JPH0331281B2 - - Google Patents
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- JPH0331281B2 JPH0331281B2 JP59175421A JP17542184A JPH0331281B2 JP H0331281 B2 JPH0331281 B2 JP H0331281B2 JP 59175421 A JP59175421 A JP 59175421A JP 17542184 A JP17542184 A JP 17542184A JP H0331281 B2 JPH0331281 B2 JP H0331281B2
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/08—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
- H03F1/083—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements in transistor amplifiers
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は電流回路に関する。[Detailed description of the invention] [Technical field of invention] This invention relates to current circuits.
第2図は、増幅回路の入力バイアスを設定する
エミツタホロワトランジスタと上記増幅回路の出
力を取り出すエミツタホロワトランジスタを備え
た回路において、上記2つのエミツタホロワトラ
ンジスタのエミツタ動作電流を設定する電流源回
路を示すものである。図において、増幅回路11
は例えばオペアンプから成り、その非反転入力端
子には、信号源12よりコンデンサC11を介して
信号が与えられる。増幅回路11の入力バイアス
は電源VccよりエミツタホロワトランジスタQ11、
抵抗R11,R12を介して与えられる。増幅回路1
1の出力はエミツタホロワトランジスタQ12を介
して出力端子13に取り出される。
Figure 2 shows the emitter operating currents of the two emitter follower transistors in a circuit that includes an emitter follower transistor that sets the input bias of the amplifier circuit and an emitter follower transistor that takes out the output of the amplifier circuit. This shows the current source circuit to be set. In the figure, the amplifier circuit 11
is composed of, for example, an operational amplifier, and a signal is applied to its non-inverting input terminal from a signal source 12 via a capacitor C11 . The input bias of the amplifier circuit 11 is from the power supply V cc to the emitter follower transistor Q 11 ,
It is given through resistors R 11 and R 12 . Amplifier circuit 1
1 is taken out to the output terminal 13 via the emitter follower transistor Q12.
トランジスタQ11,Q12のエミツタ動作電流は
それぞれベース共通のトランジスタQ13,Q14よ
り与えられる。これらトランジスタQ13,Q14の
ベース電位は、これらとベース共通の帰還用トラ
ンジスタQ15で検出され、これがトランジスタ
Q16を介してトランジスタQ13,Q14のベースに帰
還されることにより、これらトランジスタQ13,
Q14のベース電位が一定に保たれる。 The emitter operating currents of transistors Q 11 and Q 12 are respectively given by transistors Q 13 and Q 14 having common bases. The base potential of these transistors Q 13 and Q 14 is detected by a feedback transistor Q 15 which has a common base with these transistors, and this
By being fed back to the bases of transistors Q 13 and Q 14 via Q 16, these transistors Q 13 and
The base potential of Q 14 is kept constant.
トランジスタQ16のエミツタ動作電流はダイオ
ード接続のトランジスタQ17によつて設定され
る。 The emitter operating current of transistor Q16 is set by diode-connected transistor Q17 .
今、トランジスタの電流増幅率hfeを無限大と
し、ベース・エミツタ間電圧をVJとすると、ト
ランジスタQ15のコレクタ電流IC15は、
IC15=VCC−2VJ/R13+R14+R17 ……(1)
と表わされる。そして、トランジスタQ13のコレ
クタ電流IC13もこれと一致する。また、トランジ
スタQ14のコレクタ電流IC14は、
IC14=R17/R16・VCC−2VJ/R13+R14+R17 ……(2)
と表わされ、コレクタ電流IC15にトランジスタ
Q14,Q15のエミツタ抵抗R16,R17の比をかけた
ものとなる。 Now, assuming that the current amplification factor h fe of the transistor is infinite and the base-emitter voltage is V J , the collector current I C15 of the transistor Q 15 is: I C15 = V CC −2V J /R 13 + R 14 + R 17 ...(1) It is expressed as. The collector current IC13 of the transistor Q13 also matches this. In addition, the collector current I C14 of the transistor Q 14 is expressed as I C14 = R 17 / R 16 · V CC −2V J / R 13 + R 14 + R 17 ...(2), and the collector current I C15 is
It is multiplied by the ratio of the emitter resistances R 16 and R 17 of Q 14 and Q 15 .
なお、図中、R15,R18はそれぞれトランジス
タQ13,Q17のエミツタ抵抗である。 In the figure, R 15 and R 18 are emitter resistances of transistors Q 13 and Q 17 , respectively.
上記構成においては、増幅回路11のゲインが
高いときには、発振してしまうことがある。以
下、これを説明すると、増幅回路11の出力はト
ランジスタQ14のコレクタ・ベース間容量CCBを介
してトランジスタQ14,Q13,Q15,Q17のベース
ラインに伝わる。この漏れが比較的低周波のとき
は、ベースラインの変動を抑えるようにトランジ
スタQ15,Q16の帰還作用が働き、漏れが伝わり
にくい。すなわち、ベースラインのインピーダン
スが非常に小さくなるわけである。しかし、高周
波のときは、トランジスタQ15,Q16の帰還が完
全な負帰還にならず、ベースライン自身のインピ
ーダンスが大きくなるとともに、トランジスタ
Q15のベース電位の変動はR13/R17倍に増幅されて増
幅回路11のバイアス電圧を決めるトランジスタ
Q11のエミツタに伝えられる。このトランジスタ
Q11のエミツタ電位の変動は増幅回路11に伝え
られるが、ここで、信号の入力端子である非反転
入力端子は低インピーダンスであるので、ここに
は上記変動分が伝わらず一定電位となる。したが
つて、上記変動分は反転入力端子だけに伝わり、
これが増幅されることで、この一巡ループのゲイ
ンが0dB以上のとき発振してしまう。
In the above configuration, when the gain of the amplifier circuit 11 is high, oscillation may occur. To explain this below, the output of the amplifier circuit 11 is transmitted to the baselines of the transistors Q 14 , Q 13 , Q 15 , and Q 17 via the collector-base capacitance C CB of the transistor Q 14 . When this leakage is at a relatively low frequency, the feedback action of transistors Q 15 and Q 16 works to suppress baseline fluctuations, making it difficult for the leakage to be transmitted. In other words, the baseline impedance becomes extremely small. However, at high frequencies, the feedback of transistors Q 15 and Q 16 does not become complete negative feedback, and the impedance of the baseline itself increases, and the
The fluctuation in the base potential of Q 15 is amplified by a factor of R 13 /R 17 to determine the bias voltage of the amplifier circuit 11.
Q11 's Emitsuta will tell you this. this transistor
Fluctuations in the emitter potential of Q11 are transmitted to the amplifier circuit 11, but since the non-inverting input terminal, which is the signal input terminal, has low impedance, the above fluctuations are not transmitted thereto, resulting in a constant potential. Therefore, the above fluctuation is transmitted only to the inverting input terminal,
As this is amplified, oscillation occurs when the gain of this round loop is 0 dB or more.
この発明は上記の事情に対処すべくなされたも
ので、増幅回路のゲインが大きくても発振する虞
れのない電流源回路を提供することを目的とす
る。
The present invention was made in order to cope with the above-mentioned circumstances, and an object of the present invention is to provide a current source circuit that is free from oscillation even if the gain of the amplifier circuit is large.
この発明は、例えば第1図に示す一実施例を用
いて説明するならば、出力側のエミツタホロワト
ランジスタQ12の電流精度が低くてよいことに着
目し、入力側のエミツタホロワトランジスタQ11
のエミツタ動作電流を設定するトランジスタQ13
に関しては帰還回路を形成するものの、出力側の
エミツタホロワトランジスタQ12のエミツタ動作
電流を設定するトランジスタQ22に関しては、こ
れをカレントミラー構成で駆動するようにしたも
のである。
The present invention will be explained using the embodiment shown in FIG . transistor Q 11
Transistor Q 13 to set the emitter operating current of
Although the transistor Q22 forms a feedback circuit, the transistor Q22 , which sets the emitter operating current of the emitter follower transistor Q12 on the output side, is driven in a current mirror configuration.
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を詳
細に説明する。
Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
第1図はこの発明の一実施例の構成を示す回路
図である。図において、先の第2図と同一部に同
一符号を付す。 FIG. 1 is a circuit diagram showing the configuration of an embodiment of the present invention. In the figure, the same parts as in FIG. 2 are given the same reference numerals.
まず、エミツタホロワトランジスタQ11のエミ
ツタ動作電流を決定するトランジスタ(第1のト
ランジスタ)Q13のコレクタはトランジスタQ11
のエミツタに接続され、エミツタは抵抗R15を介
して接地されている。トランジスタQ13のベース
電位の変動は帰還用トランジスタ(第3のトラン
ジスタ)Q15で検出され、トランジスタ(第4の
トランジスタ)Q16を介してトランジスタQ13の
ベースに帰還される。これにより、トランジスタ
Q13のベース電位が一定に保たれ、トランジスタ
Q11のエミツタ電流の安定化が図られる。ここ
で、トランジスタQ15のベースはトランジスタ
Q13のベースと共通とされ、エミツタは抵抗R17
を介して接地され、コレクタはトランジスタQ16
のベースに接続されるとともに、抵抗R14,R13
の直列回路を介して電源VCCに接続されている。 First, the collector of the transistor (first transistor) Q13 that determines the emitter operating current of the emitter follower transistor Q11 is the transistor Q11.
The emitter is connected to the emitter of , and the emitter is grounded through the resistor R15 . Fluctuations in the base potential of the transistor Q13 are detected by a feedback transistor (third transistor) Q15 and fed back to the base of the transistor Q13 via a transistor (fourth transistor) Q16 . This allows the transistor
The base potential of Q 13 is kept constant and the transistor
The emitter current of Q11 is stabilized. Here, the base of transistor Q15 is the transistor
It is common with the base of Q 13 , and the emitter is resistor R 17
and the collector is connected to the transistor Q16
resistors R 14 , R 13
is connected to the power supply V CC through a series circuit.
トランジスタQ16のコレクタは電源VCCに接続
され、エミツタはトランジスタQ13,Q15の共通
ベースに接続されている。この共通ベースには、
トランジスタQ16のエミツタ電流を決定するダイ
オード接続のトランジスタQ21のベース、コレク
タの共通接続点が抵抗R21を介して接続され、こ
のトランジスタQ21のエミツタは接地されてい
る。ここで、トランジスタQ13のベースバイアス
は電源VCCにより抵抗R13,R14、トランジスタ
Q16を介して与えられ、また、トランジスタQ11
のベースバイアスは電源VCCより抵抗R13を介し
て与えられる。 The collector of transistor Q 16 is connected to the power supply V CC , and the emitter is connected to the common base of transistors Q 13 and Q 15 . This common base includes
A common connection point between the base and collector of a diode-connected transistor Q21 , which determines the emitter current of the transistor Q16 , is connected via a resistor R21 , and the emitter of this transistor Q21 is grounded. Here, the base bias of transistor Q 13 is set by resistors R 13 , R 14 and transistor
given through Q 16 and also the transistor Q 11
The base bias of is applied from the power supply V CC through resistor R13 .
エミツタホロワトランジスタQ12のエミツタ電
流を決定するトランジスタ(第2のトランジス
タ)Q22のコレクタはトランジスタQ12のエミツ
タに接続され、エミツタは接地され、ベースはト
ランジスタQ21のベース、コレクタの共通接続点
に接続され、このトランジスタQ21とカレントミ
ラー回路を成す。 The collector of the transistor (second transistor) Q 22 that determines the emitter current of the emitter follower transistor Q 12 is connected to the emitter of transistor Q 12 , the emitter is grounded, and the base is common to the base and collector of transistor Q 21 . It is connected to the connection point and forms a current mirror circuit with this transistor Q21 .
第1図の構成においては、トランジスタQ15,
Q13のコレクタ電流IC15,IC13は先の第2図と同様
に式(1)で与えられる。また、トランジスタQ22の
コレクタ電流IC22は、トランジスタQ21,Q22のエ
ミツタ面積比を1:Nとすると、
IC22=NR17/R21・VCC−2VJ/R13+R14+R17 ……(3)
で与えられる。ここで、R21/N=R16とすれば、ト
ランジスタQ22のコレクタ電流IC22は先のトラン
ジスタQ14のコレクタ電流IC14と等しくなる。 In the configuration of FIG. 1, the transistors Q 15 ,
The collector currents I C15 and I C13 of Q 13 are given by equation (1) as in FIG. 2 above. Further, the collector current I C22 of the transistor Q 22 is calculated as follows, assuming that the emitter area ratio of the transistors Q 21 and Q 22 is 1:N, I C22 = NR 17 /R 21・V CC −2V J /R 13 +R 14 +R 17 ……(3) is given by. Here, if R 21 /N=R 16 , the collector current I C22 of the transistor Q 22 becomes equal to the collector current I C14 of the transistor Q 14 .
ここで、第1図の回路をさらに説明すると、入
力側のエミツタホロワトランジスタQ11のエミツ
タ動作電流を決定するトランジスタQ13に関して
は、従来通り帰還形のベースバイアス回路が形成
されるが、出力側のエミツタホロワトランジスタ
Q12のエミツタ動作電流を決定するトランジスタ
Q22に関して帰還回路を形成せず、これをトラン
ジスタQ21にカレントミラー接続することによつ
てトランジスタQ12のエミツタ電流を得ている。 Here, to further explain the circuit of FIG. 1, regarding the transistor Q13 that determines the emitter operating current of the emitter follower transistor Q11 on the input side, a feedback type base bias circuit is formed as in the conventional case. Emitsuta follower transistor on the output side
Transistor that determines the emitter operating current of Q12
No feedback circuit is formed for Q22 , and the emitter current of transistor Q12 is obtained by connecting it to transistor Q21 as a current mirror.
このような構成によれば、トランジスタQ22の
ベースラインはダイオード接続のトランジスタ
Q21のインピーダンスを持つことになり、このト
ランジスタQ21のコレクタ・サブストレート間容
量により、ベースラインのインピーダンスは高周
波程小さくなる。したがつて、増幅回路11の出
力はトランジスタQ22のベースラインに現れにく
く、仮に現れたとしても、その変動がトランジス
タQ15のベースに伝わるまでには、re/re+R21
(但し、reはトランジスタQ3の等価エミツタ抵抗)
に分圧されるので非常に小さなものとなり、トラ
ンジスタQ11のエミツタ電位に影響を与えること
はほとんどない。その結果、第1図の回路では、
増幅回路11のゲインが大きくても、発振するこ
とがない。 According to such a configuration, the base line of transistor Q 22 is a diode-connected transistor
It has an impedance of Q21 , and due to the collector-substrate capacitance of this transistor Q21 , the baseline impedance becomes smaller at higher frequencies. Therefore, the output of the amplifier circuit 11 is unlikely to appear on the base line of the transistor Q22 , and even if it does appear, by the time the fluctuation is transmitted to the base of the transistor Q15 , r e / re + R21
(However, r e is the equivalent emitter resistance of transistor Q 3 )
Since the voltage is divided into two, it becomes very small and has almost no effect on the emitter potential of transistor Q11 . As a result, in the circuit shown in Figure 1,
Even if the gain of the amplifier circuit 11 is large, oscillation does not occur.
しかも第1図の回路は第2図の回路に比べ素子
数が少なく、構成上でも有利となつている。 Moreover, the circuit shown in FIG. 1 has fewer elements than the circuit shown in FIG. 2, and is advantageous in terms of structure.
なお、一般に、トランジスタのエミツタ面積の
比Nは抵抗比に比べ精度が悪いので、第1図の構
成では、トランジスタQ22のコレクタ電流IC22の
精度が悪くなる虞れがあるが、出力側のエミツタ
ホロワトランジスタQ12のエミツタ電流はさほど
精度を必要としないので問題はない。 Generally, the emitter area ratio N of a transistor is less accurate than the resistance ratio, so in the configuration shown in Fig. 1, there is a risk that the accuracy of the collector current I C22 of the transistor Q22 will be degraded. The emitter current of the emitter follower transistor Q12 does not require much precision, so there is no problem.
以上の説明では、増幅回路11が1つである場
合を代表として説明したが、これが複数ある場合
は、その数に応じてトランジスタQ13やQ22を複
数設ければよく、トランジスタQ15,Q16,Q21等
に関しては、複数設ける必要はなく、全ての回路
に兼用できるものである。 In the above explanation, the case where there is one amplifier circuit 11 has been explained as a representative, but if there are multiple amplifier circuits, it is sufficient to provide multiple transistors Q 13 and Q 22 according to the number, and transistors Q 15 and Q 16 , Q21, etc., there is no need to provide a plurality of them, and they can be used in all circuits.
また、ダイオード特性素子としてはダイオード
接続のトランジスタQ21の代りにダイオードを用
いてもよいことは勿論である。 Furthermore, it goes without saying that a diode may be used as the diode characteristic element in place of the diode-connected transistor Q21 .
また、以上の説明では、増幅回路11の入力バ
イアスを設定するエミツタホロワトランジスタ
Q11と増幅回路11の出力を取り出すエミツタホ
ロワトランジスタを備えた回路における上記2つ
のエミツタホロワトランジスタのエミツタ動作電
流を設定する電流源回路にこの発明を適用した場
合を代表として説明したが、これ以外の電流源回
路にも適用できることは勿論である。 In addition, in the above explanation, the emitter follower transistor that sets the input bias of the amplifier circuit 11 is
A case where the present invention is applied to a current source circuit that sets the emitter operating current of the above two emitter follower transistors in a circuit equipped with an emitter follower transistor that takes out the output of Q 11 and the amplifier circuit 11 has been explained as a representative case. However, it goes without saying that the present invention can also be applied to other current source circuits.
このようにこの発明によれば、増幅回路のゲイ
ンが大きくても発振する虞れのない電流源回路を
提供することができる。
As described above, according to the present invention, it is possible to provide a current source circuit that is free from oscillation even if the gain of the amplifier circuit is large.
第1図はこの発明の一実施例の構成を示す回路
図、第2図は従来の電流源回路の構成を示す回路
図である。
11……増幅回路、12……信号源、13……
出力端子、Q11〜Q13,Q15,Q16,Q21,Q22……
トランジスタ、R11〜R15,R17,R21……抵抗、
C11……コンデンサ、VCC……電源。
FIG. 1 is a circuit diagram showing the configuration of an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a circuit diagram showing the configuration of a conventional current source circuit. 11...Amplification circuit, 12...Signal source, 13...
Output terminals, Q11 to Q13 , Q15 , Q16 , Q21 , Q22 ...
Transistor, R 11 ~ R 15 , R 17 , R 21 ... Resistor,
C 11 ... Capacitor, V CC ... Power supply.
Claims (1)
続され、このトランジスタのベース電位の変動を
検出する第3のトランジスタと、 ベースがこの第3のトランジスタのコレクタに
接続され、エミツタが上記第1、第3のトランジ
スタのベースの共通接続点に接続され、上記第3
のトランジスタのコレクタ出力を上記共通ベース
に帰還する第4のトランジスタと、 ダイオードのアノードに相当する部分が抵抗を
介して上記第1、第3のトランジスタの共通ベー
スに接続されるとともに、上記第2のトランジス
タとカレントミラー接続されるダイオード特性素
子とを具備した電流源回路。[Claims] 1: a first transistor forming a first current source; a second transistor forming a second current source; a base connected to the base of the first transistor; a third transistor for detecting potential fluctuations; a base connected to the collector of the third transistor; an emitter connected to a common connection point of the bases of the first and third transistors;
a fourth transistor that feeds back the collector output of the transistor to the common base; a portion corresponding to the anode of the diode is connected to the common base of the first and third transistors via a resistor; A current source circuit comprising a transistor and a diode characteristic element connected in a current mirror.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59175421A JPS6153807A (en) | 1984-08-23 | 1984-08-23 | Current source circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59175421A JPS6153807A (en) | 1984-08-23 | 1984-08-23 | Current source circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6153807A JPS6153807A (en) | 1986-03-17 |
| JPH0331281B2 true JPH0331281B2 (en) | 1991-05-02 |
Family
ID=15995800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59175421A Granted JPS6153807A (en) | 1984-08-23 | 1984-08-23 | Current source circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6153807A (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102007041136A1 (en) | 2007-08-30 | 2009-03-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | LED housing |
-
1984
- 1984-08-23 JP JP59175421A patent/JPS6153807A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6153807A (en) | 1986-03-17 |
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