JPH0332690B2 - - Google Patents

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JPH0332690B2
JPH0332690B2 JP59134229A JP13422984A JPH0332690B2 JP H0332690 B2 JPH0332690 B2 JP H0332690B2 JP 59134229 A JP59134229 A JP 59134229A JP 13422984 A JP13422984 A JP 13422984A JP H0332690 B2 JPH0332690 B2 JP H0332690B2
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JP
Japan
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heating
memory
key
data
address
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JP59134229A
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JPS6115021A (ja
Inventor
Hiroshi Terasaki
Shigeki Ueda
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication of JPS6115021A publication Critical patent/JPS6115021A/ja
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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B6/00Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
    • H05B6/64Heating using microwaves
    • H05B6/66Circuits

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Control Of High-Frequency Heating Circuits (AREA)
  • Electric Ovens (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野 本発明は、高周波加熱装置の操作に係るストア
ドプログラム式のコントローラに関するもので、
特に、ホテル,レストラン,食堂の厨房室にて使
用される業務用の高周波加熱装置の使い勝手をよ
り良くせんとなされたものである。 従来例の構成とその問題点 従来、この種の加熱装置にあつて、特定のメニ
ユーの加熱時間,加熱出力をあらかじめ本体内に
設けられた記憶装置に記憶しておき必要に応じ、
操作パネル上のキーでそのデータを読み出して加
熱を行なう、いわゆる、プリセツト加熱を可能な
らしめるものが実用化され、用に供している。そ
の都度加熱時間や出力を設定する必要がない為、
使い勝手が良くさらに、特定の人の経験,カンを
くりかえし誰もが活かせる事で有益である。そし
て最近では、プリセツトできるメニユーの数の増
加を望む声が下記のごときによつてより高くなつ
て来ている。 食生活の多様化はレストランや食堂により多く
のメニユーをもつ事を要求している。そして重要
な事の1つに、プリセツトする出力,加熱時間は
1つの記憶装置には1つしか記憶できないため、
同一のメニユーでも1人前の場合と2人,3人前
といつた場合はそれぞれ別の記憶装置を必要とす
る事から、記憶装置の数はさらに多くを要求され
るに至つているのである。 省エネルギー,省スペースが要求されるこの種
の加熱装置にあつて、この要求を満足させる為
に、単に記憶装置の数を増加する事では満足なも
のとはいえない。 発明の目的 本発明は上記従来の欠点を解消するもので、限
られた操作パネルのスペースの中でより多くのメ
ニユーをプリセツトできる様にすることを目的と
する。 発明の構成 上記目的を達するために、本発明の操作パネル
は、従来のストアドプログラム式のコントローラ
ーと、書き換え自由な不揮発性メモリーと、この
不揮発性メモリーへの書き込み、読み出しのアド
レス指定に係る入力キー群に加え、入力キーのそ
れぞれが不揮発性メモリーを複数のメモリーアド
レスと対応させ、さらに別にアドレスの選択キー
を設け、それぞれのメモリーアドレスの中でいず
れと対応するかを選択出来るようにせんとする構
成であり、限られたスペースの中でより使い勝手
のよい高周波加熱装置を得る事を可能としたもの
である。 実施例の説明 以下本発明の実施例について添付図面とともに
説明する。 第1図は、本発明に係る高周波加熱装置の本体
斜視図である。本体1の前面には、開閉自在な扉
2が軸支され、ハンドル3の操作により開閉され
る。4は操作パネルであり、表示窓5とタイマー
つまみ6、種々の入力キーを備えている。第2図
は、本発明の実施例におけるシステム構成図であ
る。加熱室7はスペースの有効活用の為左右の側
壁の一部にシボリ加工による棚8,8′を設け、
この棚8,8′に支持された受皿9を着脱自在に
設け、加熱室底部に設けた受皿10とともに上下
2つの被加熱物11,12が同時に高周波加熱さ
れる様に構成している。そして上下の被加熱物1
1,12は、より均一な加熱を行なう為に加熱室
の上壁13,底壁14のそれぞれほぼ中央部に設
けた開口15,16を加熱室7への高周波の励振
口とした2つの高周波励振装置17,18を設け
た本体後部に設けたマグネトロン19,20が発
振した高周波を加熱室7へ上下より供給してい
る。マグネナロン19,20へ供給される電力
は、ストアドプログラム式の制御装置21により
加熱時間,加熱出力の制御が行なわれる。 第3図は操作パネル4の詳細図である。入力キ
ーとして高周波の出力を選択するパワーセレクト
キー22、加熱の開始を指令するスタートキー2
3、6個のメニユーについて記憶したり、読み出
したりを行なうメモリーキー群24である。本発
明にかかるメモリーの選択キーとしての×2キー
25は後述の不揮発性メモリーのアドレスを切り
換え、各メモリーキー6個に対応してそれぞれに
第2のデータを書き込み、読み出しを行なうキー
である。設定の取消しを行なう消去キー26、さ
らには操作パネル4の下端に位置するメモリー書
き込み手段たるメモリーエントリーキー27が配
されている。 表示窓5には3段階のパワーを示すパワー表示
部28と、4桁の数字表示部より成る加熱タイム
表示部29、プリセツト加熱のデータ記憶や加熱
のための読み出しの時読み出したメモリーのキー
のNo.を表示するメモリー表示部30が現われる。 説明を第2図にもどす。上記操作パネル上に設
けられた本発明に係る×2キーを含む各種入力キ
ー群31と表示窓5へ出力される表示部は、本体
内部に設けた制御装置21の中に1チツプマイク
ロコンピユータによるストアドプログラム式の主
制御部すなわちマイコン32に接続され、給電制
御部33を介してマグネトロン19,20への通
電を制御する。かかる制御は、操作パネル4上の
種々の入力キー群31と、タイマーつまみ6に連
動する加熱時間設定手段たるタイマーボリユーム
34とにより、使用者が入力した加熱データにし
たがつて実行される。35は表示手段であり、表
示窓5に前述のパワー表示や加熱タイム,メモリ
ーナンバーを表示せしめる。36は本発明にかか
る書き換え自在な不揮発性メモリーで、16のメ
モリーアドレスを有する。主制御部はかかる不揮
発性メモリー36にプリセツトするメニユーに対
応した加熱時間,高周波出力を記憶させ、必要に
応じて読み出し、かつ実行する。なお、37は加
熱時間の経過を計数するクロツク発生部である。 さて、第2〜3図により本発明の構成を概略的
に説明したが、次に回路の実施例を掲げて具体的
な構成について述べる。第4図は、かかる本発明
の一実施例を示す回路図である。 主制御部32はストアドプログラム式のコント
ローラーとして1チツプマイクロコンピユータに
より構成される。かかるマイコン32は、給電制
御部33たるリレードライバーを介しマグネトロ
ン19,20への通電を制御する。タイムリレー
38は本体が加熱動作中、連続的に閉路するリレ
ーである。パワーリレー39,40は、この通電
の間間欠的に閉路するリレーであり、マグネトロ
ン19,20の平均出力を変化させ本実施例では
高周波出力を3段階(強,中,弱)に切り換え
る。尚41は扉2の開閉に応動するドアスイツ
チ、42は庫内ランプ、43,44はマグネトロ
ン19,20等の冷却にかかるフアンモータであ
る。 さてマイコン32はかかる給電制御を自身の内
蔵RAMにプリセツトされた加熱データに基いて
実行する。そしてこの加熱データは操作パネル上
の入力キー群31と、タイマーつまみ6に連動す
る加熱時間設定手段たるボリユーム34とによ
り、マイコン32へ入力される。マイコン32は
これらの入力指令あるいは入力データを解読し
て、所定の加熱データを内蔵RAM内に記憶す
る。ここでI3〜I0は入力端子であり、入力キー群
31のマトリクスを表示手段たる蛍光表示管35
のグリツド制御信号によつて掃引されたキーデー
タを取り込む。またA/DはA/Dコンバータ入
力端子で、ボリユーム34の抵抗値を電圧値とし
て読み込む。 加熱データの入力法には二通りある。一つはパ
ワーキー22とタイマーポリユーム34を用い
て、所望の加熱データを入力する方法であり、も
う一つはメモリーキー群31を用いて、すでに設
定されている加熱データ(プリセツトメニユー)
を不揮発性メモリー36から読み出す方法であ
る。前者はパワーキー22を所定回数だけ叩いて
所望の高周波出力を選び、次いでボリユーム34
を回して所望の加熱タイムを設定する。例えばパ
ワーキー22は1タツプごとに強→中→弱→強→
……とサイクリツクに繰り返すので、2タツプす
れば「弱」を選べる。次いでボリユーム34を回
せば、変化する電圧値をA/D入力端子が読み込
み、対応する加熱タイムに解読して表示管35に
表示が現われるので、所望の時間を設定できる。
パワーキーとボリユームの操作手順は逆であつて
もよいし、いずれが先でも受付可能な構成も容易
である。これらはマイコン32内にストアされた
制御プログラムによる。 さて後者はメモリーキー群24のうち所望のキ
ーを叩いて、ワンタツチで加熱データを設定でき
る。これらの加熱データはあらかじめメモリーエ
ントリーキー27によつて、不揮発性メモリー3
6内に書き込まれる。不揮発性メモリーとしては
東芝あるいは松下などのメーカから発売されてい
るMNOSメモリ素子が使える。本実施例では松
下MN1218相当品を採用している。 かかる不揮発性メモリー36は、マイコン32
からのモード・コード信号ならびにアドレス・デ
ータ信号DA3〜DA0により、読み出しおよび書き
込みが制御され、所定のアドレツシングが行われ
る。読み出されたデータはデータ出力端子DO3
DO0に出力され、マイコン32の入力I3〜I0より
RAM内にプリセツトされ、スタートキー23の
信号の入力に従つて、リレードライバー33を介
しタイマーリレー38、パワーリレー39,40
を制御し、加熱動作を行なう。 本発明にかかる×2キー25によるメモリー設
定,プリセツト加熱は次のごときにして行なつて
いる。 操作パネル上のメモリーキー24は従来7個を
設ける事のできるスペースに1〜6の計6個を設
けている操作パネル4上に、プリセツトするメニ
ユーを記録するスペースを確保しながらメモリー
の数を増そうとすると、操作パネルの面積が非常
に大きいものが必要となる。 一方、前述の不揮発性メモリー36は、最大16
個のメモリーアドレスが設定可能であり、そのう
ちの2個はワークエリア,メモリーリフレツシ時
にリフレツシされるアドレスのメモリー内容の待
避用等に用いられる。結局、メモリーアドレスと
しては14個が使用できる。 そしてさらに前述のごとく実使用時の調査の中
から、メモリーの数が多く必要な理由、1つは、
プリセツト加熱時、1個の場合の加熱時間,加熱
出力あるいはメモリーキーに設定したとしても、
2個の場合の加熱時間は全く別のメモリーキーに
プリセツトしておかねばならない為に、すなわち
【表】
【表】 メモリーキー24を押してメモリー指定アドレス
をマイコンが読み込んだ後に×2キー25を押し
た場合は、まずマイコンはメモリーキー24に対
応した指定アドレスにデータがセツトされている
か否かを調べ、指定アドレスすなわちメモリーキ
ー1を押して×2キー25を押した時、不揮発性
メモリー36の指定アドレス1にプリセツトデー
タがセツトされていなければ、×2キー25を受
けつけずもとへもどる。もし、不揮発性メモリー
36のアドレス1にプリセツトデータがセツトさ
れていれば、マイコンは入力されたデータを表1
の“×2キー25を押した場合”のメモリーアド
レスに、すなわち前述のメモリーキー1を押して
×2キーを押した場合は、メモリー指定アドレス
7にそのデータを書き込む。 第6図は、プリセツト加熱時のフローを示すも
ので、使用者はメモリーキー24の1〜6のいず
れかをメニユーに合わせて選択し押す。マイコン
32はメモリー加熱モードとなり、指定された不
揮発性メモリー36のアドレスを読み込む。この
状態で×2キー25を押さなければ、そのまま読
み込んだアドレスの加熱データをマイコン32の
RAM内に読み出し、加熱データとしてセツトす
る。不揮発性メモリーのアドレスとメモリーキー
24の関係は、表1に示す書き込み時の関係と同
一である。 ×2キー25を押した場合、マイコン32は読
み込んだメモリー指定アドレス1〜6に対応し、
上記同様表1にアドレスで“×2キーを押した場
合”のアドレスのデータを読み出す。メモリーキ
ーが1を押された時は、不揮発性メモリーのアド
レス7のデータをRAM内にセツトする。データ
の照合の後、加熱データとしてセツトする。 ×2キー25を押した時対応するアドレス、す
なわちメモリーキー1を押した時、不揮発性メモ
リー36のアドレス7にデータが書き込まれてい
ない場合は、アドレス1のデータがRAM内にセ
ツトされ、この場合は加熱時間が2倍となる様演
算を行ない、演算後のデータが加熱データとして
RAM内にセツトされる。 言及がおくれたが、メモリー書き込み時、メモ
リーキーに対応したメモリーアドレスにデータが
セツトされていない場合×2キー25を押して受
けつけずもとにもどる理由は、メモリーの1〜6
の設定アドレスが空の状態でありながらわざわざ
操作が1ステツプ多いいわば裏メモリーを使用す
る必要はないためである。 なお、本実施例においては、メモリーキー群は
それぞれ、不揮発性メモリーの2つのアドレスに
設定されるデータに対応する様にしているが、同
様の方法により、不揮発性メモリーのメモリーサ
イズを大きくしてやれば、×2キーを2タツプす
る事でさらに異なる加熱時間,加熱出力と対応さ
せる事は、制御プログラムの方法により可能な事
は言うまでもなく、×2キーを用いなければ1個
の加熱データが1タツプで2個分の加熱データ
が、2タツプで3個分のあるいは他の個数分の加
熱が思いのまま使い勝手良く行なえるようになる
事は言うまでもない。 発明の効果 以上の構成と制御プログラムをマイコン32の
ROM内に設定する事で、次のような効果を得る
事が出来た。 (1) 当初の目的である限定されたメモリーキーの
数で、結局、従来7個であつたメモリーを12個
とする事が出来た。 (2) 被加熱物が1人前の時,2人前の時の加熱を
随時使い勝手良くしかも業務用として使用に耐
える正確さをもつて行なう事が出来る様になつ
た。 一般に、複数個の被加熱物を加熱を行なう場合
一定温度まで加熱するに要する加熱時間は、1個
の場合の個数倍、すなわち2個であれば2倍、3
個の場合は3倍になるとされていた。 1つの塊で重量が倍になる場合かそれ以下の例
えば1.8倍の時間ですむという高周波加熱装置の
一般的特性に対し、放熱面積が大きい為放熱効果
が大きく、ほぼ個数倍になるというものであつ
た。 実際に種々の被加熱物についてそのデータを調
べると、比較的少量負荷の場合はそれが言える
が、被加熱物1個の量が大きくなつてくると、や
はり1つの塊で重量が倍になるときと同様同一温
度までの加熱に要する時間は、1個の場合の1.5
〜2.0倍とメニユー,量,形状等により種々変化
する事が判明した。 この種々異なる加熱時間をそれぞれのメモリー
へプリセツトしていてはメモリーの数が不足する
事は前述のとおりである。 そこで本発明を実施すると、使用者はまず通常
通り、それぞれのメモリーへ1個の(基準になる
個数の)加熱データをプリセツトする。メニユー
によつて、比較的少量の被加熱物の場合、等はこ
のままで良い。 加熱を実行する場合、同メモリーキーを押すと
1個の場合はそのデータにもとづいて加熱が行な
われる。同一メニユーで2人分の加熱が必要な場
合、使用者は受皿9を加熱室側壁の棚8,8′を
載置し、この中と、通常の加熱時に使用する受皿
10上とに、それぞれ被加熱物11と12を載置
する。メモリーキーを押した後、×2キーを押す
と加熱時間は演算により2倍となり、マイコン3
2内のRAMにセツトされ加熱モードに移る。 1個の重量が大きい場合等は、1個の場合,2
個の場合のそれぞれについて加熱時間をあらかじ
め調べておき、そのデータに基づいて、まずエン
トリーキー27を押して、メモリーキー24の中
から1つのメモリーキーを選択、1個の場合の加
熱時間と加熱出力をプリセツトする。次にエント
リーキーを押して同一のメモリーキーを押しその
次に×2キー25を押して、2個加熱時の加熱時
間をプリセツトする。若し加熱出力を変えた方が
良い場合は同時に変更を行なう。こうしてプリセ
ツトされたデータは、加熱実行時、単にメモリー
キーを押せば、1個の加熱データが即座にマイコ
ン32にセツトされ、その後、×2キーを押すと
2個分の加熱データが即座にマイコンにセツトさ
れ、このデータに基づいて加熱が実行されるので
ある。 使用者はメモリーキーと、必要に応じて使用す
る×2キーにより、いつでも正確に必要な加熱時
間加熱を使い勝手良く行なう事が出来る様になつ
た。 以上、本発明によるそれぞれのメモリーキーに
対応して、2つのメモリーを適宜使いわける事
で、多忙な厨房作業の中にあつて加熱作業の効率
を経験者のカンを正確に誰もが有効に活かしなが
ら向上させる事が出来たのである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例に係る本体斜視図、
第2図は同システム構成図、第3図は同実施例に
おける操作パネルを示す詳細図、第4図は同実施
例における回路図、第5図はメモリー設定時の制
御プログラムのフローチヤート、第6図はプリセ
ツト加熱時の制御プログラムのフローチヤートで
ある。 1……本体、2……扉、3……ハンドル、4…
…操作パネル、5……表示窓、6……タイマーつ
まみ、7……加熱室、8,8′……棚、9,10
……受皿、11,12……被加熱物、13……加
熱室上壁、14……底壁、15,16……開口、
17,18……高周波励振装置、19,20……
マグネトロン、21……制御装置、22……パワ
ーセレクトキー、23……スタートキー、24…
…メモリーキー群、25……×2キー、26……
消去キー、27……メモリーエントリーキー、2
8……パワー表示部、29……加熱タイム表示
部、30……メモリー表示部、31…入力キー
群、32…マイコン、33…給電制御部、34…
…タイマーボリユーム、35……表示手段、36
……不揮発性メモリー、37……クロツク発生
部、38……タイムリレー、39,40……パワ
ーリレー、41……ドアスイツチ、42……庫内
ランプ、43,44……フアンモータ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 本体内に被加熱物を載置する加熱室と、この
    加熱室に結合された加熱源としての高周波発生装
    置と、この加熱源への給電を制御する制御部と、
    書き換え自在な不揮発性メモリーと、この不揮発
    性メモリーに加熱時間、加熱出力、加熱温度など
    の加熱データの書き込みかつ読み出しを行なうス
    トアドプログラム式のコントローラと、前記不揮
    発性メモリーへの書き込み、読み出しのアドレス
    の指定に係る入力キー群及び選択キーを設けさら
    に該入力キーのそれぞれが前記不揮発性メモリー
    の複数のメモリーアドレスに対応し、さらに選択
    キーによりそれぞれのメモリーアドレスの中でい
    ずれと対応するかを決定させる構成を有し、さら
    に前記入力キー群はそれぞれ、選択キーを使用し
    ないでメモリー設定を行なうアドレスと選択キー
    を使用してメモリー設定を行なうアドレスの2つ
    のアドレスと対応する構成をなし、1つの入力キ
    ーに2種の加熱データを記憶させるように構成を
    なすとともに選択キーを使用してメモリー設定を
    行なつていない場合において、プリセツト加熱を
    行なう場合、入力キーの選択の後、選択キーを押
    した場合に、選択キーを使用しないでメモリー設
    定したアドレスの加熱データにおける加熱時間を
    2倍となす制御プログラムを有する事を特徴とす
    る高周波加熱装置。
JP59134229A 1984-06-28 1984-06-28 高周波加熱装置 Granted JPS6115021A (ja)

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JPS6115021A JPS6115021A (ja) 1986-01-23
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11226175A (ja) * 1998-02-17 1999-08-24 Aruze Corp 遊技機

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JPS58193027A (ja) * 1982-05-04 1983-11-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 加熱装置

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