JPH03295855A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH03295855A JPH03295855A JP2097315A JP9731590A JPH03295855A JP H03295855 A JPH03295855 A JP H03295855A JP 2097315 A JP2097315 A JP 2097315A JP 9731590 A JP9731590 A JP 9731590A JP H03295855 A JPH03295855 A JP H03295855A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ｌ！上五五里玉上
本発明は、主にマイクロ波帯域と言われる領域において
使用される共振器等を構成する高周波用誘電体磁器組成
物に関する。
使用される共振器等を構成する高周波用誘電体磁器組成
物に関する。
従米辺孜ｌ
近年、自動車電話、携帯電話、コードレス電話などの無
線通信機に使用される空中線共用器（デュプレクサ−）
や電圧制御発振器等に使用される共振器、あるいはＣＡ
ＴＶ用チューナに使用されるフィルタ等に高周波用誘電
体磁器が多く用いられている。この様な共振器等におい
て高誘電率材料を使用することにより、高周波の波長を
真空中の１／ Ｅｉ（εｒ：比誘電率）の長さに短縮し
、かかる周波数における１波長、１／２波長、あるいは
１／４波長のマイクロ波を高周波誘電体磁器の中に閉じ
込め、所定の作用効果が得られるように、小形に構成し
たものが一般的に知られている。このような高周波用誘
電体磁器に要求される特性としては。
線通信機に使用される空中線共用器（デュプレクサ−）
や電圧制御発振器等に使用される共振器、あるいはＣＡ
ＴＶ用チューナに使用されるフィルタ等に高周波用誘電
体磁器が多く用いられている。この様な共振器等におい
て高誘電率材料を使用することにより、高周波の波長を
真空中の１／ Ｅｉ（εｒ：比誘電率）の長さに短縮し
、かかる周波数における１波長、１／２波長、あるいは
１／４波長のマイクロ波を高周波誘電体磁器の中に閉じ
込め、所定の作用効果が得られるように、小形に構成し
たものが一般的に知られている。このような高周波用誘
電体磁器に要求される特性としては。
（１）誘電体中では電磁波の波長が３．／Ｊ’Ｔτ（但
し、εｒは比誘電率）に短縮され、同じ共振周波数なら
ば誘電率が大きい担手形化できるため、可能な限り誘電
率が大であること、 （２）高周波帯域での誘電損失が小さいこと、（３）共
振周波数の温度変化に対する変化率が少ないこと、すな
わち誘電率の温度依存性が小さくかつ安定であること、 の３特性が挙げられる。
し、εｒは比誘電率）に短縮され、同じ共振周波数なら
ば誘電率が大きい担手形化できるため、可能な限り誘電
率が大であること、 （２）高周波帯域での誘電損失が小さいこと、（３）共
振周波数の温度変化に対する変化率が少ないこと、すな
わち誘電率の温度依存性が小さくかつ安定であること、 の３特性が挙げられる。
また、マイクロ波帯域でも自動車電話、パーソナル無線
、コードレステレホン等に用いられる比較的低周波帯域
とされるＩ ＧＨｚ程度の領域において適用する場合、
波長がかなり長くなるため、共振器等の小形化を図るた
めには誘電体磁器組成物としては誘電率がかなり高いも
のを必要とする。
、コードレステレホン等に用いられる比較的低周波帯域
とされるＩ ＧＨｚ程度の領域において適用する場合、
波長がかなり長くなるため、共振器等の小形化を図るた
めには誘電体磁器組成物としては誘電率がかなり高いも
のを必要とする。
従来、この種の誘電体磁器組成物としては、例えば、Ｂ
ａＯ−Ｎｄ２ｏｚ−ＴｉＯ□−Ｂｉ２Ｏａ系組成物、Ｂ
ａＯ−Ｎｄ２０ｘ−ＴｉＯ□−ＰｂＯ系組成物などが知
られている。
ａＯ−Ｎｄ２ｏｚ−ＴｉＯ□−Ｂｉ２Ｏａ系組成物、Ｂ
ａＯ−Ｎｄ２０ｘ−ＴｉＯ□−ＰｂＯ系組成物などが知
られている。
日が ゛しよ と る。
しかしながら、これらの材料においても誘電率はεｒ＝
７０〜９０程度であり、それ以上の高い誘電率のものを
得ようとすると、急激にＱ値が劣化するか、あるいは温
度特性が劣化し、誘電率を上げ共振器等の小形化を図る
には限度があった。
７０〜９０程度であり、それ以上の高い誘電率のものを
得ようとすると、急激にＱ値が劣化するか、あるいは温
度特性が劣化し、誘電率を上げ共振器等の小形化を図る
には限度があった。
また、誘電体グリーンシートに内部電極ペーストを印刷
してそれらを積層し、その後前記内部電極ペーストと前
記誘電体グリーンシートを同時焼結させ、この焼結体に
外部電極を形成した、いわゆる積層形の誘電体共振器、
フィルタとすることにより、内部導体形状を色々な形状
に設計し、前記焼結体の大きさを共振波長に比べて大幅
に小さくすることも考えられている。
してそれらを積層し、その後前記内部電極ペーストと前
記誘電体グリーンシートを同時焼結させ、この焼結体に
外部電極を形成した、いわゆる積層形の誘電体共振器、
フィルタとすることにより、内部導体形状を色々な形状
に設計し、前記焼結体の大きさを共振波長に比べて大幅
に小さくすることも考えられている。
しかしマイクロ波帯域で使用される電極には低抵抗であ
ることが要求されるため、この帯域における共振器等で
は一般に電極としてＡｕ、 Ａｇ、Ｃｕ、Ａ１等の金属
が使用されており、同時焼結させるにはそれらの金属の
融点よりも低い温度で焼結する組成物が必要になる。
ることが要求されるため、この帯域における共振器等で
は一般に電極としてＡｕ、 Ａｇ、Ｃｕ、Ａ１等の金属
が使用されており、同時焼結させるにはそれらの金属の
融点よりも低い温度で焼結する組成物が必要になる。
しかしながら、従来の高周波用誘電体磁器は１３００〜
１５００℃で焼結されており、マイクロ波帯域で適して
いるＡｕ、 Ａｇ、Ｃｕ等の金属材料を内部電極材料と
して採用することができないといった課題があった。
１５００℃で焼結されており、マイクロ波帯域で適して
いるＡｕ、 Ａｇ、Ｃｕ等の金属材料を内部電極材料と
して採用することができないといった課題があった。
本発明は上記した課題に鑑み発明されたものであって、
高周波用共振器等のより一層の小形化を可能とする、誘
電率が高く、誘電損失が低く、誘電率の温度依存性が小
さくかつ安定で、従って製造される誘電体共振器の共振
周波数の温度依存性が小さく、しかもＡｕ 、Ａｇ−Ｐ
ｄ等を内部電極材料として使用できる低温で焼結可能な
誘電体磁器組成物を提供することを目的としている。
高周波用共振器等のより一層の小形化を可能とする、誘
電率が高く、誘電損失が低く、誘電率の温度依存性が小
さくかつ安定で、従って製造される誘電体共振器の共振
周波数の温度依存性が小さく、しかもＡｕ 、Ａｇ−Ｐ
ｄ等を内部電極材料として使用できる低温で焼結可能な
誘電体磁器組成物を提供することを目的としている。
課題を解゛するだめの １
本発明者は上記課題に対して、研究を重ねた結果、Ｂａ
Ｏ１Ｎｄ２０３、Ｓｍ２０ａ、 Ｔｉｏ２． ｐｂｏ、
Ｂｉ２５３からなる系にＧｅＯ□、Ｂ２０１、ＺｎＯを
添加することによって、高誘電率で誘電率の温度依存性
の小さい、即ち共振周波数の温度依存性が小さく、かつ
、高Ｑ値の特性を有し、しかも、 Ａｕ、Ａｇ−Ｐｄを
内部導体として使用できる１０００〜１０５０℃の低温
で焼結できる誘電体磁器組成物が得られることを知見し
、本発明を完成するに至った。
Ｏ１Ｎｄ２０３、Ｓｍ２０ａ、 Ｔｉｏ２． ｐｂｏ、
Ｂｉ２５３からなる系にＧｅＯ□、Ｂ２０１、ＺｎＯを
添加することによって、高誘電率で誘電率の温度依存性
の小さい、即ち共振周波数の温度依存性が小さく、かつ
、高Ｑ値の特性を有し、しかも、 Ａｕ、Ａｇ−Ｐｄを
内部導体として使用できる１０００〜１０５０℃の低温
で焼結できる誘電体磁器組成物が得られることを知見し
、本発明を完成するに至った。
即ち、本発明に係る誘電体磁器組成物は、組成式が
ＸＢａ０ｙ（（ＮｄｚＯａｌ＋−ａ （ＳｍａＯｓｌ
ｃｒ） ＺＴｉＯ７ｕＰｂｏ・ｖ ＢｉｚＣ１３ ただし ０．０９０ ＜χ＜０．１６０ ０．１３０ ＜、ｙ＜０．１６０ ０．６５０ ＜ ｚ ＜０．７００ ０．０４５ ＜ ｕ ＜０．０８０ ０．００５ ＜ ｖ ＜０．０４５ χ＋ｙ ＋ ｚ ＋ ｕ ＋ ｖ ” １０ ≦α＜
０．２５ で示される主成分に対し、副成分としてＧｅｍ、が１．
０〜４．０重量％ ＺｎＯが０７５〜３．５重量％及び Ｂ２Ｏ３が０．７５〜３．５重量％ の割合で添加されていることを特徴としている。
ｃｒ） ＺＴｉＯ７ｕＰｂｏ・ｖ ＢｉｚＣ１３ ただし ０．０９０ ＜χ＜０．１６０ ０．１３０ ＜、ｙ＜０．１６０ ０．６５０ ＜ ｚ ＜０．７００ ０．０４５ ＜ ｕ ＜０．０８０ ０．００５ ＜ ｖ ＜０．０４５ χ＋ｙ ＋ ｚ ＋ ｕ ＋ ｖ ” １０ ≦α＜
０．２５ で示される主成分に対し、副成分としてＧｅｍ、が１．
０〜４．０重量％ ＺｎＯが０７５〜３．５重量％及び Ｂ２Ｏ３が０．７５〜３．５重量％ の割合で添加されていることを特徴としている。
土用
本発明の誘電体磁器組成物の主成分は、ＲＥＯ（希土類
酸化物） −ＢａＯ−ＴｉＯｘ系にｐｂｏとＢ１１０ａ
を加えた組成で、希土類酸化物としてＮｃｌａＯ，とＳ
ｍｘＯｓを用いている。そして、これに１０００℃〜１
０５０℃の低温焼結を可能とするため、副成分としてＧ
ｅＯ□、ＺｎＯ、Ｂａ５ｓを添加している。
酸化物） −ＢａＯ−ＴｉＯｘ系にｐｂｏとＢ１１０ａ
を加えた組成で、希土類酸化物としてＮｃｌａＯ，とＳ
ｍｘＯｓを用いている。そして、これに１０００℃〜１
０５０℃の低温焼結を可能とするため、副成分としてＧ
ｅＯ□、ＺｎＯ、Ｂａ５ｓを添加している。
本発明においては、希土類酸化物としてＮｄ２Ｏ５とＳ
ｍ２０ｓの二種類を用いている。これは次の様な理由に
よる。この系において、誘電率、Ｑ値が良好で、焼結温
度の低い組成点においては、共振周波数の温度係数τｆ
を調整するために、希土類酸化物量（本発明においては
、Ｎｄ２Ｏ，とＳｍｚＯａのトータル量）を変化させる
と、他の特性が劣化する。他方、Ｎｄ、０． 、 Ｓ、
、０．は両方とも共振周波数の温度係数ｔｆをマイナス
側へ移行させる性質を有しているが、ＳｍａＯａの方が
その効果が大であり、両者の割合を考慮することにより
誘電率、Ｑ値をあまり変化させずにτｆを調整できるか
らである。従って、ＮｄｚＯｓとＳｍｚＯｓの割合を変
化させることにより、適正な範囲にｔｆが調整される。
ｍ２０ｓの二種類を用いている。これは次の様な理由に
よる。この系において、誘電率、Ｑ値が良好で、焼結温
度の低い組成点においては、共振周波数の温度係数τｆ
を調整するために、希土類酸化物量（本発明においては
、Ｎｄ２Ｏ，とＳｍｚＯａのトータル量）を変化させる
と、他の特性が劣化する。他方、Ｎｄ、０． 、 Ｓ、
、０．は両方とも共振周波数の温度係数ｔｆをマイナス
側へ移行させる性質を有しているが、ＳｍａＯａの方が
その効果が大であり、両者の割合を考慮することにより
誘電率、Ｑ値をあまり変化させずにτｆを調整できるか
らである。従って、ＮｄｚＯｓとＳｍｚＯｓの割合を変
化させることにより、適正な範囲にｔｆが調整される。
各成分が上記範囲を逸脱した場合、１０００℃〜１０５
０℃の低温での焼結が不可能になるが、あるいは可能な
場合でも誘電率εｒが低かったり、あるいは共振周波数
の温度系数が、±２０ｐｐｍ／”Ｃの範囲を出たり、あ
るいは、Ｑ値が、１５００以下と低くなる。
０℃の低温での焼結が不可能になるが、あるいは可能な
場合でも誘電率εｒが低かったり、あるいは共振周波数
の温度系数が、±２０ｐｐｍ／”Ｃの範囲を出たり、あ
るいは、Ｑ値が、１５００以下と低くなる。
！籍１ｄａム此較舅
（Ｉ）誘電体磁器の調整
■高純度の炭酸バリウム（ＢａＣＯ，ｌ、酸化ネオジウ
ｂ （ＮｄｚＯｓ）、酸化サマリウム（Ｓｍ２０ｇ）、
酸化チタン（ＴｘＯｚｌ 、酸化鉛（ｐｂｏ）、酸化ビ
スマス（Ｂｉ２０３）酸化ゲルマニウム（ＧｅＯ２１、
酸化亜鉛（Ｚｎ０１、無水ホウ酸（８，０３１をそれぞ
れ第１表に示した比率で秤量した。
ｂ （ＮｄｚＯｓ）、酸化サマリウム（Ｓｍ２０ｇ）、
酸化チタン（ＴｘＯｚｌ 、酸化鉛（ｐｂｏ）、酸化ビ
スマス（Ｂｉ２０３）酸化ゲルマニウム（ＧｅＯ２１、
酸化亜鉛（Ｚｎ０１、無水ホウ酸（８，０３１をそれぞ
れ第１表に示した比率で秤量した。
■上記出発原料をボールミルにて一昼夜湿式混合した後
乾燥させた。
乾燥させた。
■上記混合物を９００℃程度の温度で約２時間仮焼した
。
。
■仮焼した混合物をボールミルにて一昼夜湿式粉砕した
後乾燥させた。
後乾燥させた。
■上記乾燥粉末に約１重量％のバインダを添加して整粒
した。
した。
■約１０００ｋｇ／ｃｍ”の圧力で成形し、９７５−１
３５０°Ｃで約２時間空気中にて焼成した。
３５０°Ｃで約２時間空気中にて焼成した。
（ＩＩ）特性の測定
得られた誘電体磁器を誘電体円柱共振器法により、共振
周波数３．０〜４．０ＧＨｚにおいて誘電率、Ｑ値及び
共振周波数の温度係数について測定した。
周波数３．０〜４．０ＧＨｚにおいて誘電率、Ｑ値及び
共振周波数の温度係数について測定した。
結果を第１表に示す。
Ｃ以下余白）
以下実施例のものと比較例のものとを比べ、本発明に係
る組成範囲外での比較例における問題点を述べる。
る組成範囲外での比較例における問題点を述べる。
χ＞ ０．１６０の場合：Ｎｏ、１０の様に焼結温度が
高くなる。
高くなる。
ン、 ＜ ０．０９０の場合 Ｎ０９８の様にＱ値が低
くなる。
くなる。
ｙ＞０．１６０の場合・Ｎｏ、１０の様に焼結温度が高
くなる。
くなる。
ｙ＜０．１３０の場合 Ｎｏ、９の様にＱ値が低くなる
。
。
ｚ＞０．７２６の場合：Ｎｏ、１１の様にＱ値が低くな
る。
る。
ｚ＜０．６５０の場合 Ｎｏ、 １２の様にＱ値が低く
なる。
なる。
ｕ＞０．０８０の場合：Ｎｏ、１２の様にＱ値が低くな
る。
る。
ｕ＜０．０４５の場合：Ｎｏ、１３の様にＱ値が低くな
る。
る。
ｖ＞０．０４５の場合：Ｎｏ、１３の様にＱ値が低くな
る。
る。
ｖ＜０．００３の場合：Ｎｏ、１４の様に焼結温度が高
くなる６ ａ＞０．２５の場合：Ｎｏ、５の様にてｆが負側に大と
なる。
くなる６ ａ＞０．２５の場合：Ｎｏ、５の様にてｆが負側に大と
なる。
ＧｅＯ□〉４０重量％の場合：Ｎｏ、２１の様に焼結温
度が高くなる。
度が高くなる。
Ｇｅ０ｚ＜１．０重量％の場合：Ｎｏ、２３の様にＱ値
が低くなる。
が低くなる。
ＺｎＯ＞３．５重量％の場合：Ｎｏ、２２の様にＱ値が
低（なる。
低（なる。
ＺｎＯ＜０．７５重量％の場合：Ｎｏ、２３の様にＱ値
が低くなる。
が低くなる。
８２０ｍ＞ ３．５重量％の場合：Ｎｏ、２３の様にＱ
値が低くなる。
値が低くなる。
Ｂ２（ｈ＜０．５重量％の場合： Ｎｏ、２２ 、Ｎｏ
、２４の様に焼結温度が高くなる。
、２４の様に焼結温度が高くなる。
このように比較例のものでは上記のような問題点が残る
。
。
一方、本発明に係る組成の範囲内のものであるＮｏ、
１．２．３．４．６．７．１５．１６．１７．１８．１
９．２０については、誘電率がεｒ ＝ ６９．３〜７
５．６と高く、Ｑ値もｆ−Ｑ＝１６９１〜２８３６と高
く、また共振周波数の温度係数てｆもτｆ・−１６，５
〜＋ ６．３ｐｐｍ／’Ｃと安定で、しかも９７５〜１
０５０℃の低温で焼結でき、本発明の目的が達成されて
いる。
１．２．３．４．６．７．１５．１６．１７．１８．１
９．２０については、誘電率がεｒ ＝ ６９．３〜７
５．６と高く、Ｑ値もｆ−Ｑ＝１６９１〜２８３６と高
く、また共振周波数の温度係数てｆもτｆ・−１６，５
〜＋ ６．３ｐｐｍ／’Ｃと安定で、しかも９７５〜１
０５０℃の低温で焼結でき、本発明の目的が達成されて
いる。
光ｌしΣ迩果
以上の説明により明らかなように、本発明に係る誘電体
磁器組成物にあっては、ＢａＯ，ＮｄｚＯｓＳｍ２０ｘ
、Ｔｌ０ｚ、ｐｂｏ、ＢｊｚＯｓを主成分とし、副成分
としてＧｅＯ□、 ＺｎＯ１Ｂ２０３が所定量添加され
ており、誘電率及びＱ値が高く、しかも共振周波数の温
度依存性が小さく、さらにはＡｕ、 Ａｇ−Ｐｄを内部
電極として使用できる、低温で焼結可能な誘電体磁器組
成物を得ることができる。
磁器組成物にあっては、ＢａＯ，ＮｄｚＯｓＳｍ２０ｘ
、Ｔｌ０ｚ、ｐｂｏ、ＢｊｚＯｓを主成分とし、副成分
としてＧｅＯ□、 ＺｎＯ１Ｂ２０３が所定量添加され
ており、誘電率及びＱ値が高く、しかも共振周波数の温
度依存性が小さく、さらにはＡｕ、 Ａｇ−Ｐｄを内部
電極として使用できる、低温で焼結可能な誘電体磁器組
成物を得ることができる。
従って、高周波用共振器、フィルタ等の大幅な小形化が
可能になり、その有用性は極めて大きい。
可能になり、その有用性は極めて大きい。
Claims (1)
- （１）組成式が ｘＢａＯ・ｙ｛（Ｎｄ＿２Ｏ＿３）＿１＿−＿α（Ｓｍ
＿２Ｏ＿３）＿α｝・ｚＴｉＯ＿２・ｕＰｂＯ・ｖＢｉ
＿２Ｏ＿３ ただし ０．０９０＜ｘ＜０．１６０ ０．１３０＜ｙ＜０．１６０ ０．６５０＜ｚ＜０．７００ ０．０４５＜ｕ＜０．０８０ ０．００５＜ｖ＜０．０４５ ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｕ＋ｖ＝１ ０≦α＜０．２５ で示される主成分に対し、副成分として ＧｅＯ＿２が１．０〜４．０重量％ ＺｎＯが０．７５〜３．５重量％及び Ｂ＿２Ｏ＿３が０．７５〜３．５重量％ の割合で添加されていることを特徴とする誘電体磁器組
成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2097315A JP2526702B2 (ja) | 1990-04-11 | 1990-04-11 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2097315A JP2526702B2 (ja) | 1990-04-11 | 1990-04-11 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03295855A true JPH03295855A (ja) | 1991-12-26 |
| JP2526702B2 JP2526702B2 (ja) | 1996-08-21 |
Family
ID=14189056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2097315A Expired - Fee Related JP2526702B2 (ja) | 1990-04-11 | 1990-04-11 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2526702B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5264403A (en) * | 1991-09-27 | 1993-11-23 | Ngk Insulators, Ltd. | Dielectric ceramic composition containing ZnO-B2 O3 -SiO2 glass |
| JPH05334914A (ja) * | 1992-05-29 | 1993-12-17 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 誘電体磁器組成物 |
| US5292694A (en) * | 1991-09-27 | 1994-03-08 | Ngk Insulators, Ltd. | Method of producing low temperature firing dielectric ceramic composition containing B2 O3 |
| US5479140A (en) * | 1991-09-27 | 1995-12-26 | Ngk Insulators, Ltd. | Dielectric ceramic composition containing ZnO-B2 O3 -SiO2 glass, method of preparing the same, and resonator and filter using the dielectric ceramic composition |
| US5683790A (en) * | 1992-12-28 | 1997-11-04 | Tdk Corporation | Multilayer ceramic parts |
| US6340649B1 (en) | 1999-03-16 | 2002-01-22 | Tdk Corporation | Composition of dielectric ceramics and producing method thereof |
-
1990
- 1990-04-11 JP JP2097315A patent/JP2526702B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US5304521A (en) * | 1991-09-27 | 1994-04-19 | Ngk Insulators, Ltd. | Dielectric ceramic composition containing ZnO-B2 O3 -SiO2 glass, method of preparing the same, and resonator and filter using the dielectric ceramic composition |
| US5350721A (en) * | 1991-09-27 | 1994-09-27 | Ngk Insulators, Ltd. | Dielectric ceramic composition containing ZNO-B203-SI02 glass, method of preparing the same, and resonator and filter using the dielectric ceramic composition |
| US5458981A (en) * | 1991-09-27 | 1995-10-17 | Ngk Insulators, Ltd. | Method of producing low temperature firing dielectric ceramic composition containing B2 O3 |
| US5479140A (en) * | 1991-09-27 | 1995-12-26 | Ngk Insulators, Ltd. | Dielectric ceramic composition containing ZnO-B2 O3 -SiO2 glass, method of preparing the same, and resonator and filter using the dielectric ceramic composition |
| US5485132A (en) * | 1991-09-27 | 1996-01-16 | Ngk Insulators, Ltd. | Dielectric ceramic composition containing ZnO-B2 O3 -SiO2 glass, method of preparing the same, and resonator and filter using the dielectric ceramic composition |
| US5488019A (en) * | 1991-09-27 | 1996-01-30 | Ngk Insulators, Ltd. | Dielectric ceramic composition containing ZnO-B2 O3 -SiO2 glass, method of preparing the same, and resonator and filter using the dielectric ceramic composition |
| US5493262A (en) * | 1991-09-27 | 1996-02-20 | Ngk Insulators, Ltd. | Dielectric ceramic composition containing ZnO-B2 O3 -SiO2 glass, method of preparing the same, and resonator and filter using the dielectric ceramic composition |
| JPH05334914A (ja) * | 1992-05-29 | 1993-12-17 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 誘電体磁器組成物 |
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| US6340649B1 (en) | 1999-03-16 | 2002-01-22 | Tdk Corporation | Composition of dielectric ceramics and producing method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2526702B2 (ja) | 1996-08-21 |
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