JPH03296024A - Ｍｉｍ液晶パネル及びその製造方法 - Google Patents
Ｍｉｍ液晶パネル及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH03296024A JPH03296024A JP2099523A JP9952390A JPH03296024A JP H03296024 A JPH03296024 A JP H03296024A JP 2099523 A JP2099523 A JP 2099523A JP 9952390 A JP9952390 A JP 9952390A JP H03296024 A JPH03296024 A JP H03296024A
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- JP
- Japan
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- mim
- liquid crystal
- crystal panel
- electrode
- mim element
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、ＭＩＭ素子を用いた液晶パネルの歩留り向上
に関する。
に関する。
［従来の技術］
第３図は、従来のＭＩＭ液晶パネルの素子部の斜視図で
ある。素子の製造プロセスの概要は、以下の様になって
いる。
ある。素子の製造プロセスの概要は、以下の様になって
いる。
まず、下地タンタル酸化１１１３５の形成を行なった後
素子の第１電極であるタンタル３１の膜形成及びパター
ニングを行なう。次にタンタル３１を陽極酸化してタン
タルオキサイド３２を形成する、続いて第２′Ｆ４極で
あるクロム３３の膜形成及びパターニングを行なう６画
素電極３４は、透明導電膜ＩＴＯにより形成される。
素子の第１電極であるタンタル３１の膜形成及びパター
ニングを行なう。次にタンタル３１を陽極酸化してタン
タルオキサイド３２を形成する、続いて第２′Ｆ４極で
あるクロム３３の膜形成及びパターニングを行なう６画
素電極３４は、透明導電膜ＩＴＯにより形成される。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら従来のＭＩＭ素子には、以下の様な欠点が
あった。
あった。
第２図は、従来のＭＩＭ素子の断面図である。
第２電極であるクロム３３は、クンタル酸化ｌｌ１３２
の上に形成されるが、タンタル酸化膜のテーパー２４の
形状や、先端２３の形状により、段差の上側２１や下側
２３でクロム３３が切れるという不良が生じた。又段差
の下側２３では、先端が尖っており、電界が集中する為
、場合により素子の耐圧が低下したり、素子がショート
して不良になる事もあった。
の上に形成されるが、タンタル酸化膜のテーパー２４の
形状や、先端２３の形状により、段差の上側２１や下側
２３でクロム３３が切れるという不良が生じた。又段差
の下側２３では、先端が尖っており、電界が集中する為
、場合により素子の耐圧が低下したり、素子がショート
して不良になる事もあった。
［課題を解決するための手段］
本発明のＭＩＭ液晶パネルは、以上の様な不良を解決す
る為に次の様な特徴を有す。
る為に次の様な特徴を有す。
（１）少なくとも一方の基板にＭＩＭ素子を形成した液
晶パネルにおいて、該ＭＩＭ素子の面積は、画素電極の
面積の１／１０以下であり、かつ該ＭＩＭ素子は、第１
電極を酸化した膿の上に第２１１ｉ極を形成した構成と
なっており、画素電極は、該ＭＩＭ素子の真上に存る事
を特徴とする。
晶パネルにおいて、該ＭＩＭ素子の面積は、画素電極の
面積の１／１０以下であり、かつ該ＭＩＭ素子は、第１
電極を酸化した膿の上に第２１１ｉ極を形成した構成と
なっており、画素電極は、該ＭＩＭ素子の真上に存る事
を特徴とする。
（２）第１項記載のＭＩＭ液晶パネルは、該ＭＩＭ素子
の第２１ｆ極のパターンは、ＭＩＭ素子から延長された
部分を有さず、画素とＭＩＭ素子とのコンタクト部を兼
ねている事を特徴とする。
の第２１ｆ極のパターンは、ＭＩＭ素子から延長された
部分を有さず、画素とＭＩＭ素子とのコンタクト部を兼
ねている事を特徴とする。
（３）第２項記載のＭＩＭ液晶パネルは、該ＭＩＭ素子
の製造プロセス中に、以下のプロセスを含んでいる事を
特徴とする。
の製造プロセス中に、以下のプロセスを含んでいる事を
特徴とする。
第２電極をフォトエツチングする際のレジストを第２電
極パターン上に残したまま絶縁薄膜を形成し、その後該
レジストを除去した後画素電極を形成する。
極パターン上に残したまま絶縁薄膜を形成し、その後該
レジストを除去した後画素電極を形成する。
（４）第２項記載のＭＩＭ液晶パネルにおいて、該ＭＩ
Ｍ素子の第１電極に用いる材料は、タンタル、シリコン
、アルミニウム、亜鉛よりなるグループの１つである事
を特徴とする。
Ｍ素子の第１電極に用いる材料は、タンタル、シリコン
、アルミニウム、亜鉛よりなるグループの１つである事
を特徴とする。
（５）第２項記載のＭＩＭ液晶パネルにおいて、該ＭＩ
Ｍ素子の第２電極に用いる材料は、タンクル、アルミニ
ウム、クロム、金、ＩＴＯ、ニクロム金よりなるグルー
プの１つである事を特徴とする。
Ｍ素子の第２電極に用いる材料は、タンクル、アルミニ
ウム、クロム、金、ＩＴＯ、ニクロム金よりなるグルー
プの１つである事を特徴とする。
（６）第３項記載のＭＩＭ液晶パネルにおいて、第２を
極上にレジストを残したまま形成する絶縁薄膜は、有機
膜、金属酸化膜、金属窒化膜の中の１つあるいは、これ
らの混合である事を特徴とする。
極上にレジストを残したまま形成する絶縁薄膜は、有機
膜、金属酸化膜、金属窒化膜の中の１つあるいは、これ
らの混合である事を特徴とする。
（７）第６項記載の有機膜として、ポリイミド系樹脂（
イミド結合を有す）を用いることを特徴とする。
イミド結合を有す）を用いることを特徴とする。
（８）第６項記載の金属酸化膜として、ＳｉＯ２，Ａ２
ｚ Ｏｘ 、ＴｉＯ□の中の１つ、あるいは、これらの
混合よりなることを特徴とする。
ｚ Ｏｘ 、ＴｉＯ□の中の１つ、あるいは、これらの
混合よりなることを特徴とする。
（９）第６項記載の金属窒化膜としてＳ ｉ Ｎｘを用
いる事を特徴とする。
いる事を特徴とする。
（１０）第２項記載のＭＩＭ液晶パネルにおいて、該Ｍ
ＩＭ素子の第１電極パターンの側面は、酸化されておら
ず、上面のみ酸化されている事を特徴とする。
ＩＭ素子の第１電極パターンの側面は、酸化されておら
ず、上面のみ酸化されている事を特徴とする。
［実 施 例］
第１図は、本発明のＭＩＭ液晶パネルのＭＩＭ素子部分
の斜視図である。クロムパターン１１の部分がＭＩＭ素
子の第２電極であり、画素透明電極３４とＭＩＭ素子の
コンタクトも兼ねている。
の斜視図である。クロムパターン１１の部分がＭＩＭ素
子の第２電極であり、画素透明電極３４とＭＩＭ素子の
コンタクトも兼ねている。
絶縁膜１２は、５ｉＯ−をスパッタ法により堆積して形
成している。この絶縁膜は、有機膜、金属酸化膜、金属
窒化膜の中の１つ、あるいは、それらの混合により作る
ことが出来、画素のＩＴＯ電極３４がクンクル３１の段
差でショートしたり、断線したりするのを防止している
。
成している。この絶縁膜は、有機膜、金属酸化膜、金属
窒化膜の中の１つ、あるいは、それらの混合により作る
ことが出来、画素のＩＴＯ電極３４がクンクル３１の段
差でショートしたり、断線したりするのを防止している
。
第４図は、本発明のＭＩＭ液晶パネルのＭＩＭ素子部分
の断面−図である。第４図（ａ）は、タンタル酸化Ｍ３
２がタンクルパターンの側面にある場合の例であり、第
４図（ｂ）は、タンタル酸化膜４３がクンタルパターン
の側面にはない場合の断面を示す。第４図（ａ）におい
て、絶縁膜４２がタンタル３１の段差を被覆している為
、画素の透明電極３４は、断線しにくく、又タンタル３
１と画素透明電極３４との間でショートする事も生しな
い。第４図（ｂ）においては、タンタル酸化膜４３がタ
ンタルパターンの側面についていない為、（ａ）の例よ
り段差による凹凸が生じにくく、絶縁膜の表面は、（ａ
）に比べて更に平坦になる。その為画素透明電極３４は
、−層断線しにくくなった。第５図は、第４図（ａ）の
ＭＩＭ素子を製造するプロセスを示した図である。
の断面−図である。第４図（ａ）は、タンタル酸化Ｍ３
２がタンクルパターンの側面にある場合の例であり、第
４図（ｂ）は、タンタル酸化膜４３がクンタルパターン
の側面にはない場合の断面を示す。第４図（ａ）におい
て、絶縁膜４２がタンタル３１の段差を被覆している為
、画素の透明電極３４は、断線しにくく、又タンタル３
１と画素透明電極３４との間でショートする事も生しな
い。第４図（ｂ）においては、タンタル酸化膜４３がタ
ンタルパターンの側面についていない為、（ａ）の例よ
り段差による凹凸が生じにくく、絶縁膜の表面は、（ａ
）に比べて更に平坦になる。その為画素透明電極３４は
、−層断線しにくくなった。第５図は、第４図（ａ）の
ＭＩＭ素子を製造するプロセスを示した図である。
■ガラス基板５１ （表面に絶縁層を付けた基板でも良
い）上にタンタル薄１！１１５２を形成する。
い）上にタンタル薄１！１１５２を形成する。
■上記タンタル薄膜をフォトエツチングする。
■クンタル薄膜を陽極酸化してタンタル酸化膜５３を形
成する。
成する。
■クロムパターン５４を形成し、その際レジスト５５を
残しておく。
残しておく。
■絶縁層５６を形成する。
■レジスト５５を除去する。
■画素透明電極５７を形成する。
以上のプロセスにより第４図（ａ）のＭＩＭ素子を形成
する事が出来る。
する事が出来る。
第６図は、第４図（ｂ）のＭＩＭ素子を製造するプロセ
スを示した図である。
スを示した図である。
■ガラス基板６１ （表面に絶縁膜を付けた基板でも良
い）上にクンタル薄膜６２を形成する。
い）上にクンタル薄膜６２を形成する。
■上記タンタル薄膜を陽極酸化してタンタル酸化膜６３
を形成する。
を形成する。
■クロム膜６４を形成する。
■クロム膜、タンタル酸化膜、タンタルをフォトエツチ
ングによりバターニングする。
ングによりバターニングする。
■フォトエツチングによりクロムパターン６８を形成し
、この時レジスト６５を残しておく。
、この時レジスト６５を残しておく。
■絶縁膜６６を形成する。
■レジスト６５を除去する。
■画素電極ＩＴＯ６７を形成する。
以上のプロセスにより本発明のＭＩＭ素子を形成する事
が出来る。
が出来る。
第７図は、本発明の構造を有するＭＩＭ素子を用いたＭ
ＩＭパネルの画素部分の平面図である。
ＩＭパネルの画素部分の平面図である。
タンクルライン７１からＭＩＭ素子７２を通して画素電
極７３に信号が供給される。７４は対向電極である０画
素電極７３とＭＩＭ素子７２の面積比は、少なくとも１
０：１以上である事が必要である。これは、画素の容量
とＭＩＭ素子の容量との比が駆動に大きく影響を与える
為である。
極７３に信号が供給される。７４は対向電極である０画
素電極７３とＭＩＭ素子７２の面積比は、少なくとも１
０：１以上である事が必要である。これは、画素の容量
とＭＩＭ素子の容量との比が駆動に大きく影響を与える
為である。
［発明の効果］
本発明の構造を有するＭＩＭ素子を形成する事によりＭ
ＩＭ素子の断線、ショートを原因とする点欠陥を減らす
ことが出来、信頼性の高いパネルを製造する事が出来る
。
ＩＭ素子の断線、ショートを原因とする点欠陥を減らす
ことが出来、信頼性の高いパネルを製造する事が出来る
。
第１図は、本発明のＭ Ｉ Ｍ液晶パネルの素子部の斜
視図である。 第２図は、従来のＭＩＭ素子の断面図である。 第３図は、従来のＭＩＭ液晶パネルの素子部の斜視図で
ある。 第４図は、本発明のＭＩＭ液晶パネルのＭＩＭ素子部分
の断面図である。 第５図は、第４図（ａ）のＭＩＭ素子を製造するプロセ
スを示した図である。 第６図は、 第４図（ｂ） のＭＩＭ素子を製造す るプロセスを示した図である。 第７図は、 本発明のＭＩＭパネルの平面図であ る。 以 上
視図である。 第２図は、従来のＭＩＭ素子の断面図である。 第３図は、従来のＭＩＭ液晶パネルの素子部の斜視図で
ある。 第４図は、本発明のＭＩＭ液晶パネルのＭＩＭ素子部分
の断面図である。 第５図は、第４図（ａ）のＭＩＭ素子を製造するプロセ
スを示した図である。 第６図は、 第４図（ｂ） のＭＩＭ素子を製造す るプロセスを示した図である。 第７図は、 本発明のＭＩＭパネルの平面図であ る。 以 上
Claims (10)
- （１）少なくとも一方の基板にＭＩＭ素子を形成した液
晶パネルにおいて、該ＭＩＭ素子の面積は、画素電極の
面積の１／１０以下であり、かつ該ＭＩＭ素子は、第１
電極を酸化した膜の上に第２電極を形成した構成となっ
ており、画素電極は、該ＭＩＭ素子の真上に存る事を特
徴とするＭＩＭ液晶パネル。 - （２）該ＭＩＭ素子の第２電極のパターンは、ＭＩＭ素
子から延長された部分を有さず、画素とＭＩＭ素子との
コンタクト部を兼ねている事を特徴とする請求項１記載
のＭＩＭ液晶パネル。 - （３）第２電極をフォトエッチングする際のレジストを
第２電極パターン上に残したまま絶縁薄膜を形成し、そ
の後該レジストを除去した後画素電極を形成する事を特
徴とする請求項２記載のＭＩＭ液晶パネルの製造方法。 - （４）該ＭＩＭ素子の第１電極に用いる材料は、タンタ
ル、シリコン、アルミニウム、亜鉛よりなるグループの
１つである事を特徴とする請求項２記載のＭＩＭ液晶パ
ネル。 - （５）該ＭＩＭ素子の第２電極に用いる材料は、タンタ
ル、アルミニウム、クロム、金、ＩＴＯ、ニクロム金よ
りなるグループの１つである事を特徴とする請求項２記
載のＭＩＭ液晶パネル。 - （６）第２電極上にレジストを残したまま形成する絶縁
薄膜は、有機膜、金属酸化膜、金属窒化膜の中の１つあ
るいは、これらの混合である事を特徴とする請求項３記
載のＭＩＭ液晶パネル。 - （７）請求項６記載の有機膜として、ポリイミド系樹脂
（イミド結合を有す）を用いる事を特徴とするＭＩＭ液
晶パネル - （８）請求項６記載の金属酸化膜として、ＳｉＯ＿２、
Ａｌ＿２Ｏ＿３、ＴｉＯ＿２の中の１つあるいは、これ
らの混合よりなることを特徴とするＭＩＭ液晶パネル。 - （９）請求項６記載の金属窒化膜として、ＳｉＮｘを用
いる事を特徴とするＭＩＭ液晶パネル。 - （１０）該ＭＩＭ素子の第１電極パターンの側面は、酸
化されておらず、上面のみ酸化されている事を特徴とす
る請求項２記載のＭＩＭ液晶パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2099523A JPH03296024A (ja) | 1990-04-16 | 1990-04-16 | Ｍｉｍ液晶パネル及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2099523A JPH03296024A (ja) | 1990-04-16 | 1990-04-16 | Ｍｉｍ液晶パネル及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03296024A true JPH03296024A (ja) | 1991-12-26 |
Family
ID=14249596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2099523A Pending JPH03296024A (ja) | 1990-04-16 | 1990-04-16 | Ｍｉｍ液晶パネル及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03296024A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5719647A (en) * | 1994-11-08 | 1998-02-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Reflective type liquid crystal display apparatus having ESD protecting MIM beneath each reflective electrode |
| US5859678A (en) * | 1995-11-16 | 1999-01-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Two-terminal nonlinear element and method for fabricating the same |
-
1990
- 1990-04-16 JP JP2099523A patent/JPH03296024A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5719647A (en) * | 1994-11-08 | 1998-02-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Reflective type liquid crystal display apparatus having ESD protecting MIM beneath each reflective electrode |
| US5859678A (en) * | 1995-11-16 | 1999-01-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Two-terminal nonlinear element and method for fabricating the same |
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