JPH0322233A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、光磁気記録媒体に間し、特に偏光の楕円化が
少なく、即ち位相差が小さくもってドライブによるＣ　
／　Ｎのばらつきが少ない光磁気記録媒体に間するもの
である。

［従来技術及びその問題点］ 近年、光磁気記録媒体は、レーザー光による読み出し可
能な媒体として大容量データファイル等に広く利用され
ている。

光磁気記録媒体は、ポリカーボネート等の樹脂、ガラス
等の透明な基板上にスパッタ法等の真空成膜法により誘
電体保護屠や記録層よりなる光磁気記録層の薄膜が形成
された形態であるのが一般的である。

そして、前記記録層としては、Ｔｂ，Ｎｄ，ＤｙＳＧｄ
等の希土類金属とＦｅ，Ｃｏ等の遷移金属等を体とする
非品質合金の薄膜が使用されている。

さらに、前記記録層を保護しかつその特性を高めるため
に、誘電体保護層の薄膜が通常設けられる。

光磁気記録層の感度及びＣ／Ｎを良好なものとするため
に、前記光磁気記録層の構成として、基板側より読み出
しを行う場合、第１誘電体保護層、記録層及び第２誘電
体保護層をこの順て成膜して、第１誘電体保護層での光
の繰り返し干渉を利用してカー回転角をエンハンスする
ようないわゆる３層構造の光磁気記録層が使用されてい
る。

また、ビット形状を改良しざらにＣ／Ｎを高めるために
、前記３層構造の光磁ヌ記録層の最上層に金属反ｉｌｌ
層の蕩膜を設けた４層構造の４膜とする等反射膜構造の
光磁気記録媒体が、特開昭５５一・８７３３２号公報、
特開昭５７−１２０２５３号公報等に開示されている。

一方、力一効果によって偏光面の回転（力一回転角）が
生ずると共に、一般的に楕円化が起こる。

これは、光が光磁気記録媒体で反射する場合に位相差Φ
が生ずるためである。

位相差が生ずるとキャリャー出力が低下し、Ｃ／Ｎが低
下するという問題を引き起こす。

位相差は、光磁ヌ記録媒体で光が反躬する場合は勿論の
ことドライブのビックアップ光学系においても生ずる。

すなわち、ビックアップには光磁気記録媒体からの反射
光を導く４５度ミラー　ビームスブリッター等の反削光
学系を有しており、この反射面は、通常誘電体の多層膜
からなり位相差を生ずる要因となっている。

さらに問題なのは、前記ピックアップ光学系の位相差δ
の個体差が大きく同じ光磁気記録媒体を使用してもドラ
イブによって得られるＣ／Ｎが異なり、ばらつくという
問題があった。

そして、光磁気記録媒体の位相差φが大きいほど前記の
ドライブによるＣ／Ｎのばらつきは大きかった。

すなわち、ピックアップの光学系位相差８は一般にＯ度
を中心に振れているが、光磁気記録媒体の位相差ΦがＯ
度に近ければ近いほどビックアップ光学系の個体差の影
響を受けにくくなる。

従って、光磁気記録媒体に起因する位相差Φを小さくす
ることは、ドライブによってＣ／Ｎがばらつくという問
題を軽減させる上で重要な課題である。

しかしながら、そのための有効な手段はいまだ提案され
ていない。

また、光磁気記録媒体の記録層に要求される重要な項目
として、力一回転角（θｋ）を太きして光磁気記録媒体
のＣ／Ｎを高くすることがある。

カー回転角を大きくするために、例えば、基板と記録屡
の間に高屈折率のＳｉＮ等の誘電体層を設けて、カーエ
ンハンス効果をもたせる方法が、特開昭５７−１６９９
９６号公報に開示されている。

しかしながら、いずれの方法においても前記の位相差を
小さくすることと両立させることは難しかった。

［発明が解決しようとする問題点］ 本発明は、従来技術の問題点に鑑みなされたものであり
、ドライブによってＣ／Ｎがばらつくという問題が軽減
された光磁気゛記録媒体を提供することを目的としてい
る。

さらに、感度が良好な光磁気記録媒体を提供することも
目的としている。

また、別の目的としては、記録層のθｋを高めること、
及び耐久性の良好な光磁気記録媒体を提供することであ
る。

［問題点を解決する手段コ 本発明の前記目的は、基板上に、第１誘電体保謹層、記
録層、第２誘電体保護層及び金属反射層がこの順で成膜
された光磁気記録層を有する光磁２記録媒体において、
前記第１誘電体保護層の膜厚が９５０乃至１３００Å、
前記記録層の膜厚が２００乃至３５０Å、前記第２誘電
体保護層の膜厚が３００乃至６００Ａ及び前記金属反射
層の膜厚が２００乃至８００Ａであることを特徴とする
光磁気記録媒体により達成される。

本発明の光磁気記録媒体においては、その光磁気記録層
が、第１誘電体保護層、記録層、第２誘電体保護層及び
金属反射層の４Ｎ構成であり、かつ各層の膜厚を特定の
範囲とすることにより、反削光の偏光面の回転による位
相差がその絶対値で１５度以下と小さくするすることが
できるので、偏光の楕円化が起こりにくく、キャリャー
出力の低下が防止できる。

そのために、ドライブの個体差による影響を受けにくく
ドライブによるＣ／Ｎのばらつきが小さくなっている。

さらにまた、光′８！！．％記録層を構成する４層の各
膜厚を特定範囲で組み合わせた結果、力一回転角（θｋ
）も高くなっている。

一般に、光磁気記録層からの反躬光はカー効果により、
偏光面の回転と楕円化が発生している。

入射光方向の偏光面を持つ成分の振幅反射率をｒＸ、そ
れに直交する戊分の振幅反射率をｒｙとすると ｒｘ＝ＩｒχＩｅｘｐ（ｉφＸ） ｒｙ　＝ｌ　ｒｙ　ｌ　ｅｘｐ　（ｉφｙ）とあらわす
ことができる。

ここで、反射光の位相差をΦとすると Φ＝Φｙ一φＸとなり、 また、ｔａｎα＝ｌｒｘｌ／ｌｒソ　１とすると、カー
回転角（θｋ）、力一楕円率（ηｋ）は、ｔａｒｉ（２
θｋ）＝ｔａｎ　（２α）ｃｏｓ　（φ）ｊ　ａｎ　（
２ηｋ）＝　ｔ　ａｒｌ（２ａ）　ｓ　ｉ　ｎ　（φ）
と表すことができる。

従って、光磁気記録媒体の位相差Φの増加は、カー回転
角を減少させることになる。

一方、光磁気記録媒体要のビックアップは、一般に光磁
気記録媒体からの反射光を導く光路中に４５度ミラー、
ビームスブリッターのような反射光学系を持っている。

これらの反飼面は、Ｐ偏光及びＳ偏光（前記光磁気記録
媒体からの反射光のＸ及びｙ方向の偏光に当たる。）の
間に位相差δを生じさせる。すると最終的に受光される
光の力一回転角ｅ及びカー楕円率Ｈは、 ｔａｎ２０＝ｔａｎ　（２α）ｃｏｓ　（Φ一δ）ｔａ
ｎ２Ｈ＝ｔａｎ　（２ａ）ｓ　ｉｎ　（Φ−δ）と表す
ことができる。

ピックアップ光学系の位相差δによるＣ／Ｎの変化のグ
ラフを示した第１図において、位相差δの異なるビック
アップＡ，Ｂ，Ｃに対して位相差Φが殆ど０である光磁
気記録媒体ａについては、Ｃ／Ｎの低下は微量でありか
つピックアップ間におけるＣ／Ｎの差は小さい。しかし
、位相差φが大きな光磁気記録媒体ｂでは、ビックアッ
プＣにおいてはΦとδが相殺するのでＣ／Ｎの低下は兄
とないが、ビックアップＢでは、Φとδが加算されてＣ
／Ｎの低下が大きくなっている。

結局、通常、ピックアップの光学系位相差δはＯ度を中
心に振れるので、光磁気記録媒体の位相差ΦもＯ度近く
に置けばピックアップの個体差の影響を受けにくくなる
。

本発明の光磁気記録媒体には、光磁気記録層の位相差を
少なくすることにより、ドライブによるＣ／Ｎのばらつ
きが小さくなっている。

本発明の光８１気記録媒体に於いては、前記第１誘電体
保ｔｗ層の膜厚を９５０乃至１３００Ａの範囲に特定す
ることにより、前記光磁気記録層の反射光の位相差の膜
厚の変化に対する変動を小さくすることができ、特性を
安定化させている。

本発明の光磁気記録媒体は、ガラスやポリカーボネート
等の透明樹脂基板上に、スバッタ法等の真空成膜法によ
り第１誘電体保護層、記録層、第２誘電体保護層及び金
属反射層の薄膜を順次この順で成膜した４層構成の光磁
気記録層を形成する。

前記記録層の膜厚は、２００乃至３５０Ａである。

膜厚があまり小さいと、耐久性が低下し、また膜厚が余
り大きくなると光磁気記録層の位相差が大きくなると同
時にカー回転角（θｋ）が小さくなる。

前記第２誘電体保護層の膜厚は、３００乃至６００Ａで
ある。

膜厚が小さすぎるとカー回転角（θｋ）が低下し、また
膜厚が大きすぎると、位相差Φが大きくなってしまう。

本発明の光磁気記録媒体の前記金属反射層の薄膜の素材
としては、反射率の面から、ＡｌやＡｕ（金）が望まし
く、さらにコストを考慮すると、Ａｌの単体もしくはそ
の合金が望ましい。さらに、光磁気記録層の耐候性を高
めるためには、ＡｌとＴａやＴｉとの合金であることが
望ましい。

前記金属反射層の膜厚は、２００乃至８００Ａであるこ
とが望ましい。膜厚が小さ過ぎると、位相差の絶対値が
大きくなり、また大きすぎると熱容量が大きくなって、
感度が低下したり、材料コストの上昇、製造工程時間の
増大を招くので好ましくない。

以上のように、本発明の光磁気記録媒体においては・４
層構成の光磁気記録層を構成する各層の膜厚を特定の範
囲にして組み合わせることにより、光磁気記録層からの
反射光の位相差を小さくしてドライブによるＣ／Ｎのば
らつきを抑え、力一回転角を大きく、かつ耐久性を大き
く改良できる。

本発明の光磁気記録媒体の光磁気記録層の前記記録層と
しては各種の酸化物及び金属の磁性体の薄膜が使用でき
る。例えば、ＭｎＢｉ，ＭｎＡｌＧｅ，ＭｎＣｕＢｉ等
の結晶性材料、ＧｄＩＣ；，Ｂ　ｉｓｍＥｒＧａ　ＩＣ
，Ｂ　ｉｓｍＹｂｃｏＧｅ　ＩＧ，等の単結晶材料、さ
らに、ＧｄＣｏ，ＣｄＦｅ，ＴｂＦｅ，ＤｙＦｅ，Ｇｄ
ＦｅＢｉ，ＧｄＴｂＦｅ，Ｃ；ｄＦｅＣｏ，ＴｂＦｅＣ
ｏ，ＴｂＦｅＮｉ等の非晶質材料を用いた薄膜である。

中でも感度、Ｃ／Ｎ等の点て希土類金属、遷移金属を主
体とする記録層が好ましく、特に耐候性も良好であるこ
とからＴｂＦｅＣｏＣｒの非晶質合金が最も好ましい。

前記記録層に隣接させてその上下に前記第１誘電体保！
！屠及び前記第２誘電体保護層の薄膜が設けられる。前
記基板の直上には前記記録層に対しカーエンハンス効果
がある第１誘電体保護層を設け、その上に設けた前記記
録層の上に更に記録層の保護層として第２誘電体保護層
を形成する。

本発明で用いることができる前記第１誘電体保護層及び
第２誘電体保！！眉用の材料としては、例えばＳ　ｆｏ
ｘ，Ｓ　ｉ　Ｎｘ　，　Ａｌ　Ｎｘ及びＺｎＳ等の酸化
物、窒化物及び硫化物等の誘電体が使用できる。中でも
光学的特性、保護機能の面から、Ｓｉの窒化物、Ａｌの
窒化物もしくはその混合物が最も好ましい。

また、前記第１誘電体保護層及び前記第２誘電体保護層
の屈折率は、２．０乃至２，３であることが望ましい。

以上の光磁気記録層を構成する各層の薄膜は、スパッタ
法、イオンブレーティング法、真空蒸着法等の真空成膜
法によって形成される。中でも、スバッタ法が最も良く
、マグネトロンスパツタ法等が採用される。

本発明の光磁気記録媒体の前記碁板の材質としては、ポ
リカーボネート、ポリメチルメタクリレート、エボキシ
、ガラス等であるが、本発明の光記録媒体の特徴が最も
効果的に現れるのがポリカーボネート、ポリメチルメタ
クリレート、エボキシ等の樹脂基板である。

前記樹脂基板の中でもポリカーボネート基板は、吸水率
が小さく、ガラス転移点が高い等の利点を有し、本発明
の光記録媒体においても使用することが好ましい。

本発明の光８１気記録媒体の光磁気記録層の上面及び側
面を、紫外線硬化樹脂等よりなる有機樹脂保！！層で覆
うこともできる。

また、ホットメルト樹脂などの接着剤層を介して前記基
板の光磁気記録層のない面を外側に向けて貼り合わせて
、両面記録型光磁気記録媒体とすることもできる。

［発明の効果］ 本尭明の光磁ヌ記録媒体においては、基板上に設けられ
た光磁気記録層を、第１誘電体保護屠、記録層、第２誘
電体保護層及び金属反射層がこの１順で成膜された４層
構成とし、かつ各層の膜厚を、第１誘電体保！！層が９
５０乃至１３００Ａ，記録層が２００乃至３５０Å、第
２誘電体保護層が３００乃至６００Ａ及び金属反削屠が
２００乃至８００Ａの範囲に特定することによって、反
射光の位相差を小さく、その偏光面の楕円化を防止して
ドライブによるＣ／Ｎのばらつきを抑えることができ、
さらにカー回転角（θｋ）を増大させてＣ／Ｎを高め、
かつ耐久性の優れた光磁気記録媒体を得ることができる
。

本発明の光８１気記録媒体の新規な効果を以下の実施例
及び比較例によりなお一層明確にする。

［実施例−１コ 射出成形により片面に案内溝が設けられた径１３０ｍｒ
ｎ，厚さ１．２ｍｒｎのポリカーボネート基板の前記案
内溝がある面に、以下の手順で光磁気記録層を形成した
。

前記基板をスバッタ装置の回転基板ホルダー上にセット
して、前記スバッタ装置の成膜室をアルゴンガス圧１ｍ
ｍＴｏｒｒの雰囲気にして、夕一ゲットに１．０ｋ〜Ｖ
のＲＦ電力を投入し、マグネトロンスバッタ法により、
第１誘電体保護層として９５０ＡのＳｉＮｘの薄膜を、
その上に光磁気記録層として２７０ＡのＴｂＦｅＣｏＣ
ｒの薄膜を、さらにその上に第２誘電体保護層として４
５ＯＡのＳ　ｉ　Ｎｘの薄膜を、最後にＴａが２原子％
であるＡｌＴａ合金の薄膜を金属反射層として３５０Ａ
の厚さで成膜して光磁気記録層を形成した。

次いで、紫外線硬化樹脂の塗布液を、前記光磁気記録層
の上面及び側面に、スピンコート法により３０００ｒｐ
ｍ，２０秒の条件で塗布して、照射強度１　０　０　ｍ
Ｗ／　ｃ　ｍ２の紫外線を１分間照射して硬化を行い、
１０μｒｎの厚さの有機樹脂保護層を形成した。前記紫
外線硬化樹脂としては、大日本インキ（株）Ｕ＃ＳＤ−
１７を使用した。

以上の条件で作成した光磁気記録媒体の試料を２枚作成
して、前記基板の光磁気記録層のない面を外側に向け、
前記有機８１！保護層の上に東亜合成化学（株）製ホッ
トメルト接着剤＃ＸＷ−　１　３を１３０℃で溶融して
ロールコーターを用いて１０μｍの厚さに塗布した後、
加圧接着して両面記録型の光磁気記録媒体の試料を得た
。

［実施例−２コ 第１誘電体保護層の膜厚をＩＩＯＯＡとした以外は、実
施例−１と同一の条件で両面記録型の光！気記録媒体の
試料を得た。

［実施例−３コ 第１誘電体保護層の膜厚を１３００Ａとした以外は、実
施例−１と同一の条件で両面記録型の光８１気記録媒体
の試料を得た。

［比較例−１コ 第１誘電体保ｉｔ層の膜厚な９０ＯＡとした以外は、実
施例−１と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体の
試料を得た。

［比較例−２］ 第１誘電体保護層の膜厚な１３５０Ａとした以外は、実
施例−１と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体の
試料を得た。

以上のようにして得られた光８１気記録媒体の試料につ
いて、以下の測定条件で、反射光の偏光の楕円化を示す
位相差Φ、感度、Ｃ／Ｎ、力一回転角（θｋ）及びＢＥ
Ｒ　（ピットエラーレート）変化による耐久性を評価し
た。

位相差Φ：　第２図に要部を示した測定系において、半
導体レーザー１からの出射光をコリメートレンズ２によ
り光磁気記録媒体３上に収束させた。

（このとき、前記光磁気記録媒体３からの反射光４はカ
ー効果により偏光面の回転及び楕円化を起こしている。

この楕円化は入射光偏光面とそれに直交する面とに分解
された振幅成分ｒ　ｘ，　ｒ　ｙの位相差により発生す
る。）前記反射光４の光路にバビネソレイユ補償板５進
相軸方向Ｘまたはｙ軸のに合わせて置き、ｒ　ｘ，　ｒ
　ｙ間の位相量を補償した。

そして、消光位に設定された検光子６を通過する光量が
最小となるようにして前記バビネソレイユ補償板５を通
過した光を直線偏光にして前記光磁気記録媒体３で発生
する位相量を補償した。その補償量を計測して光磁気記
録媒体の位相差Φの測定値とした。

感度　＝　光磁気記録ドライブの回転数を１８０Ｏｒｐ
ｍとし、キャリャ一周波数３．７ＭＨｚで記録したどき
にＣ／Ｎの立ち上がる書き込みパワーの測定値（Ｐｗ　
）をもって感度とした。

カー回転角（θｋ）　　二　カーループ測定機で最大磁
場１５ｋＯｅを印加して測定した。

ＢＥＲ変化　二　回転数１８０Ｏｒｐｍ，キャリャ一周
波数３．７ＭＨｚの条件で評価したＢＥＨの８０℃９０
％ＲＨ中に２５００時間保存した前後における変化を測
定した。

８０℃９０％ＲＨ中に保存した後のＢＥＲを保存前のＢ
ＥＲで除した値をもってＢＥＲ変化とした。

測定結果を第１表に示す。

第１表 ［実施例−４］ 前記記録層の膜厚を２００人とした以外は、実施例−２
と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体の試料を作
成した。

［実施例−５］ 前記記録層の膜厚゛を２７ＯＡとした以外は、実施例−
２と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体の試料を
作成した。

［実施例−６１ 前記記録層の膜厚を３５０Ａとした以外は、実施例−２
と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体の試料を作
成した。

［比較例−３］ 前記記録層の膜厚を１５０Ａとした以外は、実施例−２
と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体の試料を作
成した。

［比較例−４コ 前記記録層の膜厚を４００Ａとした以外は、実施例−２
と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体の試料を作
成した。

以上のようにして得られた光磁気記録媒体の試料につい
て、各特性を測定した結果が第２表である。

第２表 ［実施例−７］ 前記第２誘電体保護層の膜厚を３００Ａとした以外は、
実施例−２と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体
の試料を作成した。

［実施例−８］ 前記第２誘電体保！！層の膜厚を４５０Ａとした以外は
、実施例−２と同一の条件で両面記録型の光Ｓｉス記録
媒体の試料を作成した。

［実施例−９］ 前記第２誘電体保護層の膜厚を６００Ａとした以外は、
実施例−２と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体
の試料を作成した。

［比較例−５］ 前記第２誘電体保護層の膜厚を２５ＯＡとした以外は、
実施例−２と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体
の試料を作成した。

［比較例−６］ 前記第２誘電体保！！層の膜厚を６５０Ａとした以外は
、実施例−２と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒
体の試料を作成した。

以上のようにして得られた光磁気記録媒体の試料につい
て、各特性を測定した結果が第３表である。

第３表 ［実施例−１０コ 前記金属反射層の膜厚な２００Ａとした以外は、実施例
−２と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体の試料
を作成した。

［実施例−１１］ 前記金属反射層の膜厚を２５０Ａとした以外は、実施例
−２と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体の試料
を作成した。

［実施例−１２］ 前記金属反射履の膜厚を３５ＯＡとした以外は、実施例
−２と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体の試料
を作成した。

［実施例−１３］ 前記金属反射層の膜厚を４５０Ａとした以外は、実施例
−２と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体の試料
を作成した。

［実施例−・１４］ 前記金属反射層の膜厚を８００Ａとした以外は、実施例
−２と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体の試料
を作成した。

［比較例−７］ 前記金属反射層の膜厚な１５０Ａとした以外は、実施例
−２と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体の試料
を作成した。

［比較例−８］ 前記金属反射層の膜厚を８５０Ａとした以外は、実施例
−２と同一の条件で両面記録型の光磁気記録媒体の試料
を作成した。

以上のようにして得られた光磁気記録媒体の試料につい
て、各特性を測定した結果が第４表である。

第４表 ［実施例一ｌ５コ 前記金属反射層の組成をＴｉが２原子％のＡｌ−Ｔｉ合
金を用い、その膜厚を５００Ａとした以外は、実施例−
７と同一の条件で光磁気記録媒体の試料を作成しｋ． ［実施例−１６］ 前記金属反躬層の組成をＴｉが２原子％のＡｌ−Ｔｉ合
金を用い、その膜厚を５００Ａとした以外は、実施例−
８と同一の条件で光磁気記録媒体の試料を作成した。

［実施例−１７］ 前記金属反射層の組成をＴｉが２原子％のＡｌ−Ｔｉ合
金を用い、その膜厚を５００Ａとした以外は、実施例−
９と同一の条件で光磁気記録媒体の試料を作成した。

［比較例−９１ 前記金属反射層の組成をＴｉが２原子％のＡｌ−Ｔｉ合
金を用い、その膜厚を５ｏｏＡとした以外は、比較例−
５と同一の条件で光磁気記録媒体の試料を作成した。

［比較例−１０］ 前記金属反射層の組成をＴｉが２原子％のＡｌ一Ｔｉ合
金を用い、その膜厚な５００人とした以外は、比較例−
６と同一の条件で光磁気記録媒体の試料を作成した。

以上のようにして得られた光磁気記録媒体の試科につい
て、各特性を測定した結果が第５表である。

第５表 ４　・・・　光磁気記録媒体からの反射光５　・・・　
バビネソレイユ襦償板 ６　・・・　検光子

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に、第１誘電体保護層、記録層、第２誘電
   体保護層及び金属反射層がこの順で成膜された光磁気記
   録層を有する光磁気記録媒体において、前記第１誘電体
   保護層の膜厚が９５０乃至１３００Å、前記記録層の膜
   厚が２００乃至３５０Å、前記第２誘電体保護層の膜厚
   が３００乃至６００Å及び前記金属反射層の膜厚が２０
   ０乃至８００Åであることを特徴とする光磁気記録媒体
   。
2. （２）前記金属反射層がＡｌ（アルミニウム）の合金の
   薄膜である請求項１記載の光磁気記録媒体。
3. （３）前記金属反射層が、Ｔａ（タンタル）及び／また
   はＴｉ（チタン）を含有するＡｌの合金の薄膜である請
   求項１記載の光磁気記録媒体。
4. （４）前記記録層が、希土類金属及び遷移金属よりなる
   非晶質合金の薄膜である請求項１記載の光磁気記録媒体
   。
5. （５）前記記録層が、ＴｂＦｅＣｏＣｒの非晶質合金の
   薄膜である請求項１記載の光磁気記録媒体。
6. （６）前記第１誘電体保護層及び前記第２誘電体保護層
   が、Ｓｉの窒化物、Ａｌの窒化物又はそれらの混合物で
   ある請求項１記載の光磁気記録媒体。
7. （７）前記金属反射層の膜厚が、２５０乃至４５０Åで
   ある請求項１、請求項２及び請求項３記載の光磁気記録
   媒体。