JPH0329136A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、光磁気記録媒体に関し、特に偏光の楕円化が
少なく、即ち位相差が小さくもってドライブによるＣ／
Ｎのばらつきが少ない光磁気記録媒体に関するものであ
る。

［従来技術及びその問題点］ 近年、光磁気記録媒体は、レーザー光による読み出し可
能な媒体として大容量データファイル等に広く利用され
ている。

光８ｉ気記録媒体は、ポリカーボネート等の樹脂、ガラ
ス等の透明な基板上にスパッタ法等の真空成膜法により
誘電体保護層や記録層よりなる光磁気記録層の薄膜が形
成された形態であるのが一般的である。

そして、前記記録層としては、Ｔｂ，Ｎｄ，Ｄｙ，ｃｄ
等の希土類金属とＦｅ．Ｃｏ等の遷移金属との非品質合
金の薄膜が使用されている。

さらに、前記記録層を保護しかつその特性を高めるため
に、誘電体保護層の薄膜が通常設けられる。

光磁気記録層の感度及びＣ／Ｎを良好なものとするため
に、前記光磁気記録層の構成として、基板側より読み出
しを行う場合、第ｌ誘電体保護層、記録層及び第２誘電
体保護層をこの順で成膜して、第１誘電体保護層での光
の繰り返し干渉を利用してカー回転角をエンハンスする
ようないわゆる３層構造の光磁気記録層が使用されてい
る。

まｋ、ビット形状を改良しざらにＣ／Ｎを高めるために
、前記３Ｎ構造の光磁気記録層の最上層に金属反射層の
薄膜を設けた４層構造の薄膜とする等反射膜構造の光磁
気記録媒体が、特開昭５５−８７３３２号公報、特開昭
５７−１２０２５３号公報等に間示されている。

一方、力一効果によって偏光面の回転（力一回転角）が
生ずると共に、一般的に楕円化が起こる。

これは、光が光磁気記録媒体で反射する場合に位相差φ
が生ずるためである。

位相差が生ずるとキャリャー出力が低下し、Ｃ／Ｎが低
下するという問題を引き起こす。

位相差は、光磁気記録媒体で光が反躬する場合は勿論の
ことドライブのピックアップ光学系においても生ずる。

すなわち、ピックアップには光磁気記録媒体からの反射
光を導く４５度ミラー　ビームスプリッター等の反射光
学系を有しており、この反射面は、通常誘電体の多層膜
からなり位相差を生ずる要因となっている。

さらに問題なのは、前記ピックアップ光学系の位相差δ
の個体差が大きく同じ光磁気記録媒体を使用してもドラ
イブによって得られるＣ／Ｎが異なり、ばらつくという
問題があった。

そして、光磁気記録媒体の位相差Φが大きいほど前記の
ドライブによるＣ　／　Ｎのばらつきは大きかった。

すなわち、ビックアップの光学系位相差δは一般にＯ度
を中心に振れているが、光磁気記録媒体の位相差ΦがＯ
度に近ければ近いほどピックアップ光学系の個体差の影
響を受けにくくなる。

従って、光磁気記録媒体に起因する位相差Φを小さくす
ることは、ドライブによってＣ／Ｎがばらつくという問
題を軽減させる上で重要な課題である。

しかしながら、そのための有効な手段はいまだ提案され
ていない。

［発明が解決しようとする問題点コ 本発明は、従来技術の問題点に鑑みなされたものであり
、ドライブによってＣ　／　Ｎがばらつくという問題が
軽減された光磁気記録媒体を提供することを目的として
いる。

さらに、反射率が高く、感度、Ｃ／Ｎ共に優れた光磁気
記録媒体を提供することを目的としている。

［問題点を解決する手段コ 本発明の前記目的は、基板上に、第１誘電体保護層、記
録層、第２誘電体保ｖｉＮ及び金属反射層がこの順で成
膜された光磁気記録層を有する光磁気記録媒体において
、前記第１誘電体保護層の膜厚が９５０乃至１３００Ａ
，．前記記録層の膜厚が３００乃至４００Å、前記第２
誘電体保護層の膜厚が１００乃至５００Ａ及び前記金属
反射層の膜厚が２００乃至８００Ａであることを特徴と
する光磁気記録媒体により達成される。

本発明の光磁気記録媒体においては、その光磁気記録層
が、第１誘電体保護層、記録層、第２誘電体保護層及び
金属反射層の４Ｎ構造であり、かつ各層の膜厚を特定の
範囲とすることにより、反削光の偏光面の回転による位
相差がその絶対値で１５度以下と小さくするすることが
できるので、偏光の楕円化が起こりにくく、キャリャー
出力の低下が防止できる。

そのために、ドライブの個体差による影響を受けにくく
ドライブによるＣ／Ｎのばらつきが小さくなっている。

さらに、ディスク回転数による感度の変動も小さい。

また、記録層の厚さを３００Ａ以上、第２誘電体保護層
の厚さを５００人以下とすることにより反射率を比較的
大きくすることができる。

一般的に、ドライブ自体のノイズ（機器ノイズ）は個体
差があり、一方、媒体は反射率が低下するとキャリャー
出力、ノイズレベル共に低くなる。

このため、反射率があまり低くなるとドライブ自体のノ
イズレベルの影響を大きく受けるようになって、媒体本
来の特性よりも低いＣ／Ｎしか得られなくなる。従って
、光磁気記録層の反射率を大きくしておくことは、ドラ
イブ個体差の影響を受けずに安定して高Ｃ／Ｎが得られ
ることになる。

この点において、本発明の光磁気記録媒体を用いれば、
優れた再生特性を得ることができる。

一般に、光磁気記録層からの反射光はカー効果により、
偏光面の回転と楕円化が発生している。

入射光万向の偏光面を持つ成分の振幅反射率をｒＸ、そ
れに直交する成分の振幅反射率をｒｙとすると ｒｘ＝Ｉｒｘ　ｌｅｘｐ　（ｉΦＸ） ｒｙ　＝　Ｉ　ｒｙ　ｌ　ｅｘｐ　（ｉｃｙ　）とあら
わすことができる。

ここで、反射光の位相差をΦとすると Φ＝Φｙ一ΦＸとなり、 また、ｔａｎａ＝ｌ　ｒｘ　Ｉ／Ｉ　ｒｙ　Ｉとすると
、カー回転角（θｋ）、力一楕円率（ηｋ）は、ｊａｎ
（２θｋ）＝ｔａｎ　　（２α）ｃｏｓ　　（φ）ｊａ
ｎ　（２ηｋ）＝ｔ．ａｎ　（２α）　ｓ　ｉｎ　（φ
）と表すことができる。

従って、光磁気記録媒体の位相差φの増加は、カー回転
角を減少させろことになる。

一方、光磁気記録媒体用のビックアップは、般に光磁気
記録媒体からの反射光を導く光路中に４５度ミラー、ビ
ームスブリッターのような反射光学系を持っている。こ
れらの反射面は、Ｐ偏光及びＳ偏光（前記光磁気記録媒
体からの反射光のＸ及びｙ方向の偏光に当たる。）の間
に位相差δを生じさせる。すると最終的に受光される光
のカー回転角ｅ及びカー楕円率Ｈは、 ｊａｎ２ｅ＝ｊａｎ　（２α）ｃｏｓ　（φ−δ）ｔａ
ｎ２Ｈ＝ｔａｎ　（２α）ｓ　ｉｎ　（Φ一δ）と表す
ことができる。

ピックアップ光学系の位相差δによるＣ／Ｎの変化のグ
ラフを示した第１図において、位相差δの異なるビック
アップＡ，Ｂ，Ｃに対して位相差Φが殆どＯてある光磁
気記録媒体ａについては、Ｃ／Ｎの低下は微量でありか
つビックアップ間におけるＣ／Ｎの差は小さい。しかし
、位相差φが大きな光磁気記録媒体ｂでは、ピックアッ
プＣにおいてはΦとδが相殺するのてＣ／Ｎの低下は殆
どないが、ピックアップＢでは、Φとδが加算されてＣ
／Ｎの低下が大きくなっている。

結局、通常、ピックアップの光学系位相差δはＯ度を中
心に振れるので、光磁気記録媒体の位相差φもＯ度近く
に置けばピックアップの個体差の影響を受けにくくなる
。

本発明の光８ｉ気記録媒体には、光磁気記録層の位相差
を少なくすることにより、ドライブによるＣ／Ｎのばら
つきが小さくなっている。

本発明の光磁気記録媒体に於いては、前記第１誘電体保
護層の膜厚を９５０乃至１３００Ａの範囲に特定するこ
とにより、前記光磁気記録層の反射光の位相差の膜厚の
変化に対する変動を小さくすることができ、特性を安定
化させている。

本発明の光磁気記録媒体は、ガラスやポリカーボネート
等の透明樹脂基板上に、スパッタ法等の真空成膜法によ
り第１誘電体保護層、記録層、第２誘電体保護層及び金
属反射層の薄膜を順次この順で或膜した４層構戊の光磁
気記録層を形成する。

前記記８層の膜厚は、３００乃至４００Ａである。

膜厚があまり小さいと、反剖率の低下の傾向が顕著とな
って性能指数の面でも最良の範囲を逸脱してしまい好ま
しくないばかりか、ドライブ・ノイズの影響を受け易く
なり安定したＣ／Ｎが得にくくなる。

また膜厚が余り大きくなると光磁気記録層の位相差が大
きくなってしまう。

前記第２誘電体保護層の膜厚は、１００乃至５００Ａで
ある。

膜厚が小さすぎると感度の低下が著しく、また膜厚が大
きすぎると、反射率が低下し、さらには位相差の絶対値
が１５度を越えるようになって本発明の目的を充分に達
成できなくなる。

本発明の光磁気記録媒体の前記金属反！Ａ″Ｊ層の薄膜
の素材としては、反射率の面から、ＡｌやＡｕ（金）が
望ましく、さらにコストを考慮すると、Ａｌの単体もし
くはその合金が望ましい。さらに、光磁気記録層の削候
性を高めるためには、ＡｌとＴａやＴｉとの合金てある
ことが望ましい。

前記金属反射層の膜厚は、２００乃至８００Ａであるこ
とが望ましい。膜厚が小さ過ぎると、位相差の絶対値が
大きくなり、また大きすぎると熱容量が大きくなって、
感度が低下したり、材料コストの上昇、製造工程時間の
増大を招くので好ましくない。

以上のように、本発明の光磁気記録媒体においては、４
層構成の光磁気記録層を構成する各層の膜厚を特定の範
囲にして組み合わせることにより、光Ｂｉ％記録層から
の反射光の位相差を小さくしてドライブによるＣ／Ｎの
ばらつきを抑え、また、感度が良好でかつ反射率が大き
いために、ドライブの機器ノイズの影響を受けにくく、
安定して高Ｃ／Ｎが得られるという優れた特徴を有する
。

本発明の光磁気記録媒体の光磁気記録層の前記記録層と
しては各種の酸｛ヒ物及び金属の磁性体の薄膜が使用で
きる。例えば、Ｍ　ｎ　Ｂ　１　＋　Ｍ　ｎ　．Ａ　Ｉ
Ｇｅ，ＭｎＣｕＢｉ等の結晶性材料、Ｃｏｄ　ＩＧ，Ｂ
ｉＳｍＥｒＧａＩＧ，ＢｉＳｍＹｂＣｏＧｅｌＧ，等の
単結晶材料、さらに、ＧｄＣｏ，ＧｄＦｅ，ＴｂＦｅ，
ＤｙＦｅ，ＧｄＦｅＢｉ．ｃｄ’ｒｂＦｅ．ＧｄＦｅＣ
ｏ，ＴｂＦｅＣｏ，ＴｂＦｅＮｉ等の非晶質材料を用い
た薄膜である。中でも感度、Ｃ／Ｎ等の点で希土類金属
、遷移金属を主体とする記録層が好ましく、特に耐候性
も良好であることからＴｂＦｅＣｏＣｒの非品質合金が
最も好ましい。

前記記録層に隣接させてその上下に前記第ｌ誘電体保護
層及び前記第２誘電体保護層の薄膜が設けられる。前記
基板の直上には前記記録層に対しカーエンハンス効果が
ある第１誘電体保！．！層を設け、その上に設けた前記
記録層の上に更に記録層の保護層として第２誘電体保護
層を形成する。

本発明で用いることができる前記第１誘電体保護層及び
第２誘電体保護層用の材料としては、例えばＳｉＯｘ，
ＳｉＮｘ　，ＡｌＮｘ及びＺｎＳ等の酸化物、窒化物及
び硫化物等の誘電体が使用できる。中でも光学的特性、
保護機能の面から、Ｓ１の窒化物、Ａｌの窒化物もしく
はその混合物が最も好ましい。

また、前記第１誘電体保護層及び前記第２誘電体保護層
の屈折率は、２．０乃至２．３であることが望ましい。

以上の光磁気記録層を構成する各層の蕩膜は、スパッタ
法、イオンプレーティング法、真空蒸着法等の真空成膜
法によって形成される。中でも、スパッタ法が最も良く
、マグネトロンスパツタ法等が採用される。

本発明の光磁気記録媒体の前記基板の材質としては、ポ
リカーボネート、ポリメチルメタクリレート、エボキシ
、ガラス等であるが、本発明の光記録媒体の特徴が最も
効果的に現れるのがポリカーボネート、ポリメチルメタ
クリレート、エボキシ等の樹脂基板である。

前記樹脂基板の中でもポリカーボネート基板は、吸水率
が小さく、ガラス転移点が高い等の利点を有し、本発明
の光記録媒体においても使用することが好ましい。

本発明の光磁気記録媒体の光磁気記録層の上面及び側面
を、紫外線硬化樹脂等よりなる有機樹脂保護層で覆うこ
ともできる。

また、ホットメルト樹脂などの接着剤層を介して前記基
板の光磁気記録層のない面を外側に向けて貼り合わせて
、両面記録型光磁気記録媒体とすることもてきる。

［発明の効果コ 本発明の光磁気記録媒体においては、基板上に設けられ
た光磁気記録層を、第１誘電体保ｌｉＪ層、記録層、第
２誘電体保護層及び金属反射層がこの順で成膜された４
層構成とし、かつ各層の膜厚を、第ｌ誘電体保護層が９
５０乃至１３００Ａ，記録層が３００乃至４００Ａ，第
２誘電体保護層が１００乃至５００Ａ及び金属反射層が
２００乃至８００Ａの範囲に特定することによって、反
射光の位相差を小さく、その偏光面の楕円化を防止して
ドライブによるＣ／Ｎのばらつきを抑えることができさ
らに反射率も大きくなりもって、ドライブによるＣ／Ｎ
のばらつきも最小に抑えることができ、ドライブ間の特
性の互換性が良好な光磁気記録媒体とすることができる
。

本発明の光磁気記録媒体の新規な効果を以下の実施例及
び比較例によりなお一層明確にする。

［実施例−１］ 射出成形により片面に案内溝が設けられた径１３０ｍｍ
，厚さ１．２ｍｍのポリカーボネート基板の前記案内溝
がある面に、以下の手順で光磁気記録層を形成した。

前記基板をスパッタ装置の回転基板ホルダー上にセット
して、前記スバッタ装置の成膜室をアルゴンガス圧１　
ｍｍＴ　ｏ　ｒ　ｒの雰囲気にして、夕一ゲットに１．
０ｋＷのＲＦ電力を投入して、マグネトロンスバッタ法
により、第１誘電体保護層として９５０ＡのＳｉＮｘの
薄膜を、その上に記録層として３５０ＡのＴ　ｂ２１Ｆ
　ｅ６０ｃ　ｏｌ３ｃ　ｒ６の薄膜を、さらにその上に
第２誘電体保護層として３００ＡのＳｉＮ’ｘの薄膜を
、最後にＴａが５原子％であるＡｌＴａ合金の薄膜を金
属反射層として３５０Ａの厚さで成膜して光磁気記録層
を形成した。

次いで、紫外線硬化樹脂の塗布液を、前記光磁気記録層
の上面及び側面に、スピンコート法により３０００ｒｐ
ｍ、２０秒の条件で塗布して、照射強度１　０　０ｍＷ
／　ｃ　ｍ　　の紫外線を１分間照射して硬化を行い、
１０１．１ｍの厚さの有機樹脂保護層を形成した。前記
紫外線硬化樹脂としては、大日本インキ（株）製＃ＳＤ
−１７を使用した。

以上の条件で作成した光磁気記録媒体の試料を２枚作成
して、前記基板の光磁気記録層のない面を外側に向け、
，前記有機樹脂保護層の上に東亜合成化学（株）製ホッ
トメルト接着剤＃ＸＷ−１３を１３０’Ｃで溶融してロ
ールコーターを用いて１０μｎ１の厚さに塗布した後、
加圧接着して両面記録型の光磁気記録媒体の試料を得た
。

〔実施例−２］ 第１誘電体保ｉｔＮの膜厚をＩＩＯＯＡとした以外は、
実施例−１と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体
の試料を得た。

［実施例−３］ 第１誘電体保護層の膜厚を１３００Ａとした以外は、実
施例一ｌと同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体の
試料を得た。

［比゛較例−１コ 第１誘電体保護層の膜厚を８５０Ａとした以外は、実施
例−１と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体の試
料を得た。

［比較例−２］ 第１誘電体保護層の膜厚を１４００Ａとした以外は、実
施例一ｌと同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体の
試料を得た． 以上のようにして得られた光磁気記録媒体の試料につい
て、以下の測定条件で、反射光の偏光の楕円化を示す位
相差φ、感度、Ｃ／Ｎ及び反射率を評価した。

位相差Φ：　第２図に要部を示した測定系において、半
導体レーザー１からの出射光をコリメートレンズ２によ
り光磁気記録媒体３上に収束させた。

（このとき、前記光磁気記録媒体３からの反射光４はカ
ー効果により偏光面の回転及び楕円化を起こしている。

この楕円化は入射光偏光面とそれに直交する面とに分解
された振幅成分ｒ　ｘ，　ｒ　ｙの位相差により発生す
る。）前記反射光４の光路にバビネソレイユ補償板５進
相軸方向Ｘまたはｙ軸のに合わせて置き、ｒ　ｘ，　ｒ
　ｙ間の位相量を補償した．そして、消光交位に設定し
た検光子６を通過する光量が最小となるようにして前記
バビネソレイユ補償板５を通過した光を直線偏光にして
前記光磁気記録媒体３で発生する位相量を補償した。そ
の補償量を計測して光磁気記録媒体の位相差Φの測定値
とした。

感度　：・光磁気記録ドライブの回転数を１８０Ｏｒｐ
ｍとし、キャリャー周波数３．７ＭＨｚで記録したとき
にＣ／Ｎの立ち上がる書き込みパワーの測定値（Ｐｗ　
）をもって感度とした。

Ｃ／Ｎ　　：　　波長７８０ｎｍのレーザー光を使用し
、ドライブの回転数が１８０Ｏｒｐｍではキャリャ一周
波数３．７１ＭＨｚとして測定した。なお、ドライブの
光学系ピックアップの位相差はＯとなるように調整した
。

なお、機器ノイズレベルが異なる２種の光磁気ドライブ
Ａ及びＢにおいてＣ／Ｎを測定し、ドライブ機種による
Ｃ／Ｎのばらつきを評価した。

反射率　二　波長８３０ｎｍにて、ディスク内周３０ｍ
ｍのミラ一部の反射率を測定した。

評価結果を、第１表に示す。

第１表 ［実施例−４］ 前記記録層の膜厚を３００Ａとした以外は、実施例−２
と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体の試料を作
成した。

［実施例−５１ 前記記録層の膜厚を３５０Ａとした以外は、実施例−２
と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体の試料を作
成した。

［実施例−６］ 前記記録層の膜厚を４００Ａとした以外は、実施例−２
と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体の試料を作
成した。

［比較例−３］ 前記記録層の膜厚を２　５　０　Ａとした以外は、実施
例−２と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体の試
料を作成した。

［比較例−４］ 前記記録層の膜厚を４５０Åとした以外は、実施例−２
と同一の条件で両面記録型の光′８１′ｙｃ記録媒体の
試料を作成した。

以上のようにして得られた光磁気記録媒体の試料につい
て、各特性を測定した結果が第２表である。

第２表 ［実施例−７］ 前記第２誘電体保護層の膜厚をＩＯＯＡとした以外は、
実施例−２と同一の条件で両面記録型の光ｍ気記録媒体
の試料を作成した。

［実施例−８］ 前記第２誘電体保護層の膜厚を３００Ａとした以外は、
実施例−２と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体
の試料を作成した。

［実施例−９コ 前記第２誘電体保護層の膜厚をＣｉＯＯＡとした以外は
、実施例−２と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒
体の試料を作成した。

［比較例−５］ 前記第２誘電体保護層の膜厚を８０Ａとした以外は、実
施例−２と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体の
試料を作成した。

［比較例−６］ 前記第２誘電体保護層の膜厚な５５ＯＡとした以外は、
実施例−２と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体
の試料を作成した。

以上の光磁気記録媒体の試料について、各特性を測定し
た結果が第３表である。

第３表 ［実施例−１０］ 前記金属反射層の膜厚を２００Ａとした以外は、実施例
−２と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体の試料
を作成し，た。

［実施例−１１コ 前記金属反射層の膜厚を２５０Ａとした以外は、実施例
−２と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体の試料
を作成した。

［実施例−１２］ 前記金属反剥層の膜厚を３５０Ａとした以外６は、実施
例−２と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体の試
料を作成した。

［実施例−１３］ 前記金属反！１１Ｎの膜厚を４５０Åとした以外は、実
施例−２と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体の
試料を作成した。

［実施例−１４コ 前記金属反射層の膜厚を８００Ａとした以外は、実施例
−２と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体の試料
を作成した。

［比較例−７コ 前記金属反射層の膜厚を１５ＯＡとした以外は、実施例
−２と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体の試料
を作成した。

［比較例−８］ 前記金属反射層の膜厚を９００Ａとした以外は、実施例
−２と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体の試料
を作成した。

以上のようにして得られた光磁気記録媒体の試料につい
て、各特性を測定した結果が第４表である。

第４表 ［実施例一ｌ５コ 前記第２誘電体保護層の膜厚をＩＯＯＡとし、前記金属
反射層の組成をＴｉが３原子％のＡｌ−Ｔｉ合金を用い
、その膜厚を３５ＯＡとした以外は、実施例−２と同一
の条件で光磁気記録媒体の試料を作成した。

［実施例−１６］ 前記第２誘電体保護層の膜厚を３００Ａとし、前記金属
反射層の組成をＴｉが３原子％のＡｌ−Ｔｉ合金を用い
、その膜厚を３５０Ａとした以外は、実施例−２と同一
の条件で光磁気記録媒体の試料を作成した。

［実施例−１７］ 前記第２誘電体保護層の膜厚を５００Ａとし、前記金属
反射層の組成をＴｉが３原子％のＡｌ−Ｔｉ合金を用い
、その膜厚を３５０Ａとした以外は、実施例−２と同一
の条件で光磁気記録媒体の試料を作成した。

［比較例−９］ 前記第２誘電体保！ｆＮの膜厚を８０Ａとし、前記金属
反射層の組成をＴｉが３原子％のＡｌ−Ｔｉ合金を用い
、その膜厚を３５０Ａとした以外は、実施例−２と同一
の条件で光磁気記録媒体の試料を作成した。

［比較例−ｌＯコ 前記第２誘電体保護層の膜厚を５５０Ａとし、前記金属
反射層の組成をＴｉが３原子％のＡｌ−Ｔｉ合金を用い
、その膜厚を３５０Ａとした以外は、実施例−２と同一
の条件で光磁気記録媒体の試料を作成した。

以上のようにして得られた光磁気記録媒体の試料につい
て、各特性を測定した結果が第５表である。

第５表

【図面の簡単な説明】

第１図は、ビックアップ光学系の位相差δによる光磁気
！！ａ録媒体のＣ／Ｎの低下量を示すグラフ。 第２図は、光磁気記録媒体に起因する位相差Φの測定系
の要部を示した概略図。 １　・・・　半導体レーザー コリメートレンズ 光磁気記録媒体 光磁気記録媒体からの反射光 バビネソレイユ補償板 検光子 第１図 Ｃ／Ｎｆｌイ氏下漫

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に、第１誘電体保護層、記録層、第２誘電
   体保護層及び金属反射層がこの順で成膜された光磁気記
   録層を有する光磁気記録媒体において、前記第１誘電体
   保護層の膜厚が９５０乃至１３００Å、前記記録層の膜
   厚が３００乃至４００Å、前記第２誘電体保護層の膜厚
   が１００乃至５００Å及び前記金属反射層の膜厚が２０
   ０乃至８００Åであることを特徴とする光磁気記録媒体
   。
2. （２）前記金属反射層がＡｌ（アルミニウム）の合金の
   薄膜である請求項１記載の光磁気記録媒体。
3. （３）前記金属反射層が、Ｔａ（タンタル）及び／また
   はＴｉ（チタン）を含有するＡｌの合金の薄膜である請
   求項１記載の光磁気記録媒体。
4. （４）前記記録層が、希土類金属及び遷移金属よりなる
   非晶質合金の薄膜である請求項１記載の光磁気記録媒体
   。
5. （５）前記記録層が、ＴｂＦｅＣｏＣｒの非晶質合金の
   薄膜である請求項１記載の光磁気記録媒体。
6. （６）前記第１誘電体保護層及び前記第２誘電体保護層
   が、Ｓｉの窒化物、Ａｌの窒化物又はそれらの混合物で
   ある請求項１記載の光磁気記録媒体。
7. （７）前記金属反射層の膜厚が、２５０乃至４５０Åで
   ある請求項１、請求項２及び請求項３記載の光磁気記録
   媒体。