JPH03297007A - 厚膜導電性ペースト組成物 - Google Patents
厚膜導電性ペースト組成物Info
- Publication number
- JPH03297007A JPH03297007A JP9880690A JP9880690A JPH03297007A JP H03297007 A JPH03297007 A JP H03297007A JP 9880690 A JP9880690 A JP 9880690A JP 9880690 A JP9880690 A JP 9880690A JP H03297007 A JPH03297007 A JP H03297007A
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- JP
- Japan
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- parts
- weight
- conductive paste
- thick film
- conductor
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- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は厚膜導電性ペースト組成物に関し、特にハイブ
リッドＩＣ，抵抗器部品などのセラミック基板上に抵抗
体ペーストとしてルテニウム化合物を用いた場合の厚膜
導電性ペースト組成物に関するものである。
リッドＩＣ，抵抗器部品などのセラミック基板上に抵抗
体ペーストとしてルテニウム化合物を用いた場合の厚膜
導電性ペースト組成物に関するものである。
従来、ハイブリッドＩＣや抵抗器部品を製造する際には
、セラミック基板上に導電性ペーストを印刷焼成し、し
かる後に抵抗体ペーストを印刷焼成するのが一般的であ
る。そして、抵抗体ペーストの材料としては優れた電気
的性質を有する酸化ルテニウムあるいはパイロクロア構
造のルテニウム酸ビスマス等の化合物が使用されている
。しかし、この場合、「スティン現象」と称されている
現象が発生しやすくなる。この「スティン現象」とは、
「抵抗体ペーストを焼成する際に抵抗体中のルテニウム
成分が揮発し、導体表面上に露出しているＢ ｉ ｚ
Ｏｘと反応して、より安定なルテニウム酸ビスマスとな
り、その結果導体表面が黒っぽく変色し、半田濡れ性が
悪くなる現象」をいう。
、セラミック基板上に導電性ペーストを印刷焼成し、し
かる後に抵抗体ペーストを印刷焼成するのが一般的であ
る。そして、抵抗体ペーストの材料としては優れた電気
的性質を有する酸化ルテニウムあるいはパイロクロア構
造のルテニウム酸ビスマス等の化合物が使用されている
。しかし、この場合、「スティン現象」と称されている
現象が発生しやすくなる。この「スティン現象」とは、
「抵抗体ペーストを焼成する際に抵抗体中のルテニウム
成分が揮発し、導体表面上に露出しているＢ ｉ ｚ
Ｏｘと反応して、より安定なルテニウム酸ビスマスとな
り、その結果導体表面が黒っぽく変色し、半田濡れ性が
悪くなる現象」をいう。
従って、Ｂｉｔ’ｓを導電性ペースト中に含有させなけ
ればスティン現象は起きないが、この場合には焼成した
導体の半田濡れ性が悪くなり、且つエージング後の導体
と基板との接着強度が大幅に低下するという問題がある
。
ればスティン現象は起きないが、この場合には焼成した
導体の半田濡れ性が悪くなり、且つエージング後の導体
と基板との接着強度が大幅に低下するという問題がある
。
本発明は従来の技術の有するこのような問題点に鑑みて
なされたものであり、その目的は、半田濡れ性が良好で
スティン現象が起きず、且つ接着強度の高い厚膜導電性
ペースト組成物を提供することにある。
なされたものであり、その目的は、半田濡れ性が良好で
スティン現象が起きず、且つ接着強度の高い厚膜導電性
ペースト組成物を提供することにある。
上記目的を達成するために本発明の要旨は、Ａｇが７０
−１００重量部でＰｄが０〜３０重量部で、且つＡｇと
Ｐｄの合計１００重量部に対して金属珪化物粉末を０．
０５〜３．５重量部およびＢ ｉ ｚ Ｏｓ粉末を１〜
２０重量部配合したことを特徴とする厚膜導電性ペース
ト組成物にある。
−１００重量部でＰｄが０〜３０重量部で、且つＡｇと
Ｐｄの合計１００重量部に対して金属珪化物粉末を０．
０５〜３．５重量部およびＢ ｉ ｚ Ｏｓ粉末を１〜
２０重量部配合したことを特徴とする厚膜導電性ペース
ト組成物にある。
本発明の金属珪化物としては、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｗ、Ｃｒ、
Ｍｏ、Ｔａ、ＺｒあるいはＮｂ等の金属の珪化物を用い
ることができる。
Ｍｏ、Ｔａ、ＺｒあるいはＮｂ等の金属の珪化物を用い
ることができる。
また、焼結性、半田濡れ性を改良するため、ガラス粉末
、酸化銅粉末等を適量添加することができる。
、酸化銅粉末等を適量添加することができる。
無機物粉末をペースト化する方法としては、エチルセル
ロースやアクリル系の樹脂をターピネオール、カルピト
ールアセテートなどの高沸点溶媒に溶解した有機ビヒク
ルとこれら無機物粉末を混合した後、ロールミルでペー
スト化すればよい。
ロースやアクリル系の樹脂をターピネオール、カルピト
ールアセテートなどの高沸点溶媒に溶解した有機ビヒク
ルとこれら無機物粉末を混合した後、ロールミルでペー
スト化すればよい。
ＡｇとＰｄの合計１００重量部に対する金属珪化物の配
合が０．０５重量部未満では、スティン現象の発生を抑
えるのに十分でなく、３．５重量部を超えると焼成した
導体の半田濡れ性が悪くなる。スティン現象を確実に抑
え、良好な半田濡れ性を確保するためには、この金属珪
化物の配合量は０．１〜２．４重量部とするのがさらに
好ましい。
合が０．０５重量部未満では、スティン現象の発生を抑
えるのに十分でなく、３．５重量部を超えると焼成した
導体の半田濡れ性が悪くなる。スティン現象を確実に抑
え、良好な半田濡れ性を確保するためには、この金属珪
化物の配合量は０．１〜２．４重量部とするのがさらに
好ましい。
また、ＡｇとＰｄの合計１００重量部に対するＢｉｔ’
ｓの配合量が１重量部未満では、焼成した導体の半田濡
れ性を改善することができず、また、エージング後の接
着強度が向上しない。
ｓの配合量が１重量部未満では、焼成した導体の半田濡
れ性を改善することができず、また、エージング後の接
着強度が向上しない。
一方、Ｂｉ、０．の配合量が２０重量部を超えると、金
属珪化物を増量してもスティン現象の発生を抑制するこ
とができない。
属珪化物を増量してもスティン現象の発生を抑制するこ
とができない。
以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこ
れら実施例により何隻限定されるものではない。
れら実施例により何隻限定されるものではない。
７頁の表１に示す配合のＡｇ粉末、Ｐｄ粉末、Ｂｉａｓ
ｓ粉末および金属珪化物粉末にホウケイ酸鉛粉末（軟化
点４９０°Ｃのもの）を３重量部と有機ビヒクル（エチ
ルセルロース８重量部のターピネオール溶液）２５重量
部を加えてペースト化した。そして、この導電性ペース
トを、９６％ＡＩｌ ｚ ｏ ｓ基板上に８５０°Ｃで
焼き付けた後、ルテニウム系抵抗体ペーストを焼き付け
た。
ｓ粉末および金属珪化物粉末にホウケイ酸鉛粉末（軟化
点４９０°Ｃのもの）を３重量部と有機ビヒクル（エチ
ルセルロース８重量部のターピネオール溶液）２５重量
部を加えてペースト化した。そして、この導電性ペース
トを、９６％ＡＩｌ ｚ ｏ ｓ基板上に８５０°Ｃで
焼き付けた後、ルテニウム系抵抗体ペーストを焼き付け
た。
次いで、以下の方法・基準に従って、この焼成基板の導
体の外観、半田濡れ性およびエージング後接着強度を評
価・測定し、その結果を表１に併記した。
体の外観、半田濡れ性およびエージング後接着強度を評
価・測定し、その結果を表１に併記した。
■外観 抵抗体焼成後の導体表面の外観を目視で評価
し、全く黒変していないものをＯ１少しでも黒変してい
るものを×とした。
し、全く黒変していないものをＯ１少しでも黒変してい
るものを×とした。
■半田濡れ性 焼成基板を、６２−ｔ％Ｓｎ、３６ｗ
ｔ％Ｐｂおよび２ｗｔ％Ａｇの配合の半田浴（２３０℃
）に５秒間浸漬し、導体の面積に対する半田で被覆され
た面積を％表示した。
ｔ％Ｐｂおよび２ｗｔ％Ａｇの配合の半田浴（２３０℃
）に５秒間浸漬し、導体の面積に対する半田で被覆され
た面積を％表示した。
なお、この値が９５％以上のものが合格レベルである。
■エージング後接着強度 ０．６ｍｍ直径のＳｎメツ
キ軟銅線を４ｍ”の表面積の導体上に半田で固定し、そ
の焼成基板を１５０°Ｃの恒温槽中に１００時間放置し
た後基板を引張試験機にセットし、半田付けされた軟銅
線を所定の速度で引張り、導体が基板から剥離するとき
の強度を測定した。なお、この値が２．５ｋｇ／４ｎ＋
ｍ”以上のものが合格レベルである。
キ軟銅線を４ｍ”の表面積の導体上に半田で固定し、そ
の焼成基板を１５０°Ｃの恒温槽中に１００時間放置し
た後基板を引張試験機にセットし、半田付けされた軟銅
線を所定の速度で引張り、導体が基板から剥離するとき
の強度を測定した。なお、この値が２．５ｋｇ／４ｎ＋
ｍ”以上のものが合格レベルである。
表１より、以下の点が明らかである。
■本実族例に係るものは、ＡｇとＰｄの合計量１００重
量部に対して適正量の金属珪化物とＢｉ、０．が配合さ
れているので、焼成後の導体の外観、半田濡れ性および
エージング後の接着強度のすべてが良好である。
量部に対して適正量の金属珪化物とＢｉ、０．が配合さ
れているので、焼成後の導体の外観、半田濡れ性および
エージング後の接着強度のすべてが良好である。
■比較例１に係るものは、Ｂ ｉ ｚ Ｏ３が全く配合
されていないので、焼成後の導体の半田濡れ性が不良で
、エージング後の接着強度が極めて低い。
されていないので、焼成後の導体の半田濡れ性が不良で
、エージング後の接着強度が極めて低い。
■比較例２に係るものは、ＢｉｚＯｓの配合量が多すぎ
るのでスティン現象が発生し、焼成後の導体の外観が不
良で半田濡れ性が極めて悪い。
るのでスティン現象が発生し、焼成後の導体の外観が不
良で半田濡れ性が極めて悪い。
■比較例３に係るものは、金属珪化物が全く配合されて
いないのでスティン現象が発生し、焼成後の導体の外観
が不良で半田濡れ性が極めて悪い。
いないのでスティン現象が発生し、焼成後の導体の外観
が不良で半田濡れ性が極めて悪い。
■比較例４に係るものは、金属珪化物の配合量が多すぎ
るので、極めて半田濡れ−が悪い。
るので、極めて半田濡れ−が悪い。
本発明により、半田濡れ性が良好でスティン現象が起き
ず、且つ接着強度の高い厚膜導電性ペースト組成物を提
供することができる。
ず、且つ接着強度の高い厚膜導電性ペースト組成物を提
供することができる。
Claims (1)
- Ａｇが７０〜１００重量部でＰｄが０〜３０重量部で
、且つＡｇとＰｄの合計１００重量部に対して金属珪化
物粉末を０．０５〜３．５重量部およびＢｉ＿２Ｏ＿３
粉末を１〜２０重量部配合したことを特徴とする厚膜導
電性ペースト組成物
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9880690A JPH0650601B2 (ja) | 1990-04-13 | 1990-04-13 | 厚膜導電性ペースト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9880690A JPH0650601B2 (ja) | 1990-04-13 | 1990-04-13 | 厚膜導電性ペースト組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03297007A true JPH03297007A (ja) | 1991-12-27 |
| JPH0650601B2 JPH0650601B2 (ja) | 1994-06-29 |
Family
ID=14229585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9880690A Expired - Lifetime JPH0650601B2 (ja) | 1990-04-13 | 1990-04-13 | 厚膜導電性ペースト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0650601B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003023790A1 (en) * | 2001-09-06 | 2003-03-20 | Noritake Co.,Limited | Conductor composition and method for production thereof |
| US6826031B2 (en) | 2001-09-06 | 2004-11-30 | Noritake Co., Limited | Ceramic electronic component and production method therefor |
-
1990
- 1990-04-13 JP JP9880690A patent/JPH0650601B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003023790A1 (en) * | 2001-09-06 | 2003-03-20 | Noritake Co.,Limited | Conductor composition and method for production thereof |
| US6826031B2 (en) | 2001-09-06 | 2004-11-30 | Noritake Co., Limited | Ceramic electronic component and production method therefor |
| CN1316509C (zh) * | 2001-09-06 | 2007-05-16 | 诺利塔克股份有限公司 | 导体组合物及其制造方法 |
| KR100866220B1 (ko) * | 2001-09-06 | 2008-10-30 | 가부시키가이샤 노리타케 캄파니 리미티드 | 도체 조성물 및 그 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0650601B2 (ja) | 1994-06-29 |
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