JPH03292764A - インバータモジュール - Google Patents

インバータモジュール

Info

Publication number
JPH03292764A
JPH03292764A JP2095354A JP9535490A JPH03292764A JP H03292764 A JPH03292764 A JP H03292764A JP 2095354 A JP2095354 A JP 2095354A JP 9535490 A JP9535490 A JP 9535490A JP H03292764 A JPH03292764 A JP H03292764A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
emitter
conductor
terminal
transistors
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2095354A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2585834B2 (ja
Inventor
Motosumi Yura
元澄 由良
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Okuma Corp
Original Assignee
Okuma Machinery Works Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Okuma Machinery Works Ltd filed Critical Okuma Machinery Works Ltd
Priority to JP2095354A priority Critical patent/JP2585834B2/ja
Publication of JPH03292764A publication Critical patent/JPH03292764A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2585834B2 publication Critical patent/JP2585834B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Inverter Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、交流電動機を可変速駆動するインバータ等に
使用されるトランジスタモジュールの構造及びこのトラ
ンジスタモジュールを使用したインバータ装置に関する
(従来の技術) 近年、交流電動機を可変速駆動するインバータ装置に対
して高集積化、高信頼性化の要求が高まっており、かか
るニーズに応えるべく複数のトランジスタを内蔵したト
ランジスタモジュールが実用化されている。
第4図に現在実用化されているトランジスタモジュール
lOの外観図を示す。このトランジスタモジュール10
はインバータを構成する6個のトランジスタを全て1つ
のパッケージにモジュール化したもので、このモジュー
ル1個でインバータが構成できるという便利なものであ
る。第5図にこのトランジスタモジュールlOの内部回
路図を示す。
このトランジスタモジュールlOは全ての端子を上面に
且つ同一平面上に配置したことによフて、各端子への接
続をプリント基板を利用して行なうことが出来、また、
ねじ止めによる接続端子としたことによって、装置の配
線作業の工数を軽減出来る。さらに第5図の内部回路図
に示す様に、トランジスタTRI、TR1,T115の
各コレクタ、トランジスタTR2、TR4、TR[iの
各エミッタ、トランジスタTRI、TR3,TR5(7
)各エミッタと出力端子(U、V、III)トを共用の
端子とすることによって端子数を少なくし、原価の低減
を実現している。
(発明が解決しようとする課題) 第4図の従来のトランジスタモジュール10はトランジ
スタTR2、TR4、TR6の各エミッタを共用し、1
つの端子(N) として共通化しているために、以下に
述へる様な課題があった。
かかる課題を第6図に基づいて、トランジスタTR2を
例として説明する。トランジスタTR2を駆動するヘー
スドライブ回路6Bの出力はトランジスタモジュールl
Oの82端子及びN端子に接続されているか、第4図か
ら判るように82端子及びN端子は離れた位置に配置さ
れており、その結果、第6図にρ3.14で示す様にペ
ーストライブ回路6BとトランジスタTR2を結ぶ回路
中にインダクタンス(f13.f14 )が生じてしま
う。このインダクタンスI1.3 、12 aの影響に
よって、モジュール内部のトランジスタのチップに実際
に印加されるヘース信号に遅れを生し、トランジスタの
スイッチングスピードがトランジスタチップの木来持っ
ているスピードよりも遅くなってしまうという弊害が発
生する。また、第6図に示すインダクタンス旦。
11aには、トランジスタのスイッチングに伴なって不
連続で高い変化率(di/dt)を持フた電流が流れる
ために、このインダクタンスfiI、Ilaの両端には
高いサージ電圧(e−ρ・di/dt)が発生し、トラ
ンジスタチップを過電圧により破壊し易いなどの弊害が
生している。
すなわち、インバータの小型化5高信頼化の要求か高ま
り、この要求に応えるためにインバータを構成するトラ
ンジスタを1つのパッケージに集積したトランジスタモ
ジュールが実用化されている(例えば6in!モジユー
ルなど)。かがる従来のトランジスタモジュールては端
子数を少なくするために、互いに接続されるエミッタな
どを共通化した1つの端子としている。しかし、このよ
うに端子を共用することによって、各トランジスタのエ
ミッタ線のインダクタンスか犬きくなって動作特性に影
響を与え、トランジスタ本来の性能が発揮できないとい
う弊害か生しているのである。
本発明は上述のような事情よりなされたものであり、本
発明の目的は、第5図に示す様な内部回路のトランジス
タモジュールにおいて内部インダクタンスを小さくし、
トランジスタの特性を損なうことなくエミッタ端子等を
共用化して、最低限の端子数で良好な特性を得るトラン
ジスタモジュール及びそれを用いたインバータ装置を提
供することにある。
(課題を解決するための手段) 本発明はトランジスタモジュールに関して、本発明の上
記目的は、エミッタが互いに接続された複数のトランジ
スタと、前記トランジスタの各ベース端子と同一もしく
は近傍の平面上で前記トランジスタの各エミッタを接続
し、かつ前記ベース端子の各近傍を通って配置され、前
記各トランジスタに共通のエミッタ端子に接続される導
体とを設けることによって達成される。また、他のトラ
ンジスタモジュールは、エミッタが互いに接続された第
1のトランジスタ群と、コレクタが互いに接続された第
2のトランジスタ群と、前記第1のトランジスタ群の各
エミッタを接続し共通のエミッタ端子に接続される第1
の導体と、前記第2のトランジスタ群の各コレクタを接
続し共通のコレクタ端子に接続されると共に、前記第1
の導体と隣り合って平行に配置された第2の導体とを設
けることによって達成され、本発明のインバータ装置は
上記トランジスタモジュールを具備し、前記トランジス
タモジュールを使用し、前記トランジスタモジュールの
各端子を配線パターンによって接続するプリント基板を
備えたインバータ装置において、前記トランジスタを駆
動するペースドライブ回路から前記トランジスタモジュ
ールのベース端子の近傍に至る区間は、前記ベースドラ
イブ回路から出力されるベース信号配線パターンと隣り
合って平行に配置され、前記ベース端子の近傍から前記
共通のエミッタ端子に至る区間は、前記各エミッタを接
続する導体に平行して配置されるエミッタ信号配線パタ
ーンを設けることによって達成される。
(作用) 本発明のトランジスタモジュールは、トランジスタモジ
ュール内部にあって、各ベース端子の近傍を通って各エ
ミッタを接続し、共通のエミッタ端子に接続される導体
と、プリント基板上にあって、この導体に平行して配置
されているエミッタ信号配線パターンが近接してかつ平
行しているために、お互いにインダクタンスをキャンセ
ルする様に作用する。すなわち、ベースドライブ回路か
ら出力されたエミッタ信号線は、ベース端子の近傍から
エミッタ信号配線パターンによって離れた位置にある共
通エミッタ端子に配線されるが、このパターンの直下に
ある導体によって直ぐ折返してベース端子近傍まで戻っ
て来るので、この間のインダクタンスを極めて小さくす
ることが出来る。また、ベースドライブ回路からベース
端子までの間は、ベース信号配線パターンとエミッタ信
号配線パターンを隣り合って平行に配置することによっ
てインダクタンスを小さくてきるので、結局ベースドラ
イブ回路からトランジスタのチップに至るまでインダク
タンスの極めて小さな配線を実現できる。
本発明によれば複数のトランジスタを集積し、かつ端子
ぼを少なくできるので、作業工数を少なくすることがで
き、また信頼性に優れた小型のインバータ装置を実現で
きる。
(実施例) 以下に本発明の実TJ’m例を説明する。
第1図に本発明によるトランジスタモジュールの外観図
と、インバータとして配線する際の実装配線図の例を示
す。図中てトランジスタモジュール1の端子配列は第4
図の従来の例と同一である。また、これらの端子に対す
る配線はプリント基板2によって実現されており、この
モシュルの内部回路は第5図で示した回路と同様である
第1図において、符号3で示す部分がトランジスタTR
2、TR4、Tl16の各エミッタを接続する導体であ
り、各ベース端子B2.B4,86の近傍を通って配置
されている。また、プリント基板2上にはエミッタ信号
配線パターン4が、各エミッタを接続する導体3に対し
て丁度上になるように、かつ平行に設けられている。第
2図にトランジスタモジュール1の内部の配線構造の例
を示す。第2図に示すようにトランジスタTR2,TR
4TR6の各エミッタを接続する導体3は、各ベース端
子82.B4,86とほぼ同じ高さの位置(つまり、近
傍の平面上)において各エミッタを接続している。また
、各トランジスタのチップから導体3の各エミッタの接
続部までの配線は、図に示すようにベース端子の配線と
平行して配線されるように工夫されている。
この様な内部の配線構造によって、例えばトランジスタ
TR2に関して説明すると、■で示す部分及びB2端子
に、ベースドライブ回路から出力されるエミッタ信号及
びベース信号を接続できれば、前述した様な内部インダ
クタンスによる弊害は発生しない、しかし、0部でエミ
ッタ信号を接続するためには端子を増やすことになり、
本発明の目的に反する。そこで、第1図に示す様にプリ
ント基板2上に0部の直ぐ真上にエミッタ信号配線パタ
ーン4を設け、0部で各ベースドライブ回路から出力さ
れるエミッタ信号を接続している。この0部及び0部の
間の配線経路は、■部−N@子−〇部という経路であり
、物理的な配線長は長いものの、その間に折り返して平
行して配線されていることからインダクタンスは極めて
小さい。よって、0部に接続されたエミッタ信号は、等
価的に0部に接続されたことに等しい。
また、第3図に本発明によるトランジスタモジュール1
の内部配線構造の他の例を示す。この例においては、各
エミッタを接続する導体3と各ベース端子82,414
 、BSと各トランジスタチップに至るまでの配線8を
ツイストペア線8を使用して行なっている。その目的は
、0部からトランジスタのチップまでのインダクタンス
を小さくすることである。しかしながら、この場合は第
3図から明らかなように、各トランジスタのエミッタの
配線が板状の導体3による配線とツイストペア線8によ
る配線の2つの経路を持ってしまう。そのため、本来は
板状の導体3を流れていたエミッタ電流がツイストペア
線8に流れることがある。この対策としては、第3図に
示すようにツイストへアM8をフェライトリングコア7
に通すことが有効であり、ツイストペア線8に流れる電
流を信号電流のみにすることができる。
本実施例ではトランジスタTRI、TR3,TR5の各
コレクタを接続する導体も、第1図中て符号5に示す様
に、また第2図中で符号5に示す様に各エミッタを接続
する導体3と平行に隣り合って配置しであるため、P端
子及びN端子の間の内部インダクタンスを極めて小さく
することかできる。なお、本発明による構造によって内
部インダクタンスを極めて小さくすることができるが、
残念ながら完全に無くすることは困難である。そのため
、IGBTやMOS−FETなどの様に高速で高いdi
/dtを実現できるトランジスタを使用する場合には、
極わずかに残存するインダクタンスによって前述した様
な弊害が発生する。この弊害を解決するためには、rG
BTやMOS−FETのゲートに直列に接続されるゲー
ト抵抗の値をトランジスタの配置に応じて調整する( 
IGBTやMOS−FETはゲート抵抗によってスイッ
チングスピードを可変できる)などの対策が必要である
(発明の効果) 以上のように、本発明によれば、複数のトランジスタを
内蔵したトランジスタモジュールにおいて、端子を共通
化することによって最低限の端子数としたトランジスタ
モジュールを、トランジスタの動作特性に影響を与える
ことなく実現することができる。その結果、高集積化に
よる小型化高信頼性化を実現し、かつ性能を確保したイ
ンバータ装置を実現てきる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明によるトランジスタモジュールの外観図
とインバータとして配線する際の実装配線図、第2図は
本発明によるトランジスタモジュールの内部配線構造の
例を示す図、第3図は本発明によるトランジスタモジュ
ールの内部配線構造の他の例を示す図、第4図は本発明
の対象となるトランジスタモジュールの従来技術の外観
図、第5図はその内部回路、第6図は本発明が解決しよ
うとする課題を説明するための回路図である。 1、lO・・・トランジスタモジュール、2・・・プリ
ント基板、3・・・導体、4・・・エミッタ信号配線パ
ター5・・・各コレクタを接続する導体、 6A、6B ベースドライブ回路、 7・・・フエライ リングコ 8・・・ツイストペア線。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、エミッタが互いに接続された複数のトランジスタと
    、前記トランジスタの各ベース端子と同一もしくは近傍
    の平面上で前記トランジスタの各エミッタを接続し、か
    つ前記ベース端子の各近傍を通って配置され、前記各ト
    ランジスタに共通のエミッタ端子に接続される導体とを
    備えたことを特徴とするトランジスタモジュール。 2、前記各端子はモジュールの上面に形成された凸部上
    に設けられ、前記各エミッタを接続する導体は絶縁材で
    被覆されており、前記絶縁材を含む前記導体の高さが前
    記凸部の上面と同一の高さになる様に配置されている請
    求項1に記載のトランジスタモジュール。 3、エミッタが互いに接続された第1のトランジスタ群
    と、コレクタが互いに接続された第2のトランジスタ群
    と、前記第1のトランジスタ群の各エミッタを接続し共
    通のエミッタ端子に接続される第1の導体と、前記第2
    のトランジスタ群の各コレクタを接続し共通のコレクタ
    端子に接続されると共に、前記第1の導体と隣り合って
    平行に配置された第2の導体とを備えたことを特徴とす
    るトランジスタモジュール。 4、請求項2又は3に記載のトランジスタモジュールを
    使用し、前記トランジスタモジュールの各端子を配線パ
    ターンによって接続するプリント基板を備えたインバー
    タ装置において、前記トランジスタを駆動するベースド
    ライブ回路から前記トランジスタモジュールのベース端
    子の近傍に至る区間は、前記ベースドライブ回路から出
    力されるベース信号配線パターンと隣り合って平行に配
    置され、前記ベース端子の近傍から前記共通のエミッタ
    端子に至る区間は、前記各エミッタを接続する導体に平
    行して配置されるエミッタ信号配線パターンを具備して
    いることを特徴とするインバータ装置。
JP2095354A 1990-04-11 1990-04-11 インバータモジュール Expired - Lifetime JP2585834B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2095354A JP2585834B2 (ja) 1990-04-11 1990-04-11 インバータモジュール

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2095354A JP2585834B2 (ja) 1990-04-11 1990-04-11 インバータモジュール

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH03292764A true JPH03292764A (ja) 1991-12-24
JP2585834B2 JP2585834B2 (ja) 1997-02-26

Family

ID=14135324

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2095354A Expired - Lifetime JP2585834B2 (ja) 1990-04-11 1990-04-11 インバータモジュール

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2585834B2 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1083603A3 (de) * 1999-09-08 2001-07-11 IXYS Semiconductor GmbH Leistungshalbleiter-Modul
JP2007266608A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Infineon Technologies Ag 半導体モジュール
JP2011244572A (ja) * 2010-05-18 2011-12-01 Fuji Electric Co Ltd 電力変換装置、ディスクリート型の制御型半導体素子及び制御型半導体素子モジュール
JP2012227979A (ja) * 2011-04-14 2012-11-15 Yaskawa Electric Corp 交流電動機の巻線切替装置及び交流電動機駆動システム
JP2016197956A (ja) * 2015-04-03 2016-11-24 富士電機株式会社 ゲート駆動装置及びそれを備えた電力変換装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6157540U (ja) * 1984-09-19 1986-04-17
JPS62115793U (ja) * 1986-01-10 1987-07-23
JPS63193553A (ja) * 1987-01-21 1988-08-10 シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト 半導体装置
JPH01194344A (ja) * 1988-01-28 1989-08-04 Fuji Electric Co Ltd パワートランジスタの並列接続方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6157540U (ja) * 1984-09-19 1986-04-17
JPS62115793U (ja) * 1986-01-10 1987-07-23
JPS63193553A (ja) * 1987-01-21 1988-08-10 シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト 半導体装置
JPH01194344A (ja) * 1988-01-28 1989-08-04 Fuji Electric Co Ltd パワートランジスタの並列接続方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1083603A3 (de) * 1999-09-08 2001-07-11 IXYS Semiconductor GmbH Leistungshalbleiter-Modul
JP2007266608A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Infineon Technologies Ag 半導体モジュール
JP2011244572A (ja) * 2010-05-18 2011-12-01 Fuji Electric Co Ltd 電力変換装置、ディスクリート型の制御型半導体素子及び制御型半導体素子モジュール
JP2012227979A (ja) * 2011-04-14 2012-11-15 Yaskawa Electric Corp 交流電動機の巻線切替装置及び交流電動機駆動システム
JP2016197956A (ja) * 2015-04-03 2016-11-24 富士電機株式会社 ゲート駆動装置及びそれを備えた電力変換装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2585834B2 (ja) 1997-02-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5459356A (en) Power semiconductor module having a plurality of semiconductor arrangements
US5466969A (en) Intelligent power device module
KR102694420B1 (ko) 전력 전자장치를 위한 패키지
US5512782A (en) Semiconductor device for DC/AC converter
JPH01181540A (ja) Tabパツケージ
JPH0372666A (ja) 半導体集積回路装置
JPH05218285A (ja) 集積回路チップ・パッケージ
JPH09219970A (ja) 半導体電力変換装置
JP2979930B2 (ja) 電力用半導体装置のパッケージ
JP4532303B2 (ja) 半導体モジュール
JP2585834B2 (ja) インバータモジュール
US5801451A (en) Semiconductor device including a plurality of input buffer circuits receiving the same control signal
JP2003224243A (ja) 半導体装置
KR960013630B1 (ko) 집적회로에서의 접지 변동 감소 장치
EP0527033A2 (en) Semiconductor module
JPH07118507B2 (ja) バンプ実装を用いる半導体集積回路
JP2001308264A (ja) 半導体装置
JP2002299544A (ja) 半導体装置
JP2744675B2 (ja) トランジスタモジュール
JPH06291251A (ja) 電力用半導体モジュール
JP7717027B2 (ja) 半導体装置
TWI800382B (zh) 開關元件
JP2599757B2 (ja) 半導体装置
CN119447083A (zh) 智能功率模块和电子设备
JP2022182438A (ja) スイッチング装置、半導体装置、およびスイッチング装置の製造方法