JPH0330455A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPH0330455A JPH0330455A JP1163966A JP16396689A JPH0330455A JP H0330455 A JPH0330455 A JP H0330455A JP 1163966 A JP1163966 A JP 1163966A JP 16396689 A JP16396689 A JP 16396689A JP H0330455 A JPH0330455 A JP H0330455A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- lead frame
- semiconductor device
- sealed
- tab
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は樹脂封止型半導体装置に関し、特に、面付は実
装プラスチックパッケージの樹脂封止部の厚みを変える
ことなく放熱特性を向上させることのできる放熱構造に
関する。
装プラスチックパッケージの樹脂封止部の厚みを変える
ことなく放熱特性を向上させることのできる放熱構造に
関する。
［従来の技術］
半導体素子を有するチップ（以下半導体チップという）
の大型化、高消費電力化に伴ないその発熱量が増加する
傾向にある。
の大型化、高消費電力化に伴ないその発熱量が増加する
傾向にある。
プラスチックパッケージにおいて、その放熱特性を向上
させるために、放熱フィンをパッケージ外部に取り付け
することが行われている。
させるために、放熱フィンをパッケージ外部に取り付け
することが行われている。
尚、半導体装置の放熱特性の向上技術について述べた特
許の例としては、特開昭５３−１２９９７３号公報が挙
げられる。
許の例としては、特開昭５３−１２９９７３号公報が挙
げられる。
［発明が解決しようとするＲＭ］
しかし、放熱フィンをパッケージ外部に取り付けする方
式では、パッケージ厚全体を厚くするので好ましくない
。
式では、パッケージ厚全体を厚くするので好ましくない
。
本発明はプラスチックパッケージ特に面付は実装プラス
チックパッケージにおいて、パッケージ厚を変えること
なく、その薄型であるという面付は実装プラスチックパ
ッケージの特長゛を活かしつつ、その放熱性を向上させ
、しかも、放熱のための表面積をできるだけ大きくして
、放熱効率を高めることのできる技術を提供するどとを
目的とする。
チックパッケージにおいて、パッケージ厚を変えること
なく、その薄型であるという面付は実装プラスチックパ
ッケージの特長゛を活かしつつ、その放熱性を向上させ
、しかも、放熱のための表面積をできるだけ大きくして
、放熱効率を高めることのできる技術を提供するどとを
目的とする。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
ｃｍ題を解決するための手段］
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとうりであ
る。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとうりであ
る。
本発明では、金属ワイヤを渦巻状にし、あるいは、ジグ
ザク状にするなど曲げ加工したものを放熱体とし、これ
を樹脂封止部中に埋設し、あるいはその一部を外部に露
出させて埋設する。
ザク状にするなど曲げ加工したものを放熱体とし、これ
を樹脂封止部中に埋設し、あるいはその一部を外部に露
出させて埋設する。
また、金網や金属メツシュを放熱体と同じ、上記と同様
に埋設する。
に埋設する。
さらに、半導体チップを絶縁を施しつつ金属により被覆
するようにする。
するようにする。
［作用コ
上記のように、ワイヤ力＜？渦巻状などの形態になって
いるので、放熱のためのその表面積を大きく確保でき、
放熱効率を高めることができる。同様に金属メツシュな
どの使用によれば、単なる放熱板の使用に比して、放熱
面積が増加し、放熱効率が良好になる。これらの場合、
渦巻状ワイヤなどは薄手に構成できるので、パッケージ
の樹脂封止部中に埋設してもその厚みを大きくすること
がなく、放熱特性を向上させることができる。
いるので、放熱のためのその表面積を大きく確保でき、
放熱効率を高めることができる。同様に金属メツシュな
どの使用によれば、単なる放熱板の使用に比して、放熱
面積が増加し、放熱効率が良好になる。これらの場合、
渦巻状ワイヤなどは薄手に構成できるので、パッケージ
の樹脂封止部中に埋設してもその厚みを大きくすること
がなく、放熱特性を向上させることができる。
また、半導体チップの表面を金属放熱体により被覆する
態様によればパッケージの厚さを変える（厚形化）こと
なく、シかも、チップ全体が金属（放熱体）により被着
されるので、放熱効率も高いものにすることができる、 ［実施例コ 次に、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
態様によればパッケージの厚さを変える（厚形化）こと
なく、シかも、チップ全体が金属（放熱体）により被着
されるので、放熱効率も高いものにすることができる、 ［実施例コ 次に、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図および第２図は、本発明において金属メツシュを
放熱体として用いた樹脂封止型半導体装置の実施例を示
す。
放熱体として用いた樹脂封止型半導体装置の実施例を示
す。
当該装置１のリードフレーム２のタブ部３には、半導体
チップ４が固着され、当該チップ４とリードフレーム２
のリード部５とはコネクタワイヤ６により電気的に接続
されている。
チップ４が固着され、当該チップ４とリードフレーム２
のリード部５とはコネクタワイヤ６により電気的に接続
されている。
リードフレーム２の部３の半導体チップ４に体する反対
面には、金属メツシュよりなる放熱体７が接合されてい
る。
面には、金属メツシュよりなる放熱体７が接合されてい
る。
当該放熱体７は、樹脂封止部８中に埋設され、その一部
表面が外部に露出している。なお、第２図は当該装置１
の第１図１−１線に沿う拡大断面図であり、また、第１
図は同装置の平面図である。
表面が外部に露出している。なお、第２図は当該装置１
の第１図１−１線に沿う拡大断面図であり、また、第１
図は同装置の平面図である。
第３図は本発明において金網を上記と同様にして使用す
る場合の、当該金網の一例を示し、当該金網９は、斗ラ
スよりなる金網を例示しである。
る場合の、当該金網の一例を示し、当該金網９は、斗ラ
スよりなる金網を例示しである。
第４図は当該金網９を放熱体として用いた本発明による
樹脂封止型半導体装置１０の断面図を示は、同一機能の
ものを示す。
樹脂封止型半導体装置１０の断面図を示は、同一機能の
ものを示す。
当該装置！１０においても、金網よりなる放熱体９は樹
脂封止部８中に埋設され、その表面は樹脂封止部８外部
に露出している。
脂封止部８中に埋設され、その表面は樹脂封止部８外部
に露出している。
本発明では、第５図に示すように、ワイヤを渦巻状とし
た放熱体１１や第６図に示すようなワイヤをジグザク状
に曲げ加工した放熱体１２を同様に使用することができ
る。
た放熱体１１や第６図に示すようなワイヤをジグザク状
に曲げ加工した放熱体１２を同様に使用することができ
る。
第７図は本発明のさらに他の実施例を示し、リードフレ
ーム２のタブ部３上に接合部材１３により固着したチッ
プ４の表面を、絶縁層１４を介して、金属層１５により
被覆してなる例を示す。
ーム２のタブ部３上に接合部材１３により固着したチッ
プ４の表面を、絶縁層１４を介して、金属層１５により
被覆してなる例を示す。
本発明におけるリードフレーム２は当該装置の製造に使
用される公知のものを用いることができ、例えば、その
中央に配された四辺形のチップを搭載するためのタブ部
３と、該タブ部３の周囲に複数配設されたリード部５と
、該リード部５を連結しているフレーム部とを有してな
るものを例示することができ、例えば、コバール合金に
より構成されるゆ 半導体素子を有するチップ４は、例えばシリコン単結晶
基板から成り５周知の技術によってこのチップ内には多
数の回路素子が形成され、１つの回路機能が与えられて
いる。回路素子の具体例は、例えばＭＯＳトランジスタ
から成り、これらの回路素子によって、例えば論理回路
およびメモリの回路機能が形成されている。
用される公知のものを用いることができ、例えば、その
中央に配された四辺形のチップを搭載するためのタブ部
３と、該タブ部３の周囲に複数配設されたリード部５と
、該リード部５を連結しているフレーム部とを有してな
るものを例示することができ、例えば、コバール合金に
より構成されるゆ 半導体素子を有するチップ４は、例えばシリコン単結晶
基板から成り５周知の技術によってこのチップ内には多
数の回路素子が形成され、１つの回路機能が与えられて
いる。回路素子の具体例は、例えばＭＯＳトランジスタ
から成り、これらの回路素子によって、例えば論理回路
およびメモリの回路機能が形成されている。
コネクタワイヤ６には、例えばＡｕ線やＡＱＩが使用さ
れる。
れる。
本発明による樹脂封止型半導体装置は、例えば、リード
フレーム２のタブ部３上にチップ４を固着し、コネクタ
ワイヤ６を用いたワイヤボンディング後、例えば、金属
メツシュよりなる放熱体７をタブ部３の裏面に接合後、
モールド金型に入れ、トランスファーモールドを行ない
、樹脂による樹脂封止部８を形成する主要工程により得
ることができ机 本発明によれば金属メツシュアや金網９や渦巻状ワイヤ
１１やジクザク状ワイヤ１２よりなる放熱体を用いてい
るので放熱表面積が大で、放熱効率を高めることができ
、しかも、これらは薄手に構成できるので、樹脂封止部
８の厚形化を招来せずに放熱特性を高めることができる
。
フレーム２のタブ部３上にチップ４を固着し、コネクタ
ワイヤ６を用いたワイヤボンディング後、例えば、金属
メツシュよりなる放熱体７をタブ部３の裏面に接合後、
モールド金型に入れ、トランスファーモールドを行ない
、樹脂による樹脂封止部８を形成する主要工程により得
ることができ机 本発明によれば金属メツシュアや金網９や渦巻状ワイヤ
１１やジクザク状ワイヤ１２よりなる放熱体を用いてい
るので放熱表面積が大で、放熱効率を高めることができ
、しかも、これらは薄手に構成できるので、樹脂封止部
８の厚形化を招来せずに放熱特性を高めることができる
。
また、チップ４の表面を金属層１５により被覆するよう
にしたので、同様にパッケージ厚の増大を招来すること
なく、直接チップ４からの放熱敗を実現でき、熱抵抗の
小さい樹脂封止型半導体装置を得ることができた。
にしたので、同様にパッケージ厚の増大を招来すること
なく、直接チップ４からの放熱敗を実現でき、熱抵抗の
小さい樹脂封止型半導体装置を得ることができた。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものでなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。例えば、前記実施例では
、各種放熱体の表面をパッケージ外部に露呂させた例を
示したが、その全体を樹脂封止部中に埋設してもよい。
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものでなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。例えば、前記実施例では
、各種放熱体の表面をパッケージ外部に露呂させた例を
示したが、その全体を樹脂封止部中に埋設してもよい。
本発明は、Ｑ Ｆ Ｐ （ｑｕａｄ ｆｌａｔ ｐａｃ
ｋａｇｅ） 、 Ｓ ＯＰ （ｓｍａｌｌ ｏｕｔｌｉ
ｎｅ ｐａｃｋａｇｅ） ｔ Ｓ ＯＪ （ｓｎ＋ａｌ
ｌ ｏｕｔｌｉｎｅ ｊ−ｂｅｎｄ ｐａｃｋａｇｅ）
などの薄型面付実装プラスチックパッケージにおいて有
効な技術となるが、プラグイン実装プラスチックパッケ
ージにも適用することができる。
ｋａｇｅ） 、 Ｓ ＯＰ （ｓｍａｌｌ ｏｕｔｌｉ
ｎｅ ｐａｃｋａｇｅ） ｔ Ｓ ＯＪ （ｓｎ＋ａｌ
ｌ ｏｕｔｌｉｎｅ ｊ−ｂｅｎｄ ｐａｃｋａｇｅ）
などの薄型面付実装プラスチックパッケージにおいて有
効な技術となるが、プラグイン実装プラスチックパッケ
ージにも適用することができる。
［発明の効果］
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとうりであ
る。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとうりであ
る。
本発明によればパッケージの厚さを変えることなく、放
熱特性を向上させることのできる技術を提供することが
できた。
熱特性を向上させることのできる技術を提供することが
できた。
第１図は本発明の実施例を示す平面図、第２図は第１図
１−１線拡大断面図、 第３図は本発明に使用される金網の一例平面図。 第４図は当該金網を用いた半導体装置の断面図。 第５図は金属ワイヤを渦巻状にした放熱体の平面図、 第６図は金属ワイヤをジクザク状にした放熱体の平面図
、 第７図は本発明の他の実施例を示す半導体装置の断面図
である。 １・・樹脂封止型半導体装置 ２ ・ ４ 噛 １ ７ ・ ８ ・ ９ ・ ０ １ ２ ３ ４ ５ リードフレーム ３・・タブ部 半導体チップ ５・・リード部 コネクタワイヤ 金属メツシュ放熱体 樹脂封止部 金網放熱体 ・樹脂封止型半導体装置 ・金属ワイヤ渦巻状放熱体 ・金属ワイヤジクサク状放熱体 ・接続部材 ・絶縁層 ・金属層（放熱体） 第 １ 図 第 図 第 図 第 図
１−１線拡大断面図、 第３図は本発明に使用される金網の一例平面図。 第４図は当該金網を用いた半導体装置の断面図。 第５図は金属ワイヤを渦巻状にした放熱体の平面図、 第６図は金属ワイヤをジクザク状にした放熱体の平面図
、 第７図は本発明の他の実施例を示す半導体装置の断面図
である。 １・・樹脂封止型半導体装置 ２ ・ ４ 噛 １ ７ ・ ８ ・ ９ ・ ０ １ ２ ３ ４ ５ リードフレーム ３・・タブ部 半導体チップ ５・・リード部 コネクタワイヤ 金属メツシュ放熱体 樹脂封止部 金網放熱体 ・樹脂封止型半導体装置 ・金属ワイヤ渦巻状放熱体 ・金属ワイヤジクサク状放熱体 ・接続部材 ・絶縁層 ・金属層（放熱体） 第 １ 図 第 図 第 図 第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体チップをリードフレームのタブ上部に固着し
、樹脂封止して成る樹脂封止型半導体装置において、前
記リードフレームのタブ部の前記半導体チップに対する
裏面側に、金属ワイヤを渦巻状もしくは曲げ加工してな
る放熱体または金網もしくは金属メッシュよりなる放熱
体を、樹脂封止体にその全体を埋設してもしくはその一
部を該当樹脂封止体から露出させて、接合して成ること
を特徴とする樹脂封止型半導体装置。 ２、半導体チップをリードフレームのタブ部上に固着し
、樹脂封止して成る樹脂封止型半導体装置において、前
記リードフレームのタブ部上の半導体チップを、絶縁層
を介して、金属放熱体により被覆して成ることを特徴と
する樹脂封止体中に放熱体を埋設した樹脂封止型半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1163966A JPH0330455A (ja) | 1989-06-28 | 1989-06-28 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1163966A JPH0330455A (ja) | 1989-06-28 | 1989-06-28 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0330455A true JPH0330455A (ja) | 1991-02-08 |
Family
ID=15784202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1163966A Pending JPH0330455A (ja) | 1989-06-28 | 1989-06-28 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0330455A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002112516A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-12 | Mitsubishi Electric Corp | ブラシレスモータ |
| WO2002071480A3 (en) * | 2001-03-01 | 2003-02-06 | Ibm | Electronic package with improved cap design for reduced interfacial stresses |
-
1989
- 1989-06-28 JP JP1163966A patent/JPH0330455A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002112516A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-12 | Mitsubishi Electric Corp | ブラシレスモータ |
| WO2002071480A3 (en) * | 2001-03-01 | 2003-02-06 | Ibm | Electronic package with improved cap design for reduced interfacial stresses |
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