JPH03291552A - 表面欠陥検査装置 - Google Patents
表面欠陥検査装置Info
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- JPH03291552A JPH03291552A JP9358290A JP9358290A JPH03291552A JP H03291552 A JPH03291552 A JP H03291552A JP 9358290 A JP9358290 A JP 9358290A JP 9358290 A JP9358290 A JP 9358290A JP H03291552 A JPH03291552 A JP H03291552A
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- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims abstract description 48
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 27
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、平面又は円筒状をした基体表面に光吸収の少
ない均質系層のOPC感光体を設けた被検査体を移動さ
せながらレーザー光をフライングスポット方式で照射し
、その表面欠陥を検査する表面欠陥検査装置に関する。
ない均質系層のOPC感光体を設けた被検査体を移動さ
せながらレーザー光をフライングスポット方式で照射し
、その表面欠陥を検査する表面欠陥検査装置に関する。
平面又は円筒状をした被検査体の表面欠陥を検査する方
法として、フライングスポット方式といわれる方法が知
られている。これは、レーザーを光源として回転多面鏡
や振動鏡を用いて、移動する被検査体上にレーザー光を
用いて走査し、その反射光を受光し、欠陥状態によって
相異した反射光の情況から被検査体の欠陥検査を行うも
のである。
法として、フライングスポット方式といわれる方法が知
られている。これは、レーザーを光源として回転多面鏡
や振動鏡を用いて、移動する被検査体上にレーザー光を
用いて走査し、その反射光を受光し、欠陥状態によって
相異した反射光の情況から被検査体の欠陥検査を行うも
のである。
被検査体表面の欠陥状態は模式的Jこ次の2つに分けら
れる。
れる。
(1)比較的なだらかな凹凸からなるうねり欠陥(2)
粗面ともいえる微少な凹凸からなる微少凹凸欠陥 被検査体表面に上記(1)のうねり欠陥のある場合には
被検面が正規の面に対し僅か傾いているので、レーザー
反射光は第5図の破線n1に示すように正規の反射方向
(被検査体表面良好時の反射方向(第5図g参照))か
ら外れた方向へ反射する。
粗面ともいえる微少な凹凸からなる微少凹凸欠陥 被検査体表面に上記(1)のうねり欠陥のある場合には
被検面が正規の面に対し僅か傾いているので、レーザー
反射光は第5図の破線n1に示すように正規の反射方向
(被検査体表面良好時の反射方向(第5図g参照))か
ら外れた方向へ反射する。
また、(2)の微少凹凸欠陥のある場合には、被検査体
の反射面において第5図の破線n、に示すように散乱し
た状態となり、上記受光部に入射する光量は良好な場合
と比較して減少する。
の反射面において第5図の破線n、に示すように散乱し
た状態となり、上記受光部に入射する光量は良好な場合
と比較して減少する。
上記(1)、(2)の欠陥は重畳した形で発生すること
もあり、また平滑に形成された被検査体表面に(1)、
(2)の欠陥が別個に発生することもある。
もあり、また平滑に形成された被検査体表面に(1)、
(2)の欠陥が別個に発生することもある。
また、被検査体表面が有機光導電性感光体層(OPC感
光体層)からなる電子写真用感光体ドラムでは例えば第
6図に示すように薄い2層の平行平面層からなる感光層
りが設けられている場合がある。図において、3aはア
ルミニューム等からなり表面が平滑に仕上げられたドラ
ム状の基体、LIは光に対し均質な電荷輸送層である均
質系層、L2は電荷発生層で光を分散させる性質を有す
る分散系層(分散の度合いは種類によって異なる)で、
4は入射光、R1は均質系層り、表面からの反射光、R
2は分散系層L2と基体3aの境界面で反射し空気中に
出てきた反射光である。
光体層)からなる電子写真用感光体ドラムでは例えば第
6図に示すように薄い2層の平行平面層からなる感光層
りが設けられている場合がある。図において、3aはア
ルミニューム等からなり表面が平滑に仕上げられたドラ
ム状の基体、LIは光に対し均質な電荷輸送層である均
質系層、L2は電荷発生層で光を分散させる性質を有す
る分散系層(分散の度合いは種類によって異なる)で、
4は入射光、R1は均質系層り、表面からの反射光、R
2は分散系層L2と基体3aの境界面で反射し空気中に
出てきた反射光である。
従来は上記反射光R,,’R2を区別せず一緒に受光器
によって受光しその強度の変化から感光層り表面の欠陥
を検出していた。
によって受光しその強度の変化から感光層り表面の欠陥
を検出していた。
前記フライングスポット方式によって被検査体表面の欠
陥検査を行う場合、第6図における反射光R1と反射光
R1との強度に差が少ない場合には干渉現象が発生する
。その結果感光層L (L l+L z)にレーザー光
の波長に近い微少な層厚の変化やレーザー光走査時の被
検査体の振動等による受光角度の変動があると、レーザ
ー光走査に従い反射光強度に表面欠陥とは無関係の変動
が発生する。この変動は欠陥検出を妨害し、比較的小さ
い欠陥の検出を不可能にし、ときには大きい欠陥をも検
出不可能とするものであった。そこで干渉による受光部
の出力変動を電気回路によって取り除くことが行われる
が、このとき欠陥信号も同時に除去されるため、小さい
欠陥検出が不可能になるという問題点があった。
陥検査を行う場合、第6図における反射光R1と反射光
R1との強度に差が少ない場合には干渉現象が発生する
。その結果感光層L (L l+L z)にレーザー光
の波長に近い微少な層厚の変化やレーザー光走査時の被
検査体の振動等による受光角度の変動があると、レーザ
ー光走査に従い反射光強度に表面欠陥とは無関係の変動
が発生する。この変動は欠陥検出を妨害し、比較的小さ
い欠陥の検出を不可能にし、ときには大きい欠陥をも検
出不可能とするものであった。そこで干渉による受光部
の出力変動を電気回路によって取り除くことが行われる
が、このとき欠陥信号も同時に除去されるため、小さい
欠陥検出が不可能になるという問題点があった。
また、感光層りの分散層L2の分散が大きいものでは、
感光層りに入射した光は散乱吸収されて反射光R2は極
端l二弱くなる場合など、表面の性質が異なる多種類の
被検査体があり、従来1つの表面欠陥検査装置によって
表面欠陥の検査を行うことは困難であった。
感光層りに入射した光は散乱吸収されて反射光R2は極
端l二弱くなる場合など、表面の性質が異なる多種類の
被検査体があり、従来1つの表面欠陥検査装置によって
表面欠陥の検査を行うことは困難であった。
本発明は、上記干渉を起こす表面構成を有する被検査体
であるOPC感光体層の場合にも、分散の大なる分散系
層を有する被検査体の場合にも簡単な構成によって表面
欠陥検出を可能にした優れた表面欠陥検査装置を提供す
ることを目的とする。
であるOPC感光体層の場合にも、分散の大なる分散系
層を有する被検査体の場合にも簡単な構成によって表面
欠陥検出を可能にした優れた表面欠陥検査装置を提供す
ることを目的とする。
上記目的は、基体表面に光吸収の少ない均質系層を設け
たOPC感光体を搬送させながらレーザー光をフライン
グスポット方式で照射し、その反射光で前記被検査体表
面の欠陥を検査するようにした表面欠陥検査装置におい
て、 被検査体表面に向けて前記レーザー光の直線偏光をほぼ
ブルースター角に相当する入射角で照射し、該レーザー
光の偏光方向を選定し、該レーザー光の反射光によって
前記被検査体表面の欠陥検査を行うことを特徴とする表
面欠陥検査装置によって達成される。
たOPC感光体を搬送させながらレーザー光をフライン
グスポット方式で照射し、その反射光で前記被検査体表
面の欠陥を検査するようにした表面欠陥検査装置におい
て、 被検査体表面に向けて前記レーザー光の直線偏光をほぼ
ブルースター角に相当する入射角で照射し、該レーザー
光の偏光方向を選定し、該レーザー光の反射光によって
前記被検査体表面の欠陥検査を行うことを特徴とする表
面欠陥検査装置によって達成される。
以下図面を用いて本発明の実施例について説明する。
第1図は本発明の一実施例を示す側面図、第2図は第1
図の受光器のA−A線断面図、第3rgJは第1図の受
光器の中央縦断面図、第4図は第1図の走査器のレーザ
ー光の展開光路図である。
図の受光器のA−A線断面図、第3rgJは第1図の受
光器の中央縦断面図、第4図は第1図の走査器のレーザ
ー光の展開光路図である。
図において、1は例えば半導体レーザー々どの直線偏光
を発射するレーザー、1/2波長板1回転多面鏡、fθ
レンズ、同期センサ等からなる走査器、2は入射光に対
し薄板又はエツジ部材によって前後に分割された2つの
受光部2a2bからなる受光器、3は被検査体の一例で
ある感光体ドラム、4は走査光であるレーザー光、5は
レーザー光4によって走査・照射されて被検査体表面に
描き出される走査輝線、6はレーザー光4の被検査体表
面からの反射光、θ1は被検面のレーザー光4入射点に
立つ法線と入射レーザー光4との間の角度である入射角
、θrは上記法線と反射光6との間の角度である反射角
で、走査中央部において受光器2の中心線をこの反射角
θrと一致させであるので受光角ともいう。上記走査器
lの入射角θlと受光角θrは常に θi−θr の関係を保ちつつ変更可能になっている。
を発射するレーザー、1/2波長板1回転多面鏡、fθ
レンズ、同期センサ等からなる走査器、2は入射光に対
し薄板又はエツジ部材によって前後に分割された2つの
受光部2a2bからなる受光器、3は被検査体の一例で
ある感光体ドラム、4は走査光であるレーザー光、5は
レーザー光4によって走査・照射されて被検査体表面に
描き出される走査輝線、6はレーザー光4の被検査体表
面からの反射光、θ1は被検面のレーザー光4入射点に
立つ法線と入射レーザー光4との間の角度である入射角
、θrは上記法線と反射光6との間の角度である反射角
で、走査中央部において受光器2の中心線をこの反射角
θrと一致させであるので受光角ともいう。上記走査器
lの入射角θlと受光角θrは常に θi−θr の関係を保ちつつ変更可能になっている。
走査器lは第4図にその構成と光路の一例を示すように
、レーザー11より発射されるレーザー光4は必要時に
開放するシャッタ12と挿脱自在に設けられた172波
長板13を通過したのちビーム径拡大器14によって適
度のビーム径に拡大される。このレーザー光4は、回転
多面鏡16およびfθレンズ17によって被検査体であ
る感光体ドラム3の表面をその回転軸と平行に図のa−
4b−hCの方向に等速で走査・照射し走査輝線5を形
成する。−力感光体ドラム3は、矢示方向に制御用CP
Uの制御により等線速度で回転しており被検査面全面が
レーザー光4によって走査・照射され、その反射光6は
受光器2によって受光されるようになっている。同期セ
ンサ18はレーザー光4に感度を有する受光器よりなり
、走査器lの1走査毎その走査開始時点に同期信号を制
御用CPUに送出する。
、レーザー11より発射されるレーザー光4は必要時に
開放するシャッタ12と挿脱自在に設けられた172波
長板13を通過したのちビーム径拡大器14によって適
度のビーム径に拡大される。このレーザー光4は、回転
多面鏡16およびfθレンズ17によって被検査体であ
る感光体ドラム3の表面をその回転軸と平行に図のa−
4b−hCの方向に等速で走査・照射し走査輝線5を形
成する。−力感光体ドラム3は、矢示方向に制御用CP
Uの制御により等線速度で回転しており被検査面全面が
レーザー光4によって走査・照射され、その反射光6は
受光器2によって受光されるようになっている。同期セ
ンサ18はレーザー光4に感度を有する受光器よりなり
、走査器lの1走査毎その走査開始時点に同期信号を制
御用CPUに送出する。
また、レーザー11はそれより発射されるレーザー光4
の振動面は第6図の入射面に垂直即ちS偏光となるよう
に設置されている。
の振動面は第6図の入射面に垂直即ちS偏光となるよう
に設置されている。
受光器2は第2図及び第3図に示すように、エツジ部材
22によって図において上下に分割され、それぞれのA
受光部2a、B受光部2bにはその先端部分に磁性材か
らなる円筒状の磁気シールド部材24を備えた複数個例
えば4個ずつのA光電子増倍管23a、B光電子増倍管
23bが等間隔に設けられ、受光器lの先端部分の受光
窓部には拡散板21a、21bが設けられていて、マス
ク部材25によって受光部dが規制されている。エツジ
部材22の先端部22aは刃先状に形成されるが、厚さ
0.2mm前後の薄板を用いて分割する場合は特にその
必要はない。A。
22によって図において上下に分割され、それぞれのA
受光部2a、B受光部2bにはその先端部分に磁性材か
らなる円筒状の磁気シールド部材24を備えた複数個例
えば4個ずつのA光電子増倍管23a、B光電子増倍管
23bが等間隔に設けられ、受光器lの先端部分の受光
窓部には拡散板21a、21bが設けられていて、マス
ク部材25によって受光部dが規制されている。エツジ
部材22の先端部22aは刃先状に形成されるが、厚さ
0.2mm前後の薄板を用いて分割する場合は特にその
必要はない。A。
B受光部2a、2bの内壁には鏡面部材又は白色拡散材
からなる反射層26が設けられていて、反射光6が拡散
板21a、21bに入射し透過拡散したのち上記内壁で
反射して効率良くA光電子増倍管23a及びB光電子増
倍管23bによって受光されるようになっている。上記
拡散板21a、21bは、これがないと走査器l、受光
器2及び被検査体である感光体ドラム3の相互関係位置
、或は反射光6の反射方向に対する受光器2の傾きを極
めて精度良く調整しなければ検知精度に影響を及ぼすが
、これを設けることによって若干検知精度は落ちるが上
記関係位置や傾きの僅少な変化の影響を受けなくするこ
とができる。
からなる反射層26が設けられていて、反射光6が拡散
板21a、21bに入射し透過拡散したのち上記内壁で
反射して効率良くA光電子増倍管23a及びB光電子増
倍管23bによって受光されるようになっている。上記
拡散板21a、21bは、これがないと走査器l、受光
器2及び被検査体である感光体ドラム3の相互関係位置
、或は反射光6の反射方向に対する受光器2の傾きを極
めて精度良く調整しなければ検知精度に影響を及ぼすが
、これを設けることによって若干検知精度は落ちるが上
記関係位置や傾きの僅少な変化の影響を受けなくするこ
とができる。
受光器2は上記のような構成になっているので、なだら
かなうねり欠陥の場合には受光部2a、受光部2bの出
力に差が現れ、微少凹凸欠陥の場合には良好な表面の場
合に比べその出力が減少するのでいずれの欠陥をも精度
良く検出することができる。
かなうねり欠陥の場合には受光部2a、受光部2bの出
力に差が現れ、微少凹凸欠陥の場合には良好な表面の場
合に比べその出力が減少するのでいずれの欠陥をも精度
良く検出することができる。
マスク部材25によって規制される入射窓の輻dは最も
感度良く検知しようとする表面欠陥の大きさや種類によ
っても異なるが、例えばレーザー光4の走査面上におけ
る輝点の直径が55μmであるときはd−20mmとし
たとき良好な結果が得られた。
感度良く検知しようとする表面欠陥の大きさや種類によ
っても異なるが、例えばレーザー光4の走査面上におけ
る輝点の直径が55μmであるときはd−20mmとし
たとき良好な結果が得られた。
上記本発明の表面欠陥検査装置においては、被検査体表
面の欠陥検査に先立って走査器lの入射角θl及び受光
器2の受光角θrは被検査体の表面層即ち均質系層り、
の空気に対する屈折率をn、とすると、下記のθbに等
しくなるように調整される。
面の欠陥検査に先立って走査器lの入射角θl及び受光
器2の受光角θrは被検査体の表面層即ち均質系層り、
の空気に対する屈折率をn、とすると、下記のθbに等
しくなるように調整される。
tan θ b= n 。
このような入射角度θbはブルースター角といわれる。
このブルースター角に相当する角度θbで光か入射する
と第7図に示すように入射面に平行な振動面を有するp
偏光の反射率はOとなる。
と第7図に示すように入射面に平行な振動面を有するp
偏光の反射率はOとなる。
第7図はn+−1,5で入射光の振動面が入射面に平行
なp偏光(実線)及び垂直なS偏光(破線)の場合の入
射角θ1と反射率(%)の関係を示した図である。ブル
ースター角θbの前後で反射率の変化は約15度の範囲
であれば非常に緩慢で、かつその値も小さいため入射角
θlの調整及び走査中の入射角θlが多少ずれても問題
はない。
なp偏光(実線)及び垂直なS偏光(破線)の場合の入
射角θ1と反射率(%)の関係を示した図である。ブル
ースター角θbの前後で反射率の変化は約15度の範囲
であれば非常に緩慢で、かつその値も小さいため入射角
θlの調整及び走査中の入射角θlが多少ずれても問題
はない。
さらに、前記被検査体である感光体ドラム3の感光層り
が反射光R,と反射光R3とが干渉する構成の場合には
l/2波長板13を光路中に挿入する。
が反射光R,と反射光R3とが干渉する構成の場合には
l/2波長板13を光路中に挿入する。
これによりレーザー光4は入射面に対しp偏光となる。
従ってレーザー光4が感光体ドラム3の表面にブルース
ター角θbに相当する角度で入射すると、反射光R1は
0となり反射光R2のみが受光器2に入射し干渉は発生
しない。しかも、反射光R2には感光層りの欠陥情報が
十分含まれているので、感光体ドラム3表面の欠陥検査
を干渉によって妨害されずに行うことができる。
ター角θbに相当する角度で入射すると、反射光R1は
0となり反射光R2のみが受光器2に入射し干渉は発生
しない。しかも、反射光R2には感光層りの欠陥情報が
十分含まれているので、感光体ドラム3表面の欠陥検査
を干渉によって妨害されずに行うことができる。
また、感光層りの分散層L2の分散が大きく反射光R2
か弱くなる場合には1/2波長板13を光路中から退避
させる。これによりレーザー光4は入射面に対しS偏光
となるので、反射光R8は反射し受光器2に入射して反
射光R□による感光体ドラム3表面の欠陥検査が可能に
なる。
か弱くなる場合には1/2波長板13を光路中から退避
させる。これによりレーザー光4は入射面に対しS偏光
となるので、反射光R8は反射し受光器2に入射して反
射光R□による感光体ドラム3表面の欠陥検査が可能に
なる。
本実施例ではレーザー11は発射するレーザー光4の振
動面が入射面と垂直となるように設けられているがこれ
に限ることはなく、その振動面が入射面と平行となるよ
う設け、l/2波長板13の光路中からの挿脱を上記実
施例とは逆にしてもよく、また172波長板13を用い
ずに、レーザー11を90度回動して直線偏光のレーザ
ー光4を入射面に対してp偏光又はS偏光となるよう切
り替えるようにしてもよいことはいうまでもない。
動面が入射面と垂直となるように設けられているがこれ
に限ることはなく、その振動面が入射面と平行となるよ
う設け、l/2波長板13の光路中からの挿脱を上記実
施例とは逆にしてもよく、また172波長板13を用い
ずに、レーザー11を90度回動して直線偏光のレーザ
ー光4を入射面に対してp偏光又はS偏光となるよう切
り替えるようにしてもよいことはいうまでもない。
C発明の効果〕
本発明によれば以上説明したような構成によって、レー
ザー光をブルースター角に相当する角度で入射させ、単
にl/2波長板の挿脱又はレーザーの90度回動するの
みの簡単な操作で、従来lっの装置では検知不可能であ
った、性質の異なる表面層を有する多種類のOPC感光
体表面の欠陥検査を可能とし、干渉による検出精度低下
のない優れた表面欠陥検査装置を提供することができる
こととなった。
ザー光をブルースター角に相当する角度で入射させ、単
にl/2波長板の挿脱又はレーザーの90度回動するの
みの簡単な操作で、従来lっの装置では検知不可能であ
った、性質の異なる表面層を有する多種類のOPC感光
体表面の欠陥検査を可能とし、干渉による検出精度低下
のない優れた表面欠陥検査装置を提供することができる
こととなった。
第1図は本発明の一実施例を示す側面図、M2図は81
図の受光器のA−A線断面図、′ig3図は第1図の受
光器の中央縦断面図、第4図は第1図のレーザー光の展
開光路図、第5図は被検査体表面の各種欠陥の反射光の
状態を表した図、第6図は被検査体の表面層が2層から
なる場合の反射光の状態を表す図、第7図はレーザー光
の入射角度と反射率の関係を示す図である。 l・・・走査器 2・・・受光器2a・・・A
受光部 2b・・・B受光部3・・・感光体ドラ
ム(被検査体) 4・・・レーザー光 5・・・走査輝線6・・反射
光 11・・・レーザー13・・・1/2波長
板 16・・・回転多面鏡17・・・fθレンズ
18・・・同期センサ21a、21b・・・拡散
板 22・・・エツジ部材23d・・A光電子増倍管 23b・・B光電子増倍管
図の受光器のA−A線断面図、′ig3図は第1図の受
光器の中央縦断面図、第4図は第1図のレーザー光の展
開光路図、第5図は被検査体表面の各種欠陥の反射光の
状態を表した図、第6図は被検査体の表面層が2層から
なる場合の反射光の状態を表す図、第7図はレーザー光
の入射角度と反射率の関係を示す図である。 l・・・走査器 2・・・受光器2a・・・A
受光部 2b・・・B受光部3・・・感光体ドラ
ム(被検査体) 4・・・レーザー光 5・・・走査輝線6・・反射
光 11・・・レーザー13・・・1/2波長
板 16・・・回転多面鏡17・・・fθレンズ
18・・・同期センサ21a、21b・・・拡散
板 22・・・エツジ部材23d・・A光電子増倍管 23b・・B光電子増倍管
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基体表面に光吸収の少ない均質系層を設けたOPC感光
体を搬送させながらレーザー光をフライングスポット方
式で照射し、その反射光で前記被検査体表面の欠陥を検
査するようにした表面欠陥検査装置において、 被検査体表面に向けて前記レーザー光の直線偏光をほぼ
ブルースター角に相当する入射角で照射し、該レーザー
光の偏光方向を選定し、該レーザー光の反射光によって
前記被検査体表面の欠陥検査を行うことを特徴とする表
面欠陥検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9358290A JPH03291552A (ja) | 1990-04-09 | 1990-04-09 | 表面欠陥検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9358290A JPH03291552A (ja) | 1990-04-09 | 1990-04-09 | 表面欠陥検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03291552A true JPH03291552A (ja) | 1991-12-20 |
Family
ID=14086271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9358290A Pending JPH03291552A (ja) | 1990-04-09 | 1990-04-09 | 表面欠陥検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03291552A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06281589A (ja) * | 1993-03-26 | 1994-10-07 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 欠陥評価装置 |
| US6963076B1 (en) * | 2000-07-31 | 2005-11-08 | Xerox Corporation | System and method for optically sensing defects in OPC devices |
| US10775161B2 (en) * | 2017-06-02 | 2020-09-15 | Konica Minolta, Inc. | Roll object inspection apparatus |
-
1990
- 1990-04-09 JP JP9358290A patent/JPH03291552A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06281589A (ja) * | 1993-03-26 | 1994-10-07 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 欠陥評価装置 |
| US6963076B1 (en) * | 2000-07-31 | 2005-11-08 | Xerox Corporation | System and method for optically sensing defects in OPC devices |
| US10775161B2 (en) * | 2017-06-02 | 2020-09-15 | Konica Minolta, Inc. | Roll object inspection apparatus |
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