JPH0330389A - 半導体レーザ装置の製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置の製造方法Info
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- JPH0330389A JPH0330389A JP16495789A JP16495789A JPH0330389A JP H0330389 A JPH0330389 A JP H0330389A JP 16495789 A JP16495789 A JP 16495789A JP 16495789 A JP16495789 A JP 16495789A JP H0330389 A JPH0330389 A JP H0330389A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体レーザ装置の製造方法に関する。
（従来の技術）
有機金属熱分解気相成長方法（以下、ＭＯＶ ＰＥ法と
称する）により結晶成長をさせて形成された半導体レー
ザ構造として、ダブルヘテロ槽遠の上側のクラッド層を
ストライプ状のメサに加工し、このメサ加工されたクラ
ッド層上に電流狭窄層を形成しなＳ″ａが従業されてい
る。
称する）により結晶成長をさせて形成された半導体レー
ザ構造として、ダブルヘテロ槽遠の上側のクラッド層を
ストライプ状のメサに加工し、このメサ加工されたクラ
ッド層上に電流狭窄層を形成しなＳ″ａが従業されてい
る。
このレーザをＡｌＧａ１ｎＰ系材料で作製した例を第３
図に、その作製構造を第４図に示す、その詳細は、（エ
クステンデッド・アブストラクツ・オン・ザ・１８ス・
コンフェレンス・オン・ソリッド・ステイト・テバイス
・アンド・マテリアルス（Ｅｘｔｅｎｄｅｄ Ａｂｓｔ
ｒａｃｔｓ ｏｆ ｔｈｅ １８ｔｈ Ｃｏｎｆｅｒｅ
ｎｃｅ ｏｎ ５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ Ｄｅｖｉｃｅ
ｓ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ）、Ｔ。
図に、その作製構造を第４図に示す、その詳細は、（エ
クステンデッド・アブストラクツ・オン・ザ・１８ス・
コンフェレンス・オン・ソリッド・ステイト・テバイス
・アンド・マテリアルス（Ｅｘｔｅｎｄｅｄ Ａｂｓｔ
ｒａｃｔｓ ｏｆ ｔｈｅ １８ｔｈ Ｃｏｎｆｅｒｅ
ｎｃｅ ｏｎ ５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ Ｄｅｖｉｃｅ
ｓ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ）、Ｔ。
ｋｙｏ、１９８６．ｐｐｊ５３−１５６）に記載されて
いる。
いる。
先ず、１回目の成長でｎ型ＧａＡｓからなる半導体基板
１上にｎ型Ａ１１ｎＰからなる第１のクラッド１２、Ｇ
ａ１ｎＰからなる活性１ｌｉ１３、ｐ型ＡＩＩｎＰから
なる第２のクラッドＮ４４、ｐ型ＧａＡｓ−’ｒヤッ１
Ｎ５を順次成長する。次に、このダブルヘテロ構造上に
ホトリソグラフィによりストライプ状のＳｉＯ２膜８を
形成する（第４図（ａ））、そして、この５ｉＯ２）Ｉ
Ａ８をマスクとして、第２２ラツド１４の内部までＰ型
ＧａＡｓキャップ層５と第２のクラッド層４をエツチン
グにより除去し、ストライプ状のメサを形成するく第４
図（ｂ））。次に、ｓ ｔ ０２ ［８をつけたままＭ
ＯＶＰＥ法により２度目の成長を行い、５１０２膜８を
選択成長マスクとしてメサ・トップ以外の部分にｎ型Ｇ
ａＡｓ電流狭窄・光吸収層６を成長する（第４図（ｃ）
）、ｆｉ後に、ｓｉ。
１上にｎ型Ａ１１ｎＰからなる第１のクラッド１２、Ｇ
ａ１ｎＰからなる活性１ｌｉ１３、ｐ型ＡＩＩｎＰから
なる第２のクラッドＮ４４、ｐ型ＧａＡｓ−’ｒヤッ１
Ｎ５を順次成長する。次に、このダブルヘテロ構造上に
ホトリソグラフィによりストライプ状のＳｉＯ２膜８を
形成する（第４図（ａ））、そして、この５ｉＯ２）Ｉ
Ａ８をマスクとして、第２２ラツド１４の内部までＰ型
ＧａＡｓキャップ層５と第２のクラッド層４をエツチン
グにより除去し、ストライプ状のメサを形成するく第４
図（ｂ））。次に、ｓ ｔ ０２ ［８をつけたままＭ
ＯＶＰＥ法により２度目の成長を行い、５１０２膜８を
選択成長マスクとしてメサ・トップ以外の部分にｎ型Ｇ
ａＡｓ電流狭窄・光吸収層６を成長する（第４図（ｃ）
）、ｆｉ後に、ｓｉ。
２Ｊ１１８を除去し、もう−度Ｐ型ＧａＡｓコンタクト
層７を成長する（第４図（ｄ））。
層７を成長する（第４図（ｄ））。
この構造によると、電流はｎ型ＧａＡｓ電流狭窄・光吸
収層６によりブロックされ、メサ部のみに注入される。
収層６によりブロックされ、メサ部のみに注入される。
また、エツチングにより除去された部分、即ち、メサ部
以外の第２クラッド層４の厚さは、光をとじ込めるには
不十分な大きさにおさえて設計されるためｎ型ＧａＡｓ
電流狭窄・光吸収層６に光が吸収され、メサ部にのみ光
が導波される。こうして横モード制御型のレーザとなる
。
以外の第２クラッド層４の厚さは、光をとじ込めるには
不十分な大きさにおさえて設計されるためｎ型ＧａＡｓ
電流狭窄・光吸収層６に光が吸収され、メサ部にのみ光
が導波される。こうして横モード制御型のレーザとなる
。
上述従来の製造方法において、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄・
光吸収ｌ田６を５ｉＯ２１模８をマスクとして用いＭＯ
ＶＯＥ法による選択成長により形成したが、ｎ型ＧａＡ
ｓ電流狭窄・光吸収層をメサ・トップも含む全面に成長
した後にホトリソグラフィによりエツチングしてメサ・
トップ部を除去することも勿論可能である。
光吸収ｌ田６を５ｉＯ２１模８をマスクとして用いＭＯ
ＶＯＥ法による選択成長により形成したが、ｎ型ＧａＡ
ｓ電流狭窄・光吸収層をメサ・トップも含む全面に成長
した後にホトリソグラフィによりエツチングしてメサ・
トップ部を除去することも勿論可能である。
また、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層７は、Ｐ型電極を全面
電極とし、電極金属とＰ型半導体層との接触抵抗を下げ
るための層であり、この層を設けるかわりに、ｎ型Ｇａ
Ａｓ電流狭窄・光吸収層６を形成後に全面にＺｎを拡散
する方法もある。
電極とし、電極金属とＰ型半導体層との接触抵抗を下げ
るための層であり、この層を設けるかわりに、ｎ型Ｇａ
Ａｓ電流狭窄・光吸収層６を形成後に全面にＺｎを拡散
する方法もある。
（発明が解決しようとする課題）
上述レーザ構造の場合、横モード制御ｔｉｓを設け、か
つ素子抵抗を下げるためにｐ型電極を全面電極にしよう
とすると、結晶成長回数が３回もしくは、２回の結晶成
長とＺｎの拡散という具合に多くの製造工程数を必要と
するという問題点がある。
つ素子抵抗を下げるためにｐ型電極を全面電極にしよう
とすると、結晶成長回数が３回もしくは、２回の結晶成
長とＺｎの拡散という具合に多くの製造工程数を必要と
するという問題点がある。
本発明の目的は、かかる問題点を解決し、ＭＯＶＰＥ法
により少ない工程数で製造できる横モード制御構造の半
導体レーザ装置を提供することにある。
により少ない工程数で製造できる横モード制御構造の半
導体レーザ装置を提供することにある。
（課題を解決するための手段）
本発明の半導体レーザ装置の製造方法は、ｎ型基板上に
、活性層の上側および下側に前記活性層よりも屈折率の
小さなクラット層が形成されたダブルヘテロ構造層を形
成する工程と、誘電体膜をマスクとし前記上側クラッド
層を部分的に除去し、ストライプ状の逆メサ部を形成す
る工程と、前記誘電体膜をマスクとして、有機金属熱分
解気相成長法（ＭＯＶＰＥ）により前記逆メサ部の高さ
よりも薄いｎ型電流狭窄層を形成する工程と、前記ｎ型
電流狭窄層のキャリア濃度より高いキャリア濃度のｐ型
キャップ層を前記逆メサ部以外の部分に選択的に積層す
る工程とを含む。
、活性層の上側および下側に前記活性層よりも屈折率の
小さなクラット層が形成されたダブルヘテロ構造層を形
成する工程と、誘電体膜をマスクとし前記上側クラッド
層を部分的に除去し、ストライプ状の逆メサ部を形成す
る工程と、前記誘電体膜をマスクとして、有機金属熱分
解気相成長法（ＭＯＶＰＥ）により前記逆メサ部の高さ
よりも薄いｎ型電流狭窄層を形成する工程と、前記ｎ型
電流狭窄層のキャリア濃度より高いキャリア濃度のｐ型
キャップ層を前記逆メサ部以外の部分に選択的に積層す
る工程とを含む。
（作用）
ＮＯＶＰＨにより、逆メサ構造をもつ半導体基板上に結
晶を成長する場合、基板表面に対し、逆メサ側面では結
晶の成長速度が極端に遅くなる。
晶を成長する場合、基板表面に対し、逆メサ側面では結
晶の成長速度が極端に遅くなる。
また、ＺｎやＭｇなどのｐ型ドーパントは、結晶成長中
に、拡散する。したがって、上記本発明による製造方法
において、前記メサ部の高さよりも薄いｎ型電流狭窄層
が形成される時点では、このｎ型電流狭窄層表面から、
メサ頂上までのメサ１ｔｌ１１面にごく薄いｎ型層が形
成される。また、このｎ型電流狭窄層のキャリア濃度よ
り高いキャリア濃度のρ型キャップ層をメサ以外の部分
に選択的に積層する時に、ｐ型ドーパントが前記メサ側
面のごく薄いｎ型層をつきぬけて拡散し、この層がＰ型
に反転し、エビ表面は全面ｐ型層となる。その結果、従
来のような、３回目の成長による１、キャップ層の形成
やＺｎ拡欣工程は必要なくなる。
に、拡散する。したがって、上記本発明による製造方法
において、前記メサ部の高さよりも薄いｎ型電流狭窄層
が形成される時点では、このｎ型電流狭窄層表面から、
メサ頂上までのメサ１ｔｌ１１面にごく薄いｎ型層が形
成される。また、このｎ型電流狭窄層のキャリア濃度よ
り高いキャリア濃度のρ型キャップ層をメサ以外の部分
に選択的に積層する時に、ｐ型ドーパントが前記メサ側
面のごく薄いｎ型層をつきぬけて拡散し、この層がＰ型
に反転し、エビ表面は全面ｐ型層となる。その結果、従
来のような、３回目の成長による１、キャップ層の形成
やＺｎ拡欣工程は必要なくなる。
（実施例）
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明により製造された半導作レーザ装置の一
例を示すレーサチップの断面図である。
例を示すレーサチップの断面図である。
この例は、ｎ型ＧａＡｓ （不純物濃度ｎ−２×１０”
ｃｏ−ドーパント：Ｓｔ）からなる半導体基板１上に形
成されたｎ型Ａ Ｉ ｏ、ｓ ｆ ｎｏ、ｓ Ｐ（ｎ＝
５Ｘ １０１７ｃｍ−’、ドーパント：Ｓｅ）からなる
厚さ１．２μｍの第１クラッド層２およびアンドープＧ
ａＯ，ｓ Ｉ ｒｌｏ、ｓ Ｐからなるノブさ０１１
μｍの活性層３ど、活性層３上に形成されたρ型Ａｌｏ
、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐ （Ｐ＝５Ｘ１０１７ａｎ−
’ ドーパント：Ｚｎ）からなり、形状は逆メサでメ
サ部では厚さ１，２μｍ、メサ部以外では厚さ０．４μ
Ｉｎの第２クラッド層４と、第２クラッド層４のメサ部
上に形成された厚さ０．５μｍのｎ型ＧａＡｓ （ｐ＝
１ ｘｌ Ｏ”ｃｘ−ドーパント：Ｚｎ）からなるキャ
ップ層５と、第２クラッド層４のメサ底部に形成された
厚さ１μｍのｎ型ＧａＡｓ（ｎ＝ＩＸ１０１８ｃｍ→
ドーパント：Ｓｅ）からなる電流狭窄・光吸収層６と、
このｎ型ＧａＡｓの上に形成されたｎ型ＧａＡｓ （ｐ
＝１ｘ１０”Ｃｓ−’ ドーパント：Ｚｎ）からなる
コンタクト層７とを有している。
ｃｏ−ドーパント：Ｓｔ）からなる半導体基板１上に形
成されたｎ型Ａ Ｉ ｏ、ｓ ｆ ｎｏ、ｓ Ｐ（ｎ＝
５Ｘ １０１７ｃｍ−’、ドーパント：Ｓｅ）からなる
厚さ１．２μｍの第１クラッド層２およびアンドープＧ
ａＯ，ｓ Ｉ ｒｌｏ、ｓ Ｐからなるノブさ０１１
μｍの活性層３ど、活性層３上に形成されたρ型Ａｌｏ
、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐ （Ｐ＝５Ｘ１０１７ａｎ−
’ ドーパント：Ｚｎ）からなり、形状は逆メサでメ
サ部では厚さ１，２μｍ、メサ部以外では厚さ０．４μ
Ｉｎの第２クラッド層４と、第２クラッド層４のメサ部
上に形成された厚さ０．５μｍのｎ型ＧａＡｓ （ｐ＝
１ ｘｌ Ｏ”ｃｘ−ドーパント：Ｚｎ）からなるキャ
ップ層５と、第２クラッド層４のメサ底部に形成された
厚さ１μｍのｎ型ＧａＡｓ（ｎ＝ＩＸ１０１８ｃｍ→
ドーパント：Ｓｅ）からなる電流狭窄・光吸収層６と、
このｎ型ＧａＡｓの上に形成されたｎ型ＧａＡｓ （ｐ
＝１ｘ１０”Ｃｓ−’ ドーパント：Ｚｎ）からなる
コンタクト層７とを有している。
この実施例のＡＩＧａＩｎＰ半導体レーザでは、メサ以
外の部分では第２クラッド層４が薄く、電流狭窄・光吸
収層６に光が吸収され、光が導波するのはメサ部のみと
なり、横モードが制御される。
外の部分では第２クラッド層４が薄く、電流狭窄・光吸
収層６に光が吸収され、光が導波するのはメサ部のみと
なり、横モードが制御される。
また、１ａ流は、電流狭窄・光吸収層６により２、メサ
部のみに注入される。
部のみに注入される。
かかる構成の半導体レーザ装置を製造するための本発明
の一実施例による製造方法を次に説明する。
の一実施例による製造方法を次に説明する。
先ず、表面が（１００）面である半導体基板１上にＭＯ
ＶＰＥ法を用いて、ｎ型Ａ ｌ 、。
ＶＰＥ法を用いて、ｎ型Ａ ｌ 、。
Ｉｎｏ％Ｐからなる第１のクラッド層２、Ｇａｏ、ｓ
Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐからなる活性層３、Ｐ型Ａｌｏ、５
Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐからなる第２のクラッド層４、ｎ型Ｇ
ａＡｓ１からなるキャップ層５を順次形成する。原料と
してはトリメチルインジウム（ＣＨ，）Ｉｎ、トリエチ
ルガリウム（Ｃ２Ｈｓ ） ｓ Ｇ ａ、トリメチルア
ルミニウム（ＣＨ３） ｓ Ａ ｌ 、ホスフィンｐＨ
ｓ、アルシンＡ ｓ Ｈ３を、Ｐ型ドーパ、：、）ト原
料としてジメチル亜鉛（ＣＨＩ ）２ Ｚｎ、ｎ型ドー
パント原料としてセレン化水素Ｈ２Ｓｅが用いられる。
Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐからなる活性層３、Ｐ型Ａｌｏ、５
Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐからなる第２のクラッド層４、ｎ型Ｇ
ａＡｓ１からなるキャップ層５を順次形成する。原料と
してはトリメチルインジウム（ＣＨ，）Ｉｎ、トリエチ
ルガリウム（Ｃ２Ｈｓ ） ｓ Ｇ ａ、トリメチルア
ルミニウム（ＣＨ３） ｓ Ａ ｌ 、ホスフィンｐＨ
ｓ、アルシンＡ ｓ Ｈ３を、Ｐ型ドーパ、：、）ト原
料としてジメチル亜鉛（ＣＨＩ ）２ Ｚｎ、ｎ型ドー
パント原料としてセレン化水素Ｈ２Ｓｅが用いられる。
成長条件としては、温度７００℃、■族原料気体と■族
原料気外（２種以上のときはその合計）のモル比を１０
０／ｌキヤリアガス（Ｈ，）の総ｆａ量を１０９／ ｍ
ｉ口、反応室内圧力９３３２Ｐａとした。
原料気外（２種以上のときはその合計）のモル比を１０
０／ｌキヤリアガス（Ｈ，）の総ｆａ量を１０９／ ｍ
ｉ口、反応室内圧力９３３２Ｐａとした。
次に、ホトリソグラフィにより、＜０１１＞方向に幅７
μｍの５ｉ０２１漠８を形成しく第２図（ａ））、その
後、このＳ ｉ Ｏ２膜８をマスクとしてｐ型ＧａＡｓ
キャッグ層５をメサ状にエツチングする（第２図（ｂ）
） 、エッチャントとしてはト（、ＰＯ，とＨ２Ｏ２と
ＣＨｓ ＯＨの混合液が用いられる。次に、ＭＣＩとＨ
２Ｏ２の混合液でメサ部以外の第２クラッド層４の厚み
が０．４μｍとなるまでエツチングする（第２図（Ｃ）
）。
μｍの５ｉ０２１漠８を形成しく第２図（ａ））、その
後、このＳ ｉ Ｏ２膜８をマスクとしてｐ型ＧａＡｓ
キャッグ層５をメサ状にエツチングする（第２図（ｂ）
） 、エッチャントとしてはト（、ＰＯ，とＨ２Ｏ２と
ＣＨｓ ＯＨの混合液が用いられる。次に、ＭＣＩとＨ
２Ｏ２の混合液でメサ部以外の第２クラッド層４の厚み
が０．４μｍとなるまでエツチングする（第２図（Ｃ）
）。
その後、Ｓ ｉ Ｏ２ｅ ８のマスクをつけたまま、再
びＭＯＶＰＥ法により２度目の成長を行う。即ち、まず
、メサの高さよりも薄い厚さ１μｍのｎ型ＧａＡｓから
なる″ｆ４流狭窄・光吸収層６を形成しく第２図（ｄ）
）、続けてｎ型ＧａＡｓからなるコンタクト層７を形成
する（第２図（ｅ））。
びＭＯＶＰＥ法により２度目の成長を行う。即ち、まず
、メサの高さよりも薄い厚さ１μｍのｎ型ＧａＡｓから
なる″ｆ４流狭窄・光吸収層６を形成しく第２図（ｄ）
）、続けてｎ型ＧａＡｓからなるコンタクト層７を形成
する（第２図（ｅ））。
最後にＳ ｉ Ｏ２ｊ模８を除去し、ｐ、ｎ各電極を形
成し、キャビティ長３００μｍにへき開し、個々のチッ
プに分離する。
成し、キャビティ長３００μｍにへき開し、個々のチッ
プに分離する。
こうして得られたＡＩＧａＩｎＰ半導体レーザは、２回
の成長（少なくても２回目はＭＯＶＰＥ法による）と１
回のホトリソグラフィという少ない工程で製伴可能で、
電流狭窄・横モード制御構造を備えている。
の成長（少なくても２回目はＭＯＶＰＥ法による）と１
回のホトリソグラフィという少ない工程で製伴可能で、
電流狭窄・横モード制御構造を備えている。
なお、より短波長の半導体レーザを作製する場合には、
活性層をＡＩＧａＩｎＰにしたり、量子井戸にすればよ
い。
活性層をＡＩＧａＩｎＰにしたり、量子井戸にすればよ
い。
また、上述実施例ではＡ Ｉ Ｇ ａ Ｘ ｎ、 Ｐ系
レーザの特定の組成についてのみ述べてきたが、他の組
成の組み合わせや他の材料系においても本発明を適用し
うろことは明らかである。
レーザの特定の組成についてのみ述べてきたが、他の組
成の組み合わせや他の材料系においても本発明を適用し
うろことは明らかである。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば２回の結晶成長（
少なくとも２回目の結晶成長はＭＯＶＰＥ法による）と
１回のホトリソグラフィという少ない工程で電流狭窄・
横モード制御＃４逍の半導体レーザ装置を容易に得るこ
とができる。
少なくとも２回目の結晶成長はＭＯＶＰＥ法による）と
１回のホトリソグラフィという少ない工程で電流狭窄・
横モード制御＃４逍の半導体レーザ装置を容易に得るこ
とができる。
第１図は本発明により得られた半導体レーザ装置の断面
図、第２図（ａ）〜（ｅ）は本発明による半導体レーザ
装置の製造工程の実施例を示す各工程における装置の断
面図、第３図は従来の半導体レーザ装置の例を示す断面
図、第４図（ａ）〜（ｄ）は従来の半導体レーザ装置の
製造工程を示す各工程における装置の断面図である。 １・・・半導体基板、２・・・第１クラッド層、３・・
・活性層、４・・・第２クラッド層、５・・・キャップ
層、６・・・電流狭窄・光吸収層、７・・・コンタクト
層、８・・・５１０２膜。
図、第２図（ａ）〜（ｅ）は本発明による半導体レーザ
装置の製造工程の実施例を示す各工程における装置の断
面図、第３図は従来の半導体レーザ装置の例を示す断面
図、第４図（ａ）〜（ｄ）は従来の半導体レーザ装置の
製造工程を示す各工程における装置の断面図である。 １・・・半導体基板、２・・・第１クラッド層、３・・
・活性層、４・・・第２クラッド層、５・・・キャップ
層、６・・・電流狭窄・光吸収層、７・・・コンタクト
層、８・・・５１０２膜。
Claims (1)
- ｎ型基板上に、活性層の上側および下側に前記活性層よ
りも屈折率の小さなクラット層が形成されたダブルヘテ
ロ構造層を形成する工程と、誘電体膜をマスクとし前記
上側クラッド層を部分的に除去し、ストライプ状の逆メ
サ部を形成する工程と、前記誘電体膜をマスクとして、
有機金属熱分解気相成長法（ＭＯＶＰＥ）により前記逆
メサ部の高さよりも低い薄さのｎ型電流狭窄層を形成す
る工程と、前記ｎ型電流狭窄層のキャリア濃度より高い
キャリア濃度のｐ型キャップ層を前記逆メサ部以外の部
分に選択的に積層する工程とを含むことを特徴とする半
導体レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16495789A JPH0330389A (ja) | 1989-06-27 | 1989-06-27 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16495789A JPH0330389A (ja) | 1989-06-27 | 1989-06-27 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0330389A true JPH0330389A (ja) | 1991-02-08 |
Family
ID=15803079
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16495789A Pending JPH0330389A (ja) | 1989-06-27 | 1989-06-27 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0330389A (ja) |
-
1989
- 1989-06-27 JP JP16495789A patent/JPH0330389A/ja active Pending
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