JPS62271442A - 混成集積回路 - Google Patents

混成集積回路

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JPS62271442A
JPS62271442A JP62079790A JP7979087A JPS62271442A JP S62271442 A JPS62271442 A JP S62271442A JP 62079790 A JP62079790 A JP 62079790A JP 7979087 A JP7979087 A JP 7979087A JP S62271442 A JPS62271442 A JP S62271442A
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JP
Japan
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aluminum
copper
circuit
foil
semiconductor
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JP62079790A
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Inventor
Shinichiro Asai
新一郎 浅井
Kazuo Kato
和男 加藤
Tatsuo Nakano
辰夫 中野
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Denka Co Ltd
Original Assignee
Denki Kagaku Kogyo KK
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ３、発明の詳細な説明 （産業上の利用分野） 本発明は、繁雑な作業を必要なしにエツチングのみによ
って、アルミニウムリード線による半導体と回路との信
頼性の高いワイヤーボンディングを可能とした混成集積
回路１（関する。
（従来の技術） 従来、混成集積回路はセラミックやがラス基板上に抵抗
体やトランジスターの如き回路部品を適宜付着したもの
、あるいはアルミニウムまたは鉄基板上に絶縁層を設け
、この上に回路を組み込む方式が一般的である。
これら基板の上には、半田付による半導体のダイざンデ
イング、外部への端子接続、チップコンデンサー等チッ
プ部品の堰付けがなされ、また半導体と回路との接続は
、金線又はアルミニウム線によるワイヤービンディング
によりなされている。
アルミニウムワイヤーの接読については、貴金属メッキ
による処理、ニッケルメッキ（特公昭５２−３４６１号
公報）、アルミニウム蒸着メッキ（特開昭５１−２８６
６２号公報）及び金属ベレットの接着（特公昭４５−３
７１１０号公報）、等各種の提案がある。し、かじなが
らメッキによる場合は、メッキ設備を必要とするほかに
メッキ表面の精度、層厚みを管理することが必要である
。
また、金属ベレットの擬着の場合は、接着個数が　１半
導体のグイボンディング数より多く、これらの作業はき
わめて煩雑な作業である。
また、高分子向ｊ倍絶縁層を有する銅箔回路では、絶縁
層が低ヤング率であるため、超音波振動によりワイヤー
ビンディングを行うといわゆる超音波かにげる現象があ
り、十分なボンディングが不可能である。また、貴金属
メッキやニッケルメッキ法では、ボンディング表面の精
度が厳密に要求されると共にその詔音波振動ボンディン
グ条件も狭い範囲で操作しなければならなかった。
（発明が解決しようとする問題点） 本発明は、かかる欠点を解決したものであり、金属基板
に絶縁層、アルミニウム−銅クラッド箔を順に積層して
一体化してなる積層物のアルミニウム−銅クラッド箔を
アルミニウムと銅の両者をエツチングできる塩化鉄等で
エツチングして配線回路を形成させ、しかもアルカリ又
は過硫酸アンモニウムによりエツチングしてアルミニウ
ム回路や銅回路を露出させて、これに半田を介して銅回
路と半導体や他部材とを積層し、かつ半導体とアルミニ
ウム回路とをアルミニウムリード線を用い超音波によっ
て固着するようした混成集積回路を提供しようとするも
のである。
（問題点を解決するための手段） すなわち本発明は、金属基板に絶縁層を介してアルミニ
ウム−銅クラッド箔が積層され、該アルミニウム−銅ク
ラッド箔がエツチングされて銅配線回路およびアルミニ
ウム回路が形成され、前記銅配線回路上に固着された半
導体とアルミニウム回路とがアルミニウムリード線で固
着されたことを特徴とする混成集積回路である。
（実施例） 以下図面により本発明の実施例を詳しく説明するが、第
１〜２図は実施列に用いる積層物、第６〜４図は実施例
の断面図、第５図は超音波出力と引張強度との関係図で
ある。
まず第１図に示すように本発明に用いる積層物は、金属
基板１の上に絶縁物層２を積層し、絶縁物層２の面にア
ルミニウム箔３がくるようにアルミニウム３と銅４との
アルミニウム−銅クラッド箔８が積層したものであり、
また、第２図は、第１図のものと逆に構成しｔもので絶
縁物層２の面に銅箔４がくるようにアルミニウム−銅ク
ラッド箔８が積層したものである。
次に、このアルミニウム−銅クラッド箔８は両者に対し
てエツチング可能な塩化鉄等でエツチングして配線回路
を形成させる。次いで第２図に示す積層物を前記の方法
でエツチングし、さらに第６図に示すように金属基板１
、絶縁物層２、及びアルミニウム回路３′の一部をアル
カリエツチングして銅回路４′を露出させて、該銅回路
４′上に半田７を介して半導体やチップ抵抗体等を載置
した後、半導体６とアルミニウム回路３′とを超音波渦
動法によりアルミニウムリード線５により固着する。
また第１図に示す遺ノ脅物を前記の方法でエツチングし
さらに第４図に示すように、金属基板１、絶縁物層２、
及び銅回路４の一部を過硫酸アンモニウム等でエツチン
グしてワイヤビンディング部となるアルミニウム回路３
′を露出せしめ、銅回路４′上には、第６図同様に半田
７を介して半導体やチップ抵抗体等を載置し、半導体６
とアルミニウム回路３′とを超音波渦動法によりアルミ
ニウムＩＪ　−ド線５により接続する。
本発明（で用いる金属基板１としては、良熱伝導性を持
つ０．５〜３．０朋のアルミニウム、鉄等が用いられ、
絶縁物層２としては、各種セラミックス、無機粉体を含
有する高分子樹脂絶縁層、ガラス繊維を含有する高分子
樹脂絶縁層、及び耐熱性高分子樹脂絶縁層と用い、その
肉厚は２０μ以上である。前記無機粉体としては、アル
ミナ、べＩＪ　ＩＪヤ、ボロンナイトライド、マグネシ
ア、シリカ等が好ましく、高分子樹脂としては、エポキ
シ樹脂、フェノール側脂、ポリイミド樹脂等が好ましい
。また、絶縁物層２としては、高分子樹脂を含有する絶
縁層が好ましく、さらに、アルミニウム−銅りラッド滴
８のアルミニウムは１０〜１００μであり、銅は０．１
〜１００μの厚さが好ましい。さらにアルミニウムにｍ
ｔｌ−メッキした箔でもよい。又アルミニウムに異種の
金属、例えばニッケル、銅？順にメッキすることもでき
る。
次に、２ｍｍ厚のアルミニウム板に５０μのアルミニウ
ム−銅クラッド箔を、又は金又はニッケルメッキした３
５μの銅箔をエポキシ糸接着剤で接合した金属基板を用
い、６０μのアルミニウムリード線を超音波ワイヤービ
ンディングした時のビンディングパッドの種類と引張り
強度の関係を第５図に示した。すなわち、本発明による
アルミニウム−銅クラッド箔を用い選択的にエツチング
を行なって、アルミニウム箔１５μのビンディングパッ
ドを形成させた実施例では引張強度が３５μの銅、層上
に金メッキやニッケルメッキした時より高く、かつ引張
強度のバラツキが少ないことが分かる。メッキした場合
にこのように引張強度のバラツキが大きくなることは、
メッキ面の性状がワイヤーボンディング性に著しい影響
を与えるということであり、メッキによってピンディン
グパラ「を形、成する場合には避けられない欠点である
。
（発明の効果〕 以上説明した通り本発明は、金属基板に絶縁物層、アル
ミニウム−銅クラッド箔を順に積層し、前記アルミニウ
ム−銅クラッド箔をエツチングして配線パターンを形成
すると共に、ビンディングバンドを形成し、半導体等と
アルミニウム回路とのアルミニウムリード線での固着が
超音波振動法により容易にかつ強固に行われることので
きる混成集積回路のものである。
【図面の簡単な説明】
第１〜４図は本発明の実施例の断面図であり、第５図は
引張強度の実施例と比較例を表わしたものである。 符号１・・・金属基板、１・・・絶縁物層、３・・・ア
ルミニウム箔、３′・・・アルミニウム回路、４・・・
銅箔、４′・・・銅回路、５・・・アルミニウムリード
線、６・・・半導体、７・・・半田、８・・・アルミニ
ウム−銅りラッド店。 特許出願人　　電気化学工業株式会社 第５図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 金属基板に絶縁物層を介してアルミニウム−銅クラッド
    箔が積層され、該アルミニウム−銅クラッド箔がエッチ
    ングされて銅配線回路およびアルミニウム回路が形成さ
    れ、前記銅配線回路上に固着された半導体とアルミニウ
    ム回路とがアルミニウムリード線で固着されたことを特
    徴とする混成集積回路。
JP62079790A 1987-04-02 1987-04-02 混成集積回路 Pending JPS62271442A (ja)

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JP62079790A JPS62271442A (ja) 1987-04-02 1987-04-02 混成集積回路

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01256157A (ja) * 1988-04-06 1989-10-12 Denki Kagaku Kogyo Kk 複合ピングリツドアレー
WO2007139195A1 (ja) 2006-05-31 2007-12-06 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Ｌｅｄ光源ユニット
WO2008093440A1 (ja) 2007-01-30 2008-08-07 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Ｌｅｄ光源ユニット

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5848432A (ja) * 1981-09-17 1983-03-22 Denki Kagaku Kogyo Kk 混成集積回路の製法

Patent Citations (1)

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WO2007139195A1 (ja) 2006-05-31 2007-12-06 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Ｌｅｄ光源ユニット
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