＣｒ２Ｎ層，もしくは、Ｃｒ２
ＮとＣｒＮ の混合層を設け・ることによって達威され
る． ここで，磁性層はＣＯを主たる戒分とする金属磁性層で
あるか、金属酸化物薄膜、金属窒化物薄膜であることが
望ましい。また、下地層と磁性層の間には、Ｃｒ，Ｍｏ
，Ｗ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｇｅ，Ｃのいずれか一種からなる１
００〜５０００入の中間層を設けてもよい。なお、耐摺
動性の観点から、Ｃｒ２Ｎを主成分とする下地層の厚さ
は０．０５〜１０．０μｍ、より望ましくは１．０μｍ
以上５．０μｍ以下にするのがよい。
硬度の低いＣｒＮを用いるのではなく、非磁性で機械的
強度に優れた材料であるＣｒ２Ｎ層，もしくは、Ｃｒ２
ＮとＣｒＮ の混合層を設け・ることによって達威され
る． ここで，磁性層はＣＯを主たる戒分とする金属磁性層で
あるか、金属酸化物薄膜、金属窒化物薄膜であることが
望ましい。また、下地層と磁性層の間には、Ｃｒ，Ｍｏ
，Ｗ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｇｅ，Ｃのいずれか一種からなる１
００〜５０００入の中間層を設けてもよい。なお、耐摺
動性の観点から、Ｃｒ２Ｎを主成分とする下地層の厚さ
は０．０５〜１０．０μｍ、より望ましくは１．０μｍ
以上５．０μｍ以下にするのがよい。
磁気記録媒体用の基板はＡＱ−Ｍｇ合金が一般的であり
、この基板上に磁気ヘッドの粘着トラブルや摩擦係数の
低下を目的に円周方向にグループを設けたものにＣｒ２
Ｎ を主成分とする下地層を形成した後、中間層及び磁
性層を形成してもよい．また、Ｃｒ２Ｎ を主或分とす
る下地層を形成後，下地層の表面に磁気ヘッドの粘着ト
ラブルや摩擦係数の低下を目的とした溝や凸状物を形成
してもよい。
、この基板上に磁気ヘッドの粘着トラブルや摩擦係数の
低下を目的に円周方向にグループを設けたものにＣｒ２
Ｎ を主成分とする下地層を形成した後、中間層及び磁
性層を形成してもよい．また、Ｃｒ２Ｎ を主或分とす
る下地層を形成後，下地層の表面に磁気ヘッドの粘着ト
ラブルや摩擦係数の低下を目的とした溝や凸状物を形成
してもよい。
本発明の磁気記録媒体は基盤上の下地層として、硬度の
劣るＣｒＮ層ではなく、磁気ヘッドとの接触時、あるい
は、衝突時にも磁気記録媒体の損傷を防止しうるだけの
機械的強度をもつ材料であるＣｒ２Ｎ層、もしくは、Ｃ
ｒ２Ｎ とＣｒＮの混合層を用いて形成される。
劣るＣｒＮ層ではなく、磁気ヘッドとの接触時、あるい
は、衝突時にも磁気記録媒体の損傷を防止しうるだけの
機械的強度をもつ材料であるＣｒ２Ｎ層、もしくは、Ｃ
ｒ２Ｎ とＣｒＮの混合層を用いて形成される。
このため、下地層を形成した基盤上に、たとえば、物理
的気相析出法（ＰＶＤ） 、代表的な方法はスパッタリ
ング法によって、中間層，磁性層，保護層、あるいは潤
滑層を形成すれば，磁気ヘッドの低浮上時にも、安定し
たヘッド浮揚状態を確保することのできる表面精度をも
ち、磁気ヘッドに対する耐摺動性に優れた磁気記録媒体
となる。
的気相析出法（ＰＶＤ） 、代表的な方法はスパッタリ
ング法によって、中間層，磁性層，保護層、あるいは潤
滑層を形成すれば，磁気ヘッドの低浮上時にも、安定し
たヘッド浮揚状態を確保することのできる表面精度をも
ち、磁気ヘッドに対する耐摺動性に優れた磁気記録媒体
となる。
以下に本発明の実施例を挙げ、図面を参照しながら、さ
らに具体的に説明する。
らに具体的に説明する。
本発明の磁気記録媒体の基板材料はＡＱ合金，ガラス，
セラミックス，プラスチップ等を用いることができるが
、現在最も一般的で経済的に優れているものはＡＩＪ合
金基板である。本発明の下地層の形成には物理的気相析
出法（Ｐ Ｖ Ｄ）、化学的気相析出法（ＣＶＤ）、蒸
着法等を用いることができるが、現在では物理的気相析
出法（Ｐ Ｖ Ｄ）の一種であるスパッタリング法を用
いるので工業的規模で実施するのに好ましい。
セラミックス，プラスチップ等を用いることができるが
、現在最も一般的で経済的に優れているものはＡＩＪ合
金基板である。本発明の下地層の形成には物理的気相析
出法（Ｐ Ｖ Ｄ）、化学的気相析出法（ＣＶＤ）、蒸
着法等を用いることができるが、現在では物理的気相析
出法（Ｐ Ｖ Ｄ）の一種であるスパッタリング法を用
いるので工業的規模で実施するのに好ましい。
本発明のＣｒ２Ｎ層，もしくは、Ｃｒ２ＮとＣｒＮの混
合層を下地層として形成する際に、例えば．スパッタリ
ング法を用いる場合には、ターゲットとしてＣｒを用い
て．ＡｒとＮ２の混合ガス中でスパツタし、いわゆる、
反応性スパッタによって基板上に下地層を形威すること
ができる。
合層を下地層として形成する際に、例えば．スパッタリ
ング法を用いる場合には、ターゲットとしてＣｒを用い
て．ＡｒとＮ２の混合ガス中でスパツタし、いわゆる、
反応性スパッタによって基板上に下地層を形威すること
ができる。
Ｃｒ２Ｎ層、もしくは、Ｃｒ２ＮとＣｒＮの混合層から
なる下地層は磁気ヘッドと磁気記録媒体の接触時の衝撃
に対しても磁性層の損傷を防止する必要があることから
、基板にＡＱ合金のような硬度の小さいものを用いた場
合には，下地層の厚さは少なくとも１μｍ以上必要であ
る。この下地層の厚さが増すほど耐摺動性は向上するが
、一方、膜厚の増大と共に膜応力が増大し、著しい場合
には、基板の変形が生じる恐れがあることや，また、経
済的に磁気記録媒体を生産するという観点からも膜厚は
必要以上に大きくすることは好ましくなく、膜厚は１０
μｍ以下が望ましい。しかし、膜応力の低減や工業的規
模で高速に成膜できる手段が可能であれば、これ以上の
膜厚であっても、もちろん可能である。
なる下地層は磁気ヘッドと磁気記録媒体の接触時の衝撃
に対しても磁性層の損傷を防止する必要があることから
、基板にＡＱ合金のような硬度の小さいものを用いた場
合には，下地層の厚さは少なくとも１μｍ以上必要であ
る。この下地層の厚さが増すほど耐摺動性は向上するが
、一方、膜厚の増大と共に膜応力が増大し、著しい場合
には、基板の変形が生じる恐れがあることや，また、経
済的に磁気記録媒体を生産するという観点からも膜厚は
必要以上に大きくすることは好ましくなく、膜厚は１０
μｍ以下が望ましい。しかし、膜応力の低減や工業的規
模で高速に成膜できる手段が可能であれば、これ以上の
膜厚であっても、もちろん可能である。
次に具体的な実施例により、さらに詳細に説明する．
く実施例１〉
本発明の一実施例を第１図により説明する。ｌは基板で
ありＡｆｌ−Ｍｇ合金が一般的であるが、ガラス，セラ
ミックス等を用いてもよい。２はＣｒ２Ｎ層、もしくは
、Ｃｒ２ＮとＣｒＮの混合層からなる下地層、３はＣｒ
，Ｍｏ，Ｗ，Ｔｉ等からなる中間層、４はＣｏＮｉ，Ｃ
ｏＮｉＣｒ，ＣｏＮｉＰ等から成る磁性層、５はＣ，Ｓ
ｉＯ２，ＳｉＣ等からなる保護層、６はパーフロ口アル
キルエーテル鎖等をもつ有機物の潤滑層である。以下、
さらに詳細に本実施例について説明する。
ありＡｆｌ−Ｍｇ合金が一般的であるが、ガラス，セラ
ミックス等を用いてもよい。２はＣｒ２Ｎ層、もしくは
、Ｃｒ２ＮとＣｒＮの混合層からなる下地層、３はＣｒ
，Ｍｏ，Ｗ，Ｔｉ等からなる中間層、４はＣｏＮｉ，Ｃ
ｏＮｉＣｒ，ＣｏＮｉＰ等から成る磁性層、５はＣ，Ｓ
ｉＯ２，ＳｉＣ等からなる保護層、６はパーフロ口アル
キルエーテル鎖等をもつ有機物の潤滑層である。以下、
さらに詳細に本実施例について説明する。
外径１３０ｍｍφ，内径４０ｍ，厚さ１．９ｍのＡＱ−
Ｍｇ合金基板１を用いて、ＲＦマグネトロンスパッタリ
ング法により、基板温度１６０℃、ＲＦ投入電力６００
Ｗ．ＡｒとＮ２の全ガス圧５ｍ Ｔｏｒｒ一定とし．
ＮＺのガス分圧Ｎ２／（Ａｒ＋Ｎｚ ）比を０．１，０
．２，０．３，０．４，０．５の条件に変化させて、Ｃ
ｒをターゲットとしてスパンタし膜厚２．５μｍの下地
層を形或した。
Ｍｇ合金基板１を用いて、ＲＦマグネトロンスパッタリ
ング法により、基板温度１６０℃、ＲＦ投入電力６００
Ｗ．ＡｒとＮ２の全ガス圧５ｍ Ｔｏｒｒ一定とし．
ＮＺのガス分圧Ｎ２／（Ａｒ＋Ｎｚ ）比を０．１，０
．２，０．３，０．４，０．５の条件に変化させて、Ｃ
ｒをターゲットとしてスパンタし膜厚２．５μｍの下地
層を形或した。
次に、この下地層を形威したＡＱ−Ｍｇ合金基板上に、
Ａｒガス雰囲気中で他は上記と同じ条件で、膜厚２５０
０人のＣｒからなる中間層３、膜厚６００人のＣｏＮｉ
Ｃｒ磁性層４、膜厚５００人のＣからなる保護層５を形
威した後、パーフロロアルキルエーテル鎖を含む液体潤
滑層６を５ｏ入形成して磁気ディスクとした。
Ａｒガス雰囲気中で他は上記と同じ条件で、膜厚２５０
０人のＣｒからなる中間層３、膜厚６００人のＣｏＮｉ
Ｃｒ磁性層４、膜厚５００人のＣからなる保護層５を形
威した後、パーフロロアルキルエーテル鎖を含む液体潤
滑層６を５ｏ入形成して磁気ディスクとした。
本磁気ディスクの硬度をマイクロ硬度計を用い、ヌープ
圧子により測定荷重１０ｇｆで測定し，ヌープ硬度とＮ
ｚ ／ （Ａ ｒ ＋ Ｎ２）比の関係を第２図に示す
。下地層形成時のＮ ｚ／ （ Ａ ｒ ＋ Ｎ ２）
比が低いものほど、高硬度の磁気ディスクが得られた。
圧子により測定荷重１０ｇｆで測定し，ヌープ硬度とＮ
ｚ ／ （Ａ ｒ ＋ Ｎ２）比の関係を第２図に示す
。下地層形成時のＮ ｚ／ （ Ａ ｒ ＋ Ｎ ２）
比が低いものほど、高硬度の磁気ディスクが得られた。
そこで、各磁気ディスクの下地層のみを形成した状態で
、薄膜Ｘ線分析をし、その回折ピークより各下地層の組
或を評価したところ、Ｎｚ／（Ａｒ＋Ｎ２）比０．２
以下では、その大部分がＣｒ２Ｎで形成されていること
が判明し、このＣｒ２Ｎ膜が磁気ディスクの硬度向上に
寄与していると推定された。また、磁気記録媒体はどれ
も，従来から用いられている無電解メッキ法で形成した
Ｎｉ −Ｐ膜を１２μｍ形成して下地層２とし、その層
の上に上述の実施例とまったく同様の条件で、同じ構或
にして作成した磁気記録媒体の硬度は約６００ｋｇ ｆ
／ ｍ”よりも高い硬度であった．このことより、下
地層をＣｒ２Ｎ とＣｒＮの混合層、望ましくは、Ｃｒ
２Ｎ層とすることで高硬度の磁気記録媒体が得られるこ
とが分かった。
、薄膜Ｘ線分析をし、その回折ピークより各下地層の組
或を評価したところ、Ｎｚ／（Ａｒ＋Ｎ２）比０．２
以下では、その大部分がＣｒ２Ｎで形成されていること
が判明し、このＣｒ２Ｎ膜が磁気ディスクの硬度向上に
寄与していると推定された。また、磁気記録媒体はどれ
も，従来から用いられている無電解メッキ法で形成した
Ｎｉ −Ｐ膜を１２μｍ形成して下地層２とし、その層
の上に上述の実施例とまったく同様の条件で、同じ構或
にして作成した磁気記録媒体の硬度は約６００ｋｇ ｆ
／ ｍ”よりも高い硬度であった．このことより、下
地層をＣｒ２Ｎ とＣｒＮの混合層、望ましくは、Ｃｒ
２Ｎ層とすることで高硬度の磁気記録媒体が得られるこ
とが分かった。
本実施例で形成したＣｒ２Ｎ層、もしくは、Ｃｒ２Ｎ
とＣｒＮの混合層からなる下地層の強度は膜厚によって
変化する。基板にＡＱ−Ｍｇ合金を用いて、その上に下
地層をＮ２ ／ （Ａ ｒ ＋ Ｎ２）比を０．１
と一定にして，膜厚を変えて形成した試料のヌープ硬度
を測定した。その結果を第３図に示す。磁気記録媒体の
下地層に用いるには、Ｃｒ２Ｎ を主成分とする下地層
の膜厚は、好ましくは２．０μｍ以上が必要であるが、
それでも、Ｎｉ−Ｐ膜の約１／６の膜厚でＮｉ−Ｐ膜と
同等の硬度をもつ下地層となりうる。
とＣｒＮの混合層からなる下地層の強度は膜厚によって
変化する。基板にＡＱ−Ｍｇ合金を用いて、その上に下
地層をＮ２ ／ （Ａ ｒ ＋ Ｎ２）比を０．１
と一定にして，膜厚を変えて形成した試料のヌープ硬度
を測定した。その結果を第３図に示す。磁気記録媒体の
下地層に用いるには、Ｃｒ２Ｎ を主成分とする下地層
の膜厚は、好ましくは２．０μｍ以上が必要であるが、
それでも、Ｎｉ−Ｐ膜の約１／６の膜厚でＮｉ−Ｐ膜と
同等の硬度をもつ下地層となりうる。
〈実施例２〉
第１図に示す構造の、別の実施例を次に述べる。
外径１３０φ，内径４０ｍφ，厚さ１．９＋＋ｕのＡＱ
一Ｍｇ合金基板を用いて、ＤＣマグネトロンスパッタリ
ング法により基板温度１８０℃、ＡｒとＮ２の全ガス圧
６ ｍＴｏｒｒ．Ｄ Ｃ投入電力６００Ｗ、Ｃｒ２Ｎ膜
の形成されやすいＮ２ガス分圧Ｎｚ／（Ａｒ＋Ｎ２）比
０．１一定として、膜厚２．０μｍのおもにＣｒ２Ｎ
を主成分とする下地層を形成した。次に、この下地層を
形威したＡＱ−Ｍｇ合金基板上に、Ａｒガス雰囲気中で
他は上記と同じ条件で、膜厚２０００入のＣｒからなる
中間層３、膜厚６００入のＣｏ Ｎ ｉ Ｃ ｒ磁性層
４、膜厚４５０大のＣからなる保護層５を形成した後、
潤滑層６を６０人形成して磁気ディスクとした。
一Ｍｇ合金基板を用いて、ＤＣマグネトロンスパッタリ
ング法により基板温度１８０℃、ＡｒとＮ２の全ガス圧
６ ｍＴｏｒｒ．Ｄ Ｃ投入電力６００Ｗ、Ｃｒ２Ｎ膜
の形成されやすいＮ２ガス分圧Ｎｚ／（Ａｒ＋Ｎ２）比
０．１一定として、膜厚２．０μｍのおもにＣｒ２Ｎ
を主成分とする下地層を形成した。次に、この下地層を
形威したＡＱ−Ｍｇ合金基板上に、Ａｒガス雰囲気中で
他は上記と同じ条件で、膜厚２０００入のＣｒからなる
中間層３、膜厚６００入のＣｏ Ｎ ｉ Ｃ ｒ磁性層
４、膜厚４５０大のＣからなる保護層５を形成した後、
潤滑層６を６０人形成して磁気ディスクとした。
本磁気ディスクの硬度をマイクロ硬度計を用い、ヌープ
圧子により測定荷重１０ｇｆで測定した結果、そのスー
プ硬度は９８０ｋｇｆ／ｍ”となった。
圧子により測定荷重１０ｇｆで測定した結果、そのスー
プ硬度は９８０ｋｇｆ／ｍ”となった。
この硬度は、従来から用いられている無電解メッキ法で
形成したＮｉ−Ｐ膜を１２μｍ形成して下地層２とし、
その層の上に上記実施例とまったく同様の条件で、同じ
構成にして作製した磁気記録媒体の硬度と比較してまっ
たく遜色ないものであった。
形成したＮｉ−Ｐ膜を１２μｍ形成して下地層２とし、
その層の上に上記実施例とまったく同様の条件で、同じ
構成にして作製した磁気記録媒体の硬度と比較してまっ
たく遜色ないものであった。
〈実施例３〉
第１図に示す構造の別の実施例を次に述べる．外径１３
０ｍφ，内径４０ｍ＋φ−，厚さ１．９ａａのＡｆｌ−
Ｍｇ合金基板１を用いて、ＤＣマグネトロンスパッタリ
ング法により基板温度１５０℃，ＡｒとＮ２の全ガス圧
５ｍｍＴｏｒｒ， Ｎｚのガス分圧Ｎ２／（Ａｒ＋Ｎ２
）比０．１，ＤＣ投入電力６００Ｗで膜厚３．０μｍの
おもにＣｒ２Ｎ を主成分とする下地層２を形成したあ
と．Ａｒガス雰囲気中で他は上記と同条件で膜厚２００
０λのＣｒからなる中間層３、膜厚６００人のＣｏＮｉ
Ｃｒ磁性膜４、膜厚５００人のＣ保護層５を形成した後
、潤滑層６を６０人形成して磁気ディスクとした。
０ｍφ，内径４０ｍ＋φ−，厚さ１．９ａａのＡｆｌ−
Ｍｇ合金基板１を用いて、ＤＣマグネトロンスパッタリ
ング法により基板温度１５０℃，ＡｒとＮ２の全ガス圧
５ｍｍＴｏｒｒ， Ｎｚのガス分圧Ｎ２／（Ａｒ＋Ｎ２
）比０．１，ＤＣ投入電力６００Ｗで膜厚３．０μｍの
おもにＣｒ２Ｎ を主成分とする下地層２を形成したあ
と．Ａｒガス雰囲気中で他は上記と同条件で膜厚２００
０λのＣｒからなる中間層３、膜厚６００人のＣｏＮｉ
Ｃｒ磁性膜４、膜厚５００人のＣ保護層５を形成した後
、潤滑層６を６０人形成して磁気ディスクとした。
本磁気ディスクを相対速度１３．５ｍ／ｓ 、浮上量
０．２４μｍとし， Ａ Ｑ ｇｏｓ − Ｔ ｉ Ｃ
スライダー材の薄膜磁気ヘッドで記録再生する磁気デ
ィスク装置にセットして耐衝撃性を評価した結果、１７
０Ｇ以上の衝撃に対しても再生時にエラーを生じたり、
クラツシュしたリせず良好な耐衝撃性を示した．また、
ＣＳＳ試験でも三万回以上の寿命をもち、酎摺動性に優
れた磁気記録媒体であることが判明した． 以上の実施例において、基板１にＡＱ系基板を用いたが
、ポリイミドなどの有機物系基板，ガラス基板，ＡＱｚ
Ｏａなどのセラミックス基板でも同様の効果が認められ
る。ただし、ＡＱ系基板よりも硬度の大きい基板の場合
には、Ｃｒ２Ｎ層、もしくは、Ｃｒ・２ＮとＣｒＮ の
混合層からなる下地層の膜厚は、ＡＱ系基板上よりも小
さくてよい。
０．２４μｍとし， Ａ Ｑ ｇｏｓ − Ｔ ｉ Ｃ
スライダー材の薄膜磁気ヘッドで記録再生する磁気デ
ィスク装置にセットして耐衝撃性を評価した結果、１７
０Ｇ以上の衝撃に対しても再生時にエラーを生じたり、
クラツシュしたリせず良好な耐衝撃性を示した．また、
ＣＳＳ試験でも三万回以上の寿命をもち、酎摺動性に優
れた磁気記録媒体であることが判明した． 以上の実施例において、基板１にＡＱ系基板を用いたが
、ポリイミドなどの有機物系基板，ガラス基板，ＡＱｚ
Ｏａなどのセラミックス基板でも同様の効果が認められ
る。ただし、ＡＱ系基板よりも硬度の大きい基板の場合
には、Ｃｒ２Ｎ層、もしくは、Ｃｒ・２ＮとＣｒＮ の
混合層からなる下地層の膜厚は、ＡＱ系基板上よりも小
さくてよい。
本発明によれば、硬度が高く、基板との密着性に優れた
下地層を形成することができるため、磁気記録媒体の耐
衝撃性、耐摺動性を向上させる効果があり、信頼性の極
めて高い高性能磁気記録媒体を提供することができる。
下地層を形成することができるため、磁気記録媒体の耐
衝撃性、耐摺動性を向上させる効果があり、信頼性の極
めて高い高性能磁気記録媒体を提供することができる。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は磁気ディ
スクの硬度と下地層形成時のＮ２ガス分圧の関係を示す
グラフ、第３図は下地層材料の硬度と膜厚の関係を示す
グラフである。 １・・・基板、２・・・下地層、３・・・中間層、４・
・・磁性層、Ｎｚ／（ＡＩ−＋ハ２）比
スクの硬度と下地層形成時のＮ２ガス分圧の関係を示す
グラフ、第３図は下地層材料の硬度と膜厚の関係を示す
グラフである。 １・・・基板、２・・・下地層、３・・・中間層、４・
・・磁性層、Ｎｚ／（ＡＩ−＋ハ２）比
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に非磁性下地層をもち、前記下地層上に磁性
層をもつ磁気記録媒体において、前記非磁性下地層はＣ
ｒ＿２Ｎ層もしくはＣｒ＿２ＮとＣｒＮの混合層からな
ることを特徴とする磁気記録媒体。 ２、請求項１において、前記磁性層と前記下地層の間に
Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｃ、Ｇｅ、及びＳｉからなる群
から選ばれた少なくとも一種の元素からなる中間層を形
成させたことを特徴とする磁気記録媒体。 ３、請求項１において、前記磁性層がＣｏを主たる成分
とする金属薄膜であることを特徴とする磁気記録媒体。 ４、請求項１において、前記下地層の膜厚が、１〜１０
μｍであることを特徴とする磁気記録媒体。 ５、請求項２において、前記中間層の膜厚が５００〜５
０００Åであることを特徴とする磁気記録媒体。 ６、請求項１において、前記基板は円周方向に沿つて形
成された制御された溝、あるいは、制御された凹凸が形
成されたものであることを特徴とする磁気記録媒体。 ７、請求項１に記載の非磁性下地層を物理的気相析出法
により、金属ターゲットを用いて形成し、前記非磁性下
地層を用いて構成されたことを特徴とする磁気記録媒体
。 ８、請求項１に記載の構造をもつ前記磁気記録媒体を組
み込んだ磁気記録装置。 ９、請求項７においてＮ＿２のガス分圧Ｎ＿２／（Ａｒ
＋Ｎ＿２）比を０．２以下にすることを特徴とする磁気
記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16078589A JPH0329110A (ja) | 1989-06-26 | 1989-06-26 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16078589A JPH0329110A (ja) | 1989-06-26 | 1989-06-26 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0329110A true JPH0329110A (ja) | 1991-02-07 |
Family
ID=15722398
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16078589A Pending JPH0329110A (ja) | 1989-06-26 | 1989-06-26 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0329110A (ja) |
-
1989
- 1989-06-26 JP JP16078589A patent/JPH0329110A/ja active Pending
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