JPH0329949A - ポジ型フォトレジスト用ノボラック樹脂組成物 - Google Patents
ポジ型フォトレジスト用ノボラック樹脂組成物Info
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- JPH0329949A JPH0329949A JP16575389A JP16575389A JPH0329949A JP H0329949 A JPH0329949 A JP H0329949A JP 16575389 A JP16575389 A JP 16575389A JP 16575389 A JP16575389 A JP 16575389A JP H0329949 A JPH0329949 A JP H0329949A
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Landscapes
- Phenolic Resins Or Amino Resins (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明はホシ型フォトレジスト用ノボラツク樹脂絽成物
に関し、さらに詳しくは特にパターン形状に優れ、かつ
耐効性、解像力、感度の良好なボジ型フォトレジスト用
ノボラツク樹脂組威物に関する。
に関し、さらに詳しくは特にパターン形状に優れ、かつ
耐効性、解像力、感度の良好なボジ型フォトレジスト用
ノボラツク樹脂組威物に関する。
〈従来の技術〉
ボジ型フォトレシストはアルカリ可溶性のノボラック樹
脂と、フォトセンシタイザーと呼はれる光分解成分とか
ら構成されており、特にIC,LSI等の集積度の高い
回路製作を行う際に使用する写真食刻法におけるエッチ
ング保護膜等として最近利用度が高まってきている。こ
の集積回路製作については高集積化に伴う微細化が急速
に進行し、今やサブミクロンのパターン形成が要求され
るに到っており、今後、更に高集積化にともなってパタ
ーンの微細化が進むことは必至と考えられている。この
ような状況下でパターン形威の良好な、更に耐熱性、解
像力、感度を向上させたボシ型フォトレジストに対する
要求は非常に高いものがある。
脂と、フォトセンシタイザーと呼はれる光分解成分とか
ら構成されており、特にIC,LSI等の集積度の高い
回路製作を行う際に使用する写真食刻法におけるエッチ
ング保護膜等として最近利用度が高まってきている。こ
の集積回路製作については高集積化に伴う微細化が急速
に進行し、今やサブミクロンのパターン形成が要求され
るに到っており、今後、更に高集積化にともなってパタ
ーンの微細化が進むことは必至と考えられている。この
ような状況下でパターン形威の良好な、更に耐熱性、解
像力、感度を向上させたボシ型フォトレジストに対する
要求は非常に高いものがある。
これらの要求に対応ずへく、特開昭62−172341
号では、溶剤存在下にてフェノール類とアルデヒト類を
酸性触媒で反応させて分子量分布を狭くしたノボラック
樹脂を得ており、これを配合したボジ型フォトレジスト
のパターン形状性、感度の向上を試みている。
号では、溶剤存在下にてフェノール類とアルデヒト類を
酸性触媒で反応させて分子量分布を狭くしたノボラック
樹脂を得ており、これを配合したボジ型フォトレジスト
のパターン形状性、感度の向上を試みている。
しかし、これらの方法では樹脂製造に関bる時間が極端
に長くなり作業性が悪くその結果コスト的に高価になっ
てしまうという課題があり、更に、フェノール類の配合
については、メタクレゾール・バラクレゾールの配合比
出或はメタクレゾール・パラクレゾール・キシレノール
の配合比率に於てメタククレゾールに刻するバラクレゾ
ールの配合、叉はメタクレゾールに74するバラクレ゛
ゾール及ひキシレノールの配合を増加させることにより
パターン形状を向−1−させているが、解像力、感度、
耐熱性を共に満足させる上で、解像力及び感度を向上さ
せるためには分子量を下げなくてはならずその結果耐熱
性の低下を招く一方、耐蔀性を向上させるためには分子
量を上げなくてはならずその結果解像度及び感度の低下
を招くといつk欠点があった。
に長くなり作業性が悪くその結果コスト的に高価になっ
てしまうという課題があり、更に、フェノール類の配合
については、メタクレゾール・バラクレゾールの配合比
出或はメタクレゾール・パラクレゾール・キシレノール
の配合比率に於てメタククレゾールに刻するバラクレゾ
ールの配合、叉はメタクレゾールに74するバラクレ゛
ゾール及ひキシレノールの配合を増加させることにより
パターン形状を向−1−させているが、解像力、感度、
耐熱性を共に満足させる上で、解像力及び感度を向上さ
せるためには分子量を下げなくてはならずその結果耐熱
性の低下を招く一方、耐蔀性を向上させるためには分子
量を上げなくてはならずその結果解像度及び感度の低下
を招くといつk欠点があった。
従って、現状のボシ型フォトレシストを見ると、パター
ン形状、耐熱性、解像力、感度の点で必ずしも要求を満
たしているとは云えない。
ン形状、耐熱性、解像力、感度の点で必ずしも要求を満
たしているとは云えない。
〈発明が解決しようとする課題〉
本発明は−ヒ記要望に応えるべくなされたもので、ボジ
型フォトレジストに於で良好なパターン形状、銅熱性、
解像度、感度を与えるノボラック樹脂■成物な提供する
ことを目的とする。
型フォトレジストに於で良好なパターン形状、銅熱性、
解像度、感度を与えるノボラック樹脂■成物な提供する
ことを目的とする。
〈問題点を解決しようとする手段〉
本発明者らは−1、記目的を達成するため、鋭意検討を
重ねた結果、フェノール類として下記一般式″(示され
る化合物へ及び 物A叉は 下記一般式で示される化合物Bに 下記一般式で示される化合物Bを用い、分子量分布を狭
くしパターン形状を向上させ、化合物Aまたは化合物B
とメタクレゾール、叉はメタクレゾール・パラクレゾー
ル混合物を用いることにより解像度、感度及び耐熱性の
両立するボシ型フォトレジスト用ノボラツクを得ること
を見いたし本発明に到った。
重ねた結果、フェノール類として下記一般式″(示され
る化合物へ及び 物A叉は 下記一般式で示される化合物Bに 下記一般式で示される化合物Bを用い、分子量分布を狭
くしパターン形状を向上させ、化合物Aまたは化合物B
とメタクレゾール、叉はメタクレゾール・パラクレゾー
ル混合物を用いることにより解像度、感度及び耐熱性の
両立するボシ型フォトレジスト用ノボラツクを得ること
を見いたし本発明に到った。
すなわち、本発明は下記一般式で示される化合メタクレ
゛ゾール叉はメタクレ゛ゾール・バラクレ゛ゾール混合
物を配合し、酸の存在下アルデヒド類と反応させること
により製造されるノボラック樹脂てあって、化合物Aま
たは化合物Bとメタクレゾール又はメタクレゾール・バ
ラクレゾール混合物の配合比が1: 10〜1:1の範
囲内にあり、かつ重量平均分子量が3.000〜15.
000であることを特徴とするボジ型フォトレジスト用
ノボラック樹脂組成物である。
゛ゾール叉はメタクレ゛ゾール・バラクレ゛ゾール混合
物を配合し、酸の存在下アルデヒド類と反応させること
により製造されるノボラック樹脂てあって、化合物Aま
たは化合物Bとメタクレゾール又はメタクレゾール・バ
ラクレゾール混合物の配合比が1: 10〜1:1の範
囲内にあり、かつ重量平均分子量が3.000〜15.
000であることを特徴とするボジ型フォトレジスト用
ノボラック樹脂組成物である。
本発明で用いられるフェノール類の内、一般式Aで示さ
れる化合物、または一般式Bて示される化合物において
、Rはアルキル基、アルコキシ基、アリール基またはア
ラールキル基である。アルキル基としては分岐鎖状ある
いは環状炭素数10までのアルキル基、例えはメチル基
、エチル基、イソブロビル基、ブチル基、2−エチルヘ
キシル基、シクロヘキシル基があり、アルコキシ基とし
ては炭素数4以下のアルコキシ基、例えばメトキシ基、
エトキシ基、プロボキシ基、ブトキシ基がある。
れる化合物、または一般式Bて示される化合物において
、Rはアルキル基、アルコキシ基、アリール基またはア
ラールキル基である。アルキル基としては分岐鎖状ある
いは環状炭素数10までのアルキル基、例えはメチル基
、エチル基、イソブロビル基、ブチル基、2−エチルヘ
キシル基、シクロヘキシル基があり、アルコキシ基とし
ては炭素数4以下のアルコキシ基、例えばメトキシ基、
エトキシ基、プロボキシ基、ブトキシ基がある。
アリール基としては例えばフエニル基、 トリル基、ク
ミル基等があり、アラールキル基としては炭素数6〜1
0のアラールキル基例えはヘンシル基、フェネチル基等
をあげることが出来る。
ミル基等があり、アラールキル基としては炭素数6〜1
0のアラールキル基例えはヘンシル基、フェネチル基等
をあげることが出来る。
又、アルデヒド類は特に限定しないがホルマリン、バラ
ホルムアルデヒド、 トリオキサン、テトラオキサン等
があげられる。
ホルムアルデヒド、 トリオキサン、テトラオキサン等
があげられる。
更に、化合物Aまたは化合物Bとメタクレゾール又はメ
タクレゾール・パラクレゾール混合物との重量比はl:
10〜1:lの範囲内にあることが好ましく、 1:
10よりも大きくなるとこれを用いたフォトレジスト
のパターン形状の改善は余り間待できず1: 1よりも
小さくなると感度が大幅に低下し、実用的でなくなる。
タクレゾール・パラクレゾール混合物との重量比はl:
10〜1:lの範囲内にあることが好ましく、 1:
10よりも大きくなるとこれを用いたフォトレジスト
のパターン形状の改善は余り間待できず1: 1よりも
小さくなると感度が大幅に低下し、実用的でなくなる。
叉、メタクレゾール及びバラクレゾール混合物に於ける
メタクレソールとパラクレゾールの配合組成比は10:
0〜5:5が好ましく、この配合絹成比よりバラクレ
ゾールが多くなるとフォトレジストの現像性が低下し、
実用的でなくなる。
メタクレソールとパラクレゾールの配合組成比は10:
0〜5:5が好ましく、この配合絹成比よりバラクレ
ゾールが多くなるとフォトレジストの現像性が低下し、
実用的でなくなる。
なお、これらを反応させる際、化合物Aまたは化合物B
をフェノール類、アルデヒト類と共に仕込んで反応させ
ることが望ましいが、化合物Aまたは化合物Bとフェノ
ール類を最初に反応させ、次いでアルデヒト類を添加し
て反応しても構わず、その際溶剤を加えて反応しても差
し支えない。
をフェノール類、アルデヒト類と共に仕込んで反応させ
ることが望ましいが、化合物Aまたは化合物Bとフェノ
ール類を最初に反応させ、次いでアルデヒト類を添加し
て反応しても構わず、その際溶剤を加えて反応しても差
し支えない。
〈実施例〉
本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれらの実
施例によって何等制約されるものではない。
施例によって何等制約されるものではない。
実施例1
内容積500mQの三ツ口フラスコにメタクレ−10−
ゾール150g、化合物A20g、37%ホルマリン1
00g、エチルセロソルブ60gを仕込み、攪拌しなか
らシュウ酸1gを添加し反応温度95〜100℃に保ち
10時間反応させた。反応後減圧下にて脱水及び脱溶剤
を行い重量平均分子fi8.OOOのノボラック樹脂を
得た。
00g、エチルセロソルブ60gを仕込み、攪拌しなか
らシュウ酸1gを添加し反応温度95〜100℃に保ち
10時間反応させた。反応後減圧下にて脱水及び脱溶剤
を行い重量平均分子fi8.OOOのノボラック樹脂を
得た。
実施例2
実施例1と同様な反応装置にメタクレゾール15 0
g. 化合物820g,37%ホルマリン105g、
エチルセロソルブ60gを仕込み、攪拌しながらシュウ
酸1gを添加し、反応温度95〜100℃に保ち、10
時間反応させた。反応後実施例1と同様に減圧下で脱水
、脱溶剤し重量平均分子fll3.500のノボラック
樹脂を得た。
g. 化合物820g,37%ホルマリン105g、
エチルセロソルブ60gを仕込み、攪拌しながらシュウ
酸1gを添加し、反応温度95〜100℃に保ち、10
時間反応させた。反応後実施例1と同様に減圧下で脱水
、脱溶剤し重量平均分子fll3.500のノボラック
樹脂を得た。
実施例3
実施例1と同様な反応装置に混合クレゾール(メタクレ
ソール/バラクレゾールの重量比=6/4)37g、メ
タクレゾール110g、化合物A45g,37%ホルマ
リン8 0 g, エチルセロソルブ60gを仕込み
、攪拌しながらシュウiKflgl1 を添加し、反応7品度95〜100℃に保ち、10時間
反応させた。反応後、減圧下にて脱水、脱溶剤を行い重
量平均分子量5.000のノボラツク樹脂を得た。
ソール/バラクレゾールの重量比=6/4)37g、メ
タクレゾール110g、化合物A45g,37%ホルマ
リン8 0 g, エチルセロソルブ60gを仕込み
、攪拌しながらシュウiKflgl1 を添加し、反応7品度95〜100℃に保ち、10時間
反応させた。反応後、減圧下にて脱水、脱溶剤を行い重
量平均分子量5.000のノボラツク樹脂を得た。
実施例4
実施例1〜3の比較として、実施例lと同様な反応装置
に混合クレゾール(メタクレゾール/パラクレゾールの
@量比=6/4)150g、37%ホルマリン80g、
エチルセロソルブ60gを仕込み、攪拌しながらシュウ
酸1gを添加し、反応温度95〜100℃に保ち、】O
時間反応させk0 反応後、減圧下にて脱水、脱溶剤
を行い重量平均分子量8.000のノボラック樹脂を得
た。
に混合クレゾール(メタクレゾール/パラクレゾールの
@量比=6/4)150g、37%ホルマリン80g、
エチルセロソルブ60gを仕込み、攪拌しながらシュウ
酸1gを添加し、反応温度95〜100℃に保ち、】O
時間反応させk0 反応後、減圧下にて脱水、脱溶剤
を行い重量平均分子量8.000のノボラック樹脂を得
た。
実施例1〜4で得られたノボラック樹脂100重量部と
ナフトキノン1.2−ジアジト−5−スルホン酸の2.
3. 4−}リヒドロキシベンゾフェノンエステ
ル30重量部とをエチレングリコールモノエチルエーテ
ルアセテート390重量部に溶解し、レジスト液を調合
した。これらの各絹成物を0.2Ilmのメンブレンフ
ィルターを用い濾12 過し、レジスト液としk0 このレジストa成物な常
法により洗浄した後シリコンウエハーに1.3lLm厚
に塗布した。
ナフトキノン1.2−ジアジト−5−スルホン酸の2.
3. 4−}リヒドロキシベンゾフェノンエステ
ル30重量部とをエチレングリコールモノエチルエーテ
ルアセテート390重量部に溶解し、レジスト液を調合
した。これらの各絹成物を0.2Ilmのメンブレンフ
ィルターを用い濾12 過し、レジスト液としk0 このレジストa成物な常
法により洗浄した後シリコンウエハーに1.3lLm厚
に塗布した。
次いでこのシリコンウエハーを110℃で90秒間乾燥
した。その後縮小投影露光装置を用いテストチャー1・
マスクを介してlf*シ、工見像γ夜NMD−3(東京
応化工業製)を用い30秒間現像した。
した。その後縮小投影露光装置を用いテストチャー1・
マスクを介してlf*シ、工見像γ夜NMD−3(東京
応化工業製)を用い30秒間現像した。
現像後のレジス1・パターンについたシリコンウエハー
を種々の沼度に設定したクリーンオーブン中に30秒間
放置し、その後レジストパターンを走査型電子顕微鏡で
観察することによりパターン形状、耐熱性を評価した。
を種々の沼度に設定したクリーンオーブン中に30秒間
放置し、その後レジストパターンを走査型電子顕微鏡で
観察することによりパターン形状、耐熱性を評価した。
これらの結果をまとめて表1に記しk0−13−
14
〈発明の効果〉
木発明より得られkノボラック樹脂はフォトレジスト用
として適切な分子量を有し、その結果このノボラック樹
脂を使用したボジ型フォトレシストは良好なパターン形
状を有し、かつ感度も良く、嗣熱性等の性能面も良好で
ある。
として適切な分子量を有し、その結果このノボラック樹
脂を使用したボジ型フォトレシストは良好なパターン形
状を有し、かつ感度も良く、嗣熱性等の性能面も良好で
ある。
従って、微細な回路パターンを有する集積回路を製作す
ることが出来る。
ることが出来る。
−15
Claims (5)
- (1)下記一般式で表される化合物Aと ▲数式、化学式、表等があります▼ メタクレゾールの混合物を酸の存在下でアルデヒド類と
反応させることによって製造されるノボラック樹脂であ
って、上記化合物Aとメタクレゾールの重量比が1:1
0〜1:1の範囲内にあり、かつ上記ノボラック樹脂の
重量平均分子量が3,000〜15,000であること
を特徴とするポジ型フォトレジスト用ノボラック樹脂組
成物。 - (2)下記一般式で表される化合物Bと ▲数式、化学式、表等があります▼ メタクレゾールの混合物を酸の存在下でアルデヒド類と
反応させることにより製造されるノボラック樹脂であっ
て、上記化合物Bとメタクレゾールの重量比が1:10
〜1:1の範囲内にあり、かつ上記ノボラック樹脂の重
量平均分子量が3,000〜15,000であることを
特徴とするポジ型フォトレジスト用ノボラック樹脂組成
物。 - (3)下記一般式で表される化合物Aと ▲数式、化学式、表等があります▼ メタクレゾール及びパラクレゾールの混合物を酸の存在
下でアルデヒド類と反応させることによって製造される
樹脂であって、上記化合物Aと、組成重量比が10:0
〜5:5であるメタクレゾール及びパラクレゾール混合
物との重量比が1:10〜1:1の範囲内にあり、かつ
上記ノボラック樹脂の重量平均分子量が3,000〜1
5,000であることを特徴とするポジ型フォトレジス
ト用ノボラック樹脂組成物。 - (4)下記一般式で表される化合物Bと ▲数式、化学式、表等があります▼ メタクレゾール及びパラクレゾールの混合物を酸の存在
下でアルデヒド類と反応させることにより製造されるノ
ボラック樹脂であって、上記化合物Bと、配合組成比が
10:0〜5:5であるメタクレゾール及びパラクレゾ
ール混合物との重量比が1:10〜1:1の範囲内にあ
り、かつ上記ノボラック樹脂の重量平均分子量が3,0
00〜15,000であることを特徴とするポジ型フォ
トレジスト用ノボラック樹脂組成物。 - (5)前記化合物A、Bの一般式中のRは、アルキル基
、アルコキシ基、アリール基またはアラールキル基であ
る特許請求の範囲第1、2、3、4項記載のポジ型フォ
トレジスト用ノボラック樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16575389A JP2948235B2 (ja) | 1989-06-28 | 1989-06-28 | ポジ型フォトレジスト用ノボラック樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16575389A JP2948235B2 (ja) | 1989-06-28 | 1989-06-28 | ポジ型フォトレジスト用ノボラック樹脂組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0329949A true JPH0329949A (ja) | 1991-02-07 |
| JP2948235B2 JP2948235B2 (ja) | 1999-09-13 |
Family
ID=15818411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16575389A Expired - Lifetime JP2948235B2 (ja) | 1989-06-28 | 1989-06-28 | ポジ型フォトレジスト用ノボラック樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2948235B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5188921A (en) * | 1989-09-07 | 1993-02-23 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Selected block copolymer novolak binder resins in radiation-sensitive resist compositions |
| US5196289A (en) * | 1989-09-07 | 1993-03-23 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Selected block phenolic oligomers and their use in radiation-sensitive resist compositions |
| US5232819A (en) * | 1989-09-07 | 1993-08-03 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Selected block phenolic oligomers and their use in phenolic resin compositions and in radiation-sensitive resist compositions |
| US5235022A (en) * | 1989-09-07 | 1993-08-10 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Selected block copolymer novolak binder resins |
| US5234795A (en) * | 1989-09-07 | 1993-08-10 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Process of developing an image-wise exposed resist-coated substrate |
| US5413894A (en) * | 1993-05-07 | 1995-05-09 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | High ortho-ortho bonded novolak binder resins and their use in radiation-sensitive compositions |
-
1989
- 1989-06-28 JP JP16575389A patent/JP2948235B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5188921A (en) * | 1989-09-07 | 1993-02-23 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Selected block copolymer novolak binder resins in radiation-sensitive resist compositions |
| US5196289A (en) * | 1989-09-07 | 1993-03-23 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Selected block phenolic oligomers and their use in radiation-sensitive resist compositions |
| US5232819A (en) * | 1989-09-07 | 1993-08-03 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Selected block phenolic oligomers and their use in phenolic resin compositions and in radiation-sensitive resist compositions |
| US5235022A (en) * | 1989-09-07 | 1993-08-10 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Selected block copolymer novolak binder resins |
| US5234795A (en) * | 1989-09-07 | 1993-08-10 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Process of developing an image-wise exposed resist-coated substrate |
| US5302688A (en) * | 1989-09-07 | 1994-04-12 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Selected block phenolic oligomers and their use in phenolic resin compositions and in radiation-sensitive resist compositions |
| US5413894A (en) * | 1993-05-07 | 1995-05-09 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | High ortho-ortho bonded novolak binder resins and their use in radiation-sensitive compositions |
| US5473045A (en) * | 1993-05-07 | 1995-12-05 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | High ortho-ortho bonded novolak binder resins and their use in radiation-sensitive compositions |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2948235B2 (ja) | 1999-09-13 |
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