JPH0331281B2 - - Google Patents
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- JPH0331281B2 JPH0331281B2 JP59175421A JP17542184A JPH0331281B2 JP H0331281 B2 JPH0331281 B2 JP H0331281B2 JP 59175421 A JP59175421 A JP 59175421A JP 17542184 A JP17542184 A JP 17542184A JP H0331281 B2 JPH0331281 B2 JP H0331281B2
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- JP
- Japan
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- transistor
- emitter
- base
- current
- transistors
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Links
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/08—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
- H03F1/083—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements in transistor amplifiers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Control Of Electrical Variables (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は電流回路に関する。
第２図は、増幅回路の入力バイアスを設定する
エミツタホロワトランジスタと上記増幅回路の出
力を取り出すエミツタホロワトランジスタを備え
た回路において、上記２つのエミツタホロワトラ
ンジスタのエミツタ動作電流を設定する電流源回
路を示すものである。図において、増幅回路１１
は例えばオペアンプから成り、その非反転入力端
子には、信号源１２よりコンデンサC11を介して
信号が与えられる。増幅回路１１の入力バイアス
は電源VccよりエミツタホロワトランジスタQ11、
抵抗R11，R12を介して与えられる。増幅回路１
１の出力はエミツタホロワトランジスタQ12を介
して出力端子１３に取り出される。
エミツタホロワトランジスタと上記増幅回路の出
力を取り出すエミツタホロワトランジスタを備え
た回路において、上記２つのエミツタホロワトラ
ンジスタのエミツタ動作電流を設定する電流源回
路を示すものである。図において、増幅回路１１
は例えばオペアンプから成り、その非反転入力端
子には、信号源１２よりコンデンサC11を介して
信号が与えられる。増幅回路１１の入力バイアス
は電源VccよりエミツタホロワトランジスタQ11、
抵抗R11，R12を介して与えられる。増幅回路１
１の出力はエミツタホロワトランジスタQ12を介
して出力端子１３に取り出される。
トランジスタQ11，Q12のエミツタ動作電流は
それぞれベース共通のトランジスタQ13，Q14よ
り与えられる。これらトランジスタQ13，Q14の
ベース電位は、これらとベース共通の帰還用トラ
ンジスタQ15で検出され、これがトランジスタ
Q16を介してトランジスタQ13，Q14のベースに帰
還されることにより、これらトランジスタQ13，
Q14のベース電位が一定に保たれる。
それぞれベース共通のトランジスタQ13，Q14よ
り与えられる。これらトランジスタQ13，Q14の
ベース電位は、これらとベース共通の帰還用トラ
ンジスタQ15で検出され、これがトランジスタ
Q16を介してトランジスタQ13，Q14のベースに帰
還されることにより、これらトランジスタQ13，
Q14のベース電位が一定に保たれる。
トランジスタQ16のエミツタ動作電流はダイオ
ード接続のトランジスタQ17によつて設定され
る。
ード接続のトランジスタQ17によつて設定され
る。
今、トランジスタの電流増幅率hfeを無限大と
し、ベース・エミツタ間電圧をVJとすると、ト
ランジスタQ15のコレクタ電流IC15は、 IC15＝VCC−2VJ／R13＋R14＋R17 ……(1) と表わされる。そして、トランジスタQ13のコレ
クタ電流IC13もこれと一致する。また、トランジ
スタQ14のコレクタ電流IC14は、 IC14＝R17／R16・VCC−2VJ／R13＋R14＋R17 ……(2) と表わされ、コレクタ電流IC15にトランジスタ
Q14，Q15のエミツタ抵抗R16，R17の比をかけた
ものとなる。
し、ベース・エミツタ間電圧をVJとすると、ト
ランジスタQ15のコレクタ電流IC15は、 IC15＝VCC−2VJ／R13＋R14＋R17 ……(1) と表わされる。そして、トランジスタQ13のコレ
クタ電流IC13もこれと一致する。また、トランジ
スタQ14のコレクタ電流IC14は、 IC14＝R17／R16・VCC−2VJ／R13＋R14＋R17 ……(2) と表わされ、コレクタ電流IC15にトランジスタ
Q14，Q15のエミツタ抵抗R16，R17の比をかけた
ものとなる。
なお、図中、R15，R18はそれぞれトランジス
タQ13，Q17のエミツタ抵抗である。
タQ13，Q17のエミツタ抵抗である。
上記構成においては、増幅回路１１のゲインが
高いときには、発振してしまうことがある。以
下、これを説明すると、増幅回路１１の出力はト
ランジスタQ14のコレクタ・ベース間容量CCBを介
してトランジスタQ14，Q13，Q15，Q17のベース
ラインに伝わる。この漏れが比較的低周波のとき
は、ベースラインの変動を抑えるようにトランジ
スタQ15，Q16の帰還作用が働き、漏れが伝わり
にくい。すなわち、ベースラインのインピーダン
スが非常に小さくなるわけである。しかし、高周
波のときは、トランジスタQ15，Q16の帰還が完
全な負帰還にならず、ベースライン自身のインピ
ーダンスが大きくなるとともに、トランジスタ
Q15のベース電位の変動はR13／R17倍に増幅されて増 幅回路１１のバイアス電圧を決めるトランジスタ
Q11のエミツタに伝えられる。このトランジスタ
Q11のエミツタ電位の変動は増幅回路１１に伝え
られるが、ここで、信号の入力端子である非反転
入力端子は低インピーダンスであるので、ここに
は上記変動分が伝わらず一定電位となる。したが
つて、上記変動分は反転入力端子だけに伝わり、
これが増幅されることで、この一巡ループのゲイ
ンが0dB以上のとき発振してしまう。
高いときには、発振してしまうことがある。以
下、これを説明すると、増幅回路１１の出力はト
ランジスタQ14のコレクタ・ベース間容量CCBを介
してトランジスタQ14，Q13，Q15，Q17のベース
ラインに伝わる。この漏れが比較的低周波のとき
は、ベースラインの変動を抑えるようにトランジ
スタQ15，Q16の帰還作用が働き、漏れが伝わり
にくい。すなわち、ベースラインのインピーダン
スが非常に小さくなるわけである。しかし、高周
波のときは、トランジスタQ15，Q16の帰還が完
全な負帰還にならず、ベースライン自身のインピ
ーダンスが大きくなるとともに、トランジスタ
Q15のベース電位の変動はR13／R17倍に増幅されて増 幅回路１１のバイアス電圧を決めるトランジスタ
Q11のエミツタに伝えられる。このトランジスタ
Q11のエミツタ電位の変動は増幅回路１１に伝え
られるが、ここで、信号の入力端子である非反転
入力端子は低インピーダンスであるので、ここに
は上記変動分が伝わらず一定電位となる。したが
つて、上記変動分は反転入力端子だけに伝わり、
これが増幅されることで、この一巡ループのゲイ
ンが0dB以上のとき発振してしまう。
この発明は上記の事情に対処すべくなされたも
ので、増幅回路のゲインが大きくても発振する虞
れのない電流源回路を提供することを目的とす
る。
ので、増幅回路のゲインが大きくても発振する虞
れのない電流源回路を提供することを目的とす
る。
この発明は、例えば第１図に示す一実施例を用
いて説明するならば、出力側のエミツタホロワト
ランジスタQ12の電流精度が低くてよいことに着
目し、入力側のエミツタホロワトランジスタQ11
のエミツタ動作電流を設定するトランジスタQ13
に関しては帰還回路を形成するものの、出力側の
エミツタホロワトランジスタQ12のエミツタ動作
電流を設定するトランジスタQ22に関しては、こ
れをカレントミラー構成で駆動するようにしたも
のである。
いて説明するならば、出力側のエミツタホロワト
ランジスタQ12の電流精度が低くてよいことに着
目し、入力側のエミツタホロワトランジスタQ11
のエミツタ動作電流を設定するトランジスタQ13
に関しては帰還回路を形成するものの、出力側の
エミツタホロワトランジスタQ12のエミツタ動作
電流を設定するトランジスタQ22に関しては、こ
れをカレントミラー構成で駆動するようにしたも
のである。
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を詳
細に説明する。
細に説明する。
第１図はこの発明の一実施例の構成を示す回路
図である。図において、先の第２図と同一部に同
一符号を付す。
図である。図において、先の第２図と同一部に同
一符号を付す。
まず、エミツタホロワトランジスタQ11のエミ
ツタ動作電流を決定するトランジスタ（第１のト
ランジスタ）Q13のコレクタはトランジスタQ11
のエミツタに接続され、エミツタは抵抗R15を介
して接地されている。トランジスタQ13のベース
電位の変動は帰還用トランジスタ（第３のトラン
ジスタ）Q15で検出され、トランジスタ（第４の
トランジスタ）Q16を介してトランジスタQ13の
ベースに帰還される。これにより、トランジスタ
Q13のベース電位が一定に保たれ、トランジスタ
Q11のエミツタ電流の安定化が図られる。ここ
で、トランジスタQ15のベースはトランジスタ
Q13のベースと共通とされ、エミツタは抵抗R17
を介して接地され、コレクタはトランジスタQ16
のベースに接続されるとともに、抵抗R14，R13
の直列回路を介して電源VCCに接続されている。
ツタ動作電流を決定するトランジスタ（第１のト
ランジスタ）Q13のコレクタはトランジスタQ11
のエミツタに接続され、エミツタは抵抗R15を介
して接地されている。トランジスタQ13のベース
電位の変動は帰還用トランジスタ（第３のトラン
ジスタ）Q15で検出され、トランジスタ（第４の
トランジスタ）Q16を介してトランジスタQ13の
ベースに帰還される。これにより、トランジスタ
Q13のベース電位が一定に保たれ、トランジスタ
Q11のエミツタ電流の安定化が図られる。ここ
で、トランジスタQ15のベースはトランジスタ
Q13のベースと共通とされ、エミツタは抵抗R17
を介して接地され、コレクタはトランジスタQ16
のベースに接続されるとともに、抵抗R14，R13
の直列回路を介して電源VCCに接続されている。
トランジスタQ16のコレクタは電源VCCに接続
され、エミツタはトランジスタQ13，Q15の共通
ベースに接続されている。この共通ベースには、
トランジスタQ16のエミツタ電流を決定するダイ
オード接続のトランジスタQ21のベース、コレク
タの共通接続点が抵抗R21を介して接続され、こ
のトランジスタQ21のエミツタは接地されてい
る。ここで、トランジスタQ13のベースバイアス
は電源VCCにより抵抗R13，R14、トランジスタ
Q16を介して与えられ、また、トランジスタQ11
のベースバイアスは電源VCCより抵抗R13を介し
て与えられる。
され、エミツタはトランジスタQ13，Q15の共通
ベースに接続されている。この共通ベースには、
トランジスタQ16のエミツタ電流を決定するダイ
オード接続のトランジスタQ21のベース、コレク
タの共通接続点が抵抗R21を介して接続され、こ
のトランジスタQ21のエミツタは接地されてい
る。ここで、トランジスタQ13のベースバイアス
は電源VCCにより抵抗R13，R14、トランジスタ
Q16を介して与えられ、また、トランジスタQ11
のベースバイアスは電源VCCより抵抗R13を介し
て与えられる。
エミツタホロワトランジスタQ12のエミツタ電
流を決定するトランジスタ（第２のトランジス
タ）Q22のコレクタはトランジスタQ12のエミツ
タに接続され、エミツタは接地され、ベースはト
ランジスタQ21のベース、コレクタの共通接続点
に接続され、このトランジスタQ21とカレントミ
ラー回路を成す。
流を決定するトランジスタ（第２のトランジス
タ）Q22のコレクタはトランジスタQ12のエミツ
タに接続され、エミツタは接地され、ベースはト
ランジスタQ21のベース、コレクタの共通接続点
に接続され、このトランジスタQ21とカレントミ
ラー回路を成す。
第１図の構成においては、トランジスタQ15，
Q13のコレクタ電流IC15，IC13は先の第２図と同様
に式(1)で与えられる。また、トランジスタQ22の
コレクタ電流IC22は、トランジスタQ21，Q22のエ
ミツタ面積比を１：Ｎとすると、 IC22＝NR17／R21・VCC−2VJ／R13＋R14＋R17 ……(3) で与えられる。ここで、R21／Ｎ＝R16とすれば、ト ランジスタQ22のコレクタ電流IC22は先のトラン
ジスタQ14のコレクタ電流IC14と等しくなる。
Q13のコレクタ電流IC15，IC13は先の第２図と同様
に式(1)で与えられる。また、トランジスタQ22の
コレクタ電流IC22は、トランジスタQ21，Q22のエ
ミツタ面積比を１：Ｎとすると、 IC22＝NR17／R21・VCC−2VJ／R13＋R14＋R17 ……(3) で与えられる。ここで、R21／Ｎ＝R16とすれば、ト ランジスタQ22のコレクタ電流IC22は先のトラン
ジスタQ14のコレクタ電流IC14と等しくなる。
ここで、第１図の回路をさらに説明すると、入
力側のエミツタホロワトランジスタQ11のエミツ
タ動作電流を決定するトランジスタQ13に関して
は、従来通り帰還形のベースバイアス回路が形成
されるが、出力側のエミツタホロワトランジスタ
Q12のエミツタ動作電流を決定するトランジスタ
Q22に関して帰還回路を形成せず、これをトラン
ジスタQ21にカレントミラー接続することによつ
てトランジスタQ12のエミツタ電流を得ている。
力側のエミツタホロワトランジスタQ11のエミツ
タ動作電流を決定するトランジスタQ13に関して
は、従来通り帰還形のベースバイアス回路が形成
されるが、出力側のエミツタホロワトランジスタ
Q12のエミツタ動作電流を決定するトランジスタ
Q22に関して帰還回路を形成せず、これをトラン
ジスタQ21にカレントミラー接続することによつ
てトランジスタQ12のエミツタ電流を得ている。
このような構成によれば、トランジスタQ22の
ベースラインはダイオード接続のトランジスタ
Q21のインピーダンスを持つことになり、このト
ランジスタQ21のコレクタ・サブストレート間容
量により、ベースラインのインピーダンスは高周
波程小さくなる。したがつて、増幅回路１１の出
力はトランジスタQ22のベースラインに現れにく
く、仮に現れたとしても、その変動がトランジス
タQ15のベースに伝わるまでには、re／re＋R21
（但し、reはトランジスタQ3の等価エミツタ抵抗）
に分圧されるので非常に小さなものとなり、トラ
ンジスタQ11のエミツタ電位に影響を与えること
はほとんどない。その結果、第１図の回路では、
増幅回路１１のゲインが大きくても、発振するこ
とがない。
ベースラインはダイオード接続のトランジスタ
Q21のインピーダンスを持つことになり、このト
ランジスタQ21のコレクタ・サブストレート間容
量により、ベースラインのインピーダンスは高周
波程小さくなる。したがつて、増幅回路１１の出
力はトランジスタQ22のベースラインに現れにく
く、仮に現れたとしても、その変動がトランジス
タQ15のベースに伝わるまでには、re／re＋R21
（但し、reはトランジスタQ3の等価エミツタ抵抗）
に分圧されるので非常に小さなものとなり、トラ
ンジスタQ11のエミツタ電位に影響を与えること
はほとんどない。その結果、第１図の回路では、
増幅回路１１のゲインが大きくても、発振するこ
とがない。
しかも第１図の回路は第２図の回路に比べ素子
数が少なく、構成上でも有利となつている。
数が少なく、構成上でも有利となつている。
なお、一般に、トランジスタのエミツタ面積の
比Ｎは抵抗比に比べ精度が悪いので、第１図の構
成では、トランジスタQ22のコレクタ電流IC22の
精度が悪くなる虞れがあるが、出力側のエミツタ
ホロワトランジスタQ12のエミツタ電流はさほど
精度を必要としないので問題はない。
比Ｎは抵抗比に比べ精度が悪いので、第１図の構
成では、トランジスタQ22のコレクタ電流IC22の
精度が悪くなる虞れがあるが、出力側のエミツタ
ホロワトランジスタQ12のエミツタ電流はさほど
精度を必要としないので問題はない。
以上の説明では、増幅回路１１が１つである場
合を代表として説明したが、これが複数ある場合
は、その数に応じてトランジスタQ13やQ22を複
数設ければよく、トランジスタQ15，Q16，Q21等
に関しては、複数設ける必要はなく、全ての回路
に兼用できるものである。
合を代表として説明したが、これが複数ある場合
は、その数に応じてトランジスタQ13やQ22を複
数設ければよく、トランジスタQ15，Q16，Q21等
に関しては、複数設ける必要はなく、全ての回路
に兼用できるものである。
また、ダイオード特性素子としてはダイオード
接続のトランジスタQ21の代りにダイオードを用
いてもよいことは勿論である。
接続のトランジスタQ21の代りにダイオードを用
いてもよいことは勿論である。
また、以上の説明では、増幅回路１１の入力バ
イアスを設定するエミツタホロワトランジスタ
Q11と増幅回路１１の出力を取り出すエミツタホ
ロワトランジスタを備えた回路における上記２つ
のエミツタホロワトランジスタのエミツタ動作電
流を設定する電流源回路にこの発明を適用した場
合を代表として説明したが、これ以外の電流源回
路にも適用できることは勿論である。
イアスを設定するエミツタホロワトランジスタ
Q11と増幅回路１１の出力を取り出すエミツタホ
ロワトランジスタを備えた回路における上記２つ
のエミツタホロワトランジスタのエミツタ動作電
流を設定する電流源回路にこの発明を適用した場
合を代表として説明したが、これ以外の電流源回
路にも適用できることは勿論である。
このようにこの発明によれば、増幅回路のゲイ
ンが大きくても発振する虞れのない電流源回路を
提供することができる。
ンが大きくても発振する虞れのない電流源回路を
提供することができる。
第１図はこの発明の一実施例の構成を示す回路
図、第２図は従来の電流源回路の構成を示す回路
図である。 １１……増幅回路、１２……信号源、１３……
出力端子、Q11〜Q13，Q15，Q16，Q21，Q22……
トランジスタ、R11〜R15，R17，R21……抵抗、
C11……コンデンサ、VCC……電源。
図、第２図は従来の電流源回路の構成を示す回路
図である。 １１……増幅回路、１２……信号源、１３……
出力端子、Q11〜Q13，Q15，Q16，Q21，Q22……
トランジスタ、R11〜R15，R17，R21……抵抗、
C11……コンデンサ、VCC……電源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 第１の電流源を成す第１のトランジスタと、 第２の電流源を成す第２のトランジスタと、 ベースが上記第１のトランジスタのベースに接
続され、このトランジスタのベース電位の変動を
検出する第３のトランジスタと、 ベースがこの第３のトランジスタのコレクタに
接続され、エミツタが上記第１、第３のトランジ
スタのベースの共通接続点に接続され、上記第３
のトランジスタのコレクタ出力を上記共通ベース
に帰還する第４のトランジスタと、 ダイオードのアノードに相当する部分が抵抗を
介して上記第１、第３のトランジスタの共通ベー
スに接続されるとともに、上記第２のトランジス
タとカレントミラー接続されるダイオード特性素
子とを具備した電流源回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59175421A JPS6153807A (ja) | 1984-08-23 | 1984-08-23 | 電流源回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59175421A JPS6153807A (ja) | 1984-08-23 | 1984-08-23 | 電流源回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6153807A JPS6153807A (ja) | 1986-03-17 |
| JPH0331281B2 true JPH0331281B2 (ja) | 1991-05-02 |
Family
ID=15995800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59175421A Granted JPS6153807A (ja) | 1984-08-23 | 1984-08-23 | 電流源回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6153807A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102007041136A1 (de) | 2007-08-30 | 2009-03-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | LED-Gehäuse |
-
1984
- 1984-08-23 JP JP59175421A patent/JPS6153807A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6153807A (ja) | 1986-03-17 |
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