JPH0332U - - Google Patents

Description

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案の装置のコンソールの斜視図、
第２図はそのモジユールの斜視図、第３図はモジ
ユール内部の詳細な斜視図、第４図は本考案の装
置の真空系およびガス供給系を示す図である。 １０…コンソール、１１…ベース、１２…上部
、１３…モジユール、１４…供給エレベータ、１
５…エアトラツク、１６…アライメントステージ
、１８…挿入フインガ、１９…取出エレベータ、
２０…ロードモジユール、２１…プロセスモジユ
ール、２４…旋回アーム。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 １ １つのモジユール内でシリコンウエハを前処
   理、エツチングおよびストリツピングする装置に
   おいて、ウエハを前処理およびストリツピングす
   るための第１または大きい室２０を有し、この室
   はこの室内の圧力を所定値に保持する装置を有し
   、この第１室内に第２またはウエハエツチング室
   ２１が配置されていて、大きい室２０中へウエハ
   を装入またはこれから取出すため第１装置１７，
   １８および第１室２０と第２室２１との間でウエ
   ハを運搬するための第２装置２２，２４を備え、
   ウエハエツチング室２１は第２のウエハが大きい
   室２０内で前処理される間に第１のウエハをエツ
   チングするように適合されており、第２室が電極
   装置および該電極を支持し密封する装置を有する
   ことを特徴とするシリコンウエハを前処理、エツ
   チングおよびストリツピングする装置。 ２ 電極装置がウエハを支持する平らな面を有す
   る第１電極２１ｂおよびこの第１電極の上方に配
   置された平らな面を有する第２電極２１ｄからな
   る実用新案登録請求の範囲第１項記載の装置。 ３ 第２室２１が第１電極２１ｂに設けられたプ
   ラツトフオーム２１ｃ、第２電極２１ｄを支持す
   るふた２１ａを有し、このふたがプラツトフオー
   ムと気密シールを形成してこの第２室を閉鎖する
   第１位置およびこの第２室を開放する第２位置へ
   動きうる実用新案登録請求の範囲第２項記載の装
   置。 ４ 第１室２０が上下のたな２２ａ，２２ｂを有
   するエレベータ２２およびウエハを第１電極２１
   ｃから下のたな２２ｂへ、上のたな２２ａから第
   １電極２１ｂへ移行させるアーム装置２４，２５
   を有する実用新案登録請求の範囲第３項記載の装
   置。 ５ 第１室２０が、プラツトフオーム２１ｃ、エ
   レベータ２２およびアーム装置２４，２５を支持
   するベース２７ならびにベース２７とともに気密
   にシールされた第１室２０を形成するように配置
   されたカバーを有する実用新案登録請求の範囲第
   ４項記載の装置。 ６ カバーがウエハを第１室２０に出入させる孔
   １７を有し、常時はこの孔を気密に閉鎖している
   ドア３０およびこのドアを開閉する第１装置３１
   ，３２を備えている実用新案登録請求の範囲第５
   項記載の装置。 ７ ふた２１ａを第１位置と第２位置の間で動か
   す第２装置３３，３４を有する実用新案登録請求
   の範囲第３項から第６項までのいずれか１項記載
   の装置。 ８ ドア３０を通してウエハをエレベータ２２に
   出入させる第３装置１８，７０を有する実用新案
   登録請求の範囲第７項記載の装置。 ９ エレベータ装置がエレベータ２２を昇降して
   、下のたな２２ｂがウエハを第１電極２１ｂから
   受取り、またはこのウエハを上のたな２２ａから
   第１電極に引渡す位置にもたらしうる第４装置２
   ３を有する、実用新案登録請求の範囲第４項また
   は第８項記載の装置。 １０ 第２室２１を所定の圧力に保持する第５装
   置５３、第２室へエツチングガスを流す第６装置
   ４１、該ガスをイオン化して、第２室内でエツチ
   ングガスのプラズマを発生させる第７装置３８，
   ３９を有する実用新案登録請求の範囲第９項記載
   の装置。 １１ ウエハを前処理またはストリツピングする
   ため、イオン化されたガスを第１室２０へ送入す
   る第８装置７１を有する実用新案登録請求の範囲
   第１０項記載の装置。