JPH033371B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH033371B2 JPH033371B2 JP60222363A JP22236385A JPH033371B2 JP H033371 B2 JPH033371 B2 JP H033371B2 JP 60222363 A JP60222363 A JP 60222363A JP 22236385 A JP22236385 A JP 22236385A JP H033371 B2 JPH033371 B2 JP H033371B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power supply
- aluminum foil
- liquid
- chemical
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 31
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 25
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 23
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 9
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 6
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 5
- FLDCSPABIQBYKP-UHFFFAOYSA-N 5-chloro-1,2-dimethylbenzimidazole Chemical compound ClC1=CC=C2N(C)C(C)=NC2=C1 FLDCSPABIQBYKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001741 Ammonium adipate Substances 0.000 description 3
- 235000019293 ammonium adipate Nutrition 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000004254 Ammonium phosphate Substances 0.000 description 2
- 229910000148 ammonium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000019289 ammonium phosphates Nutrition 0.000 description 2
- BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N ammonium sulfate Chemical compound N.N.OS(O)(=O)=O BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052921 ammonium sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000011130 ammonium sulphate Nutrition 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- MNNHAPBLZZVQHP-UHFFFAOYSA-N diammonium hydrogen phosphate Chemical compound [NH4+].[NH4+].OP([O-])([O-])=O MNNHAPBLZZVQHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
この発明は給電電極を配した給電槽でアルミ箔
に給電する電解コンデンサ用アルミ箔の化成方法
に関する。
に給電する電解コンデンサ用アルミ箔の化成方法
に関する。
［発明の技術的背景とその問題点］
従来エツチングしたアルミ箔に化成皮膜を生成
させる化成装置の給電方法は銅などのコンタクト
ローラに接触させて走行させるアルミ箔に、前記
コンタクトローラに供給した電流を給電していた
が、コンタクト部のスパークや低電流しか給電で
きないなどの問題があつた。このため第４図に示
したように給電電極１を配した給電槽２を設け、
給電電極１から給電液３を介してアルミ箔４に給
電する液中給電方式が用いられている。なお５は
化成槽、６は化成液、７は化成電極、８は電源で
ある。
させる化成装置の給電方法は銅などのコンタクト
ローラに接触させて走行させるアルミ箔に、前記
コンタクトローラに供給した電流を給電していた
が、コンタクト部のスパークや低電流しか給電で
きないなどの問題があつた。このため第４図に示
したように給電電極１を配した給電槽２を設け、
給電電極１から給電液３を介してアルミ箔４に給
電する液中給電方式が用いられている。なお５は
化成槽、６は化成液、７は化成電極、８は電源で
ある。
しかしながら液中給電方式で化成した場合に
は、給電槽２においてアルミ箔４には陰極が課電
されるので、逆電圧が印加された状態となりアル
ミ箔４表面に発生した水素を吸収し、水素脆性を
生じるため、アルミ箔４の強度が弱くなつたり、
容量が低下するなどの問題があつた。
は、給電槽２においてアルミ箔４には陰極が課電
されるので、逆電圧が印加された状態となりアル
ミ箔４表面に発生した水素を吸収し、水素脆性を
生じるため、アルミ箔４の強度が弱くなつたり、
容量が低下するなどの問題があつた。
［発明の目的］
この発明は液中給電方式を使用した場合でも容
量低下の小さい電解コンデンサ用アルミ箔の化成
方法を提供することを目的としたものである。
量低下の小さい電解コンデンサ用アルミ箔の化成
方法を提供することを目的としたものである。
［発明の概要］
この発明になる電解コンデンサ用アルミ箔の化
成方法は電源の陽極に接続した給電電極と給電液
を有する給電槽の前記給電電極間を走行させてア
ルミ箔に化成皮膜を生成させる電解コンデンサ用
アルミ箔の化成方法において、前記給電液の温度
を40℃以下の室温に維持することを特徴とするも
のである。
成方法は電源の陽極に接続した給電電極と給電液
を有する給電槽の前記給電電極間を走行させてア
ルミ箔に化成皮膜を生成させる電解コンデンサ用
アルミ箔の化成方法において、前記給電液の温度
を40℃以下の室温に維持することを特徴とするも
のである。
［発明の実施例］
第４図に示した化成装置において、たとえば給
電液３を５重量％アジピン酸アンモニウム水溶
液、硫酸アンモニウム水溶液、またはリン酸アン
モニウム水溶液とし、化成液６を５重量％アジピ
ン酸アンモニウム水溶液を用い140V化成を行な
つたときの給電液温度と静電容量との関係を第１
図に示す。なお、給電液３に硫酸アンモニウム水
溶液、リン酸アンモニウム水溶液、アジピン酸ア
ンモニウム水溶液で化成液６濃度と異なる濃度の
水溶液または化成液６と異なる組成の給電液を使
用した場合はアルミ箔４が化成液６に入る前にシ
ヤワーなどの水洗によつて給電液３を洗浄するこ
とが望ましい。このことは給電液３に化成液６と
異なる組成の水溶液を使用した場合には化成液６
中に給電液３を持ち込んで化成液６特性を変化さ
せないようにするためである。この結果から明ら
かなように給電液３温度が40℃を越えると静電容
量は急激に低下することが示されている。
電液３を５重量％アジピン酸アンモニウム水溶
液、硫酸アンモニウム水溶液、またはリン酸アン
モニウム水溶液とし、化成液６を５重量％アジピ
ン酸アンモニウム水溶液を用い140V化成を行な
つたときの給電液温度と静電容量との関係を第１
図に示す。なお、給電液３に硫酸アンモニウム水
溶液、リン酸アンモニウム水溶液、アジピン酸ア
ンモニウム水溶液で化成液６濃度と異なる濃度の
水溶液または化成液６と異なる組成の給電液を使
用した場合はアルミ箔４が化成液６に入る前にシ
ヤワーなどの水洗によつて給電液３を洗浄するこ
とが望ましい。このことは給電液３に化成液６と
異なる組成の水溶液を使用した場合には化成液６
中に給電液３を持ち込んで化成液６特性を変化さ
せないようにするためである。この結果から明ら
かなように給電液３温度が40℃を越えると静電容
量は急激に低下することが示されている。
また、第２図には前記と同じ条件で給電したと
きの給電液３温度と、給電槽２を出た後のアルミ
箔４の重量増加との関係を示したものである。こ
の第２図からは給電液３温度が40℃を超えると、
やはり重量増加が激しく、前記第１図の静電容量
の低下と正反対の傾向を示しているが、静電容量
の低下は水素を吸収して生ずる重量増加と密接な
関連があり、給電液温度が40℃を超え高くなる程
水素の吸収が激しく、該水素の吸収によつて静電
容量は急激に低下するものである。さらに第３図
に給電液温度とアルミ箔の折曲強度との関係を示
す。すなわちアルミ箔（厚さ0.09mm）を前記実施
例と同じ条件で給電し、給電槽２から出た後のア
ルミ箔を10mm幅に裁断して試料とし、該試料に
500ｇの錘を下げ、まず45゜傾けたのち垂直に戻
し、次いで反対側に45゜傾けたのち垂直に戻し、
これを１回として計数した結果を示したものであ
る。この結果も給電液温度40℃を超えると急激な
低下を示している。
きの給電液３温度と、給電槽２を出た後のアルミ
箔４の重量増加との関係を示したものである。こ
の第２図からは給電液３温度が40℃を超えると、
やはり重量増加が激しく、前記第１図の静電容量
の低下と正反対の傾向を示しているが、静電容量
の低下は水素を吸収して生ずる重量増加と密接な
関連があり、給電液温度が40℃を超え高くなる程
水素の吸収が激しく、該水素の吸収によつて静電
容量は急激に低下するものである。さらに第３図
に給電液温度とアルミ箔の折曲強度との関係を示
す。すなわちアルミ箔（厚さ0.09mm）を前記実施
例と同じ条件で給電し、給電槽２から出た後のア
ルミ箔を10mm幅に裁断して試料とし、該試料に
500ｇの錘を下げ、まず45゜傾けたのち垂直に戻
し、次いで反対側に45゜傾けたのち垂直に戻し、
これを１回として計数した結果を示したものであ
る。この結果も給電液温度40℃を超えると急激な
低下を示している。
以上述べたように、この発明によれば、静電容
量、重量増加（水素吸収）、折曲強度とも給電液
の温度が40℃を超えると、特性劣化を生じること
が明示されており、その原因はアルミ箔の水素吸
収によるものであり、この水素吸収によつて生ず
る水素脆性によつて機械的強度は急激な低下を示
している。よつて、本発明は給電電極を配した給
電槽でアルミ箔に給電する液中給電方式を使用す
る化成方法においては、給電液温度を40℃以下の
室温にすることにより静電容量、折曲強度を向上
させることができる。
量、重量増加（水素吸収）、折曲強度とも給電液
の温度が40℃を超えると、特性劣化を生じること
が明示されており、その原因はアルミ箔の水素吸
収によるものであり、この水素吸収によつて生ず
る水素脆性によつて機械的強度は急激な低下を示
している。よつて、本発明は給電電極を配した給
電槽でアルミ箔に給電する液中給電方式を使用す
る化成方法においては、給電液温度を40℃以下の
室温にすることにより静電容量、折曲強度を向上
させることができる。
［発明の効果］
この発明によれば、液中給電方式において給電
液温度を40℃以下の室温にすることにより、アル
ミ箔の水素吸収を小さくし、よつて静電容量、折
曲強度を向上できる効果を有する。
液温度を40℃以下の室温にすることにより、アル
ミ箔の水素吸収を小さくし、よつて静電容量、折
曲強度を向上できる効果を有する。
第１図〜第３図は本発明になる化成方法におけ
る給電液温度と諸特性の関係を示すもので第１図
は静電容量を示す曲線図、第２図は重量増加を示
す曲線図、第３図は折曲強度を示す曲線図、第４
図は液中給電方式の化成装置を示す断面図であ
る。 １……給電電極、２……給電槽、３……給電
液、４……アルミ箔、５……化成槽、６……化成
液、７……化成電極、８……電源。
る給電液温度と諸特性の関係を示すもので第１図
は静電容量を示す曲線図、第２図は重量増加を示
す曲線図、第３図は折曲強度を示す曲線図、第４
図は液中給電方式の化成装置を示す断面図であ
る。 １……給電電極、２……給電槽、３……給電
液、４……アルミ箔、５……化成槽、６……化成
液、７……化成電極、８……電源。
Claims (1)
- １ 電源の陽極に接続した給電電極と給電液を有
する給電槽の前記給電電極間を走行させてアルミ
箔に化成皮膜を生成させる電解コンデンサ用アル
ミ箔の化成方法において、前記給電液の温度を40
℃以下の室温に維持することを特徴とする電解コ
ンデンサ用アルミ箔の化成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60222363A JPS6281708A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 電解コンデンサ用アルミ箔の化成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60222363A JPS6281708A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 電解コンデンサ用アルミ箔の化成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6281708A JPS6281708A (ja) | 1987-04-15 |
| JPH033371B2 true JPH033371B2 (ja) | 1991-01-18 |
Family
ID=16781169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60222363A Granted JPS6281708A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 電解コンデンサ用アルミ箔の化成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6281708A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110016703B (zh) * | 2019-05-14 | 2020-12-11 | 四川立业电子有限公司 | 化成箔馈电液及高压化成箔的生产工艺 |
-
1985
- 1985-10-04 JP JP60222363A patent/JPS6281708A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6281708A (ja) | 1987-04-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4420367A (en) | Method for etching a recrystallized aluminum foil for electrolytic capacitors | |
| US4432846A (en) | Cleaning and treatment of etched cathode aluminum capacitor foil | |
| US2174841A (en) | Electrolytic device | |
| US2755238A (en) | Electrolytic etching and oxidizing of aluminum | |
| US2863811A (en) | Method of etching capacitor electrodes | |
| US4319972A (en) | AC Etching of aluminum capacitor foil | |
| JP3728976B2 (ja) | アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 | |
| US4455200A (en) | Method for etching aluminum foil for electrolytic capacitors | |
| JPH033371B2 (ja) | ||
| US4741812A (en) | Method for etching electrode foil aluminum electrolytic capacitors | |
| CN110016702A (zh) | 一种铝电解电容器用超高压化成箔化成工艺 | |
| KR850001314A (ko) | 알루미늄 커패시터 박막 및 그 전해 에칭공정 | |
| US2193711A (en) | Electrolytic device | |
| JP3729013B2 (ja) | アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 | |
| JPH02111007A (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム電極箔の化成法 | |
| JP3478039B2 (ja) | アルミ電解コンデンサ用電極箔の化成方法 | |
| JPS5915375B2 (ja) | アルミニウム電解コンデンサ用陽極体の製造方法 | |
| JPS6137977A (ja) | 電解コンデンサ用アルミ箔の化成方法 | |
| US3413205A (en) | Electrolytic etching of capacitor metal | |
| US2163416A (en) | Electrolytic device | |
| JP2762556B2 (ja) | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 | |
| US1723154A (en) | Electrolytic cell and solution therefor | |
| JPS59215716A (ja) | 電解コンデンサ用電極箔の化成方法 | |
| JPS6119115A (ja) | 電解コンデンサ用電極箔のエツチング方法 | |
| JPS63299309A (ja) | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |