JPS6276501A - 予備反応させた抵抗体ペイント、およびそれから製造された抵抗体 - Google Patents
予備反応させた抵抗体ペイント、およびそれから製造された抵抗体Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、卑金属抵抗性ペイント、この抵抗性（インド
から製造した抵抗体、および抵抗性ペイントと製造する
方法、に関する。さらに詳細には、本発明は、予備反応
させた導電粉末を形成するため、卑金寓粉末を樹脂酸塩
溶液で被削し、還元雰囲気中で焼成することに関する。
から製造した抵抗体、および抵抗性ペイントと製造する
方法、に関する。さらに詳細には、本発明は、予備反応
させた導電粉末を形成するため、卑金寓粉末を樹脂酸塩
溶液で被削し、還元雰囲気中で焼成することに関する。
こうして得た予備反応させた導電粉末は、ガラスフリッ
トおよび遮断剤と混合して抵抗性にイントを配合し、研
いて支持体上にスクリーンされ不活性雰囲気中で焼成さ
れて、それから卑金属抵抗体を形成する。抵抗体梗イン
トの２種の混合物が示される。これらノ混合物は、ＴＣ
Ｒ±２００ｐｐｍ／℃以内で、５、 ００Ｏないし３０
０． ００Ｏオーム／ｓｑ、の制御ノート抵抗率を与え
るように調節しながら配合することができる。
トおよび遮断剤と混合して抵抗性にイントを配合し、研
いて支持体上にスクリーンされ不活性雰囲気中で焼成さ
れて、それから卑金属抵抗体を形成する。抵抗体梗イン
トの２種の混合物が示される。これらノ混合物は、ＴＣ
Ｒ±２００ｐｐｍ／℃以内で、５、 ００Ｏないし３０
０． ００Ｏオーム／ｓｑ、の制御ノート抵抗率を与え
るように調節しながら配合することができる。
従来の技術
第一世代の厚手フィルム抵抗体系における主成分は酸化
パラジウム粉末であった。第二世代の厚手フィルム抵抗
体系は酸化ルテニウム粉末を使用した。貢金属抵抗体ペ
イントば、微小回路全作成するために貴金属導体を必要
とする。最近の貴金属のコストの増大は、多くの用途に
対してこれらの使用を禁制のものとした。長年、抵抗体
中の主導電物質として酸化スズ化合物が使用されて来た
。
パラジウム粉末であった。第二世代の厚手フィルム抵抗
体系は酸化ルテニウム粉末を使用した。貢金属抵抗体ペ
イントば、微小回路全作成するために貴金属導体を必要
とする。最近の貴金属のコストの増大は、多くの用途に
対してこれらの使用を禁制のものとした。長年、抵抗体
中の主導電物質として酸化スズ化合物が使用されて来た
。
酸化スズフィルムは、塩化スズ溶に！ｉ、全噴霧して加
熱することにより；蒸発またはスパッター技術により：
化学蒸着により；あるいは厚手フィルム技術により；加
工することができる。
熱することにより；蒸発またはスパッター技術により：
化学蒸着により；あるいは厚手フィルム技術により；加
工することができる。
厚手フィルム技術は、２５年以上も電子工業・、こ使用
されて来た。厚手フィルム技術には、適当な支持体上で
所望の型での抵抗性ペイントの印刷および焼成が含まれ
る。厚手フィルム技術に使用される抵抗性はイントは典
型的には、導電性寸たは抵抗性物質、ガラスフリット、
および遮断剤全包含する。卑金属抵抗性ペイントは、そ
の組成１】に貴金属を含まない抵抗性ペイントである。
されて来た。厚手フィルム技術には、適当な支持体上で
所望の型での抵抗性ペイントの印刷および焼成が含まれ
る。厚手フィルム技術に使用される抵抗性はイントは典
型的には、導電性寸たは抵抗性物質、ガラスフリット、
および遮断剤全包含する。卑金属抵抗性ペイントは、そ
の組成１】に貴金属を含まない抵抗性ペイントである。
広範囲の抵抗率を得るために、種々の物質が酸化スズ粉
末と混合される。
末と混合される。
金属有機化合物は、金属が酸素、硫黄または窒素原子に
結合しており、この原子がこんどは１またはそれ以上の
炭素原子に結合している、均質な溶液である。
結合しており、この原子がこんどは１またはそれ以上の
炭素原子に結合している、均質な溶液である。
例は、Ｒ−Ｃ−０−ＭｅｌＲ−Ｃ−０−Ｍｅ−〇−Ｒ１
Ｒ−８−Ｍｅ、またはＲ−８−Ｍｅ −３−Ｒであり、
ここで”Ｒ”は、芳香族または脂肪族基を表わす。金属
有機化合物は、金属樹脂酸塩と呼ぶことができ、ここで
有機部分は、樹脂またはその他の天然化合物から誘導さ
れる。高温での金属樹脂酸塩の焼成は、有機部分を焼き
取って、原子または分子の形を有する金属または金属酸
化物全形成するであろう。はとんどの貴金属樹脂酸塩は
、空気中で焼成された時金’ｌｒｔ生じるであろう。卑
金属園脂酸塩は、不活性または還元雰囲気中で焼成され
た時だけ金属を生じるであろう。金属有機化合物導体お
よび抵抗体は長年の間使用さｎて来たが、こｎらの使用
は先に貴金属と共に使用するように限定された。
Ｒ−８−Ｍｅ、またはＲ−８−Ｍｅ −３−Ｒであり、
ここで”Ｒ”は、芳香族または脂肪族基を表わす。金属
有機化合物は、金属樹脂酸塩と呼ぶことができ、ここで
有機部分は、樹脂またはその他の天然化合物から誘導さ
れる。高温での金属樹脂酸塩の焼成は、有機部分を焼き
取って、原子または分子の形を有する金属または金属酸
化物全形成するであろう。はとんどの貴金属樹脂酸塩は
、空気中で焼成された時金’ｌｒｔ生じるであろう。卑
金属園脂酸塩は、不活性または還元雰囲気中で焼成され
た時だけ金属を生じるであろう。金属有機化合物導体お
よび抵抗体は長年の間使用さｎて来たが、こｎらの使用
は先に貴金属と共に使用するように限定された。
一般に行なわれている厚手フィルム技術は厳しい試験要
件を満足し；数十シート抵抗率を示し；ＴＣＲｉ±２０
０１１１印／ ℃内に１制御し；そして商業上受容でき
るように均一な温、度で萼成さ扛ることができなくては
ならない。焼成−￥１度が高くなればなるほど、抵抗体
を作るのに多クツ）エネルギーと費用とが費される。そ
のため、１．０００ ℃よりも低い温度で焼成すること
ができる抵抗性ペイントを発表することは有利である。
件を満足し；数十シート抵抗率を示し；ＴＣＲｉ±２０
０１１１印／ ℃内に１制御し；そして商業上受容でき
るように均一な温、度で萼成さ扛ることができなくては
ならない。焼成−￥１度が高くなればなるほど、抵抗体
を作るのに多クツ）エネルギーと費用とが費される。そ
のため、１．０００ ℃よりも低い温度で焼成すること
ができる抵抗性ペイントを発表することは有利である。
本発明の抵抗性表インドは、好ましくは９００’Ｃ±２
０’Ｃで燃焼させられる。
０’Ｃで燃焼させられる。
米国特許第３，５９８，７６１号は、パラジウム布脂酸
塩を用いるアルミナ粉末の被覆および全樹脂酸塩を用い
る銅粉末の被段ヲ教示している。
塩を用いるアルミナ粉末の被覆および全樹脂酸塩を用い
る銅粉末の被段ヲ教示している。
米国特許第４．１３０．６７１号には、ニッケルまたは
ガラス粉末を銀樹脂酸塩で被ωすることが記載されてい
る。
ガラス粉末を銀樹脂酸塩で被ωすることが記載されてい
る。
米国特許第３．７７６．７７２号には、酸化ルテニウム
粒子をニオブ溶液で被覆して改良さ扛たノイズレベル全
得ることが記載されている。
粒子をニオブ溶液で被覆して改良さ扛たノイズレベル全
得ることが記載されている。
米国特許第４．２１５．０２０号には、酸化スズ抵抗体
と共に使用される三元導電物質が示されている。
と共に使用される三元導電物質が示されている。
英国特許第８１２，８５８号は、半導体Ｓ ｒｌｏ 、
、オ・よびＴａ２０５ つや薬を教示している。
、オ・よびＴａ２０５ つや薬を教示している。
］ ９７ ＝Ｉ 年２月の２ノリノド・ステー１・・デ
クノロジー（ｓｏｌｉａ ５ｔａｔｅ Ｔｅｃｈｎｏｌ
ｏｇｙ）中の記事は、ンー・ワイ・クオ（ｃ，Ｙ、Ｋｕ
ｏ）による「金属有機化合物蒸着により生成される薄手
フィルムの電気的使用（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ Ａｐｐ
ｌｉｃａｔｉｏｎｓ ｏｆ Ｔｈ１ｎ Ｆｉｌｍｓｐｒ
ｏｄｕｃｅｄ ｂｙ Ｍｅｔａｌｌｏ−Ｏｒｇａｎｉｃ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ） ｊを発表している。
クノロジー（ｓｏｌｉａ ５ｔａｔｅ Ｔｅｃｈｎｏｌ
ｏｇｙ）中の記事は、ンー・ワイ・クオ（ｃ，Ｙ、Ｋｕ
ｏ）による「金属有機化合物蒸着により生成される薄手
フィルムの電気的使用（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ Ａｐｐ
ｌｉｃａｔｉｏｎｓ ｏｆ Ｔｈ１ｎ Ｆｉｌｍｓｐｒ
ｏｄｕｃｅｄ ｂｙ Ｍｅｔａｌｌｏ−Ｏｒｇａｎｉｃ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ） ｊを発表している。
ソリッド・ステート・テクノロジー（ＳｏｌｉｄＳｔａ
ｔｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇ５ｒ）、第４Ａ７−１．．４
Ａ７−８ Ｒ−ジー１９８４の、ケイ・ケイ・ナゲシュ
（Ｖ、Ｋ。
ｔｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇ５ｒ）、第４Ａ７−１．．４
Ａ７−８ Ｒ−ジー１９８４の、ケイ・ケイ・ナゲシュ
（Ｖ、Ｋ。
Ｎａｇｅｓｈ ）およびヨゼフ・エイ・パスタ（Ｊｏｓ
θｐｈ ＡＰａｓｋ） による「卑−貴金属組成物厚
手フィルム導体における微小構造展開および界面研究（
Ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎ
ｔ ａｎｄ ＩｎｔｅｒｆａｃｅＳｔｕｄｉｅｓ ｉ
ｎ Ｂａ５ｅ−Ｐｒｅｃｉｏｕｓ Ｍｅｔａｌ
ＣｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎＴｈｉｃｋ ＦｉＬｒ＋ Ｃｏ
ｎｄｕｃｔｏｒｓ） Ｊに関する記事英国特許第Ｌ５１
Ｌ６０１号には、酸化スズおよび酸化夕／タルの抵抗体
組成物が記載されている。
θｐｈ ＡＰａｓｋ） による「卑−貴金属組成物厚
手フィルム導体における微小構造展開および界面研究（
Ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎ
ｔ ａｎｄ ＩｎｔｅｒｆａｃｅＳｔｕｄｉｅｓ ｉ
ｎ Ｂａ５ｅ−Ｐｒｅｃｉｏｕｓ Ｍｅｔａｌ
ＣｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎＴｈｉｃｋ ＦｉＬｒ＋ Ｃｏ
ｎｄｕｃｔｏｒｓ） Ｊに関する記事英国特許第Ｌ５１
Ｌ６０１号には、酸化スズおよび酸化夕／タルの抵抗体
組成物が記載されている。
米国特許第４． Ｏ６５，７４３号は、Ｓ ｎＯ２およ
びＴａ ２０５の混合物を教示している。
びＴａ ２０５の混合物を教示している。
米国特許第４．３９７．９１５号および第４，３７８，
４０９号には、酸化バリウムガラスフリットとともに酸
化スズ物質を使用することが記載されている。
４０９号には、酸化バリウムガラスフリットとともに酸
化スズ物質を使用することが記載されている。
問題を解決するための手段
Ｓ ｎｏ ２粉末は導電性粉末としての混合によって使
用されて来たが、本発明は、 ＳｎＯ□粉末のような卑
金属粉末をＭｎ ｉたはＣｏ樹脂酸塩溶液で被覆し、こ
の樹脂酸塩被覆した卑金属粉末を、還元雰囲気中４５０
−５２０℃で燃焼させて、予備反応樹脂酸塩被良導電粉
末を形成させることを発表する。予備反応させた導電粉
末をガラスフリットおよび遮断剤と混合することによっ
て、抵抗性ペイントまたはインクが混成され、１スクエ
ア（ｓｑｕａｒｅ ）あたり５，０００ないし３００，
０００ オームの範囲にわたるノート抵抗率およびＴＣ
Ｈの改良された制御可能性を示す。
用されて来たが、本発明は、 ＳｎＯ□粉末のような卑
金属粉末をＭｎ ｉたはＣｏ樹脂酸塩溶液で被覆し、こ
の樹脂酸塩被覆した卑金属粉末を、還元雰囲気中４５０
−５２０℃で燃焼させて、予備反応樹脂酸塩被良導電粉
末を形成させることを発表する。予備反応させた導電粉
末をガラスフリットおよび遮断剤と混合することによっ
て、抵抗性ペイントまたはインクが混成され、１スクエ
ア（ｓｑｕａｒｅ ）あたり５，０００ないし３００，
０００ オームの範囲にわたるノート抵抗率およびＴＣ
Ｈの改良された制御可能性を示す。
樹脂酸塩被覆ガラスフリット；予備反応樹脂酸塩被覆Ｓ
ｎＯ□；および遮断剤；を混合して、１スクエア（ｓｑ
ｕａｒｅ ）あたり５ｏｏｏないし２０，０００オーム
の制御されたシート抵抗を有する第一卑金属抵抗投イ／
トを形成する前に、第一予備反応樹脂酸塩被覆Ｓ ｎ
Ｏ２導電粉末がＣｏ樹脂酸塩溶液で被層され、そしてガ
ラスフリットが少なくとも一つのＴａおよびＭｎ樹脂酸
塩から選択される樹脂酸塩溶液で被１されることが記載
されている。
ｎＯ□；および遮断剤；を混合して、１スクエア（ｓｑ
ｕａｒｅ ）あたり５ｏｏｏないし２０，０００オーム
の制御されたシート抵抗を有する第一卑金属抵抗投イ／
トを形成する前に、第一予備反応樹脂酸塩被覆Ｓ ｎ
Ｏ２導電粉末がＣｏ樹脂酸塩溶液で被層され、そしてガ
ラスフリットが少なくとも一つのＴａおよびＭｎ樹脂酸
塩から選択される樹脂酸塩溶液で被１されることが記載
されている。
第二の予備反応させた樹脂酸塩被覆ＳｎＯ□導電粉末は
・Ｍｎ樹脂酸塩溶液で被覆され、還元雰囲気中１，４５
０−５２０℃で焼成されて、予備反応させられた樹脂酸
塩被覆ＳｎＯ□導電粉末を形成することも記載されこの
導電粉末は、タンタラ（ｔａｎｔａｌａ）ガラスフリッ
トおよび連断剤と混合されて】スクエア（ｓｑｕａｒｅ
）あたり５０． ００Ｏないし３００゜００Ｏオーム
の制御シート抵抗を有する第二卑金属抵抗性ペイントま
たはインクを形成する。
・Ｍｎ樹脂酸塩溶液で被覆され、還元雰囲気中１，４５
０−５２０℃で焼成されて、予備反応させられた樹脂酸
塩被覆ＳｎＯ□導電粉末を形成することも記載されこの
導電粉末は、タンタラ（ｔａｎｔａｌａ）ガラスフリッ
トおよび連断剤と混合されて】スクエア（ｓｑｕａｒｅ
）あたり５０． ００Ｏないし３００゜００Ｏオーム
の制御シート抵抗を有する第二卑金属抵抗性ペイントま
たはインクを形成する。
この記載された第一および第二抵抗性ペイントは配合さ
れて、１スクエア（８ｑｕａｒｅ）あたり５，０００な
いし３００． ００Ｏオームの範囲から選択される制御
ノート抵抗率を有する抵抗性Ｒ・インドを形成すること
ができる。
れて、１スクエア（８ｑｕａｒｅ）あたり５，０００な
いし３００． ００Ｏオームの範囲から選択される制御
ノート抵抗率を有する抵抗性Ｒ・インドを形成すること
ができる。
このため、必要とされるものは、制御された／−ト抵抗
率と±２００ｐｐｍ／℃以内のＴＣＲとを示す、安価な
卑金属抵抗体ペイントである。
率と±２００ｐｐｍ／℃以内のＴＣＲとを示す、安価な
卑金属抵抗体ペイントである。
本発明の一つの目的は、支持体上で焼成してその上に抵
抗体を形成するのに適した改良卑金属抵抗性投インＩｆ
提供することである。
抗体を形成するのに適した改良卑金属抵抗性投インＩｆ
提供することである。
もう一つの目的は、予備反応させた導電粉末；ガラスフ
リットおよび遮断剤から混成される抵抗性Ｒイン）ｆ提
供することである。
リットおよび遮断剤から混成される抵抗性Ｒイン）ｆ提
供することである。
さらにもう一つの目的は、１スクエア（ｓｑｕａｒｅ）
あたり５，０００ないし２０．０００オームの範囲のシ
ート抵抗率を示す第一抵抗性ペイントを；１スクエア（
ｓｑｕａｒｅ） あたり５０，０００ないし３００．０
００オームの範囲のシート抵抗率を示す第二抵抗性ペイ
ントと配合して、１スクエア（ｔ３ｑｕａｒｅ）あたシ
、５、０００ないし３００，０００オームの範囲から選
択される制御シート抵抗を示す抵抗性Ｒイントラ比しリ
的に配合することである。
あたり５，０００ないし２０．０００オームの範囲のシ
ート抵抗率を示す第一抵抗性ペイントを；１スクエア（
ｓｑｕａｒｅ） あたり５０，０００ないし３００．０
００オームの範囲のシート抵抗率を示す第二抵抗性ペイ
ントと配合して、１スクエア（ｔ３ｑｕａｒｅ）あたシ
、５、０００ないし３００，０００オームの範囲から選
択される制御シート抵抗を示す抵抗性Ｒイントラ比しリ
的に配合することである。
さらに別の目的は、ガラスフリットヲ、予備反応させた
導電粉末および遮断剤と混合する前に、このガラスフリ
ット粉末を少なくとも一つの、ＴａおよびＭｎ樹脂酸塩
から選択される樹脂酸塩溶液で被覆することである。
導電粉末および遮断剤と混合する前に、このガラスフリ
ット粉末を少なくとも一つの、ＴａおよびＭｎ樹脂酸塩
から選択される樹脂酸塩溶液で被覆することである。
もう一つの目的は、予備反応させた導電粉末を、ガラス
フリットおよび遮断剤と混合する前に、この予備反応さ
せた導電粉末を、還元雰囲気中、・１５０°−５２０℃
で焼成することにより予熱することである。
フリットおよび遮断剤と混合する前に、この予備反応さ
せた導電粉末を、還元雰囲気中、・１５０°−５２０℃
で焼成することにより予熱することである。
さらに別の目的は、焼成前に、予備反応させた導電粉末
上全被覆した解重合し得る有機物を焼き取ることである
。
上全被覆した解重合し得る有機物を焼き取ることである
。
さらに別の目的は、ガラスフリットおよび遮断剤と混合
する前に、Ｓ ｎ Ｏ２粉末を、少なくとも一つの、Ｃ
ｏおよびＭｎ樹脂酸塩から選択される樹脂酸塩溶液で被
覆することでちる。
する前に、Ｓ ｎ Ｏ２粉末を、少なくとも一つの、Ｃ
ｏおよびＭｎ樹脂酸塩から選択される樹脂酸塩溶液で被
覆することでちる。
さらに別の目的は、先に記載した目的のあらゆる組み合
わせを具体化している、抵抗性ペイントから製造される
改良された抵抗体全提供することである。
わせを具体化している、抵抗性ペイントから製造される
改良された抵抗体全提供することである。
本発明の上記およびその他の特徴および目的、ならびに
これらを達成する方法は、添付している図面と結びつけ
て考えたとさ、以下に示す本発明の具体化の記載全参照
することによって最もよく理解されるであろう。
これらを達成する方法は、添付している図面と結びつけ
て考えたとさ、以下に示す本発明の具体化の記載全参照
することによって最もよく理解されるであろう。
実施例
本発明全実施するための最良の方法
私が私の発明とみなす主題は、特許請求の範囲に特に指
摘され、明確に特許請求されている。私の発明の構造お
よび操作は、それ以上の目的および利点と共に、付随す
る図面と関連させて与えられる以下の説明から、さらに
よく理解されるであろう。図面中： 図ＩＡは、公知の先行技術で利用される通りのガラスフ
リット１６；卑金属粉末１８；および粉末化したドープ
物質２０；を含有する、焼成前の抵抗性ペイント１４の
混合物′ｆ：有する支持体１２の拡大横断面図を示して
いる。
摘され、明確に特許請求されている。私の発明の構造お
よび操作は、それ以上の目的および利点と共に、付随す
る図面と関連させて与えられる以下の説明から、さらに
よく理解されるであろう。図面中： 図ＩＡは、公知の先行技術で利用される通りのガラスフ
リット１６；卑金属粉末１８；および粉末化したドープ
物質２０；を含有する、焼成前の抵抗性ペイント１４の
混合物′ｆ：有する支持体１２の拡大横断面図を示して
いる。
図ＩＢは、公知の先行技術に利用される通りの、邸抗性
投イツト１４が焼成されてガラスフリット１６を溶融さ
せ、支持体１２上に抵抗性ペイントを形成している、混
合後の図１の混合物の拡大横断面図を示している。ド−
プ物質２０の卑金属粉末１８への分散は、焼成によって
大きく影響されず、このため抵抗は、焼成された抵抗性
ペイント全体で均一ではない。
投イツト１４が焼成されてガラスフリット１６を溶融さ
せ、支持体１２上に抵抗性ペイントを形成している、混
合後の図１の混合物の拡大横断面図を示している。ド−
プ物質２０の卑金属粉末１８への分散は、焼成によって
大きく影響されず、このため抵抗は、焼成された抵抗性
ペイント全体で均一ではない。
図ＩＣは、焼成後の、本発明の予備反応抵抗体−ｇイン
ド２２の拡大横断面図を示している。卑金對粉末１８上
の樹脂酸塩溶液２．１の均一な被覆により、予備反応抵
抗性ペイント２２全体に均一な統一性が与えられ、これ
によって制御／−ト抵抗率、比較的低いＴＣＲ１分散係
数（ｃ・■、）の均一性および改良されたノイズレ（ル
、のような、改良された性能特性が与えられる。
ド２２の拡大横断面図を示している。卑金對粉末１８上
の樹脂酸塩溶液２．１の均一な被覆により、予備反応抵
抗性ペイント２２全体に均一な統一性が与えられ、これ
によって制御／−ト抵抗率、比較的低いＴＣＲ１分散係
数（ｃ・■、）の均一性および改良されたノイズレ（ル
、のような、改良された性能特性が与えられる。
本発明では、組成はすべて重量百分率で示される。好ま
しい予備反応抵抗性ペイント２２は、Ｓ ｎＯ２のよう
な卑金属導電粉末１８を、ＣｏおよびＭｎ樹脂酸塩から
の少なくとも一つの樹脂酸塩から選択される樹脂酸塩溶
液２，１で被覆し；この樹脂酸塩被覆した導電粉末を還
元雰囲気中４５０−５２０℃で焼成して、予備反応基せ
た導７程粉末２６を形成し；この予備反応させた？、４
電扮末２６をガラスフリット１６および遮断剤２８と混
合して、続いて支持体１２上にスフＩＪ−：／Ｌ、この
スクリーンされた支持体３０を不活性雰囲気中９００℃
で焼成してそれから卑金属抵抗体１０に形成するための
、予備反応抵抗性ペイント２２全形成すること；によっ
て製造される。
しい予備反応抵抗性ペイント２２は、Ｓ ｎＯ２のよう
な卑金属導電粉末１８を、ＣｏおよびＭｎ樹脂酸塩から
の少なくとも一つの樹脂酸塩から選択される樹脂酸塩溶
液２，１で被覆し；この樹脂酸塩被覆した導電粉末を還
元雰囲気中４５０−５２０℃で焼成して、予備反応基せ
た導７程粉末２６を形成し；この予備反応させた？、４
電扮末２６をガラスフリット１６および遮断剤２８と混
合して、続いて支持体１２上にスフＩＪ−：／Ｌ、この
スクリーンされた支持体３０を不活性雰囲気中９００℃
で焼成してそれから卑金属抵抗体１０に形成するための
、予備反応抵抗性ペイント２２全形成すること；によっ
て製造される。
乾燥させた、樹脂酸塩被覆卑金属粉末２６、ガラスフリ
ット１６および遮断剤２８を、好ましくは三本ロール練
り機を通して加工して、１０ミクロンより小さい好まし
い均一粒子サイズをもった簡易スクリーニング用のばら
つきのないペイントを得る。遮断剤２８ば、好ましくは
、パイン油、テルピネオール、テキサス・イー７５７７
社（Ｔｅｘａｓ Ｅａｓｔｍａｎ Ｃｏ、）からのテキ
サノール（Ｔｅｘ−ａｎｏｌ）ノエステルアルコール、
フチルカルヒトールアセテート、またはこれに類似のも
の、のような溶媒でちる。
ット１６および遮断剤２８を、好ましくは三本ロール練
り機を通して加工して、１０ミクロンより小さい好まし
い均一粒子サイズをもった簡易スクリーニング用のばら
つきのないペイントを得る。遮断剤２８ば、好ましくは
、パイン油、テルピネオール、テキサス・イー７５７７
社（Ｔｅｘａｓ Ｅａｓｔｍａｎ Ｃｏ、）からのテキ
サノール（Ｔｅｘ−ａｎｏｌ）ノエステルアルコール、
フチルカルヒトールアセテート、またはこれに類似のも
の、のような溶媒でちる。
結合剤として使用される樹脂は、好ましくは、テコ４ゼ
ン（ＤｕＰｏｎｔ）またはローム争アンド・ハース（Ｒ
ｏｈ＋＊ ａｎｄ Ｈａａｅ ）からのポリアルキルメ
タクリレート、または、アモコ・ケミカルズ・コーポレ
ー／ヨ／（Ａｍｏｃｏ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ Ｃｏｒｐ
ｏｒａｔｉｏｎ）からのアモコ（Ａｒｎｏｃｏ） Ｈ−
２５、ア％ ：ｌ （Ａｍｏｃｏ） Ｈ−５０またはア
モコ（Ａｍｏｃｏ） Ｌ−１，００のようなポリブチ／
類である。改良されたベイ／ト流動学のために導電粉末
１８を湿潤させるのを助けるために、時には湿潤剤が遮
断剤２８に加えられる。
ン（ＤｕＰｏｎｔ）またはローム争アンド・ハース（Ｒ
ｏｈ＋＊ ａｎｄ Ｈａａｅ ）からのポリアルキルメ
タクリレート、または、アモコ・ケミカルズ・コーポレ
ー／ヨ／（Ａｍｏｃｏ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ Ｃｏｒｐ
ｏｒａｔｉｏｎ）からのアモコ（Ａｒｎｏｃｏ） Ｈ−
２５、ア％ ：ｌ （Ａｍｏｃｏ） Ｈ−５０またはア
モコ（Ａｍｏｃｏ） Ｌ−１，００のようなポリブチ／
類である。改良されたベイ／ト流動学のために導電粉末
１８を湿潤させるのを助けるために、時には湿潤剤が遮
断剤２８に加えられる。
混合された抵抗体ペイント２２は、続いて、焼成前に支
持体１２上にスクリーンされて、セラミック支持体のよ
うな支持体１２上に指定の抵抗体の型を形成する。この
抵抗性ペイント２２は好ましくは、０５ミルのエマルジ
ョ／で２００メツシユのステンレス鋼スクリーンを通し
てスクリーンされる。
持体１２上にスクリーンされて、セラミック支持体のよ
うな支持体１２上に指定の抵抗体の型を形成する。この
抵抗性ペイント２２は好ましくは、０５ミルのエマルジ
ョ／で２００メツシユのステンレス鋼スクリーンを通し
てスクリーンされる。
支持体上の銅導体は、窒素雰囲気中で、９００℃±２０
℃で予備焼成された。スクリーンされた抵抗体ペイント
２２全、空気中で、１００−１２５℃で１５−３０分間
乾燥させた。この乾燥させた抵抗体はイ：／）２２ｉ、
次に、ベルト炉中で、不活性雰囲気中でほぼ３−１０分
間、９００’Ｃ±２０℃ピーク温度で焼成した。このベ
ルト炉中の酸素含量は１５１１四より少なかった。
℃で予備焼成された。スクリーンされた抵抗体ペイント
２２全、空気中で、１００−１２５℃で１５−３０分間
乾燥させた。この乾燥させた抵抗体はイ：／）２２ｉ、
次に、ベルト炉中で、不活性雰囲気中でほぼ３−１０分
間、９００’Ｃ±２０℃ピーク温度で焼成した。このベ
ルト炉中の酸素含量は１５１１四より少なかった。
樹脂酸塩溶液２・１中の金属含量は好ましくは、３０％
より少ない。タンタル樹脂酸塩中のＴａは好１しくは６
から１１％までである。マノガン樹脂酸塩中のＭｎは好
ましくは７から１２％までであり、そしてコバルト樹脂
酸塩中のＣｏは好ましくは１０−１５係である。
より少ない。タンタル樹脂酸塩中のＴａは好１しくは６
から１１％までである。マノガン樹脂酸塩中のＭｎは好
ましくは７から１２％までであり、そしてコバルト樹脂
酸塩中のＣｏは好ましくは１０−１５係である。
予備反応させた導電粉末２６は、下記の段階によって加
工された： （ａ） アセトン、キシレンまたはベンゼンのような
低沸点溶媒中で樹脂酸塩溶液２４を希釈して均質溶液を
形成する： （句 この均質溶液を、導電粉末を覆うのに十分な量、
卑金属導電粉末１８に加える： （ｃ） 解重合し得る有機物を焼き取るのに十分な温
度、３００℃から５５０℃までの温度、で樹脂酸塩被覆
した粉末を乾燥させ； （ｄ） この乾燥させた樹脂酸塩被覆した粉末を１０
ミクロンより小さい粒子サイズまで粉砕して６分けする
；そして ｆｅ） 乾燥させた樹脂酸塩被覆した粉末を、還元雰
囲気中＝１５０−５２０℃で、酸素の不足した半導体を
作るに十分な時間焼成する。下記の実施例においては、
被覆された導電粉末を還元するために使用される装置は
、石英または金属管をもつ管炉であった。還元気体は、
７％Ｈ２／９３％Ｎ２のような低率水素混合物であった
。スクリュー型またはベルト前進を伴なうボートまたは
回転管もまた自動工程に使用することができる。回転管
のような連続法は、固定ボート構成から得られるよりも
よりばらつきのない結果をもたらすであろう。
工された： （ａ） アセトン、キシレンまたはベンゼンのような
低沸点溶媒中で樹脂酸塩溶液２４を希釈して均質溶液を
形成する： （句 この均質溶液を、導電粉末を覆うのに十分な量、
卑金属導電粉末１８に加える： （ｃ） 解重合し得る有機物を焼き取るのに十分な温
度、３００℃から５５０℃までの温度、で樹脂酸塩被覆
した粉末を乾燥させ； （ｄ） この乾燥させた樹脂酸塩被覆した粉末を１０
ミクロンより小さい粒子サイズまで粉砕して６分けする
；そして ｆｅ） 乾燥させた樹脂酸塩被覆した粉末を、還元雰
囲気中＝１５０−５２０℃で、酸素の不足した半導体を
作るに十分な時間焼成する。下記の実施例においては、
被覆された導電粉末を還元するために使用される装置は
、石英または金属管をもつ管炉であった。還元気体は、
７％Ｈ２／９３％Ｎ２のような低率水素混合物であった
。スクリュー型またはベルト前進を伴なうボートまたは
回転管もまた自動工程に使用することができる。回転管
のような連続法は、固定ボート構成から得られるよりも
よりばらつきのない結果をもたらすであろう。
二つの予備反応させた抵抗体ペイントが記載されている
。図２はｌスクエア（ｓｑｕａｒｅ ）あたり５、 ０
０Ｏないし２０．０００オームのシート抵抗率を有する
第一卑金属抵抗体ペイントのためのフローチャートｌ示
している。図；３は、ｌスクエア（Ｓｑｕ−ａｒｅ ）
あたり５０． ００Ｏないし３００． ００Ｏオームの
ノート抵抗率を有する第二卑金属抵抗体ペイントのため
のフローチャートラ示している。図４は、１スクエア（
Ｅ３ｑｕａｒｅ）あたり５，０００ないし３００，００
０オームの範囲から選択され、±２００ｐＩｌＯ／℃以
内のＴＣＲ’ｉ有する、予備反応させた卑金属抵抗体は
イントラ得るために、図２および３の第一および第二抵
抗性ペイントを混合するための配合曲線を示している。
。図２はｌスクエア（ｓｑｕａｒｅ ）あたり５、 ０
０Ｏないし２０．０００オームのシート抵抗率を有する
第一卑金属抵抗体ペイントのためのフローチャートｌ示
している。図；３は、ｌスクエア（Ｓｑｕ−ａｒｅ ）
あたり５０． ００Ｏないし３００． ００Ｏオームの
ノート抵抗率を有する第二卑金属抵抗体ペイントのため
のフローチャートラ示している。図４は、１スクエア（
Ｅ３ｑｕａｒｅ）あたり５，０００ないし３００，００
０オームの範囲から選択され、±２００ｐＩｌＯ／℃以
内のＴＣＲ’ｉ有する、予備反応させた卑金属抵抗体は
イントラ得るために、図２および３の第一および第二抵
抗性ペイントを混合するための配合曲線を示している。
ここで図２に言及すると、第一予備反応抵抗体ペイント
は、ＴａおよびＭｎ樹脂酸塩の少なくとも一つから選択
される樹脂酸塩溶液２４で被覆されたガラスフリット粉
末１６より成っている。次に樹脂酸塩被覆したガラスフ
リット中に存在するどんな解重合し得る有機物も焼きと
られて、第一予備反応抵抗体ペイントの好ましい樹脂酸
塩被覆ガラスフリット３２が得られる。
は、ＴａおよびＭｎ樹脂酸塩の少なくとも一つから選択
される樹脂酸塩溶液２４で被覆されたガラスフリット粉
末１６より成っている。次に樹脂酸塩被覆したガラスフ
リット中に存在するどんな解重合し得る有機物も焼きと
られて、第一予備反応抵抗体ペイントの好ましい樹脂酸
塩被覆ガラスフリット３２が得られる。
Ｓ ｎ Ｏ２粉末のような卑金属導電粉末１８は、Ｃｏ
樹脂酸塩溶液２４で被覆され、次に、樹脂酸塩被覆され
た導電粉末１８中に存在するすべての解重合し得る有機
物が焼き取られて、好ましい樹脂酸塩導電粉末が得られ
る。その後、この樹脂酸塩被覆された導電粉末を、還元
雰囲気中、好ましくは４５０°−５２０℃で焼成して、
この中に記載した第一抵抗体サイズトの予備反応させた
導電粉末２６を生成させる。
樹脂酸塩溶液２４で被覆され、次に、樹脂酸塩被覆され
た導電粉末１８中に存在するすべての解重合し得る有機
物が焼き取られて、好ましい樹脂酸塩導電粉末が得られ
る。その後、この樹脂酸塩被覆された導電粉末を、還元
雰囲気中、好ましくは４５０°−５２０℃で焼成して、
この中に記載した第一抵抗体サイズトの予備反応させた
導電粉末２６を生成させる。
樹脂酸塩被覆したガラスフリット３２、および予備反応
させた導電粉末２６を、遮断剤２８と混合して、図２に
記載された第一抵抗体インクを配合すると、このものは
１スクエア（ｓｑｕａｒｅ） ｈタリｓ、 ｏ ｏ ｏ
ないし２０，０００オームの制御シート抵抗率を示す。
させた導電粉末２６を、遮断剤２８と混合して、図２に
記載された第一抵抗体インクを配合すると、このものは
１スクエア（ｓｑｕａｒｅ） ｈタリｓ、 ｏ ｏ ｏ
ないし２０，０００オームの制御シート抵抗率を示す。
図３のフローチャートに記載した通り、第二予備反応抵
抗体ペイントは、タンタラ（ｔａｎｔａｌａ）ガラスフ
リット、予備反応させた導電粉末、および遮断剤を混合
することより成る。
抗体ペイントは、タンタラ（ｔａｎｔａｌａ）ガラスフ
リット、予備反応させた導電粉末、および遮断剤を混合
することより成る。
第二抵抗体ペイントの予備反応させた導電粉末は、Ｓｎ
Ｏ２のような卑金属導電粉末を、Ｍｎ樹脂酸塩溶液で被
覆することにより製造される。次に樹脂酸塩被覆した導
電粉末中に存在するすべての解重合し得る有機物を焼き
取って、第二抵抗体ペイントの好ましい樹脂酸塩被覆さ
れた導電粉末を得る。その後、この樹脂酸塩被覆した導
電粉末全還元雰囲気中、好ましくは・１５０°−５２０
℃で焼成して、第二予備反応抵抗体ペイントの予備反応
させた導電粉末を生成させると、このものは１スクエア
（ｓｑｕａｒｅ）あたり５０，０００ないし３００．０
００オームの制御シート抵抗率−を示す。
Ｏ２のような卑金属導電粉末を、Ｍｎ樹脂酸塩溶液で被
覆することにより製造される。次に樹脂酸塩被覆した導
電粉末中に存在するすべての解重合し得る有機物を焼き
取って、第二抵抗体ペイントの好ましい樹脂酸塩被覆さ
れた導電粉末を得る。その後、この樹脂酸塩被覆した導
電粉末全還元雰囲気中、好ましくは・１５０°−５２０
℃で焼成して、第二予備反応抵抗体ペイントの予備反応
させた導電粉末を生成させると、このものは１スクエア
（ｓｑｕａｒｅ）あたり５０，０００ないし３００．０
００オームの制御シート抵抗率−を示す。
図２の第一子備反応抵抗性ペイントは、図４に示すよう
に図３の第二予備反応抵抗体ペイントと配合して、ｌス
クエア（ｓｑｕａｒｅ）あたり５，０００ないし３００
． ００Ｏオームの範囲から選択される制御ンート抵抗
率ケ■する、予備反応させた抵抗体ペイントに生成する
ことができる。
に図３の第二予備反応抵抗体ペイントと配合して、ｌス
クエア（ｓｑｕａｒｅ）あたり５，０００ないし３００
． ００Ｏオームの範囲から選択される制御ンート抵抗
率ケ■する、予備反応させた抵抗体ペイントに生成する
ことができる。
配合された第一および第二予備反応抵抗体ペイントは、
続いて、所望の抵抗体の型で支持体上にスクリーンされ
、不活性雰囲気中でピーク温度９００℃±２０℃で焼成
されて、所望の卑金属抵抗体を得ることができる。図４
に示される通り、ｌスクエア（ｓｑｕａｒｅ ） あた
り５，０００ないし３０Ｑ００Ｏオームのシート抵抗率
の全領域を通じて、熱および冷抵抗温度係数（ＴＣＲ）
は±２００ｐ戸／℃以内に保たれる。
続いて、所望の抵抗体の型で支持体上にスクリーンされ
、不活性雰囲気中でピーク温度９００℃±２０℃で焼成
されて、所望の卑金属抵抗体を得ることができる。図４
に示される通り、ｌスクエア（ｓｑｕａｒｅ ） あた
り５，０００ないし３０Ｑ００Ｏオームのシート抵抗率
の全領域を通じて、熱および冷抵抗温度係数（ＴＣＲ）
は±２００ｐ戸／℃以内に保たれる。
以下の実施例においては、冷ＴＣＲ（ｃＴＣＲ）は−５
５℃ないし＋２５℃で試験され、熱ＴＣＲ（ＨＴＣＲ）
は＋２５℃ないし＋１２５℃で試験され、熱安定性は
、１５０℃で４８時間試験され、短時間過負荷（ＳＴＯ
Ｌ） は最大５００ポルトまたは５ワツトで試験され
、そして試験された抵抗体サイズは０．０６２Ｘ０．１
５６インチ、または２．５スクエア（ｓｑｕａｒｅ）で
あった。
５℃ないし＋２５℃で試験され、熱ＴＣＲ（ＨＴＣＲ）
は＋２５℃ないし＋１２５℃で試験され、熱安定性は
、１５０℃で４８時間試験され、短時間過負荷（ＳＴＯ
Ｌ） は最大５００ポルトまたは５ワツトで試験され
、そして試験された抵抗体サイズは０．０６２Ｘ０．１
５６インチ、または２．５スクエア（ｓｑｕａｒｅ）で
あった。
図２の第一予備反応抵抗体ペインドでは、ガラスフリッ
トＡ”の組成は、好ましくは、５ ％ ５１０ｚ、３５
％Ｓｒ○および６０％Ｂ２Ｏ３から成っている。
トＡ”の組成は、好ましくは、５ ％ ５１０ｚ、３５
％Ｓｒ○および６０％Ｂ２Ｏ３から成っている。
図３の第二予備反応抵抗体−ミインドでは、タンタラ（
ｔａｎｔａｌａ）ガラスフリットＢ”は、好ましくは、
タンタル樹脂酸塩溶液０． ＝４％で被覆された第一予
備反応抵抗体ペインドのガラスフリット”Ａ”９９．６
％から成っている。タフタル樹脂酸塩被覆したガラスフ
リットは、空気中で６００’Ｃ″！、での温度で２・３
時間徐々に乾操させた。
ｔａｎｔａｌａ）ガラスフリットＢ”は、好ましくは、
タンタル樹脂酸塩溶液０． ＝４％で被覆された第一予
備反応抵抗体ペインドのガラスフリット”Ａ”９９．６
％から成っている。タフタル樹脂酸塩被覆したガラスフ
リットは、空気中で６００’Ｃ″！、での温度で２・３
時間徐々に乾操させた。
樹脂酸塩被覆した卑金属導電粉末を７係Ｈ２／９３φＮ
２雰囲気中５２０℃で３０分分間光した。
２雰囲気中５２０℃で３０分分間光した。
第一および第二予備反応抵抗体ペイントの両者中の、卑
金属導電粉末のガラスフリットに対する比率は、３５対
１であった。
金属導電粉末のガラスフリットに対する比率は、３５対
１であった。
銅導体は、酸素含量が１５＋１四より少ない窒素雰囲気
中で、９００℃で支持体上に予備焼成された。
中で、９００℃で支持体上に予備焼成された。
抵抗体Ｒイツトは、０．５ミルのエマルジョンで２００
メツツユのステンレスのスクリーン’に通して銅導体に
重なっている支持体上にスクリーンさせた。
メツツユのステンレスのスクリーン’に通して銅導体に
重なっている支持体上にスクリーンさせた。
配合された予備反応させた抵抗体ペイントの湿潤フィル
ム厚さは、４０ないし５０ミクロンであった。印刷した
抵抗体は、酸素含量が１５Ｆより少ない不活性雰囲気中
で９００℃±２０℃で焼成する前に、１００℃で１５分
間空気乾燥させた。
ム厚さは、４０ないし５０ミクロンであった。印刷した
抵抗体は、酸素含量が１５Ｆより少ない不活性雰囲気中
で９００℃±２０℃で焼成する前に、１００℃で１５分
間空気乾燥させた。
表工は、第一ガラスフリットＡ”（実施例１）の、図２
の第二Ｔａ樹脂酸塩被覆ガラスフリット”Ｂ”との比較
全示している。
の第二Ｔａ樹脂酸塩被覆ガラスフリット”Ｂ”との比較
全示している。
表 １
表１に示されるように、実施例２の、Ｏｌ、１％Ｔａ
ｔａ４脂酸塩酸塩被覆たガラスフリット”Ｂ”は、力゛
ラスフリノ［・“Ａ”（実施例１）の１０培より多い率
によりＴＣＲＩ劇的に改良した。
ｔａ４脂酸塩酸塩被覆たガラスフリット”Ｂ”は、力゛
ラスフリノ［・“Ａ”（実施例１）の１０培より多い率
によりＴＣＲＩ劇的に改良した。
比較のため、表■は、ＴＣＲ特性に関して同様の結果を
得るためのガラスフリット″Ａ′に対するＴａ２０５粉
末の混合の効果を示している。
得るためのガラスフリット″Ａ′に対するＴａ２０５粉
末の混合の効果を示している。
表 ■
混合のために必要とされるＴ ａ ２０５の量は少なく
とも１１ないし１５％であり、一方実施例２のＴａ樹脂
酸塩被覆したガラスは、同じ結果を得るために０５％を
必要とするだけであった。
とも１１ないし１５％であり、一方実施例２のＴａ樹脂
酸塩被覆したガラスは、同じ結果を得るために０５％を
必要とするだけであった。
タンタルのコストはほとんどの非貴金属のコストよりは
るかに高く、タンタルのコストは銀のようないくつかの
貴金属よりも高くさえある。そのため、実施例２に示さ
れたＴａ樹脂酸塩被覆の節約は重要である。ガラス粉末
上の分子樹脂酸塩被覆は、電流ノイズレベルを低下させ
るように働らき、それから製造される予備反応させた抵
抗体深インドの均質性を改良する。
るかに高く、タンタルのコストは銀のようないくつかの
貴金属よりも高くさえある。そのため、実施例２に示さ
れたＴａ樹脂酸塩被覆の節約は重要である。ガラス粉末
上の分子樹脂酸塩被覆は、電流ノイズレベルを低下させ
るように働らき、それから製造される予備反応させた抵
抗体深インドの均質性を改良する。
表■１に示される通り、実施例６−１０では、卑金属導
電粉末は種々に変化する量のＭｎ樹脂酸塩溶液で被覆さ
れ、この被覆された樹脂酸塩導電粉末は先に記述したよ
うな還元雰囲気中で焼成された。８０％のガラスフリッ
ト″Ａ″に２０％のＴ ａ ２０５と混合して、ガラス
フリット”Ｃ″を詐った。
電粉末は種々に変化する量のＭｎ樹脂酸塩溶液で被覆さ
れ、この被覆された樹脂酸塩導電粉末は先に記述したよ
うな還元雰囲気中で焼成された。８０％のガラスフリッ
ト″Ａ″に２０％のＴ ａ ２０５と混合して、ガラス
フリット”Ｃ″を詐った。
この混合物に１２００℃で再溶融してボールミル粉砕し
た。次に、ガラスフリット”Ｃ″全３５対１の比率で、
予備反応させた導電粉末と混合し、遮断剤と配合して実
施例６から１０までの抵抗体ペイントを製造した。
た。次に、ガラスフリット”Ｃ″全３５対１の比率で、
予備反応させた導電粉末と混合し、遮断剤と配合して実
施例６から１０までの抵抗体ペイントを製造した。
実施例７の１７％Ｍｎ樹脂酸塩被覆したＳ ｎＯ２抵抗
体を、異なる温度および種々の還元条件下で、２０以上
の試験条件下で試験したが／−１・抵抗は１００．００
０ないし３００，０００オーム／スクエア内に留まり、
ＴＣＲは±２００ｐ四／℃以内に留まった。
体を、異なる温度および種々の還元条件下で、２０以上
の試験条件下で試験したが／−１・抵抗は１００．００
０ないし３００，０００オーム／スクエア内に留まり、
ＴＣＲは±２００ｐ四／℃以内に留まった。
低ノート抵抗率の予備反応させた抵抗体ペイントは、図
２に記載したようにして製造した。比較のために、表■
の実施例１０から１３まででは、２つのガラスフリット
を使用した。
２に記載したようにして製造した。比較のために、表■
の実施例１０から１３まででは、２つのガラスフリット
を使用した。
５ ％ ＳｉＯ３５％Ｓｒ○および６０％Ｂ２Ｏ３より
成るガラスフリット′Ａ″を４％タンタルおよび１．７
％マンガン樹脂酸塩溶液で被覆し、４５０−６００℃で
空気乾燥させて解重合し得る有機物を焼きとり、表■中
のガラスフリット”Ｅ″を製造した。
成るガラスフリット′Ａ″を４％タンタルおよび１．７
％マンガン樹脂酸塩溶液で被覆し、４５０−６００℃で
空気乾燥させて解重合し得る有機物を焼きとり、表■中
のガラスフリット”Ｅ″を製造した。
６５％Ｓｉ０ ４１％ＢａＯ１４０％Ｂ２Ｏ３および
３５％ＣｕＯより成るガラスフリット″Ｄ”を４％タン
タルおよび１７％マンガン樹脂酸塩溶液で被覆し、４５
０−６００℃で空気乾燥させて解重合し得る有機物を焼
きとり、表■中のガラスフリット“Ｆ”２製造した。
３５％ＣｕＯより成るガラスフリット″Ｄ”を４％タン
タルおよび１７％マンガン樹脂酸塩溶液で被覆し、４５
０−６００℃で空気乾燥させて解重合し得る有機物を焼
きとり、表■中のガラスフリット“Ｆ”２製造した。
予備反応させた導電粉末および予備反応させたガラスフ
リットを３．５：１の比率で混合し、遮断剤と配合して
予熱した抵抗性Ｒイントヲ製造した。
リットを３．５：１の比率で混合し、遮断剤と配合して
予熱した抵抗性Ｒイントヲ製造した。
合わせた混合物を三本ロール練り機で配合し、実施例１
０から１３までで使用する抵抗体ペイントを配合した。
０から１３までで使用する抵抗体ペイントを配合した。
この抵抗体Ｒインｌ−ｋ、アルミナ支持体上にスクリー
ンし、不活性雰囲気中９００℃±２０℃で焼成して、次
の結果を得た：実施例１０ないし】３の２５より多い試
料ｋ、種々の条件下で試験した。燃焼させた抵抗体（は
、ノート抵抗率４ないし１５にオーム／スクエアおよび
ＴＣＲ±２００１１１１Ｘｌｌ／℃以内、を生じた。熱
安定性および５ＴＯＬはすばらしかった。
ンし、不活性雰囲気中９００℃±２０℃で焼成して、次
の結果を得た：実施例１０ないし】３の２５より多い試
料ｋ、種々の条件下で試験した。燃焼させた抵抗体（は
、ノート抵抗率４ないし１５にオーム／スクエアおよび
ＴＣＲ±２００１１１１Ｘｌｌ／℃以内、を生じた。熱
安定性および５ＴＯＬはすばらしかった。
抵抗体ペイントの配合可能性は、厚手フィルム技術の重
要な特徴である。配合可能性により、１０近いインクま
たはペイントが、予言できる特性を生じるように配合さ
れ得る。図４の配合曲線は、図２の、１スクエア（ｓｑ
ｕａｒｅ ）あたり５． ００Ｏないし２０． ００Ｏ
オームの抵抗性は４７１４１図３の、１スクエア（ｓｑ
ｕａｒｅ ）あた、！１１５０．０００ないし３００、
０００ オームの抵抗性ペイントと配合してほぼ直線配
合を得ることができることを示している。
要な特徴である。配合可能性により、１０近いインクま
たはペイントが、予言できる特性を生じるように配合さ
れ得る。図４の配合曲線は、図２の、１スクエア（ｓｑ
ｕａｒｅ ）あたり５． ００Ｏないし２０． ００Ｏ
オームの抵抗性は４７１４１図３の、１スクエア（ｓｑ
ｕａｒｅ ）あた、！１１５０．０００ないし３００、
０００ オームの抵抗性ペイントと配合してほぼ直線配
合を得ることができることを示している。
ＨＴＣＲおよびＣＴＣＲばこの曲線に沿って示される。
合わせられた±２００ｐＴＸｌ／℃の範囲内のＴＣＲは
容易に得られる。この抵抗性ペイント法を注意深く調節
すると士ｘｏｏｐｐｍ、”’Ｃ内の合わせたＴＣＲを得
ることができる。
容易に得られる。この抵抗性ペイント法を注意深く調節
すると士ｘｏｏｐｐｍ、”’Ｃ内の合わせたＴＣＲを得
ることができる。
抵抗体特性は、焼成温度、焼成時間、および焼成の数、
のような加工条件の変化に鈍感でなくてはならない。図
５Ａは、ＩＯＫおよび１００Ｋ抵抗体上での１スクエア
（ｓｑｕａｒｅ） あたりのオーム数で示したノート
抵抗率に関する焼成温度の効果を示している。図５Ｂは
、ＴＣＨに関する焼成温度の効果を示している。記録さ
れた実施例では、／−ト抵抗率の変化は±１０％以内で
あり、ＴＣＲは±１００ｐｐ／℃以内である。
のような加工条件の変化に鈍感でなくてはならない。図
５Ａは、ＩＯＫおよび１００Ｋ抵抗体上での１スクエア
（ｓｑｕａｒｅ） あたりのオーム数で示したノート
抵抗率に関する焼成温度の効果を示している。図５Ｂは
、ＴＣＨに関する焼成温度の効果を示している。記録さ
れた実施例では、／−ト抵抗率の変化は±１０％以内で
あり、ＴＣＲは±１００ｐｐ／℃以内である。
図６Ａは、１スクエア（ｓｑｕａｒｅ）あたりのオーム
数で示した７−ト抵抗率に関する焼成時間の効果を示す
。１スクエア（ｓｑｕａｒｅ）あたりｌｏＫおよび１０
０にオームの抵抗体はどちらも、±１０喝以内である。
数で示した７−ト抵抗率に関する焼成時間の効果を示す
。１スクエア（ｓｑｕａｒｅ）あたりｌｏＫおよび１０
０にオームの抵抗体はどちらも、±１０喝以内である。
図６Ｂは、ＴＣＨに関する全焼成時間の効果ケ示す。１
スクエア（ｓｑｕａｒｅ）あたり１０におよび１００に
オームの抵抗体の両方について、ＴＣＲは±１００１・
Ｉｎ７℃以内に留まっている。
スクエア（ｓｑｕａｒｅ）あたり１０におよび１００に
オームの抵抗体の両方について、ＴＣＲは±１００１・
Ｉｎ７℃以内に留まっている。
図７Ａおよび７Ｂは、１スクエア（ｓｑｕａｒｅ ）あ
たりのオームおよびＴＣＨに関する、焼成の数の効果ケ
示している。もし、ピーク温度が、不活性雰囲気中で９
００℃に保たれるならば、４回の焼成後に、シート抵抗
率は±１０％以内に残り、ＴＣＲは±１００ｐ９１ｎ／
℃１００９９１０フ スクエア）およびＴＣＲ（卿／℃）に関するベルト速度
（インチ７分）の効果を示している。１０におよび１０
０に抵抗体は両方とも、±１０％シート抵抗率の中に含
まれ、そして±１ ０ ０ｆＰＴＣＲの中に含まれる。
たりのオームおよびＴＣＨに関する、焼成の数の効果ケ
示している。もし、ピーク温度が、不活性雰囲気中で９
００℃に保たれるならば、４回の焼成後に、シート抵抗
率は±１０％以内に残り、ＴＣＲは±１００ｐ９１ｎ／
℃１００９９１０フ スクエア）およびＴＣＲ（卿／℃）に関するベルト速度
（インチ７分）の効果を示している。１０におよび１０
０に抵抗体は両方とも、±１０％シート抵抗率の中に含
まれ、そして±１ ０ ０ｆＰＴＣＲの中に含まれる。
厚手フィルム抵抗体技術では最近、エネルギーの節約、
迅速な加熱および冷却時間、増大した生産速度、および
空間節約から利益を得るために赤外線炉を使用して来た
。赤外線炉は修理が容易であり通常の炉とコストが競合
的である。
迅速な加熱および冷却時間、増大した生産速度、および
空間節約から利益を得るために赤外線炉を使用して来た
。赤外線炉は修理が容易であり通常の炉とコストが競合
的である。
しかし゛ながら、いくつかの貴金属厚手フィルム抵抗体
ペイントは、通常の炉と比較して赤外線炉内で焼成した
時、著しく異なる結果を生ずる。図８Ａおよび８Ｂは、
赤外側炉中で、９００℃±２０℃で焼成したとき、本発
明の予備反応させた抵抗性ペイントから製造された抵抗
体の結果を示している。ベルト速度は、各々３６、２４
および１８分の全炉時間に対し、毎分・１、６および８
インチに設定された。全加熱帯は長さ５フイートであり
、冷却帯は長さ７フイートであった。９００℃という温
度は、１５１１％より低い酸素量を有する不活性雰囲気
中で、４−帯ＴＲ炉中の中間の２帯に設定した。
ペイントは、通常の炉と比較して赤外線炉内で焼成した
時、著しく異なる結果を生ずる。図８Ａおよび８Ｂは、
赤外側炉中で、９００℃±２０℃で焼成したとき、本発
明の予備反応させた抵抗性ペイントから製造された抵抗
体の結果を示している。ベルト速度は、各々３６、２４
および１８分の全炉時間に対し、毎分・１、６および８
インチに設定された。全加熱帯は長さ５フイートであり
、冷却帯は長さ７フイートであった。９００℃という温
度は、１５１１％より低い酸素量を有する不活性雰囲気
中で、４−帯ＴＲ炉中の中間の２帯に設定した。
シート抵抗率れ変化は±１０％より小さく、ＴＣＲは±
１００ｐ四／℃以内に留まった。
１００ｐ四／℃以内に留まった。
従って、本発明の予備反応させた卑金寓抵抗体ペイント
は加工条件に対して比較的鈍感であり、結果はルテニウ
ムを基礎にした抵抗体系に匹敵することが確証された。
は加工条件に対して比較的鈍感であり、結果はルテニウ
ムを基礎にした抵抗体系に匹敵することが確証された。
ここに記載した方法により製造された抵抗体Ｒイントの
もう一つの重要な特徴は、ここに発表された予備反応さ
せた抵抗体にイントから製造された抵抗体に固有の低電
流ノイズである。完金属抵抗体は一般に、貴金属抵抗体
よりも多くの電流ノイズを生ずる。電流ノイズは、その
抵抗体の寸法に強（依存している。
もう一つの重要な特徴は、ここに発表された予備反応さ
せた抵抗体にイントから製造された抵抗体に固有の低電
流ノイズである。完金属抵抗体は一般に、貴金属抵抗体
よりも多くの電流ノイズを生ずる。電流ノイズは、その
抵抗体の寸法に強（依存している。
しかしながら、本発明者は、この抵抗体の形状寸法に依
存せず、単位容積の抵抗物質のノイズ指数値（ｄＢ／ミ
ル またはｄＢ／Ｔｒ＋ｍ ）ｋ表わすノイズ定数を導
入した。ノイズ定数は、ノイズ指数＋１０１０ｇ容積に
等しい。より大きな負のａＢはより小さい抵抗体からの
ノイズを意味する。
存せず、単位容積の抵抗物質のノイズ指数値（ｄＢ／ミ
ル またはｄＢ／Ｔｒ＋ｍ ）ｋ表わすノイズ定数を導
入した。ノイズ定数は、ノイズ指数＋１０１０ｇ容積に
等しい。より大きな負のａＢはより小さい抵抗体からの
ノイズを意味する。
本発明の１００にオーム／スクエア（ｓｑ．）抵抗体の
ノイズ定数は、パラジウム抵抗体に対する５５ｄＢ／ミ
ル およびルテニウムを基にした抵抗体系に対する４
０ ｄＢ７ミル に比較して、平均で２０ｄＢ／ミル
である。
ノイズ定数は、パラジウム抵抗体に対する５５ｄＢ／ミ
ル およびルテニウムを基にした抵抗体系に対する４
０ ｄＢ７ミル に比較して、平均で２０ｄＢ／ミル
である。
本発明により作られた抵抗体のもう一つの重要な特徴は
、レーザーでトリムし得ることである。
、レーザーでトリムし得ることである。
本発明により作られた抵抗体は、シカゴ・レーザー・モ
デル（ｃｈｉＣａｇｏ Ｌａ５ｅｒ Ｍｏｄｅｌ）
ＣＬＳ３３５０Ｃ Ｙａｇレーザーを用いてレーザート
リムされた。トリミングの７ξラメ−ターは０． ７
５ ”ないし１２５″／秒トリム速度、Ｑ−速度４Ｋｈ
ｚパルス周波数、および３−ワットビーム電力であった
。
デル（ｃｈｉＣａｇｏ Ｌａ５ｅｒ Ｍｏｄｅｌ）
ＣＬＳ３３５０Ｃ Ｙａｇレーザーを用いてレーザート
リムされた。トリミングの７ξラメ−ターは０． ７
５ ”ないし１２５″／秒トリム速度、Ｑ−速度４Ｋｈ
ｚパルス周波数、および３−ワットビーム電力であった
。
ノート抵抗の増加は２０−４０％であった。トリミング
後の抵抗変化はＩＯＫないし１００にオーム／スクエア
（ｓｑｕａｒｅ） シート抵抗率の０２％よりも少なく
、これはルテニウムを基にした抵抗体に匹敵する。
後の抵抗変化はＩＯＫないし１００にオーム／スクエア
（ｓｑｕａｒｅ） シート抵抗率の０２％よりも少なく
、これはルテニウムを基にした抵抗体に匹敵する。
短時間過負荷は、２５倍の定格電圧または５ワツトで５
秒間行なわれたが５００ボルトヲ越えなかった。試験の
結果は、５ＴＯＬ後の抵抗変化が一般に、最も厳しい用
途に見合う０２５％よりも小さいことを示している。
秒間行なわれたが５００ボルトヲ越えなかった。試験の
結果は、５ＴＯＬ後の抵抗変化が一般に、最も厳しい用
途に見合う０２５％よりも小さいことを示している。
環境試験は、抵抗体試料が焼成され、レーザートリムさ
れ、有機被覆され、そして・・ンダ付けされた後、行わ
れた。次の試験結果は、１００にオーム／スクエア（ｓ
ｑ−）の予備反応させた抵抗性ペイントを基にした。
れ、有機被覆され、そして・・ンダ付けされた後、行わ
れた。次の試験結果は、１００にオーム／スクエア（ｓ
ｑ−）の予備反応させた抵抗性ペイントを基にした。
表Ｖは、１０００時間１５０℃での熱安定性を示す。／
／２％より小さい変化が記録された。
／２％より小さい変化が記録された。
表 Ｖ
貯破湿度は、６５−７０℃、８５−９５係ＲＨで１．
０００時間まで実施された。本発明により作られた１０
０に抵抗体に対する貯蔵湿度は１．０００時間に０．２
％より小さい変化全示した。参考文献光〜１ 表■ 表■ 温度サイクルは−６５から１５０°Ｃまで１００サイク
ルについて試験した。１００サイクル後の本発明によっ
て作られた１００に抵抗体に対する平均抵抗変化は０．
１％より小さかった。
０００時間まで実施された。本発明により作られた１０
０に抵抗体に対する貯蔵湿度は１．０００時間に０．２
％より小さい変化全示した。参考文献光〜１ 表■ 表■ 温度サイクルは−６５から１５０°Ｃまで１００サイク
ルについて試験した。１００サイクル後の本発明によっ
て作られた１００に抵抗体に対する平均抵抗変化は０．
１％より小さかった。
ここに発表された予備反応させた卑金・萬抵抗体でイン
ドは、高い信頼度の、厚手フィルム抵抗体用途に使用す
るのに適している。この発表さハた抵抗体ペイントは、
ＴＣＲが±２００ｐＩＸＩ／℃以内であって、５，００
０から３００． ００Ｏオーム／スクエアまでの広範囲
にわたるソート抵抗率を達成するように配合することか
でさる。
ドは、高い信頼度の、厚手フィルム抵抗体用途に使用す
るのに適している。この発表さハた抵抗体ペイントは、
ＴＣＲが±２００ｐＩＸＩ／℃以内であって、５，００
０から３００． ００Ｏオーム／スクエアまでの広範囲
にわたるソート抵抗率を達成するように配合することか
でさる。
そのため、本発明は特定の具体化と関連して記述されて
きたけれども、本発明の精神または前記の特許請求の範
囲の趣旨から離れることなく種々の改良を行なうことが
できることは理解されるべきである。
きたけれども、本発明の精神または前記の特許請求の範
囲の趣旨から離れることなく種々の改良を行なうことが
できることは理解されるべきである。
発明の効果
本発明は、次に支持体上にスクリーニングし、不活性雰
囲気中で焼成して電子回路部品に使用するための予備反
応させた卑金１萬抵抗体を製造するための、卑金属抵抗
性Ｒイントラ明らかにしている。
囲気中で焼成して電子回路部品に使用するための予備反
応させた卑金１萬抵抗体を製造するための、卑金属抵抗
性Ｒイントラ明らかにしている。
図ＩＡは、先行技術により教示される通りの、焼成前に
支持体上にスクリーンされたガラスフリット、ド−プ物
質および導電粉末の混合物の拡大横断面図を示す。 図１Ｂは、先行技術により教示される通りの、焼成後に
支持体上にスクリーンしているガラスフリット、ドープ
物質および導電粉末の混合物の拡大横断面図を示す。 図１Ｃは、不発明により教示される通りの、焼成後に支
持体上にスクリーンされている予備反応（か塩酸被覆さ
れたＳｎＯ２導電粉末の拡大横断面図を示す。 図２は、１スクエア（ｓｑｕａｒｅ）あたり５．０００
ないし２０．０（ｂ０オームの；ト制御／−ト抵抗率を
有する好捷しい第一史金属抵抗ペイントのフローチャー
トを示す。 図３は、ｌスクエア（ｓｑｕａｒｅ）あたり５０．００
０ないし３００．０００ オームの制御シート抵抗率を
有する好ましい第二卑金属抵抗ペイントのフローチャー
トを示す。 図４は、１スクエア（ｓｑｕａｒｅ）あたり５． ００
Ｏないし３００． ００Ｏオームの制御シート抵抗率を
発現するように第一および第二卑金属抵抗ベインｈｉ配
合するための配合曲線金示す。 図５Ａば、シート抵抗率（オーム／スクエア）に関する
焼成温度の効果を示す。 図５Ｂは、ＴＣＨに関する焼成温度の効果を示す。 図６Ａは、シート抵抗率（オーム／スクエア）に関する
９００℃での焼成時間の効果を示す。 図６Ｂは、ＴＣＨに関する９００℃での全焼成時間の効
果を示す。 図７Ａは、シート抵抗率（オーム／スクエア）に関する
９００℃での焼成の数の効果を示す。 図７Ｂは、ＴＣＨに関する９ｏｏ℃での焼成の数の効果
を示す。 図８Ａは、シート抵抗率（スクエアあたりのオーム数）
に関する、ベルトの速度（毎分インチ）の効果を示す。 図８Ｂは、ＴＣＨに関するベルト速度（毎分インチ）の
効果を示す。 （外５名） 図面の浄書（内容に変更なし） ＦＩＧ、Ｉへ ＦＩＧ、１８ ＦＩＧ、ＩＣ ＦＩＧ、２ ＦＩＧ、 ３ １００Ｋ ｎ１５０− ＋５０−’３００Ｋ ７”Ｌ
／５ｏ）ＦＩＧ、４ ＬＣｖノ２０４０６０８０当− 弓Ｈ柑Ｐ＝惟 ろ１％ ＦＩＧ、 ５△ ＦＩＧ、 ５Ｂ８
８０８Ｃ９００℃ ９２０°Ｃ８８０°Ｃ９００°Ｃ９
２００Ｃ湧爪２二多 焼ヂい
五７うＦＩＧ、６Ａ ＦＩＧ、
６Ｂ１ユ★ち、時開（ん） ≧、
喚丸晴Ｖ（舟）・ＦＩＧ、 ７△
ＦＩＧ、７Ｂｒ爽肌、の廖″１．ｄ−ｒｉ、ｎ５ｐ ＦＩＧ、 ８Ａ ＦＩＧ、 ８Ｂ
へこルトＳ電１シ′・テ、泰−”、７しｂｔｕ：ノ子、
ｌ−手続補正書（方式） １．事件の表示 昭和６１年特許願第１５３９４４号 ２、発明の名称 予備反応させた抵抗体ペイント、およびそれから製造さ
れた抵抗体 住所 名 称 シーティーニス・コーポレーション４、代理
人 住 所 東京都千代田区大手町二丁目２番１号新大手
町ビル ２０６号室 ５、補正命令の日付 昭和６１年 ９月３０日 （発
送日）６、補正の対象
支持体上にスクリーンされたガラスフリット、ド−プ物
質および導電粉末の混合物の拡大横断面図を示す。 図１Ｂは、先行技術により教示される通りの、焼成後に
支持体上にスクリーンしているガラスフリット、ドープ
物質および導電粉末の混合物の拡大横断面図を示す。 図１Ｃは、不発明により教示される通りの、焼成後に支
持体上にスクリーンされている予備反応（か塩酸被覆さ
れたＳｎＯ２導電粉末の拡大横断面図を示す。 図２は、１スクエア（ｓｑｕａｒｅ）あたり５．０００
ないし２０．０（ｂ０オームの；ト制御／−ト抵抗率を
有する好捷しい第一史金属抵抗ペイントのフローチャー
トを示す。 図３は、ｌスクエア（ｓｑｕａｒｅ）あたり５０．００
０ないし３００．０００ オームの制御シート抵抗率を
有する好ましい第二卑金属抵抗ペイントのフローチャー
トを示す。 図４は、１スクエア（ｓｑｕａｒｅ）あたり５． ００
Ｏないし３００． ００Ｏオームの制御シート抵抗率を
発現するように第一および第二卑金属抵抗ベインｈｉ配
合するための配合曲線金示す。 図５Ａば、シート抵抗率（オーム／スクエア）に関する
焼成温度の効果を示す。 図５Ｂは、ＴＣＨに関する焼成温度の効果を示す。 図６Ａは、シート抵抗率（オーム／スクエア）に関する
９００℃での焼成時間の効果を示す。 図６Ｂは、ＴＣＨに関する９００℃での全焼成時間の効
果を示す。 図７Ａは、シート抵抗率（オーム／スクエア）に関する
９００℃での焼成の数の効果を示す。 図７Ｂは、ＴＣＨに関する９ｏｏ℃での焼成の数の効果
を示す。 図８Ａは、シート抵抗率（スクエアあたりのオーム数）
に関する、ベルトの速度（毎分インチ）の効果を示す。 図８Ｂは、ＴＣＨに関するベルト速度（毎分インチ）の
効果を示す。 （外５名） 図面の浄書（内容に変更なし） ＦＩＧ、Ｉへ ＦＩＧ、１８ ＦＩＧ、ＩＣ ＦＩＧ、２ ＦＩＧ、 ３ １００Ｋ ｎ１５０− ＋５０−’３００Ｋ ７”Ｌ
／５ｏ）ＦＩＧ、４ ＬＣｖノ２０４０６０８０当− 弓Ｈ柑Ｐ＝惟 ろ１％ ＦＩＧ、 ５△ ＦＩＧ、 ５Ｂ８
８０８Ｃ９００℃ ９２０°Ｃ８８０°Ｃ９００°Ｃ９
２００Ｃ湧爪２二多 焼ヂい
五７うＦＩＧ、６Ａ ＦＩＧ、
６Ｂ１ユ★ち、時開（ん） ≧、
喚丸晴Ｖ（舟）・ＦＩＧ、 ７△
ＦＩＧ、７Ｂｒ爽肌、の廖″１．ｄ−ｒｉ、ｎ５ｐ ＦＩＧ、 ８Ａ ＦＩＧ、 ８Ｂ
へこルトＳ電１シ′・テ、泰−”、７しｂｔｕ：ノ子、
ｌ−手続補正書（方式） １．事件の表示 昭和６１年特許願第１５３９４４号 ２、発明の名称 予備反応させた抵抗体ペイント、およびそれから製造さ
れた抵抗体 住所 名 称 シーティーニス・コーポレーション４、代理
人 住 所 東京都千代田区大手町二丁目２番１号新大手
町ビル ２０６号室 ５、補正命令の日付 昭和６１年 ９月３０日 （発
送日）６、補正の対象
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）次に続く支持体上へのスクリーニング （ｓｃｒｅｅｎｉｎｇ）および不活性雰囲気中、ピーク
温度９００℃±２０℃での焼成によりそれからの卑金属
抵抗体を形成するために、ガラスフリット；遮断剤：お
よびＣｏおよびＭｎ樹脂酸塩から選択される少なくとも
一つの樹脂酸塩溶液でＳｎＯ＿２を被覆することにより
形成された予備反応導電粉末；を混合することより成る
、支持体上で焼成して制御されたシート抵抗を有する抵
抗体を形成するための卑金属抵抗体ペイント。 ２）ガラスフリットがタンタラ（ｔａｎｔａｌａ）ガラ
スフリットである、特許請求の範囲第１項に記載のペイ
ント。 ３）ガラスフリットを、予備反応させた導電性粉末およ
び遮断剤と混合する前に、ガラスフリット上に、Ｔａお
よびＭｎ樹脂酸塩から選択される少なくとも一つの樹脂
酸塩が選択的に被覆される、特許請求の範囲第１項に記
載のペイント。 ４）ガラスフリットおよび遮断剤と混合する前に、樹脂
酸塩被覆したＳｎＯ＿２粉末を還元雰囲気中４５０−５
２０℃で焼成する、特許請求の範囲第１項に記載の予備
反応させた導電性粉末。 ５）焼成の前に、ＳｎＯ＿２粉末上に被覆させた樹脂酸
塩溶液から、解重合し得る有機物が焼き取られる、特許
請求の範囲第４項に記載のペイント。 ６）（ａ）樹脂酸塩被覆したガラスフリット、第一の予
備反応樹脂酸塩被覆ＳｎＯ＿２導電性粉末；および遮断
剤；から混成され、１スクエア（ｓｑｕａｒｅ）あたり
５０００ないし２０，０００オームの範囲のシート抵抗
率を示す、第一卑金属抵抗ペイント； （ｂ）タンタラ（ｔａｎｔａｌａ）ガラスフリット；第
二予備反応樹脂酸塩被覆ＳｎＯ＿２導電性粉末；および
遮断剤；から混成され、１スクエア（ｓｑｕａｒｅ）あ
たり５０，０００ないし３００，０００オームの範囲の
シート抵抗率を示す、第二卑金属抵抗ペイント； （ｃ）比例的に多い第二抵抗ペイントを第一抵抗ペイン
ト内に配合してこの配合したペイントのシート抵抗率を
比例的に増大させること；および （ｄ）比例的に多い第一抵抗ペイントを第二抵抗ペイン
ト内に配合して、比例的にこの配合ペイントのシート抵
抗率を低下させるが、ここでこの配合混合物は支持体上
にスクリーンされ、続いて不活性雰囲気中９００℃±２
０℃で焼成されて、１スクエア（ｓｑｕａｒｅ）あたり
５、０００ないし３００、０００オームの範囲から選択
される制御シート抵抗を有する卑金属抵抗体を得ること
； より成る、支持体上で焼成して、それから卑金属抵抗体
を製造するための第一および第二卑金属抵抗ペイントの
配合物。 ７）ガラスフリット粉末が、少なくとも１つのＴａおよ
びＭｎ樹脂酸塩から選択される樹脂酸塩溶液で被覆され
ている、特許請求の範囲第６項に記載の樹脂酸塩被覆ガ
ラスフリット。 ８）ＳｎＯ＿２粉末をＣｏ樹脂酸塩溶液で被覆し、この
被覆されたＳｎＯ＿２粉末を還元雰囲気中４５０−５２
０℃で還元して、第一予備反応樹脂酸塩被覆ＳｎＯ＿２
導電性粉末を形成させる、特許請求の範囲第６項に記載
の第一予備反応樹脂酸塩被覆ＳｎＯ＿２導電性粉末。 ９）ＳｎＯ＿２粉末をＭｎ樹脂酸塩溶液で被覆し、この
被覆されたＳｎＯ＿２粉末を還元雰囲気中、４５０−５
２０℃で還元して、第二予備反応樹脂酸塩被覆ＳｎＯ＿
２導電性粉末を形成させる、特許請求の範囲第６項に記
載の第二予備反応樹脂酸塩被覆ＳｎＯ＿２導電性粉末。 １０）還元雰囲気中で還元する前に、ＳｎＯ＿２粉末上
に塗布された樹脂酸溶液から、解重合し得る有機物が焼
き取られる、特許請求の範囲第６項に記載の第一予備反
応樹脂酸塩被覆ＳｎＯ＿２粉末。 １１）ガラスフリットを予備反応させた導電性ＳｎＯ＿
２粉末および遮断剤と混合する前に、ガラスフリット上
に塗布された樹脂酸塩溶液から解重合し得る有機物が焼
き取られる、特許請求の範囲第６項に記載の第一卑金属
抵抗ペイント。 １２）還元雰囲気中で還元する前に、ＳｎＯ＿２粉末上
に塗布した樹脂酸塩溶液から、解重合し得る有機物が焼
き取られる、特許請求の範囲第６項に記載の第二予備反
応導電性ＳｎＯ＿２粉末。 １３）改良点が： （ａ）ＳｎＯ＿２粉末を樹脂酸塩溶液で被覆し、この被
覆粉末を還元雰囲気中で還元して、予備反応させた導電
粉末を形成させ； （ｂ）ガラスフリットを、この予備反応性導電粉末およ
び遮断剤と混合してそれから抵抗体ペイントを混成し； （ｃ）支持体上に抵抗体ペイントをスクリーンし；そし
て （ｄ）不活性雰囲気中、９００℃±２０℃で、スクリー
ンされた支持体を焼成して、それから卑金属抵抗体を形
成させる； ことより成る、その上にスクリーンされ焼成された抵抗
ペイントを伴なう支持体を有する、厚手フィルム卑金属
抵抗体。 １４）ＳｎＯ＿２粉末を被覆するための樹脂酸塩溶液が
Ｃｏ樹脂酸塩である、特許請求の範囲第１３項に記載の
抵抗体ペイント。 １５）樹脂酸塩被覆したガラスフリットを、予備反応さ
せた導電性ＳｎＯ＿２粉末および遮断剤と混合する前に
、ガラスフリットを、少なくとも１つの、ＴａおよびＭ
ｎ樹脂酸塩から選択される樹脂酸塩で被覆する、特許請
求の範囲第１３項に記載の抵抗体インク。 １６）ガラスフリットおよび遮断剤と混合する前に、樹
脂酸塩被覆したＳｎＯ＿２粉末を還元雰囲気中４５０−
５２０℃で焼成する、特許請求の範囲第１３項に記載の
、予備反応導電性粉末。 １７）ＳｎＯ＿２粉末を被覆するための樹脂酸塩溶液が
Ｍｎ樹脂酸塩である、特許請求の範囲第１３項に記載の
、予備反応導電性粉末。 １８）ガラスフリットがタンタラ（ｔａｎｔａｌａ）ガ
ラスフリットである、特許請求の範囲第１３項に記載の
抵抗体ペイント。 １９）１スクエア（ｓｑｕａｒｅ）あたり５、０００な
いし２０、０００オームの範囲のシート抵抗率を示す抵
抗体ペイントを、１スクエア（ｓｑｕａｒｅ）あたり５
０、０００ないし３００、０００オームの範囲のシート
抵抗率を示す抵抗体ペイントと比例的に配合してそのシ
ート抵抗率が制御しながら５、０００ないし３００、０
００オーム／スクエア（ｓｑｕａｒｅ）から選択される
配合抵抗体ペイントを形成させる、特許請求の範囲第１
３項に記載の厚手フィルム卑金属抵抗体。 ２０）ＴＣＲが、制御可能で±２００ｐｐｍ／℃以内に
保たれる、特許請求の範囲第１９項に記載の配合抵抗体
ペイント。 ２１）（ａ）１０ないし１５パーセントのＣｏを含有し
ているＣｏ樹脂酸塩溶液で卑金属導電性粉末を被覆し、
このＣｏ樹脂酸塩被覆導電性粉末を還元雰囲気中で予備
焼成して、それから、Ｃｏ予備反応卑金属導電粉末を形
成させ； （ｂ）６ないし１２パーセントのＴａおよびＭｎを含有
する樹脂酸塩溶液でガラスフリット粉末を被覆して、樹
脂酸塩被覆ガラスフリットを生成し； （ｃ）Ｃｏ予備反応卑金属導電粉末を、樹脂酸塩被覆ガ
ラスフリットおよび遮断剤と混合して、続いて支持体上
へスクリーンし、そして不活性雰囲気中で焼成して１ス
クエア（ｓｑｕａｒｅ）あたり５、０００ないし２０、
０００オームの範囲の低シート抵抗率を有する抵抗体を
形成するための、卑金属抵抗体ペイントを形成する； ことより成る、支持体上にスクリーンし、焼成して、支
持体上に抵抗体を形成させるための第一卑金属抵抗体ペ
イント。 ２２）ガラスフリットが好ましくは、５％ＳｉＯ＿２；
３５％ＳｒＯ；および６０％Ｂ＿２Ｏ＿３；より成つて
いる、特許請求の範囲第２１項に記載の第一卑金属抵抗
体ペイント。 ２３）卑金属導電粉末が好ましくは、ＳｎＯ＿２粉末よ
り成つている、特許請求の範囲第２１項に記載の第一卑
金属抵抗体ペイント。 ２４）樹脂酸塩被覆導電粉末が還元雰囲気中、ピーク温
度４５０ないし５２０℃で予備焼成される、特許請求の
範囲第２１項に記載の第一卑金属抵抗体ペイント。 ２５）解重合し得る有機物が焼成の前に、卑金属粉末上
に被覆されたＣｏ樹脂酸塩溶液から焼き取られる、特許
請求の範囲第２１項に記載の第一卑金属抵抗体ペイント
。 ２６）Ｃｏ予備反応卑金属導電性粉末の、樹脂酸塩被覆
ガラスフリットに対する好ましい比率が３．５対１であ
る、特許請求の範囲第２１項に記載の第一卑金属抵抗体
ペイント。 ２７）スクリーンした支持体を、不活性雰囲気中、ピー
ク温度９００℃±２０℃で焼成する、特許請求の範囲第
２１項に記載の第一卑金属抵抗体ペイント。 ２８）低シート抵抗率抵抗体が±２００ｐｐｍ／℃以内
のＴＣＲを有している、特許請求の範囲第２１項に記載
の第一卑金属抵抗体ペイント。 ２９）（ａ）７ないし１２パーセントのＭｎを含有する
樹脂酸塩溶液で卑金属導電粉末を被覆し、還元雰囲気中
で、Ｍｎ樹脂酸塩被覆した導電粉末を予備焼成して、こ
れからＭｎ予備反応卑金属導電粉末を形成させ； （ｂ）このＭｎ予備反応卑金属導電粉末を、タンタラ（
ｔａｎｔａｌａ）ガラスフリットおよび遮断剤と混合し
て、次に続く支持体上へのスクリーニングと不活性雰囲
気中での焼成により１スクエア（ｓｑｕａｒｅ）あたり
５０、０００ないし３００、０００オームの範囲内の高
シート抵抗率を有する卑金属抵抗体を形成するための第
二卑金属抵抗体ペイントを形成させること； より成る、支持体上にスクリーンし、焼成して、支持体
上に抵抗体を形成するための第二卑金属抵抗体ペイント
。 ３０）タンタラ（ｔａｎｔａｌａ）ガラスフリットが、
５％から約２０％までのＴａ＿２Ｏ＿５と配合され、再
溶融され、タンタラ（ｔａｎｔａｌａ）ガラスフリット
を形成するために再粉砕されるガラスフリットより成る
、特許請求の範囲第２９項に記載の第二卑金属抵抗体ペ
イント。 ３１）卑金属導電粉末が好ましくはＳｎＯ＿２粉末より
成つている、特許請求の範囲第２９項に記載の第二卑金
属ペイント。 ３２）Ｍｎ樹脂酸塩被覆された卑金属導電粉末が、Ｍｎ
予備反応卑金属導電粉末を形成するために、還元雰囲気
中、ピーク温度４５０ないし５２０℃で予備焼成される
、特許請求の範囲第２９項に記載の第二ペイント。 ３３）解重合し得る有機物が、焼成の前に、卑金属粉末
上に被覆されたＭｎ樹脂酸塩溶液から焼き取られる、特
許請求の範囲第２９項に記載の第二ペイント。 ３４）Ｍｎ卑金属導電粉末の、ガラスフリットに対する
好ましい比率が、好ましくは３．５対１である、特許請
求の範囲第２９項に記載の第二ペイント。 ３５）スクリーンされた支持体を、続いて、不活性雰囲
気中、ピーク温度９００℃±２０℃で焼成する、特許請
求の範囲第２９項に記載の第二ペイント。 ３６）ＴＣＲが±２００ｐｐｍ／℃以内である、特許請
求の範囲第２９項に記載の第二ペイント。 ３７）タンタラ（ｔａｎｔａｌａ）ガラスフリットが好
ましくは、５％ＳｉＯ＿２；３５％ＳｒＯ；および、５
ないし２０％のＴａ＿２Ｏ＿５と混合した６０％Ｂ＿２
Ｏ＿３；より成り、再溶融され、タンタラ（ｔａｎｔａ
ｌａ）ガラスフリットを形成するために再粉砕される、
特許請求の範囲第２９項に記載の第二ペイント。 ３８）第二ペイントを第一ペイントと配合してこの配合
ペイントのシート抵抗率を比例的に増大させ：そして 第一ペイントを第二ペイントと配合してこの配合ペイン
トのシート抵抗率を比例的に減少させ、続いてこの配合
ペイントを不活性雰囲気中で支持体上にスクリーンし焼
成して、１スクエア（ｓｑｕａｒｅ）あたり５、０００
ないし３００、０００オームの範囲から選択される制御
されたシート抵抗を有する卑金属抵抗体を得る、特許請
求の範囲第２１項に記載の第一ペイントおよび特許請求
の範囲第２９項に記載の第二ペイント。 ３９）改良点が： （ａ）卑金属導電粉末をＣｏ樹脂酸塩溶液で被覆し、還
元雰囲気中で予備焼成し；ガラスフリット粉末を、Ｔａ
およびＭｎ樹脂酸塩溶液の少なくとも一つで被覆し、そ
してこのＣｏ樹脂酸塩被覆卑金属粉末、樹脂酸塩被覆ガ
ラスフリット、および遮断剤を一緒に混合して第一卑金
属抵抗ペイントを形成させる；ことにより第一卑金属抵
抗ペイントを製造し； （ｂ）卑金属抵抗粉末をＭｎ樹脂酸塩溶液で被覆し、還
元雰囲気中で予備焼成し；そしてこのＭｎ樹脂酸塩被覆
卑金属粉末、タンタラ（ｔａｎｔａｌａ）ガラスフリッ
トおよび遮断剤を一緒に混合して、第二卑金属抵抗ペイ
ントを形成させる；ことにより第二卑金属抵抗ペイント
を製造し； （ｃ）第一および第二卑金属抵抗ペイントを一緒に比例
的に配合して、この配合した第一および第二抵抗ペイン
トを支持体上にスクリーンして焼成し、不活性雰囲気中
で焼成して、１スクエア（ｓｑｕａｒｅ）あたり５、０
００ないし３００、０００オームの範囲の制御されたシ
ート抵抗率をもつ抵抗体を形成させるが、 ここで、第一ペイントに関連した第二ペイントの割合の
増加がシート抵抗率をほぼ直線関係で増大させ、そして
第二ペイントに関連した第一ペイントの割合の増大がほ
ぼ直線関係でシート抵抗率を減少させ、第一ペイントと
第二ペイントとの比率とそれから製造された抵抗体のシ
ート抵抗率との間の密接な関係を与える、 ことより成る、１スクエア（ｓｑｕａｒｅ）あたり５、
０００ないし２０、０００オームの範囲のシート抵抗率
を有する第一卑金属抵抗ペイントを、１スクエア（ｓｑ
ｕａｒｅ）あたり５０、０００ないし３００、０００オ
ームの範囲のシート抵抗率を有する第二卑金属抵抗ペイ
ントと、比例的に配合することにより形成される、厚手
フィルム卑金属抵抗体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US750029 | 1985-07-01 | ||
| US06/750,029 US4720418A (en) | 1985-07-01 | 1985-07-01 | Pre-reacted resistor paint, and resistors made therefrom |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6276501A true JPS6276501A (ja) | 1987-04-08 |
| JPH0453081B2 JPH0453081B2 (ja) | 1992-08-25 |
Family
ID=25016213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61153944A Granted JPS6276501A (ja) | 1985-07-01 | 1986-06-30 | 予備反応させた抵抗体ペイント、およびそれから製造された抵抗体 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4720418A (ja) |
| JP (1) | JPS6276501A (ja) |
| FR (1) | FR2584229B1 (ja) |
| GB (1) | GB2177102B (ja) |
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