JPH05345663A - 半導体セラミックスおよびその製造方法 - Google Patents
半導体セラミックスおよびその製造方法Info
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- JPH05345663A JPH05345663A JP4153887A JP15388792A JPH05345663A JP H05345663 A JPH05345663 A JP H05345663A JP 4153887 A JP4153887 A JP 4153887A JP 15388792 A JP15388792 A JP 15388792A JP H05345663 A JPH05345663 A JP H05345663A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 48
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 7
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 7
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 claims abstract description 5
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 15
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 3
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 2
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims description 2
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 claims 2
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 abstract description 23
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 4
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 3
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(iii) oxide Chemical compound O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 9
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 9
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 8
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Chemical compound O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N calcium titanate Chemical compound [Ca+2].[O-][Ti]([O-])=O AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010405 reoxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 容量温度変化率TCが−50〜150 ℃の温度範囲
で±10％以下を示す半導体セラミックスコンデンサ、な
らびにそれを製造する技術を提供すること。 【構成】 TiO2 100モルに対し、0.05〜0.40モル％のNb
2O5 およびTa2O5 のいずれか少なくとも１種以上を添加
して混合造粒し、その後、常法に従って成形，焼成して
得たセラミック焼結体の表面に、Bi2O3 もしくは Bi2O3
を含む金属酸化物あるいはそれの炭酸塩を塗布し、焼成
することにより得られる、TiO2を主成分とし、焼結体の
表面ならびに結晶粒界にBiを含む酸化物の絶縁層を設け
てなる半導体セラミックス、ならびにこれを製造する方
法である。
で±10％以下を示す半導体セラミックスコンデンサ、な
らびにそれを製造する技術を提供すること。 【構成】 TiO2 100モルに対し、0.05〜0.40モル％のNb
2O5 およびTa2O5 のいずれか少なくとも１種以上を添加
して混合造粒し、その後、常法に従って成形，焼成して
得たセラミック焼結体の表面に、Bi2O3 もしくは Bi2O3
を含む金属酸化物あるいはそれの炭酸塩を塗布し、焼成
することにより得られる、TiO2を主成分とし、焼結体の
表面ならびに結晶粒界にBiを含む酸化物の絶縁層を設け
てなる半導体セラミックス、ならびにこれを製造する方
法である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体セラミックスお
よびその製造方法に関し、とくに、容量温度変化率（Ｔ
Ｃ）と誘電損失(tanδ) などの電気特性に優れた粒界絶
縁形半導体セラミックコンデンサとそれを製造する方法
についての提案である。
よびその製造方法に関し、とくに、容量温度変化率（Ｔ
Ｃ）と誘電損失(tanδ) などの電気特性に優れた粒界絶
縁形半導体セラミックコンデンサとそれを製造する方法
についての提案である。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体セラミックコンデンサと
しては、構造や製造方法による区別から、えん層容量
型、再酸化型、粒界絶縁型などが知られている。これら
のうち、粒界絶縁型の半導体セラミックコンデンサは、
まずBaTiO3やSrTiO3などの原料に、半導体化するために
必要な希土類元素等の微量添加剤を加え、混合粉砕し、
ついでバインダーを加えて所定の形状に成型し、その後
還元雰囲気中で加熱焼成し、さらに誘電体層を設けるた
めに、Bi2O3 などの金属酸化物（絶縁ペースト) を表面
にスクリーン印刷して、熱拡散させることにより得るこ
とができる。
しては、構造や製造方法による区別から、えん層容量
型、再酸化型、粒界絶縁型などが知られている。これら
のうち、粒界絶縁型の半導体セラミックコンデンサは、
まずBaTiO3やSrTiO3などの原料に、半導体化するために
必要な希土類元素等の微量添加剤を加え、混合粉砕し、
ついでバインダーを加えて所定の形状に成型し、その後
還元雰囲気中で加熱焼成し、さらに誘電体層を設けるた
めに、Bi2O3 などの金属酸化物（絶縁ペースト) を表面
にスクリーン印刷して、熱拡散させることにより得るこ
とができる。
【０００３】上掲の方法により得た粒界絶縁型の半導体
セラミックコンデンサは、他の半導体セラミックコンデ
ンサに比べると、絶縁抵抗が高い、耐湿性が良い、
高周波特性が良い、などの特長を有している。
セラミックコンデンサは、他の半導体セラミックコンデ
ンサに比べると、絶縁抵抗が高い、耐湿性が良い、
高周波特性が良い、などの特長を有している。
【０００４】ところで、同じ粒界絶縁型の半導体セラミ
ックコンデンサの中でも、BaTiO3を出発原料としたもの
は、破壊電圧（B.D.V.）が高く、誘電率（以下、「ε」
という）が大きいという利点があるが、誘電損失（以
下、「 tanδ」という）が大きく容量温度変化率（以
下、「ＴＣ」という）が劣るという欠点を有している。
また、SrTiO3を出発原料とするものは、容量温度変化率
（ＴＣ）や、誘電損失(tanδ) は優れているが、誘電率
(ε) を大きくすると破壊電圧（B.D.V.）が小さくなる
という欠点を有していた。
ックコンデンサの中でも、BaTiO3を出発原料としたもの
は、破壊電圧（B.D.V.）が高く、誘電率（以下、「ε」
という）が大きいという利点があるが、誘電損失（以
下、「 tanδ」という）が大きく容量温度変化率（以
下、「ＴＣ」という）が劣るという欠点を有している。
また、SrTiO3を出発原料とするものは、容量温度変化率
（ＴＣ）や、誘電損失(tanδ) は優れているが、誘電率
(ε) を大きくすると破壊電圧（B.D.V.）が小さくなる
という欠点を有していた。
【０００５】ところで、半導体セラミックコンデンサ
は、一般に、小型，大容量がとりわけ重要であるが、 t
anδや高周波特性等の観点から従来、SrTiO3を主とし、
これに各種添加剤を添加して上記各特性を改善する方向
で研究されているのが実情である。
は、一般に、小型，大容量がとりわけ重要であるが、 t
anδや高周波特性等の観点から従来、SrTiO3を主とし、
これに各種添加剤を添加して上記各特性を改善する方向
で研究されているのが実情である。
【０００６】このような背景のもとに開発された従来技
術として、特開平１−274411号公報には、SrTiO3を主成
分とする原料に、Nb2O5, Y2O3, SiO2, MnO2, CuOを添加
した半導体磁器物質を開示している。しかし、この従来
半導体磁器物質は、ＴＣ， tanδは良好であるが、εが
小さいという問題を残していた。
術として、特開平１−274411号公報には、SrTiO3を主成
分とする原料に、Nb2O5, Y2O3, SiO2, MnO2, CuOを添加
した半導体磁器物質を開示している。しかし、この従来
半導体磁器物質は、ＴＣ， tanδは良好であるが、εが
小さいという問題を残していた。
【０００７】また、特開昭63−7611号公報には、SrTiO3
を主成分とし、これにNb2O5, MnO2,CuOおよび／または
Bi2O3を添加してなる従来半導体磁器組成物も提案され
ているが、この組成物の場合、εは大きくなるが、室温
以上でのＴＣが悪くなるという問題を残していた。
を主成分とし、これにNb2O5, MnO2,CuOおよび／または
Bi2O3を添加してなる従来半導体磁器組成物も提案され
ているが、この組成物の場合、εは大きくなるが、室温
以上でのＴＣが悪くなるという問題を残していた。
【０００８】すなわち、従来の技術水準では、一つの特
性を改善しようとするとその他の特性が悪くなるという
傾向があり、上述した全ての特性を満足するものを得る
ことはできなかった。
性を改善しようとするとその他の特性が悪くなるという
傾向があり、上述した全ての特性を満足するものを得る
ことはできなかった。
【０００９】これに対し、本発明者らは、先に、εやta
n δ, ＴＣ，絶縁抵抗（以下、「ＩＲ」という）などの
電気特性の全てが良好な半導体セラミックコンデンサ組
成物およびその製造方法並びにその原料について提案し
た。
n δ, ＴＣ，絶縁抵抗（以下、「ＩＲ」という）などの
電気特性の全てが良好な半導体セラミックコンデンサ組
成物およびその製造方法並びにその原料について提案し
た。
【００１０】すなわち、この提案の半導体セラミックコ
ンデンサは、(Sr1-xCax ) Tiy O3の組成式をもつ（ｘ＝
0.001 〜0.10 ,ｙ＝0.97〜1.02）、主としてチタン酸ス
トロンチウム(SrTiO3)およびチタン酸カルシウム(CaTiO
3)を含有すると共に、さらに五酸化ニオブ(Nb2O5),二酸
化けい素(SiO2)および三酸化アンチモン(Sb2O3) を含有
させたものからなるものである。
ンデンサは、(Sr1-xCax ) Tiy O3の組成式をもつ（ｘ＝
0.001 〜0.10 ,ｙ＝0.97〜1.02）、主としてチタン酸ス
トロンチウム(SrTiO3)およびチタン酸カルシウム(CaTiO
3)を含有すると共に、さらに五酸化ニオブ(Nb2O5),二酸
化けい素(SiO2)および三酸化アンチモン(Sb2O3) を含有
させたものからなるものである。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この先
行提案技術に係る半導体セラミックコンデンサは、−25
℃〜85℃の温度範囲では優れたＴＣを示すものの、−50
℃〜 150℃の温度範囲でのＴＣが大きいという問題点が
あった。従って、この種のSrTiO3やBaTiO3を主成分とし
た半導体セラミックコンデンサは、温度特性が悪く、こ
のＴＣが−50℃〜150℃の温度範囲で±10％以下になら
ないために、使用環境に左右されやすく、とくに温度変
化の激しい環境で使用される場合に問題となる。
行提案技術に係る半導体セラミックコンデンサは、−25
℃〜85℃の温度範囲では優れたＴＣを示すものの、−50
℃〜 150℃の温度範囲でのＴＣが大きいという問題点が
あった。従って、この種のSrTiO3やBaTiO3を主成分とし
た半導体セラミックコンデンサは、温度特性が悪く、こ
のＴＣが−50℃〜150℃の温度範囲で±10％以下になら
ないために、使用環境に左右されやすく、とくに温度変
化の激しい環境で使用される場合に問題となる。
【００１２】本発明の目的は、従来半導体セラミックス
の上記問題点を解決することにあり、とくに、−50℃〜
150℃の温度範囲でのＴＣが±10％以下を示す半導体セ
ラミックコンデンサ，ならびにそれを製造する技術を提
供することにある。
の上記問題点を解決することにあり、とくに、−50℃〜
150℃の温度範囲でのＴＣが±10％以下を示す半導体セ
ラミックコンデンサ，ならびにそれを製造する技術を提
供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的実現に向け鋭意
研究を進めるうちに、本発明者らは、半導体セラミック
コンデンサのＴＣは、その原料の誘電特性に依存するこ
とを突き止め本発明に想到した。
研究を進めるうちに、本発明者らは、半導体セラミック
コンデンサのＴＣは、その原料の誘電特性に依存するこ
とを突き止め本発明に想到した。
【００１４】すなわち、本発明は、二酸化チタン（Ti
O2）を主成分とし、他にTiO2 100モルに対し0.05〜0.40
モル％の五酸化ニオブ（Nb2O5 ）および五酸化タンタル
（Ta2O 5 ）のうちのいずれか１種または２種を添加して
なるセラミック焼結体であって、この焼結体の表面なら
びに結晶粒界にビスマス（Bi）を含む酸化物の絶縁層を
設けてなる半導体セラミックスである。
O2）を主成分とし、他にTiO2 100モルに対し0.05〜0.40
モル％の五酸化ニオブ（Nb2O5 ）および五酸化タンタル
（Ta2O 5 ）のうちのいずれか１種または２種を添加して
なるセラミック焼結体であって、この焼結体の表面なら
びに結晶粒界にビスマス（Bi）を含む酸化物の絶縁層を
設けてなる半導体セラミックスである。
【００１５】そして、上記の半導体セラミックスは、Ti
O2 100モルに対し、0.05〜0.40モル％のNb2O5 およびTa
2O5 のいずれか少なくとも１種以上を添加して混合造粒
し、その後、常法に従って成形，焼成して得たセラミッ
ク焼結体の表面に、Bi2O3 もしくは Bi2O3を含む金属酸
化物あるいはそれの炭酸塩を塗布し焼成して、この焼結
体の表面ならびに結晶粒界にBiを含む酸化物の絶縁層を
設けて製造される。
O2 100モルに対し、0.05〜0.40モル％のNb2O5 およびTa
2O5 のいずれか少なくとも１種以上を添加して混合造粒
し、その後、常法に従って成形，焼成して得たセラミッ
ク焼結体の表面に、Bi2O3 もしくは Bi2O3を含む金属酸
化物あるいはそれの炭酸塩を塗布し焼成して、この焼結
体の表面ならびに結晶粒界にBiを含む酸化物の絶縁層を
設けて製造される。
【００１６】
【作用】さて、本発明の特徴は、半導体セラミックスの
主成分として二酸化チタン（TiO2）を用いることにあ
る。このTiO2に着目した理由は、半導体セラミックコン
デンサのＴＣは、その原料の誘電特性に依存し、ＴＣの
小さい物質を原料として用いると、従来技術が抱えてい
る問題点を解消するのに有効であるとの知見を得たから
である。そして、このようなＴＣの小さい物質として、
−50℃〜 150℃の温度範囲でのＴＣが±３％と小さいTi
O2が特に有効であることを見出したのである。
主成分として二酸化チタン（TiO2）を用いることにあ
る。このTiO2に着目した理由は、半導体セラミックコン
デンサのＴＣは、その原料の誘電特性に依存し、ＴＣの
小さい物質を原料として用いると、従来技術が抱えてい
る問題点を解消するのに有効であるとの知見を得たから
である。そして、このようなＴＣの小さい物質として、
−50℃〜 150℃の温度範囲でのＴＣが±３％と小さいTi
O2が特に有効であることを見出したのである。
【００１７】本発明において、Nb2O5 およびTa2O5 は、
いずれもセラミック材料を半導体化させる作用がある
が、これら半導体化剤の添加量は、TiO2 100モルに対し
0.05〜0.40モル％の範囲とした。この理由は、これら半
導体化剤の添加量が0.05モル％未満の場合は、還元雰囲
気中でセラミック原料を焼成しても十分に半導体化しな
い。一方、0.4 モル％を超える添加量では、 tanδが悪
化するからである。
いずれもセラミック材料を半導体化させる作用がある
が、これら半導体化剤の添加量は、TiO2 100モルに対し
0.05〜0.40モル％の範囲とした。この理由は、これら半
導体化剤の添加量が0.05モル％未満の場合は、還元雰囲
気中でセラミック原料を焼成しても十分に半導体化しな
い。一方、0.4 モル％を超える添加量では、 tanδが悪
化するからである。
【００１８】本発明においては、半導体セラミック焼結
体に絶縁層を形成する際に、Bi2O3もしくはBi2O3 を含
む金属酸化物あるいはそれの炭酸塩を前記焼結体表面に
塗布する必要がある。この理由は、塗布しないと得られ
る半導体コンデンサの絶縁抵抗が著しく低いものとなる
からである。
体に絶縁層を形成する際に、Bi2O3もしくはBi2O3 を含
む金属酸化物あるいはそれの炭酸塩を前記焼結体表面に
塗布する必要がある。この理由は、塗布しないと得られ
る半導体コンデンサの絶縁抵抗が著しく低いものとなる
からである。
【００１９】次に、本発明にかかる半導体セラミックコ
ンデンサの製造方法について説明する。まず、TiO2 100
モルに対し、0.05〜0.40モル％のNb2O5 およびTa2O5 の
うちのいずれか１種または２種を添加混合し、この原料
混合物を、大気または酸素含有雰囲気中で1050〜1200℃
の温度で仮焼し、その後粉砕してから、バインダーを加
えて造粒粉を得る。ここで、前記造粒粉のバインダーと
しては、主にＰＶＡ（ポリビニルアルコール）が好適に
用いられる。なお、混合割合が上記の範囲に限られる理
由は、上述したとおりである。
ンデンサの製造方法について説明する。まず、TiO2 100
モルに対し、0.05〜0.40モル％のNb2O5 およびTa2O5 の
うちのいずれか１種または２種を添加混合し、この原料
混合物を、大気または酸素含有雰囲気中で1050〜1200℃
の温度で仮焼し、その後粉砕してから、バインダーを加
えて造粒粉を得る。ここで、前記造粒粉のバインダーと
しては、主にＰＶＡ（ポリビニルアルコール）が好適に
用いられる。なお、混合割合が上記の範囲に限られる理
由は、上述したとおりである。
【００２０】次に、この造粒粉を、常法に従って所定形
状に加圧成形し、次いで、この成形体の脱バインダーを
行い、その後、還元雰囲気中にて1100〜1350℃で数時間
焼成して半導体セラミック焼結体を得る。
状に加圧成形し、次いで、この成形体の脱バインダーを
行い、その後、還元雰囲気中にて1100〜1350℃で数時間
焼成して半導体セラミック焼結体を得る。
【００２１】そして、このようにして得られたセラミッ
ク焼結体の表面ならびに結晶粒界に誘電体層を設けるた
めに、Bi2O3 もしくは Bi2O3を含む金属酸化物あるいは
それの炭酸塩（絶縁ペースト）を塗布し、酸化雰囲気中
にて 950〜1100℃の温度で焼成し、拡散処理を施して半
導体セラミックコンデンサを得る。
ク焼結体の表面ならびに結晶粒界に誘電体層を設けるた
めに、Bi2O3 もしくは Bi2O3を含む金属酸化物あるいは
それの炭酸塩（絶縁ペースト）を塗布し、酸化雰囲気中
にて 950〜1100℃の温度で焼成し、拡散処理を施して半
導体セラミックコンデンサを得る。
【００２２】このように本発明によれば、ＴＣが小さい
温度特性に優れたTiO2を主成分とし、半導体化剤として
Nb2O5 およびTa2O5 ，拡散剤としてBi2O3 もしくは Bi2
O3を含む金属酸化物あるいはそれの炭酸塩を用いること
により、εや tanδを悪化させることなく、−50℃〜 1
50℃の温度範囲でのＴＣが±10％以下を示す温度特性に
優れた半導体セラミックスを得ることができる。
温度特性に優れたTiO2を主成分とし、半導体化剤として
Nb2O5 およびTa2O5 ，拡散剤としてBi2O3 もしくは Bi2
O3を含む金属酸化物あるいはそれの炭酸塩を用いること
により、εや tanδを悪化させることなく、−50℃〜 1
50℃の温度範囲でのＴＣが±10％以下を示す温度特性に
優れた半導体セラミックスを得ることができる。
【００２３】
【実施例】TiO2 100モルに対し、半導体化剤としてNb2O
5 を 0.1モル％添加し、さらにバインダーとしてPVA を
1.5 wt％添加して混合、造粒した後、この造粒粉を直径
10mm, 厚さ0.6mm の円板形状に加圧成形した。次いで、
この成形体を、大気中にて1000℃で１時間の脱バインダ
ーを行い、さらに、Ar気流中にて1100〜1300℃の温度で
１〜２時間の焼成を行って、半導体セラミック焼結体を
得た。
5 を 0.1モル％添加し、さらにバインダーとしてPVA を
1.5 wt％添加して混合、造粒した後、この造粒粉を直径
10mm, 厚さ0.6mm の円板形状に加圧成形した。次いで、
この成形体を、大気中にて1000℃で１時間の脱バインダ
ーを行い、さらに、Ar気流中にて1100〜1300℃の温度で
１〜２時間の焼成を行って、半導体セラミック焼結体を
得た。
【００２４】次に、この半導体セラミック焼結体表面に
ペースト状にしたBi2O3 などを塗布し、大気中にて 900
〜1200℃の温度で１〜２時間の拡散処理を行い、さら
に、この焼結体の両面に銀ペーストを焼き付けて電極を
形成し、半導体セラミックコンデンサを得た。
ペースト状にしたBi2O3 などを塗布し、大気中にて 900
〜1200℃の温度で１〜２時間の拡散処理を行い、さら
に、この焼結体の両面に銀ペーストを焼き付けて電極を
形成し、半導体セラミックコンデンサを得た。
【００２５】このようにして得られた半導体セラミック
コンデンサについて、誘電特性（ε， tanδ, ＩＲ, Ｔ
Ｃ）を測定した。また、比較例として、主成分がBaTiO3
またはSrTiO3である半導体セラミックコンデンサの場合
のＴＣ、ならびに、主成分がTiO2であるが、拡散剤を用
いない場合とBi2O3 以外の拡散剤を用いた場合の半導体
セラミックコンデンサの誘電特性についても測定した。
なお、ε（25℃), tanδ（25℃) は１kHz,10MHz の値
で、ＴＣ（−50℃〜150℃, 20℃基準) は１kHz,１Ｖの
値で、ＩＲは25Ｖ60秒値である。
コンデンサについて、誘電特性（ε， tanδ, ＩＲ, Ｔ
Ｃ）を測定した。また、比較例として、主成分がBaTiO3
またはSrTiO3である半導体セラミックコンデンサの場合
のＴＣ、ならびに、主成分がTiO2であるが、拡散剤を用
いない場合とBi2O3 以外の拡散剤を用いた場合の半導体
セラミックコンデンサの誘電特性についても測定した。
なお、ε（25℃), tanδ（25℃) は１kHz,10MHz の値
で、ＴＣ（−50℃〜150℃, 20℃基準) は１kHz,１Ｖの
値で、ＩＲは25Ｖ60秒値である。
【００２６】その結果を図１ならびに表１に示す。図１
は、各種原料系の半導体セラミックコンデンサの容量温
度変化率を示す図である。この図に示す結果から明らか
なように、本発明に係るTiO2系半導体コンデンサのＴＣ
は、±５％以下を示し、他のBaTiO3系やSrTiO3系に比べ
て優れることが判った。
は、各種原料系の半導体セラミックコンデンサの容量温
度変化率を示す図である。この図に示す結果から明らか
なように、本発明に係るTiO2系半導体コンデンサのＴＣ
は、±５％以下を示し、他のBaTiO3系やSrTiO3系に比べ
て優れることが判った。
【００２７】一方、表１は、拡散剤の種類と誘電特性の
関係について示す表である。この表に示す結果から明ら
かなように、本発明に係るBi2O3 ならびに Bi2O3を含む
炭酸塩の場合は、いずれも拡散剤を用いない場合とBi2O
3 以外の拡散剤である BaCO3を用いた場合に比べて、大
きいＩＲ値を示した。また、本発明の半導体コンデンサ
は、高周波領域でも tanδが小さいことが判った。
関係について示す表である。この表に示す結果から明ら
かなように、本発明に係るBi2O3 ならびに Bi2O3を含む
炭酸塩の場合は、いずれも拡散剤を用いない場合とBi2O
3 以外の拡散剤である BaCO3を用いた場合に比べて、大
きいＩＲ値を示した。また、本発明の半導体コンデンサ
は、高周波領域でも tanδが小さいことが判った。
【００２８】
【表１】
【００２９】
【発明の効果】かくして、本発明によれば、−50℃〜 1
50℃の温度範囲でのＴＣが±10％以下を示す温度特性に
優れた半導体セラミックスを容易に得ることができる。
しかも、TiO2を主成分として用いているので、高周波特
性に優れ、高周波領域でも tanδの小さい半導体セラミ
ックスを得ることができる。また、Biを含む酸化物の絶
縁層を前記半導体セラミックスの表面ならびに粒界に形
成させることにより、ＩＲのより優れた半導体セラミッ
クスとすることができる。
50℃の温度範囲でのＴＣが±10％以下を示す温度特性に
優れた半導体セラミックスを容易に得ることができる。
しかも、TiO2を主成分として用いているので、高周波特
性に優れ、高周波領域でも tanδの小さい半導体セラミ
ックスを得ることができる。また、Biを含む酸化物の絶
縁層を前記半導体セラミックスの表面ならびに粒界に形
成させることにより、ＩＲのより優れた半導体セラミッ
クスとすることができる。
【図１】各種半導体セラミックコンデンサの容量温度変
化率を示す図である。
化率を示す図である。
Claims (2)
- 【請求項１】 二酸化チタン（TiO2）を主成分とし、他
に五酸化ニオブ（Nb 2O5 ）および五酸化タンタル（Ta2O
5 ）のうちのいずれか１種または２種を二酸化チタン
（TiO2） 100モルに対し0.05〜0.40モル％添加してなる
セラミック焼結体であって、この焼結体の表面ならびに
結晶粒界にビスマス（Bi）を含む酸化物の絶縁層を設け
てなる半導体セラミックス。 - 【請求項２】 二酸化チタン（TiO2） 100モルに対し、
0.05〜0.40モル％の五酸化ニオブ（Nb2O5 ）および五酸
化タンタル（Ta2O5 ）のいずれか少なくとも１種以上を
添加して混合し、その後、常法に従って成形，焼成して
得たセラミック焼結体の表面に、酸化ビスマス（Bi
2O3 ）もしくは酸化ビスマス（Bi2O3 ）を含む金属酸化
物あるいはそれの炭酸塩を塗布し、焼成することを特徴
とする半導体セラミックスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4153887A JPH05345663A (ja) | 1992-06-12 | 1992-06-12 | 半導体セラミックスおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4153887A JPH05345663A (ja) | 1992-06-12 | 1992-06-12 | 半導体セラミックスおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05345663A true JPH05345663A (ja) | 1993-12-27 |
Family
ID=15572290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4153887A Pending JPH05345663A (ja) | 1992-06-12 | 1992-06-12 | 半導体セラミックスおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05345663A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7112819B2 (en) | 2003-04-23 | 2006-09-26 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US20220341791A1 (en) * | 2019-09-26 | 2022-10-27 | Koninklijke Philips N.V. | Apparatus for sensing the temperature of an object |
-
1992
- 1992-06-12 JP JP4153887A patent/JPH05345663A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7112819B2 (en) | 2003-04-23 | 2006-09-26 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US20220341791A1 (en) * | 2019-09-26 | 2022-10-27 | Koninklijke Philips N.V. | Apparatus for sensing the temperature of an object |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |