JPH0259529B2 - - Google Patents
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- JPH0259529B2 JPH0259529B2 JP59018253A JP1825384A JPH0259529B2 JP H0259529 B2 JPH0259529 B2 JP H0259529B2 JP 59018253 A JP59018253 A JP 59018253A JP 1825384 A JP1825384 A JP 1825384A JP H0259529 B2 JPH0259529 B2 JP H0259529B2
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- rotation angle
- amorphous
- magneto
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
- G11B5/73911—Inorganic substrates
- G11B5/73921—Glass or ceramic substrates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光磁気記録体に関する。
最近、光磁気記録体は、レーザー光を用いて記
録再生を行なう高密度記録可能な新しい方式とし
て注目されているが、その再生方法として、偏光
されたレーザー光が磁性体表面で反射するか透過
する際に偏光面が回転することを利用している。
従つてこの回転角即ち力−回転角が大きいことが
望まれる。この力−回転角を大きくする方法とし
て、磁性層の表面に、SiO，SiO2，ZnS，Si3N4，
AIN，TiO2，Al2O3，Ta2O3などの透明誘電体層
を設けることが知られており、この場合、これら
の力−回転を大きくする物質のうち、屈折率の大
きいもの程力−回転角を大きくする効果（エンハ
ンス効果）があることも知られている。特に透明
基板側からレーザー光を照射して再生する場合に
は、基板として用いられるガラスやPMMAの屈
折率が約1.5であるので、空気側から再生を行な
う場合に比べて更に高い屈折率を有する物質が望
ましい。
録再生を行なう高密度記録可能な新しい方式とし
て注目されているが、その再生方法として、偏光
されたレーザー光が磁性体表面で反射するか透過
する際に偏光面が回転することを利用している。
従つてこの回転角即ち力−回転角が大きいことが
望まれる。この力−回転角を大きくする方法とし
て、磁性層の表面に、SiO，SiO2，ZnS，Si3N4，
AIN，TiO2，Al2O3，Ta2O3などの透明誘電体層
を設けることが知られており、この場合、これら
の力−回転を大きくする物質のうち、屈折率の大
きいもの程力−回転角を大きくする効果（エンハ
ンス効果）があることも知られている。特に透明
基板側からレーザー光を照射して再生する場合に
は、基板として用いられるガラスやPMMAの屈
折率が約1.5であるので、空気側から再生を行な
う場合に比べて更に高い屈折率を有する物質が望
ましい。
本発明者は、力−回転角の増大に用いられる物
質は、レーザーの波長800nm近傍に対して透明で
あれば足り、従来の誘電体物質のように可視光全
域に亘つて透明である必要はないとの観点から
種々の物質を検討した結果、屈折率が3.0〜3.8と
非常に高く且つレーザー光の波長に対してもある
程度の透過率をもつアモルフアスSiを従来の透明
誘電体層の代りに用いることにより、従来の誘電
体物質より著しく大きい力−回転角の増大効果を
もたらすことを認めた。この場合、アモルフアス
Siは光吸収端が1000nm付近にあるので800nmで
はレーザー光は或る程度吸収されてしまう傾向が
あるので、エネルギーギヤツプを大きくさせ光吸
収端を短波長側に移動させれば800nm付近の光吸
収は減少し力−回転角を更に増大できる観点より
検討し、そのアモルフアスSiのエネルギーギヤツ
プを増大させる方法として、アモルフアスSiに
Ｈ，Ｆ，Ｃ，Ｎ，Ｏを混入させることにより力−
回転角の増大をもたらすことを知見した。而して
多くの試験研究の結果、これら元素の１種又は２
種以上をアモルフアスSiに50at％以下混入するこ
と、好ましくは30at％以下混入することにより上
記の効果を有することを知見した。
質は、レーザーの波長800nm近傍に対して透明で
あれば足り、従来の誘電体物質のように可視光全
域に亘つて透明である必要はないとの観点から
種々の物質を検討した結果、屈折率が3.0〜3.8と
非常に高く且つレーザー光の波長に対してもある
程度の透過率をもつアモルフアスSiを従来の透明
誘電体層の代りに用いることにより、従来の誘電
体物質より著しく大きい力−回転角の増大効果を
もたらすことを認めた。この場合、アモルフアス
Siは光吸収端が1000nm付近にあるので800nmで
はレーザー光は或る程度吸収されてしまう傾向が
あるので、エネルギーギヤツプを大きくさせ光吸
収端を短波長側に移動させれば800nm付近の光吸
収は減少し力−回転角を更に増大できる観点より
検討し、そのアモルフアスSiのエネルギーギヤツ
プを増大させる方法として、アモルフアスSiに
Ｈ，Ｆ，Ｃ，Ｎ，Ｏを混入させることにより力−
回転角の増大をもたらすことを知見した。而して
多くの試験研究の結果、これら元素の１種又は２
種以上をアモルフアスSiに50at％以下混入するこ
と、好ましくは30at％以下混入することにより上
記の効果を有することを知見した。
このように、本発明は、上記の要求を満足した
光磁気記録体を提供するもので、磁性層の片面又
は両面に力−回転角を増大する層としてアモルフ
アスSi層を設けて成る。更にその力−回転角の増
大効果をもたらす光磁気記録体を提供するもの
で、Ｈ，Ｆ，Ｃ，Ｎ，Ｏのうちから選んだ少くと
も１種の元素を50at％以下混入したアモルフアス
Si層を設けて成る。
光磁気記録体を提供するもので、磁性層の片面又
は両面に力−回転角を増大する層としてアモルフ
アスSi層を設けて成る。更にその力−回転角の増
大効果をもたらす光磁気記録体を提供するもの
で、Ｈ，Ｆ，Ｃ，Ｎ，Ｏのうちから選んだ少くと
も１種の元素を50at％以下混入したアモルフアス
Si層を設けて成る。
更に本発明を実施例につき説明する。
アモルフアスSi層は、公知のスパツタ法、RF
スパツタ法プラズマCVD法、蒸着法、イオンプ
レーテイング法、光CVD法等によりガラス等の
透明基板の上面に形成する。アモルフアスSi（以
下ａ−Siと略記する）にＨ，Ｆ，Ｃ，Ｎ，Ｏのう
ちのいづれか１つ又は２以上の元素を混入したａ
−Si：Ｈ，ａ−Si：Ｆ，ａ−SiC：Ｈ，ａ−SiN
−Ｈ，ａ−SiO：Ｈなどの層を形成するには、例
えばH2ガス、N2ガス、O2ガス、SiH4ガス、SiF4
などの単独又は混合ガスを処理容器中に導入し
RFスパツタ法あるいはプラズマCVD法を用い
た。Ｃの混入には、Siターゲツト上にグラフアイ
トペレツトを多数個置いたターゲツトを用いた。
このように作成したａ−Si層、ａ−Si：Ｈなどの
元素混入ａ−Si層などの表面に、25at％Tb−Fe
膜（1000Å）を作成し、更にその上に保護膜とし
て1000ÅのSiO2膜を形成した。尚、ａ−Si層や
ａ−Si：Ｈ層などの上記元素混入の層につき、そ
の厚さと力−回転角との関係を検べるため、厚さ
の異なる夫々の上記試料を作成した。力−回転角
の測定には830nmの半導体レーザーを用いた。又
上記のTb−Fe膜やSiO2膜を形成しない各試料を
用いて光吸収率と屈折率を測定した。
スパツタ法プラズマCVD法、蒸着法、イオンプ
レーテイング法、光CVD法等によりガラス等の
透明基板の上面に形成する。アモルフアスSi（以
下ａ−Siと略記する）にＨ，Ｆ，Ｃ，Ｎ，Ｏのう
ちのいづれか１つ又は２以上の元素を混入したａ
−Si：Ｈ，ａ−Si：Ｆ，ａ−SiC：Ｈ，ａ−SiN
−Ｈ，ａ−SiO：Ｈなどの層を形成するには、例
えばH2ガス、N2ガス、O2ガス、SiH4ガス、SiF4
などの単独又は混合ガスを処理容器中に導入し
RFスパツタ法あるいはプラズマCVD法を用い
た。Ｃの混入には、Siターゲツト上にグラフアイ
トペレツトを多数個置いたターゲツトを用いた。
このように作成したａ−Si層、ａ−Si：Ｈなどの
元素混入ａ−Si層などの表面に、25at％Tb−Fe
膜（1000Å）を作成し、更にその上に保護膜とし
て1000ÅのSiO2膜を形成した。尚、ａ−Si層や
ａ−Si：Ｈ層などの上記元素混入の層につき、そ
の厚さと力−回転角との関係を検べるため、厚さ
の異なる夫々の上記試料を作成した。力−回転角
の測定には830nmの半導体レーザーを用いた。又
上記のTb−Fe膜やSiO2膜を形成しない各試料を
用いて光吸収率と屈折率を測定した。
第１図は、ａ−Si層の膜厚の変化と力−回転角
の変化を示す。比較のため、従来の誘電体の例と
してTiO2層を形成した時の測定結果を併せて示
した。第１図より明らかなように、Tb−Fe膜の
みでは力−回転角は約15minであるが、本発明の
ａ−Si層を形成すると力−回転角は最大40minま
で増大することが認められ、従来のTiO2誘電体
では最大25minであり且つその膜厚の変化全体に
亘り、ａ−Si層が、誘電体に比し回転角の増大効
果が優れていることが認められる。最大を示す膜
厚は、TiO2層が650Åであるに対し、ａ−Si層で
は450Åである。これは屈折率がTiO2では2.3で
あるに対し、ａ−Siでは3.7と大きいためである。
の変化を示す。比較のため、従来の誘電体の例と
してTiO2層を形成した時の測定結果を併せて示
した。第１図より明らかなように、Tb−Fe膜の
みでは力−回転角は約15minであるが、本発明の
ａ−Si層を形成すると力−回転角は最大40minま
で増大することが認められ、従来のTiO2誘電体
では最大25minであり且つその膜厚の変化全体に
亘り、ａ−Si層が、誘電体に比し回転角の増大効
果が優れていることが認められる。最大を示す膜
厚は、TiO2層が650Åであるに対し、ａ−Si層で
は450Åである。これは屈折率がTiO2では2.3で
あるに対し、ａ−Siでは3.7と大きいためである。
この最大の力−回転角が得られた450Åのａ−
Si層のみの光吸収率を測定したところ、830nmの
レーザー光に対して10％であつた。この光吸収率
を低減させるため、Ｈ，Ｃ，Ｏ，Ｎなどを添加し
たａ−Si層を作成すると光吸収率は減少すること
が認められた。かゝる添加すべき元素の添加量と
力−回転角の関係を検べた。第２図は最大値の力
−回転角が得られる450Å膜厚のａ−Si層におい
ての元素の添加量と力−回転角の関係を示す。
Si層のみの光吸収率を測定したところ、830nmの
レーザー光に対して10％であつた。この光吸収率
を低減させるため、Ｈ，Ｃ，Ｏ，Ｎなどを添加し
たａ−Si層を作成すると光吸収率は減少すること
が認められた。かゝる添加すべき元素の添加量と
力−回転角の関係を検べた。第２図は最大値の力
−回転角が得られる450Å膜厚のａ−Si層におい
ての元素の添加量と力−回転角の関係を示す。
この図から明らかなように、すべての添加元素
において添加量の増大とともに力−回転角の増大
しほゞ10〜30at％で最大値を示した後減少するが
50at％程度まで力−回転角40min以上を維持する
ことが認められた。
において添加量の増大とともに力−回転角の増大
しほゞ10〜30at％で最大値を示した後減少するが
50at％程度まで力−回転角40min以上を維持する
ことが認められた。
上記から、添加量が少ない領域では光の吸収量
を低減することが力−回転角のエンハンスに寄与
し、それ以上添加量を増大させると、光の吸収量
が殆んどなくなるが、屈折率は低下し、その低下
に伴なつて力−回転角は、ゆるやかに減少するこ
とを意味している。尚、２種以上の元素を混入し
た場合も同様の力−回転角の増大傾向が認められ
ることが分つた。
を低減することが力−回転角のエンハンスに寄与
し、それ以上添加量を増大させると、光の吸収量
が殆んどなくなるが、屈折率は低下し、その低下
に伴なつて力−回転角は、ゆるやかに減少するこ
とを意味している。尚、２種以上の元素を混入し
た場合も同様の力−回転角の増大傾向が認められ
ることが分つた。
その結果を第３図に示す。図面で各２種元素の
配合量は等量である。
配合量は等量である。
これらの１種又は２種以上の元素の添加によ
り、その元素はSi原子と強い結合力を有し、その
結果エネルギーギヤツプを増大させている。
り、その元素はSi原子と強い結合力を有し、その
結果エネルギーギヤツプを増大させている。
以上の実験は、透明基板側から再生する場合に
ついて行なつたものであるが、空気側から再生す
る型や半透明の磁性層と反射層との間に力−回転
角を増大させる層（いわゆるエンハンス層）を介
在させてフアラデー回転と力−回転の両方を用い
る型の光磁気記録体においても、これらに用いら
れるエンハンス層に本発明のａ−Si層又はＨ，
Ｃ，Ｎ，Ｆ，Ｏの１種又は２種以上を混入したａ
−Si層を用いることにより極めて有効である。
ついて行なつたものであるが、空気側から再生す
る型や半透明の磁性層と反射層との間に力−回転
角を増大させる層（いわゆるエンハンス層）を介
在させてフアラデー回転と力−回転の両方を用い
る型の光磁気記録体においても、これらに用いら
れるエンハンス層に本発明のａ−Si層又はＨ，
Ｃ，Ｎ，Ｆ，Ｏの１種又は２種以上を混入したａ
−Si層を用いることにより極めて有効である。
第１図は本発明の実施例の光磁気記録体の膜厚
と力−回転角との関係を従来の光磁気記録体のそ
れと対比して示すグラフ、第２図は他の本発明の
実施例における１種の添加元素の添加量と力−回
転角の大きさとの関係を示すグラフ、第３図は、
他の本発明の実施例における２種の添加元素の添
加量と力−回転角の大きさとの関係を示すグラフ
を示す。
と力−回転角との関係を従来の光磁気記録体のそ
れと対比して示すグラフ、第２図は他の本発明の
実施例における１種の添加元素の添加量と力−回
転角の大きさとの関係を示すグラフ、第３図は、
他の本発明の実施例における２種の添加元素の添
加量と力−回転角の大きさとの関係を示すグラフ
を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 磁性層の片面又は両面に力−回転角を増大す
る層としてアモルフアスSi層を設けて成る光磁気
記録体。 ２ 磁性層の片面又は両面に、Ｈ，Ｆ，Ｃ，Ｎ，
Ｏのうちから選んだ少くとも１種の元素を50at％
程度以下混入したアモルフアスSi層を力−回転を
増大する層として設けることを特徴とする光磁気
記録体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59018253A JPS60163247A (ja) | 1984-02-06 | 1984-02-06 | 光磁気記録体 |
| US06/698,480 US4661420A (en) | 1984-02-06 | 1985-02-05 | Optical magnetic recording member |
| EP85300775A EP0152269B1 (en) | 1984-02-06 | 1985-02-06 | Optical magnetic recording member |
| DE8585300775T DE3577247D1 (de) | 1984-02-06 | 1985-02-06 | Magneto-optischer aufzeichnungstraeger. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59018253A JPS60163247A (ja) | 1984-02-06 | 1984-02-06 | 光磁気記録体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60163247A JPS60163247A (ja) | 1985-08-26 |
| JPH0259529B2 true JPH0259529B2 (ja) | 1990-12-12 |
Family
ID=11966515
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59018253A Granted JPS60163247A (ja) | 1984-02-06 | 1984-02-06 | 光磁気記録体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60163247A (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60209946A (ja) * | 1984-04-02 | 1985-10-22 | Nec Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPS60209947A (ja) * | 1984-04-02 | 1985-10-22 | Nec Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPS60231937A (ja) * | 1984-05-01 | 1985-11-18 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPS6180639A (ja) * | 1984-09-28 | 1986-04-24 | Canon Inc | 光学的記録媒体 |
| JPS61258353A (ja) * | 1985-05-10 | 1986-11-15 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPS62157347A (ja) * | 1985-12-28 | 1987-07-13 | Kyocera Corp | 光磁気記録素子及びその製法 |
| JPS62293542A (ja) * | 1986-06-12 | 1987-12-21 | Konica Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPS6479954A (en) * | 1987-09-22 | 1989-03-24 | Kyocera Corp | Magneto-optical recording element |
| US4917970A (en) * | 1988-02-01 | 1990-04-17 | Minnesota Mining & Manufacturing Company | Magneto optic recording medium with silicon carbide dielectric |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5923017B2 (ja) * | 1979-06-01 | 1984-05-30 | シャープ株式会社 | 磁気光学記憶素子 |
| JPS57169996A (en) * | 1981-04-09 | 1982-10-19 | Sharp Corp | Magnetooptic storage element |
| JPS5938950A (ja) * | 1982-08-26 | 1984-03-03 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
-
1984
- 1984-02-06 JP JP59018253A patent/JPS60163247A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60163247A (ja) | 1985-08-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |