JPH0331674B2 - - Google Patents
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- JPH0331674B2 JPH0331674B2 JP23279885A JP23279885A JPH0331674B2 JP H0331674 B2 JPH0331674 B2 JP H0331674B2 JP 23279885 A JP23279885 A JP 23279885A JP 23279885 A JP23279885 A JP 23279885A JP H0331674 B2 JPH0331674 B2 JP H0331674B2
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- Japan
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- crucible
- seed
- single crystal
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明は、例えば、シリコン単結晶等を製造
する際に用いて好適な単結晶製造装置に関する。
する際に用いて好適な単結晶製造装置に関する。
「従来の技術」
第４図は、一般的な単結晶製造装置の構成を示
す断面図である。第４図において、１は炉体であ
り、炉体１内のほぼ中央部に石英ルツボ２が設け
られている。この石英ルツボ２は黒鉛サセプタ３
によつて保持されており、黒鉛サセプタ３の下端
部は軸４の上端に所定の接合部材によつて取り付
けられている。この場合、軸４の下端部にはルツ
ボ回転モータおよびルツボ昇降モータの駆動力が
伝達されるようになつており、これにより、ルツ
ボ２は所定方向に回転し得るとともに、上下方向
に昇降自在となつている。６，６は、ルツボ２内
の溶湯（シリコン多結晶溶湯）７の温度を制御す
るヒータであり、ルツボ２の外方に所定距離隔て
て設けられており、このヒータ６と炉体１との間
〓に保温材８が設けられている。
す断面図である。第４図において、１は炉体であ
り、炉体１内のほぼ中央部に石英ルツボ２が設け
られている。この石英ルツボ２は黒鉛サセプタ３
によつて保持されており、黒鉛サセプタ３の下端
部は軸４の上端に所定の接合部材によつて取り付
けられている。この場合、軸４の下端部にはルツ
ボ回転モータおよびルツボ昇降モータの駆動力が
伝達されるようになつており、これにより、ルツ
ボ２は所定方向に回転し得るとともに、上下方向
に昇降自在となつている。６，６は、ルツボ２内
の溶湯（シリコン多結晶溶湯）７の温度を制御す
るヒータであり、ルツボ２の外方に所定距離隔て
て設けられており、このヒータ６と炉体１との間
〓に保温材８が設けられている。
次に、１０は炉体１の上端に接合されている中
空円柱状の上部ケーシングであり、この上部ケー
シングの上端部分に引上ヘツド１１が水平旋回自
在に設けられている。引上ヘツド１１内には、ワ
イア引上機構１２が設けられており、ワイア引上
機構１２からはワイアケーブル１３がルツボ２の
回転中心に向つて延びている。このワイア引上機
構１２には引上モータ１５の駆動力が伝達される
ようになつており、引上モータ１５の回転方向に
よつて、ワイアケーブル１３の引き上げ、また
は、引き下げを行うようになつている。また、引
上ヘツド１１は、ヘツド回転モータ１６の駆動力
が伝達されると矢印TG方向に回転するようにな
つている。
空円柱状の上部ケーシングであり、この上部ケー
シングの上端部分に引上ヘツド１１が水平旋回自
在に設けられている。引上ヘツド１１内には、ワ
イア引上機構１２が設けられており、ワイア引上
機構１２からはワイアケーブル１３がルツボ２の
回転中心に向つて延びている。このワイア引上機
構１２には引上モータ１５の駆動力が伝達される
ようになつており、引上モータ１５の回転方向に
よつて、ワイアケーブル１３の引き上げ、また
は、引き下げを行うようになつている。また、引
上ヘツド１１は、ヘツド回転モータ１６の駆動力
が伝達されると矢印TG方向に回転するようにな
つている。
次に、２０はワイアケーブル１３の下端に取り
付けられているシードホルダであり、図示のよう
にシード（単結晶の種）２１を保持するものであ
る。
付けられているシードホルダであり、図示のよう
にシード（単結晶の種）２１を保持するものであ
る。
上記構成において、シード２１を溶湯７に浸漬
させた後に、ヘツド回転モータ１６を駆動し、か
つ、引上モータ１５を引上方向に駆動すると、ワ
イアケーブル１３は矢印TG方向に駆動されなが
ら上方に引き上げられてゆき、このシード２１の
上昇に伴つて単結晶シリコン２２が図示のように
成長してゆく。また、この単結晶成長工程におい
ては、軸４が矢印TGと逆方向に回転され、これ
により、単結晶シリコン２２と溶湯７とが互いに
逆方向に回転するように構成されている。
させた後に、ヘツド回転モータ１６を駆動し、か
つ、引上モータ１５を引上方向に駆動すると、ワ
イアケーブル１３は矢印TG方向に駆動されなが
ら上方に引き上げられてゆき、このシード２１の
上昇に伴つて単結晶シリコン２２が図示のように
成長してゆく。また、この単結晶成長工程におい
ては、軸４が矢印TGと逆方向に回転され、これ
により、単結晶シリコン２２と溶湯７とが互いに
逆方向に回転するように構成されている。
さて、引き上げられて行く単結晶シリコン２２
の成長形状は、上端部（以下、トツプという）お
よび下端部（以下、ボトムという）においては
各々目的とする形状に一致させるのが望ましく、
また、直胴部分においては均一直径とするのが望
ましい。そして、成長形状を決定するのは、引上
速度、溶湯温度、単結晶シリコン２２の相対的回
転速度、および溶湯液面レベルなどであるから、
これらのパラメータを調整しながら単結晶シリコ
ン２２の形状が所望形状となるように制御を行う
必要がある。
の成長形状は、上端部（以下、トツプという）お
よび下端部（以下、ボトムという）においては
各々目的とする形状に一致させるのが望ましく、
また、直胴部分においては均一直径とするのが望
ましい。そして、成長形状を決定するのは、引上
速度、溶湯温度、単結晶シリコン２２の相対的回
転速度、および溶湯液面レベルなどであるから、
これらのパラメータを調整しながら単結晶シリコ
ン２２の形状が所望形状となるように制御を行う
必要がある。
この形状制御は、炉体１の上端部分に設けた窓
部１ａからテレビカメラ２５により溶湯７の上面
を撮影し、さらに、テレビカメラ２５の画像デー
タを解析して単結晶シリコン２２と溶湯液面との
境界位置を検出し、この検出結果に基づいて単結
晶シリコン２２の外形が所定形状に沿うように上
記各パラメータを制御するようにしている。ま
た、単結晶シリコン２２が成長して行くと、ルツ
ボ２内の溶湯液面が低下するが、溶湯液面の低下
は単結晶シリコン２２の直径を変化させてしまい
成長形状に悪影響及ぼすので、軸４を上昇させて
液面レベルを一定に保つようにしている。
部１ａからテレビカメラ２５により溶湯７の上面
を撮影し、さらに、テレビカメラ２５の画像デー
タを解析して単結晶シリコン２２と溶湯液面との
境界位置を検出し、この検出結果に基づいて単結
晶シリコン２２の外形が所定形状に沿うように上
記各パラメータを制御するようにしている。ま
た、単結晶シリコン２２が成長して行くと、ルツ
ボ２内の溶湯液面が低下するが、溶湯液面の低下
は単結晶シリコン２２の直径を変化させてしまい
成長形状に悪影響及ぼすので、軸４を上昇させて
液面レベルを一定に保つようにしている。
「発明が解決しようとする問題点」
ところで、単結晶シリコン２２の製造工程にお
いては、以下に述べる事項を正確に検出すことが
極めて重要なポイントとなつている。
いては、以下に述べる事項を正確に検出すことが
極めて重要なポイントとなつている。
シード２１を下降させた際に、溶湯７とシー
ド２１との接触を検知する。この接触を検知し
た後は、シード２１を上昇させて直ちに成長工
程に移行する。
ド２１との接触を検知する。この接触を検知し
た後は、シード２１を上昇させて直ちに成長工
程に移行する。
結晶の成長が終了し、ボトム形状が整えられ
ると、溶湯７と単結晶シリコン２２とが切り離
されるが、この切り離し時点を検出して結晶冷
却工程に移行する。
ると、溶湯７と単結晶シリコン２２とが切り離
されるが、この切り離し時点を検出して結晶冷
却工程に移行する。
単結晶シリコン２２の成長中においては、溶
湯７の減少量を正確に検出し、減少量に対応す
る分だけルツボ２を上昇させる。
湯７の減少量を正確に検出し、減少量に対応す
る分だけルツボ２を上昇させる。
しかしながら、上述した従来の単結晶製造装置
においては、上記、の検出事項を目視によつ
て行つていたため、精度の点で問題があつた。ま
た、の検出事項においては、直接溶湯減少量を
検出せず、各制御パラメータの値や予め求めたデ
ータ等に基づいて溶湯減少量を算出し、この算出
結果に対応してルツボ２の上昇を制御していたの
で、実際の減少量に対して誤差が生じることが多
く、この結果、直胴部の直径が不均一となつてし
まうという問題が発生した。
においては、上記、の検出事項を目視によつ
て行つていたため、精度の点で問題があつた。ま
た、の検出事項においては、直接溶湯減少量を
検出せず、各制御パラメータの値や予め求めたデ
ータ等に基づいて溶湯減少量を算出し、この算出
結果に対応してルツボ２の上昇を制御していたの
で、実際の減少量に対して誤差が生じることが多
く、この結果、直胴部の直径が不均一となつてし
まうという問題が発生した。
この発明は、上述した事情に鑑みてなされたも
ので、シードと溶湯との接触、ボトム部と溶湯の
分離、および溶湯減少に起因する表面位置低下
を、自動的にかつ正確に検出することができる単
結晶製造装置を提供することを目的としている。
ので、シードと溶湯との接触、ボトム部と溶湯の
分離、および溶湯減少に起因する表面位置低下
を、自動的にかつ正確に検出することができる単
結晶製造装置を提供することを目的としている。
「問題点を解決するための手段」
この発明は、上記問題点を解決するために、装
置枠体から吊り下げられるワイヤケーブルの下端
にシードホルダを介して取り付けられるシード
と、内部に多結晶溶湯が収納される絶縁性のルツ
ボと、このルツボを覆うようにして支持する導電
性の支持部材とを設け、前記シードを前記溶湯に
接触させた後に引き上げ、これによつて、前記シ
ードの下端部に単結晶を成長させる単結晶製造装
置において、前記ワイヤケーブルを装置枠体から
絶縁するとともに、前記ワイヤケーブルに電気的
に連なる部分と前記支持部材に電気的に連なる部
分との間の静電容量を検出する静電容量検出部を
具備している。
置枠体から吊り下げられるワイヤケーブルの下端
にシードホルダを介して取り付けられるシード
と、内部に多結晶溶湯が収納される絶縁性のルツ
ボと、このルツボを覆うようにして支持する導電
性の支持部材とを設け、前記シードを前記溶湯に
接触させた後に引き上げ、これによつて、前記シ
ードの下端部に単結晶を成長させる単結晶製造装
置において、前記ワイヤケーブルを装置枠体から
絶縁するとともに、前記ワイヤケーブルに電気的
に連なる部分と前記支持部材に電気的に連なる部
分との間の静電容量を検出する静電容量検出部を
具備している。
「作用」
シードと溶湯の接触、単結晶の成長による溶湯
の減少量および成長単結晶と溶湯の離間が、前記
静電容量検出部の検出信号の変化となつて現れ
る。
の減少量および成長単結晶と溶湯の離間が、前記
静電容量検出部の検出信号の変化となつて現れ
る。
「実施例」
以下、図面を参照してこの発明の実施について
説明する。
説明する。
第１図はこの発明の一実施例の構成を示す概略
構成図であり、前述した第４図の各部と対応する
部分には同一の符号を付しその説明を省略する。
構成図であり、前述した第４図の各部と対応する
部分には同一の符号を付しその説明を省略する。
第１図において、３０は絶縁材であり、引上ヘ
ツド１１と上部ケーシング１０とを絶縁してい
る。次に、３２は静電容量計であり、その一方の
入力端子と引上ヘツド１１との間には高周波発振
器３１が設けられており、また、静電容量計３２
の他方の入力端子は、上部ケーシング１０および
軸４に接続されるとともに接地されている。この
場合、静電容量計３２は、両入力端間に流れる電
流の値から、検出対象の静電容量を検出するよう
になつており、この静電容量計３２の出力信号は
アンプ３４およびコンパレータ３３の各入力端に
各々供給されるようになつている。また、コンパ
レータ３３は、静電容量計３２の出力信号が所定
のしきい値を超えると“Ｈ”レベル、しきい値以
下であると“Ｌ”レベルの信号を出力するように
なつている。
ツド１１と上部ケーシング１０とを絶縁してい
る。次に、３２は静電容量計であり、その一方の
入力端子と引上ヘツド１１との間には高周波発振
器３１が設けられており、また、静電容量計３２
の他方の入力端子は、上部ケーシング１０および
軸４に接続されるとともに接地されている。この
場合、静電容量計３２は、両入力端間に流れる電
流の値から、検出対象の静電容量を検出するよう
になつており、この静電容量計３２の出力信号は
アンプ３４およびコンパレータ３３の各入力端に
各々供給されるようになつている。また、コンパ
レータ３３は、静電容量計３２の出力信号が所定
のしきい値を超えると“Ｈ”レベル、しきい値以
下であると“Ｌ”レベルの信号を出力するように
なつている。
次に、３５はコンパレータ３３およびアンプ３
４の出力信号に基づいて装置各部を制御する制御
部であり、CPU（中央処理装置）、プログラム
ROM、および各種データが一時記憶される
RAM等からなつている。この場合、制御部３５
は、インターフエイス３６を介してモータ駆動回
路３８に制御信号を供給し、これによつて、ルツ
ボ昇降モータ３９の回転を制御し、ルツボ２の上
下位置を調整する。また、制御部３５はテレビカ
メラ２５の画像信号に基づいて、単結晶２２の形
状制御を行うために、インターフエイス３７を介
して引上モータ１５およびヘツド回転モータ１６
を制御し、これによつて、引上速度およびシード
回転速度を調整し、さらに、図示せぬ経路を介し
てヒータ６，６の発熱量を調整する。
４の出力信号に基づいて装置各部を制御する制御
部であり、CPU（中央処理装置）、プログラム
ROM、および各種データが一時記憶される
RAM等からなつている。この場合、制御部３５
は、インターフエイス３６を介してモータ駆動回
路３８に制御信号を供給し、これによつて、ルツ
ボ昇降モータ３９の回転を制御し、ルツボ２の上
下位置を調整する。また、制御部３５はテレビカ
メラ２５の画像信号に基づいて、単結晶２２の形
状制御を行うために、インターフエイス３７を介
して引上モータ１５およびヘツド回転モータ１６
を制御し、これによつて、引上速度およびシード
回転速度を調整し、さらに、図示せぬ経路を介し
てヒータ６，６の発熱量を調整する。
次に、上記構成によるこの実施例の動作を説明
する。まず、制御部３５はシード２１を溶湯７に
接触させるためにワイヤケーブル１３を下降させ
る。この場合、シード２１が溶湯７に接する以前
においては、静電容量計３２の検出対象となる容
量は、以下の通りとなる。すなわち、引上ヘツド
１１、ワイヤケーブル１３、シードホルダ２０、
およびシード２１からなる一連の導体が第１の電
極となり、黒鉛サセプタ３、軸４およびこれらと
電気的に連なる部分が第２の電極となるから、こ
の第１、第２の電極の間に形成される容量が検出
対象となる。そして、この場合に形成される静電
容量は、各第１、第２の電極の間〓が比較的大き
いために、その値は極めて小さくなり、第２図の
期間T1に示すようになる。
する。まず、制御部３５はシード２１を溶湯７に
接触させるためにワイヤケーブル１３を下降させ
る。この場合、シード２１が溶湯７に接する以前
においては、静電容量計３２の検出対象となる容
量は、以下の通りとなる。すなわち、引上ヘツド
１１、ワイヤケーブル１３、シードホルダ２０、
およびシード２１からなる一連の導体が第１の電
極となり、黒鉛サセプタ３、軸４およびこれらと
電気的に連なる部分が第２の電極となるから、こ
の第１、第２の電極の間に形成される容量が検出
対象となる。そして、この場合に形成される静電
容量は、各第１、第２の電極の間〓が比較的大き
いために、その値は極めて小さくなり、第２図の
期間T1に示すようになる。
次に、シード２２が下降して溶湯７に接する
と、シード２２と溶湯７とが導通するために、溶
湯７が上記第１の電極に加わり、この結果、第
１、第２の電極がルツボ（石英ルツボ）２を誘電
体として極めて近接する状態となる。この場合、
ルツボ２を誘電体とする静電容量は、電極間距離
が小さく、また、電極対向面積が大きくなるか
ら、比較的大きな容量となり、このため、静電容
量計３２の検出値は、大きな値となる。そして、
例えば第２図に示す時刻t1において、シード２１
が溶湯７に接したとすると、静電容量計３２の検
出値が時刻t1において急激に上昇する。第１図に
示すコンパレータ３３のしきい値は、第２図に示
すように静電容量の急変を検出し得る値に設定さ
れており、この結果、時刻t1においては、コンパ
レータ３３の出力信号が“Ｌ”レベルから“Ｈ”
レベルに立ち上がる。そして、制御部３５はコン
パレータ３３の出力信号変化からシード２１と溶
湯７との接触を検出し、これにより、引上モータ
１５を反転させてシード２１の引き上げ工程、す
なわち、単結晶２２の成長工程に移行する。
と、シード２２と溶湯７とが導通するために、溶
湯７が上記第１の電極に加わり、この結果、第
１、第２の電極がルツボ（石英ルツボ）２を誘電
体として極めて近接する状態となる。この場合、
ルツボ２を誘電体とする静電容量は、電極間距離
が小さく、また、電極対向面積が大きくなるか
ら、比較的大きな容量となり、このため、静電容
量計３２の検出値は、大きな値となる。そして、
例えば第２図に示す時刻t1において、シード２１
が溶湯７に接したとすると、静電容量計３２の検
出値が時刻t1において急激に上昇する。第１図に
示すコンパレータ３３のしきい値は、第２図に示
すように静電容量の急変を検出し得る値に設定さ
れており、この結果、時刻t1においては、コンパ
レータ３３の出力信号が“Ｌ”レベルから“Ｈ”
レベルに立ち上がる。そして、制御部３５はコン
パレータ３３の出力信号変化からシード２１と溶
湯７との接触を検出し、これにより、引上モータ
１５を反転させてシード２１の引き上げ工程、す
なわち、単結晶２２の成長工程に移行する。
次に、時刻t1から単結晶成長工程に入ると、単
結晶の成長量に応じてルツボ２内の溶湯７が減少
してゆく。そして、溶湯７が減少すると、ルツボ
２を誘電体とする静電容量の一方の電極（第１の
電極の先端部）の表面積が順次小さくなつてゆ
き、この結果、静電容量の値が第２図の期間T2
に示すように溶湯減少量に応じて減少してゆく。
そして、制御部３５は静電容量値の減少量から、
ルツボ２内における溶湯表面位置の相対的低下量
を求め、この求めた表面位置低下量に対応する分
だけルツボ昇降モータ３９を駆動し、これによ
り、溶湯７の絶対的表面位置を一定位置に保持す
る。この場合、溶湯７の減少量は、静電容量の電
極面積の変化として確実に現れるので、制御部３
５が検出する溶湯減少量は極めて正確なものとな
るため、溶湯表面位置一定化のためのルツボ昇降
モータ３９の駆動量を正確に指示することができ
る。また、期間T2において、静電容量の低下が
やや急になつている期間T2aは、溶湯７の残量が
少なくなつた状態に対応する期間であり、溶湯７
の表面位置が第３図に示すようにルツボ２の下部
の湾曲部（いわゆるアール部）２ａに位置してい
る状態である。すなわち、この状態においては、
ルツボ２の断面積が下方に行くにしたがつて順次
小さくなつていくから、同一の溶湯減少量であつ
ても、ルツボ２内においてその表面位置が低下す
る速度は、断面積一定の部分に比べて速くなる。
したがつて、このような状態においては、ルツボ
２の上昇率を上げる必要があるが、この実施例の
場合においては、上述のように、ルツボ２の形状
変化も静電容量変化として反映されるから、溶湯
７の表面位置の低下に応じて正確にルツボ２を上
昇させることができる。このように、期間T2に
おける静電容量変化は、ルツボ２の断面積変化に
かかわりなく、ルツボ２内における溶湯７の相対
的な表面位置を正確に反映する。
結晶の成長量に応じてルツボ２内の溶湯７が減少
してゆく。そして、溶湯７が減少すると、ルツボ
２を誘電体とする静電容量の一方の電極（第１の
電極の先端部）の表面積が順次小さくなつてゆ
き、この結果、静電容量の値が第２図の期間T2
に示すように溶湯減少量に応じて減少してゆく。
そして、制御部３５は静電容量値の減少量から、
ルツボ２内における溶湯表面位置の相対的低下量
を求め、この求めた表面位置低下量に対応する分
だけルツボ昇降モータ３９を駆動し、これによ
り、溶湯７の絶対的表面位置を一定位置に保持す
る。この場合、溶湯７の減少量は、静電容量の電
極面積の変化として確実に現れるので、制御部３
５が検出する溶湯減少量は極めて正確なものとな
るため、溶湯表面位置一定化のためのルツボ昇降
モータ３９の駆動量を正確に指示することができ
る。また、期間T2において、静電容量の低下が
やや急になつている期間T2aは、溶湯７の残量が
少なくなつた状態に対応する期間であり、溶湯７
の表面位置が第３図に示すようにルツボ２の下部
の湾曲部（いわゆるアール部）２ａに位置してい
る状態である。すなわち、この状態においては、
ルツボ２の断面積が下方に行くにしたがつて順次
小さくなつていくから、同一の溶湯減少量であつ
ても、ルツボ２内においてその表面位置が低下す
る速度は、断面積一定の部分に比べて速くなる。
したがつて、このような状態においては、ルツボ
２の上昇率を上げる必要があるが、この実施例の
場合においては、上述のように、ルツボ２の形状
変化も静電容量変化として反映されるから、溶湯
７の表面位置の低下に応じて正確にルツボ２を上
昇させることができる。このように、期間T2に
おける静電容量変化は、ルツボ２の断面積変化に
かかわりなく、ルツボ２内における溶湯７の相対
的な表面位置を正確に反映する。
次に、第２図に示す時刻t2において、単結晶２
２が成長し終えてボトム形状制御がなされると、
ボトム下端部と溶湯７とが切り離される。そし
て、この切り離しが行なわれた後は、第１の電極
はワイヤケーブル１３、シードホルダ２０、シー
ド２１および単結晶２２からなる一連の導体によ
つて構成される。この場合、第１の電極と第２の
電極とは空間的に離れており、また、その対向面
積も小さいために、検出される静電容量は大幅に
減少する。そして、この静電容量の急激な減少が
コンパレータ３３のしきい値を下回り、これによ
つて、コンパレータ３３の出力信号が“Ｌ”レベ
ルに変化し、制御部３５はコンパレータ３３の出
力信号の変化からボトムと溶湯７との切り離しを
検出する。そして、切り離し検出後は、結晶冷却
工程に移行する。
２が成長し終えてボトム形状制御がなされると、
ボトム下端部と溶湯７とが切り離される。そし
て、この切り離しが行なわれた後は、第１の電極
はワイヤケーブル１３、シードホルダ２０、シー
ド２１および単結晶２２からなる一連の導体によ
つて構成される。この場合、第１の電極と第２の
電極とは空間的に離れており、また、その対向面
積も小さいために、検出される静電容量は大幅に
減少する。そして、この静電容量の急激な減少が
コンパレータ３３のしきい値を下回り、これによ
つて、コンパレータ３３の出力信号が“Ｌ”レベ
ルに変化し、制御部３５はコンパレータ３３の出
力信号の変化からボトムと溶湯７との切り離しを
検出する。そして、切り離し検出後は、結晶冷却
工程に移行する。
上述したように、この実施例においては、静電
容量計３２の出力信号に基づいて、シードと溶湯
との接触、ルツボ内における溶湯表面位置の低
下、およびボトムと溶湯の切り離しを極めて正確
に、かつ、自動的に検出することができる。した
がつて、単結晶製造工程の自動化を大幅に促進す
ることができる。
容量計３２の出力信号に基づいて、シードと溶湯
との接触、ルツボ内における溶湯表面位置の低
下、およびボトムと溶湯の切り離しを極めて正確
に、かつ、自動的に検出することができる。した
がつて、単結晶製造工程の自動化を大幅に促進す
ることができる。
「発明の効果」
以上説明したように、この発明によれば、装置
枠体から吊り下げられるワイヤケーブルの下端に
シードホルダを介して取り付けられるシードと、
内部に多結晶溶湯が収納される絶縁性のルツボ
と、このルツボを覆うようにして支持する導電性
の支持部材とを設け、前記シードを前記溶湯に接
触させた後に引き上げ、これによつて、前記シー
ドの下端部に単結晶を成長させる単結晶製造装置
において、前記ワイヤケーブルを装置枠体から絶
縁するとともに、前記ワイヤケーブルに電気的に
連なる部分と前記支持部材に電気的に連なる部分
との間の静電容量を検出する静電容量検出部を具
備したので、シードと溶湯との接触、ボトム部と
溶湯の分離、および溶湯減少に起因する相対的な
表面位置低下を、自動的にかつ正確に検出するこ
とができる利点が得られる。したがつて、これら
の検出結果を用いて、単結晶の形状制御を正確に
かつ自動的に行うことができる。
枠体から吊り下げられるワイヤケーブルの下端に
シードホルダを介して取り付けられるシードと、
内部に多結晶溶湯が収納される絶縁性のルツボ
と、このルツボを覆うようにして支持する導電性
の支持部材とを設け、前記シードを前記溶湯に接
触させた後に引き上げ、これによつて、前記シー
ドの下端部に単結晶を成長させる単結晶製造装置
において、前記ワイヤケーブルを装置枠体から絶
縁するとともに、前記ワイヤケーブルに電気的に
連なる部分と前記支持部材に電気的に連なる部分
との間の静電容量を検出する静電容量検出部を具
備したので、シードと溶湯との接触、ボトム部と
溶湯の分離、および溶湯減少に起因する相対的な
表面位置低下を、自動的にかつ正確に検出するこ
とができる利点が得られる。したがつて、これら
の検出結果を用いて、単結晶の形状制御を正確に
かつ自動的に行うことができる。
第１図はこの発明の一実施例の構成を示す概略
構成図、第２図は第１図に示す静電容量計３２の
出力信号の変化の一例を示す特性図、第３図はル
ツボ２の形状変化部分を示す断面図、第４図は従
来の単結晶製造装置の構成を示す断面図である。 ２……ルツボ、３……黒鉛サセプタ（支持部
材）、４……軸、１０……上部ケーシング（枠
体）、１３……ワイヤケーブル、２０……シード
ホルダ、２１……シード、２２……単結晶シリコ
ン。
構成図、第２図は第１図に示す静電容量計３２の
出力信号の変化の一例を示す特性図、第３図はル
ツボ２の形状変化部分を示す断面図、第４図は従
来の単結晶製造装置の構成を示す断面図である。 ２……ルツボ、３……黒鉛サセプタ（支持部
材）、４……軸、１０……上部ケーシング（枠
体）、１３……ワイヤケーブル、２０……シード
ホルダ、２１……シード、２２……単結晶シリコ
ン。
Claims (1)
- １ 装置枠体から吊り下げられるワイヤケーブル
の下端にシードホルダを介して取り付けられるシ
ードと、内部に多結晶溶湯が収納される絶縁性の
ルツボと、このルツボを覆うようにして支持する
導電性の支持部材とを設け、前記シードを前記溶
湯に接触させた後に引き上げ、これによつて、前
記シードの下端部に単結晶を成長させる単結晶製
造装置において、前記ワイヤケーブルを装置枠体
から絶縁するとともに、前記ワイヤケーブルに電
気的に連なる部分と前記支持部材に電気的に連な
る部分との間の静電容量を検出する静電容量検出
部を具備することを特徴とする単結晶製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23279885A JPS6296389A (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 | 単結晶製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23279885A JPS6296389A (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 | 単結晶製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6296389A JPS6296389A (ja) | 1987-05-02 |
| JPH0331674B2 true JPH0331674B2 (ja) | 1991-05-08 |
Family
ID=16944921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23279885A Granted JPS6296389A (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 | 単結晶製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6296389A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11162975B1 (en) | 2020-05-27 | 2021-11-02 | Shimadzu Corporation | Surface analyzer |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2533864Y2 (ja) * | 1994-04-28 | 1997-04-23 | 三菱マテリアル株式会社 | 単結晶引上装置 |
| CN109610000B (zh) * | 2019-02-19 | 2020-12-15 | 博兴战新产业发展有限公司 | 一种热场供热稳定的单晶炉 |
| CN113502533B (zh) * | 2021-09-09 | 2021-11-12 | 江苏矽时代材料科技有限公司 | 一种具有可控冷却装置的单晶硅直拉炉 |
-
1985
- 1985-10-18 JP JP23279885A patent/JPS6296389A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11162975B1 (en) | 2020-05-27 | 2021-11-02 | Shimadzu Corporation | Surface analyzer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6296389A (ja) | 1987-05-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |