JPH033282A - エキシマレーザ装置 - Google Patents

エキシマレーザ装置

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JPH033282A
JPH033282A JP13663789A JP13663789A JPH033282A JP H033282 A JPH033282 A JP H033282A JP 13663789 A JP13663789 A JP 13663789A JP 13663789 A JP13663789 A JP 13663789A JP H033282 A JPH033282 A JP H033282A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
main discharge
electrode
discharge electrode
srtio3
dielectric
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Pending
Application number
JP13663789A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuhiro Isogai
礒貝 和博
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsui Engineering and Shipbuilding Co Ltd
Original Assignee
Mitsui Engineering and Shipbuilding Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsui Engineering and Shipbuilding Co Ltd filed Critical Mitsui Engineering and Shipbuilding Co Ltd
Priority to JP13663789A priority Critical patent/JPH033282A/ja
Publication of JPH033282A publication Critical patent/JPH033282A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02Constructional details
    • H01S3/03Constructional details of gas laser discharge tubes
    • H01S3/038Electrodes, e.g. special shape, configuration or composition

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明はエキシマレーザ装置に係り、特に紫外線コロナ
予備電離方式のエキシマレーザ装置に関する。
[従来の技術] 従来の紫外線コロナ予備電離方式のエキシマレーザ装置
(特開昭61−91982号)について第2図を参照し
て説明する。
第2図の装置は、レーザ光軸を長平方向とする第1の主
放電電極1、この第1の主放電電極1の相対向するよう
に配設された第2の主放電電極2を備えており、第2の
主放電電極2は複数の導体2a、2bからなるスクリー
ン電極である。第2の主放電電極2の近傍には補助電極
(トリガ電極)3が配置されており、電極2.3間に誘
電体4が挟まれている。誘電体4は、この従来例におい
てはアルミナを主成分とするアルミナ磁器、又は石英ガ
ラス、セラミックス、カプトンフィルムなどよりなる。
8はレーザガスを示す、第1の主放電電極1と補助電極
3には端子10が接続されており、第2の主放電電極2
には端子9が接続されている。6は誘電体4と第2の主
放電電極2の間で生じる補助放電、7は主放電電極lと
2の間で生じる主放電を示している。
以上の構成により、端子9.10間にパルス電圧が印加
されると、そのパルス電圧の立上り部分において主放電
電極1.2間よりも電極間隔の短い第2の主放電電極2
と補助電極3の間で、まず補助放電6が発生する。この
補4助放電6から発せられる紫外光による光電離効果と
、この放電場から電子がスクリーン電極2a、2bを通
り抜けて主放電電極1.2の間の主放電空間に供給され
る効果により、上記主放電空間には104〜108個/
 c rri″以上の電子が均一に供給される(予備電
離)。
端子9.10間に印加されるパルス電圧がさらに上昇し
、主放電電極1.2間の放電開始電圧に達すると、予め
空間に供給されていた電子が加速されて生ずる衝突電離
が急に盛んになり、空間的に拡がった主放電7が発生す
る。この主放電7によりレーザガス8が励起され、レー
ザ光が紙面と垂直方向に発振する。以上の動作を繰り返
すことにより、パルス性のレーザ光が連続して発振され
る。
ところで、レーザ光を効率良く発振させるためには、相
対向する主放電電極1.2の間の広い空間にわたり、主
放電7を一様に発生させる必要があるが、このためには
、補助放電6を一様に発生して、−様な密度の予備電離
電子を主放電域に供給する必要がある。この従来装置に
おいては、これを実現するために、補助電極3と第2の
主放電電極2の間にアルミナ磁器などよりなる誘電体4
を介在させ、補助放電6が局部的に偏在するのを防止し
ている。また、第2の主放電電極2と補助電極3の間の
沿面絶縁距離を十分長くするために、補助電極3は端子
部分を除きアルミナ磁器で覆われている。
エキシマレーザを繰り返して動作させるとレーザ出力は
漸時低下する。これは、補助放電6、及び主放電7によ
り発生するハロゲンもしくはハロゲン化合物の励起種あ
るいはイオンが電極1.2.3及びこの周辺の構成物で
ある誘電体4などと反応して、レーザ発振に有害な放電
生成物を生じると共に、レーザガス中のHCItもしく
はF2の濃度を減少させるからである。繰り返し動作を
行なった場合のレーザ出力の減少する割合は、レーザガ
スとして反応性の高いフッ素系のガスを含む場合の方が
、塩素系のガスを含む場合に比べて大きい。この従来装
置におりては、誘電体4の材料としてハロゲンガスと反
応しにくいアルミナを主成分とするアルミナ磁器を用い
ることにより、レーザガスの長寿命化を図りでいる。
第2図に示した従来装置にあっては、アルミナ磁器の構
造が複雑で厚みが厚いため、6i1器として焼成するの
が困難で、また価格が高くなるという問題点があった。
かかる問題点を解決しようとするものとして特開昭64
−21980号には、誘電体の少なくとも第2の主放電
電極2と相対する部分が、アルミナを主成分とするセラ
ミックにより溶射された溶射皮膜からなっているものが
提案されている。
なお、上記アルミナの代わりに、誘電体として石英を用
いたものも知られている。
[発明が解決しようとする課題] 紫外線コロナ予備電離方式のエキシマレーザ装置におい
ては、誘電体として用いられているアルミナや石英は誘
電率が小さいので予備電離が弱く、発振効率が低いとい
う問題があフた。
また、溶射の場合には密着性や緻密性が低いという欠点
がある。更に、補助電極と誘電体との間に間隙が存在し
、浮遊容量が大きいという問題もあった。
[課題を解決するための手段] 本発明のエキシマレーザ装置は、誘電体として気相法に
より形成された高誘電率セラミックを用いたものである
。この気相法としては、スパッタリングやCV−D法な
どを採用できる。
本発明では、この高誘電率セラミックを第2の主放電電
極に蒸着させて形成するのが好適である。
本発明では、高話電率セラミックとして、5rTi03
 (誘電率330)、BaTiO3、P b T i 
O3が挙げられる。
[作用] 誘電体として高誘電率セラミックを用いたことにより強
力な紫外線コロナ予備電離を行なうことかできるので、
高効率発振が可能となる。
この高誘電率セラミックは気相法により形成されるので
、電極の形状に合わせて誘電体を形成でき、誘電体の厚
さも自由に制御できる。
この高誘電率セラミックを補助電極に気相蒸着させると
、溶射に比較して誘電体と補助電極との密着度が向上す
るので、間隙の浮遊容量が減少する。また、誘電体の緻
密度も向上する。
[実施例コ 以下、第1図を参照して実施例について説明する。
第1図において、補助電極3の表面全体に高誘電率セラ
ミック(本実施例では5rTiOa)が気相法により形
成されている。本実施例では、固体の5rTiOaをス
パッタターゲットとしたスパッタリングにより、補助電
i3の表面全体にS rT i Osを厚さ数mmに蒸
着しである。このS rT i 03よりなる誘電体4
の表面に接するようにして第2の主放電電極2が設けら
れている。
第1図のその他の構成は第2図と同様であり、同一符号
は同一部材を示している。
本実施例のエキシマレーザ装置は、 (1)  SrTiO3(誘電率330)は石英の誘電
体に比較して、誘電率が100倍はどになり、強力なU
■コロナ予備電離が達成でき、高効率発振が可能になる
(2) 誘電体4と補助電極3との密七度が向上するの
で間隙の浮遊容量が減少する。
(3) 補助電極の形状に合わせて誘電体が形成!き、
誘電体の厚みも自由に制御できる。また、誘電体の緻密
性も向上する。
などの効果を有する。
上記実施例においては、第2の主放電電極2はスクリー
ン電極とされているが、この第2の主放電電極は開孔部
を有するものであれば良く、メツシュ形状、パンチング
メタル、細い丸棒をスペースをあけて多数個配置したも
の等であっても良い。
上記実施例では、第1の主放電電極1に対して第2の主
放電電極2の背面に補助電極3を配置する構造を示した
が、本発明では補助電極3が主放電電極2の側部に配置
される構造であっても良い。
また、上記実施例では、第2の主放電電極2と誘電体4
とを密着して配置する場合を説明したが、両者を離して
配置しても良い。
上記実施例においては、補助電極3は主放電電極1に接
続することにより、端子9と10にパルス電圧を印加す
ると自動的に補助電極3と第2の主放電電極2の間に電
圧が印加される場合を示したが、他の回路構成によって
これを実現しても良く、さらには補助電極3と第2の主
放電電極2の間に別電源を接続しても良い。
[効果] 以上の通り、本発明によると、強力な紫外線コロナ予備
電離により高効率全県が可能となる。また、補助電極の
形状に合わせて誘電体が形成でき、誘電体の緻密性も増
し、誘電体の厚みも自由に制御できる。
本発明において、高誘電率セラミックを補助電極に蒸着
させるようにすると、誘電体と補助電極との密着度が向
上するので間隙の浮遊容量が減少する。
【図面の簡単な説明】
第1図は実施例を示す断面図、第2図は従来例を示す断
面図である。 1・・・第1の主放電電極、 2・・・第2の主放電電極、 3・・・補助電極、 4・・・誘電体(高話電率セラミック)、8・・・レー
ザガス。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)レーザガス中に配置された第1の主放電電極と、
    この第1の主放電電極と対向して配置され複数の開孔を
    有する第2の主放電電極と、上記第2の主放電電極に対
    して誘電体を挟んで配設された補助電極とを備えたエキ
    シマレーザ装置において、前記誘電体は気相法により形
    成された高誘電率セラミックであることを特徴とするエ
    キシマレーザ装置。
  2. (2)前記誘電体を第2の主放電電極に蒸着させて形成
    してあることを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載
    のエキシマレーザ装置。
JP13663789A 1989-05-30 1989-05-30 エキシマレーザ装置 Pending JPH033282A (ja)

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JP13663789A JPH033282A (ja) 1989-05-30 1989-05-30 エキシマレーザ装置

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JP13663789A JPH033282A (ja) 1989-05-30 1989-05-30 エキシマレーザ装置

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JPH033282A true JPH033282A (ja) 1991-01-09

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ID=15179965

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JP13663789A Pending JPH033282A (ja) 1989-05-30 1989-05-30 エキシマレーザ装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6511571B2 (en) 1998-07-23 2003-01-28 Molecular Optoelectronics Corporation Method for fabricating an optical waveguide

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6267175A (ja) * 1985-09-17 1987-03-26 Masaru Okada 強誘電体薄膜の製造方法
JPS63250184A (ja) * 1987-04-06 1988-10-18 Toshiba Corp 炭酸ガスレ−ザ装置用陰極

Patent Citations (2)

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