JPH073848B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH073848B2 JPH073848B2 JP59201747A JP20174784A JPH073848B2 JP H073848 B2 JPH073848 B2 JP H073848B2 JP 59201747 A JP59201747 A JP 59201747A JP 20174784 A JP20174784 A JP 20174784A JP H073848 B2 JPH073848 B2 JP H073848B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- external connection
- heat dissipation
- semiconductor device
- connection terminal
- dissipation plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/461—Leadframes specially adapted for cooling
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は半導体装置に関し、特に良好な放熱効果が要求
される大出力電力用トランジスタ、半導体集積回路に用
いて好適なものである。
される大出力電力用トランジスタ、半導体集積回路に用
いて好適なものである。
大出力電力用トランジスタを例に述べると、放熱効果が
良好であるか否かによって出力電力が決定される、と言
っても過言ではない。従って、半導体装置の放熱板につ
いては種々の提案がなされているのであるが、本発明者
等は、出力電力が例えば1W以上にもなる出力用トランジ
スタの放熱を念頭におき、種々の技術的検討を行ない、
本発明をなすに至った。
良好であるか否かによって出力電力が決定される、と言
っても過言ではない。従って、半導体装置の放熱板につ
いては種々の提案がなされているのであるが、本発明者
等は、出力電力が例えば1W以上にもなる出力用トランジ
スタの放熱を念頭におき、種々の技術的検討を行ない、
本発明をなすに至った。
なお、特開昭57−177548号公報には、上記放熱板に関す
る提案がなされている。
る提案がなされている。
本発明の目的は、外部接続端子を利用して放熱効果を良
好に行ない得る半導体装置を提供することにある。
好に行ない得る半導体装置を提供することにある。
本発明の上記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろ
う。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろ
う。
本願において開示される発明の概要を簡単に述べれば、
下記のとおりである。
下記のとおりである。
すなわち、パッケージ側部から下方に折り曲げられた複
数の外部接続端子を有し、そのうちの半導体チップが取
り付けられたタブに連結する所定の２個の外部接続端子
のそれぞれに、パッケージ外部に露出するその外部接続
端子の幅よりも幅広の放熱板が一体に設けられ、前記放
熱板の両側部を外側に折り曲げたことにより、放熱効果
を良好にする、という本発明の目的を達成するものであ
る。
数の外部接続端子を有し、そのうちの半導体チップが取
り付けられたタブに連結する所定の２個の外部接続端子
のそれぞれに、パッケージ外部に露出するその外部接続
端子の幅よりも幅広の放熱板が一体に設けられ、前記放
熱板の両側部を外側に折り曲げたことにより、放熱効果
を良好にする、という本発明の目的を達成するものであ
る。
次に、第１図〜第３図を参照して本発明に先立ってなさ
れた半導体装置の例を述べる。なお、本実施例では、大
出力電力トランジスタへの適用例を述べる。
れた半導体装置の例を述べる。なお、本実施例では、大
出力電力トランジスタへの適用例を述べる。
先ず、第１図についてフレームの構造から述べると、１
はタブであり、その上面に点線で示すような半導体チッ
プ２が設けられる。なお、半導体チップ２は大出力電力
用の場合に点線で示すように大型になるが、小出力電力
用の場合はその形状が小型になる。タブ１はコレクタ用
の外部接続端子３と一体であり、２個のコレクタ用の外
部接続端子３、３には放熱板４が一体に形成されてい
る。
はタブであり、その上面に点線で示すような半導体チッ
プ２が設けられる。なお、半導体チップ２は大出力電力
用の場合に点線で示すように大型になるが、小出力電力
用の場合はその形状が小型になる。タブ１はコレクタ用
の外部接続端子３と一体であり、２個のコレクタ用の外
部接続端子３、３には放熱板４が一体に形成されてい
る。
ここで注目すべきは、上記放熱板４の大きさである。
すなわち、放熱板４の両側部はコレクタ用の外部接続端
子３よりも幅Ｗだけ大であり、従って２個の端子間の長
さｌよりも大となる。そして、放熱板４が大きくなった
分につき、その表面積が大になり、放熱効果が良好にな
る。
子３よりも幅Ｗだけ大であり、従って２個の端子間の長
さｌよりも大となる。そして、放熱板４が大きくなった
分につき、その表面積が大になり、放熱効果が良好にな
る。
なお、５はエミッタ端子となる外部接続端子であり、６
はベースとなる外部接続端子である。
はベースとなる外部接続端子である。
そして、上記外部接続端子3,5,6において、後述するパ
ッケージ21に係合する部分には溝部7,8,9が形成され、
さらにリードフレームには空間部10が設けられているこ
とよりパッケージとなる、レジンの上下の食いつきを良
くし水分の浸入を低減して防湿効果を向上するようにな
されている。また、外部接続端子5,6に形成された切り
込み部11,12は、外部接続端子5,6の抜け止め用であり、
半導体チップ２に形成されたボンディングパッド（図示
せず）と上記外部接続端子5,6とは、第２図に示すよう
にワイヤボンディング13,14によって接続される。
ッケージ21に係合する部分には溝部7,8,9が形成され、
さらにリードフレームには空間部10が設けられているこ
とよりパッケージとなる、レジンの上下の食いつきを良
くし水分の浸入を低減して防湿効果を向上するようにな
されている。また、外部接続端子5,6に形成された切り
込み部11,12は、外部接続端子5,6の抜け止め用であり、
半導体チップ２に形成されたボンディングパッド（図示
せず）と上記外部接続端子5,6とは、第２図に示すよう
にワイヤボンディング13,14によって接続される。
そして、第２図に示す状態からレジン等によってモール
ドされ、第３図に示す如きパッケージ21の形状になされ
る。
ドされ、第３図に示す如きパッケージ21の形状になされ
る。
上記構造のトランジスタによれば、放熱効果が極めて良
好になり、1W以上の出力電力が要求される電子回路にお
いても充分使用することができる。また、上記溝部7,8,
9を設けることにより、外部接続端子3,5,6を伝わってパ
ッケージ21内に浸入しようとする水分の浸入経路が長く
なり、耐湿性を向上させることもできる。
好になり、1W以上の出力電力が要求される電子回路にお
いても充分使用することができる。また、上記溝部7,8,
9を設けることにより、外部接続端子3,5,6を伝わってパ
ッケージ21内に浸入しようとする水分の浸入経路が長く
なり、耐湿性を向上させることもできる。
次に、第４図を参照して本発明の具体的な実施例を述べ
る。なお、上記し、かつ第１図〜第３図に示す例と同一
部分には同一の符号を付し、説明の重複をさけるものと
する。
る。なお、上記し、かつ第１図〜第３図に示す例と同一
部分には同一の符号を付し、説明の重複をさけるものと
する。
第４図に示すように、２個の外部接続端子３には個別に
放熱板4a,4bが設けられ、これらはそれぞれ外側方向に
折り曲げられている。これにより、放熱板４と外気との
接触状態を良好にすることができるので、本発明に先立
ってなされた半導体装置よりも放熱効果を向上させるこ
とができる。また、外部接続端子３の機械的強度を向上
させることができるので、実装時等における外部接続端
子３の変形を抑制することができ、実装時の作業効率を
向上させることができる。放熱板4a,4bは第１図に点線
Ａの位置で切断され、しかる後に折り曲げられたもので
ある。ただし、本実施例においては、幅Ｗが、点線Ａ側
における放熱板部分の幅よりも広くなっており、第４図
に示すように、外部接続端子３の両側部の放熱板のうち
外側の放熱板のほうが幅広となっている。これにより、
放熱効率を向上させることが可能となっている。かかる
構成は、ただ単に外部接続端子に放熱板を設けたもので
はなく、それぞれの端子の放熱板の両側部を第４図に示
したように、外部に折り曲げて放熱板をコの字状に形成
することにより、大気中の空気が外部接続端子の延在方
向に沿って流れるように、すなわち、空気が外部接続端
子に最も接触されるように、空気の流れる路を形成し、
放熱効果を一層向上できるという効果を奏している。
放熱板4a,4bが設けられ、これらはそれぞれ外側方向に
折り曲げられている。これにより、放熱板４と外気との
接触状態を良好にすることができるので、本発明に先立
ってなされた半導体装置よりも放熱効果を向上させるこ
とができる。また、外部接続端子３の機械的強度を向上
させることができるので、実装時等における外部接続端
子３の変形を抑制することができ、実装時の作業効率を
向上させることができる。放熱板4a,4bは第１図に点線
Ａの位置で切断され、しかる後に折り曲げられたもので
ある。ただし、本実施例においては、幅Ｗが、点線Ａ側
における放熱板部分の幅よりも広くなっており、第４図
に示すように、外部接続端子３の両側部の放熱板のうち
外側の放熱板のほうが幅広となっている。これにより、
放熱効率を向上させることが可能となっている。かかる
構成は、ただ単に外部接続端子に放熱板を設けたもので
はなく、それぞれの端子の放熱板の両側部を第４図に示
したように、外部に折り曲げて放熱板をコの字状に形成
することにより、大気中の空気が外部接続端子の延在方
向に沿って流れるように、すなわち、空気が外部接続端
子に最も接触されるように、空気の流れる路を形成し、
放熱効果を一層向上できるという効果を奏している。
そして、放熱板4a,4bを折り曲げ構造にすることによ
り、同一構造のトランジスタを隣接して実装する場合
に、放熱板と放熱板の接触、言い換えればコレクタとコ
レクタとの不測の接触を防止することができる。
り、同一構造のトランジスタを隣接して実装する場合
に、放熱板と放熱板の接触、言い換えればコレクタとコ
レクタとの不測の接触を防止することができる。
（１）半導体装置の外部接続端子にその幅よりも幅広の
放熱板を一体に形成するとともに、その放熱板の両側部
を外側に折り曲げたことにより、外部接続端子と外気と
の接触状態を良好にすることができ、半導体チップの放
熱が効率的に行われるので、大出力電力で半導体装置を
駆動することができる。
放熱板を一体に形成するとともに、その放熱板の両側部
を外側に折り曲げたことにより、外部接続端子と外気と
の接触状態を良好にすることができ、半導体チップの放
熱が効率的に行われるので、大出力電力で半導体装置を
駆動することができる。
（２）外部接続端子に折り曲げ構造を有する放熱板を設
けることにより、外部接続端子の機械的強度が増し、外
部接続端子の不所望の変形が低減され、実装時の作業効
率が向上する。
けることにより、外部接続端子の機械的強度が増し、外
部接続端子の不所望の変形が低減され、実装時の作業効
率が向上する。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
例えば、第２実施例に示す如き放熱板4a,4bをベース，
エミッタ用の外部接続端子に設けてもよい。
エミッタ用の外部接続端子に設けてもよい。
〔利用分野〕 以上の説明では、主として本発明者によってなされた発
明をその背景となった利用分野であるトランジスタ,IC
について説明したが、それに限定されるものではない。
明をその背景となった利用分野であるトランジスタ,IC
について説明したが、それに限定されるものではない。
例えば、ハイブリッドICに利用することができる。
第１図は本発明に適用されるフレームの平面図を示し、 第２図は上記フレームと半導体チップとの関係を示す斜
視図を示し、 第３図は本発明に先立ってなされた半導体装置例の外観
図を示し、 第４図は本発明の実施例を示す半導体装置の外観図を示
す。 １…タブ、２…半導体チップ、3,5,6,31…外部接続端
子、4,4a,4b,32…放熱板、ｌ…長さ、Ｗ…幅、21…パッ
ケージ。
視図を示し、 第３図は本発明に先立ってなされた半導体装置例の外観
図を示し、 第４図は本発明の実施例を示す半導体装置の外観図を示
す。 １…タブ、２…半導体チップ、3,5,6,31…外部接続端
子、4,4a,4b,32…放熱板、ｌ…長さ、Ｗ…幅、21…パッ
ケージ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 飯島 哲郎 群馬県高崎市西横手町111番地 株式会社 日立製作所高崎工場内 (56)参考文献 特開 昭57−177548（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−111384（ＪＰ，Ａ) 実開 昭58−140647（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭48−16756（ＪＰ，Ｕ)
Claims (2)
- 【請求項１】パッケージ側部から下方に折り曲げられた
複数の外部接続端子を有し、そのうちの半導体チップが
取り付けられたタブに連結する所定の２個の外部接続端
子のそれぞれに、パッケージ外部に露出するその外部接
続端子の幅よりも幅広の放熱板が一体に設けられ、前記
放熱板の両側部が外側に折り曲げられて成ることを特徴
とする半導体装置。 - 【請求項２】前記外部接続端子において、パッケージに
よって封止される境界領域に溝部を形成したことを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59201747A JPH073848B2 (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59201747A JPH073848B2 (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6180842A JPS6180842A (ja) | 1986-04-24 |
| JPH073848B2 true JPH073848B2 (ja) | 1995-01-18 |
Family
ID=16446268
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59201747A Expired - Lifetime JPH073848B2 (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH073848B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2816244B2 (ja) * | 1990-07-11 | 1998-10-27 | 株式会社日立製作所 | 積層型マルチチップ半導体装置およびこれに用いる半導体装置 |
| JPH04225268A (ja) * | 1990-12-26 | 1992-08-14 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| WO1995024732A1 (en) * | 1994-03-09 | 1995-09-14 | National Semiconductor Corporation | A molded lead frame and method of making same |
| JP5145596B2 (ja) * | 2008-04-15 | 2013-02-20 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| JP5342596B2 (ja) * | 2011-04-14 | 2013-11-13 | 三洋電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| KR102071078B1 (ko) | 2012-12-06 | 2020-01-30 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 멀티 칩 패키지 |
| JP6903788B2 (ja) * | 2016-07-26 | 2021-07-14 | 株式会社三社電機製作所 | 半導体素子取付基板 |
| JP7316968B2 (ja) * | 2020-03-27 | 2023-07-28 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4816756U (ja) * | 1971-07-06 | 1973-02-24 | ||
| US4642419A (en) * | 1981-04-06 | 1987-02-10 | International Rectifier Corporation | Four-leaded dual in-line package module for semiconductor devices |
| JPS58140647U (ja) * | 1982-03-17 | 1983-09-21 | ニチデン機械株式会社 | リ−ドフレ−ム |
-
1984
- 1984-09-28 JP JP59201747A patent/JPH073848B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6180842A (ja) | 1986-04-24 |
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