JPH0333944Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 この考案は、飛び越し選曲を行なうテープレコ
ーダに関し、曲間検出部の誤動作を防止し、正確
な飛び越し選曲を行なうことを目的とする。

従来、この種テープレコーダには、曲間検出部
にローム社製の型番BA336の集積回路が多用さ
れ、該集積回路を用いたこの種テープレコーダの
１例は、第１図に示すように構成されている。

同図において、１は録音再生ヘツド、２は切り
換え片が接地された第１録再スイツチであり、録
音接点ｒがヘツド１の一端に接続され、再生接点
ｐがヘツド１の他端に接続されている。３は入力
端子が録音接点ｒに接続された再生イコライザ回
路、４は再生接点ｐが再生イコライザ回路３の出
力端子に接続された第２録再スイツチであり、録
音接点ｒにライン入力端子５が接続されている。
６は入力端子がスイツチ４の切り換え片に接続さ
れた雑音低減回路、７は録音接点ｒが雑音低減回
路６の録音出力端子に接続された第３録再スイツ
チであり、再生接点ｐが雑音低減回路６の再生出
力端子に接続されている。８はスイツチ７の切り
換え片に接続されたライン出力端子、９は入力端
子がスイツチ７の録音接点ｒに接続された録音イ
コライザ回路であり、出力端子がスイツチ２の再
生接点ｐに接続されている。１０は出力端子がス
イツチ２の再生接点ｐに接続された発振回路、１
１は録音接点ｒが発振回路１０の制御端子に接続
された第４録音スイツチであり、切り換え片が接
地されるとともに再生接点ｐが遊び接点となつて
いる。

１２は曲間検出部１３に設けられたローム社製
の型番BA336の集積回路であり、３番ピンすな
わち信号入力ピンａが電流制限用抵抗１４を介し
てスイツチ７の切り換え片に接続されている。１
５は信号入力ピンａと接地点との間に設けられた
入力レベル設定用抵抗、１６は集積回路１２内に
設けられたプリアンプ用の演算増幅器であり、非
反転入力端子（＋）が信号入力ピンａに接続さ
れ、反転入力端子（−）が入力抵抗１７を介して
４番ピンすなわち負帰還ピンｂに接続されてい
る。１８は負帰還ピンｂと接地点との間に設けら
れた低域時定数決定用コンデンサ、１９はアンプ
１６の反転入力端子（−）と出力端子との間に設
けられた利得設定用抵抗、２０は非反転入力端子
（＋）が増幅器１６の出力端子に接続された第１
比較器であり、反転入力端子（−）に基準電位端
子２１の基準電圧が印加される。

２２はコレクタがコレクタ抵抗２３を介して基
準電位端子２１に接続されたNPN型の第１トラ
ンジスタであり、エミツタが接地されるとともに
ベースがベース抵抗２４を介して基準電位端子２
１に接続されている。２５はトランジスタ２２の
ベースと集積回路１２の６番ピンすなわちミユー
テイングピンｃとの間に設けられたバイアス用抵
抗、２６はミユーテイングピンｃと接地点との間
に設けられたミユーテイング時定数決定用コンデ
ンサ、２７は一端が集積回路１２の７番ピンすな
わちノイズフイルタピンｄに接続されたノイズ吸
収用コンデンサであり、他端が接地されている。

２８はセツト端子Ｓが比較器２０の出力端子に
接続されたフリツプフロツプであり、リセツト端
子Ｒが抵抗２３を介して基準電位端子２１に接続
されている。２９はベースが比較器２０の出力端
子に接続されるとともにエミツタが接地された
NPN型の第２トランジスタであり、充放電制御
用半導体スイツチを形成する。３０はベースがフ
リツプフロツプ２８の反転出力端子に接続され
るとともにエミツタが接地されたNPN型の第３
トランジスタであり、フリツプフロツプ２８とと
もに充電阻止回路を形成する。３１は一端が集積
回路１２の２番ピンすなわち検出タイミングピン
ｅを介して第２、第３トランジスタ２９，３０の
コレクタに接続された第１時定数用コンデンサで
あり、他端が接地されている。３２はコンデンサ
３１の一端と電源端子（＋Ｂ）との間に設けられ
た第１時定数用抵抗であり、コンデンサ３１とと
もに第１時定数回路を形成する。

３３は非反転出力端子（＋）が第２、第３トラ
ンジスタ２９，３０のコレクタに接続されたシユ
ミツト回路であり、反転入力端子（−）がレベル
設定用抵抗３４を介して接地されている。３５は
一端がシユミツト回路３３の反転入力端子（−）
に接続された入力用抵抗であり、他端が集積回路
１２の９番ピンすなわち電源ピンｆを介して電源
端子（＋Ｂ）に接続されている。３６は入力端子
がシユミツト回路３３の出力端子に接続された第
１インバータ、３７はベースがインバータ３６の
出力端子に接続されたNPN型の第４トランジス
タであり、エミツタが接地されている。３８は一
端が集積回路１２の１番ピンすなわちパルス幅設
定ピンｇを介してトランジスタ３７のコレクタに
接続された第２定数用コンデンサであり、他端が
接地されている。３９はコンデンサ３８と電源端
子（＋Ｂ）との間に設けられた第２時定数用抵抗
であり、コンデンサ３８とともに第２時定数回路
を形成する。

４０は反転入力端子（−）がトランジスタ３７
のコレクタに接続された第２比較器であり、非反
転入力端子（＋）がレベル設定用抵抗４１を介し
て接地されている。４２は比較器４０の非反転入
力端子（＋）と電源ピンｆとの間に設けられた比
較器４０の入力用抵抗、４３は一方の入力端子が
シユミツト回路３３の出力端子に接続されたナン
ドゲートであり、他方の入力端子がシユミツト回
路３３の反転入力端子（−）および比較器４０の
出力端子に接続されている。４４は入力端子がナ
ンドゲート４３の出力端子に接続された第２イン
バータであり、シユミツト回路３３、比較器４
０、ナンドゲート４３とともに信号発生回路を形
成する。

４５は一端が集積回路１２の８番ピンすなわち
信号出力ピンｈを介してインバータ４４の出力端
子に接続された出力用抵抗、４６はベースが抵抗
４５の他端に接続されたNPN型の第５トランジ
スタであり、エミツタが接地されるとともにコレ
クタがコレクタ抵抗４７を介して電源端子（＋
Ｂ）に接続されている。

４８は入力端子ｊがトランジスタ４６のコレク
タに接続された機構制御部であり、マイクロコン
ピユータにより形成され、ソフト処理により機構
部を制御する。

なお、ｉは集積回路１２の５番ピンすなわち接
地ピンである。

そして電源が投入されると、フリツプフロツプ
２８がリセツトされ、反転出力端子からハイレ
ベルの出力信号が出力され、該信号によりトラン
ジスタ３０がオンしてコンデンサ３１の充電が阻
止される。また、コンデンサ２６が充電された後
にトランジスタ２２がオンし比較器２０の反転入
力端子（−）に基準信号が印加される。

一方、電源の投入時には信号入力ピンａに信号
が入力されないため比較器２０の出力信号、すな
わち比較信号はローレベルに保持され、トランジ
スタ２９がオフする。

そしてコンデンサ３１が充電されないため、シ
ユミツト回路３３の出力信号はローレベルに保持
され、トランジスタ３７がオンしてコンデンサ３
８の充電が阻止され、コンデンサ３８が充電され
ないため比較器４０の出力信号がハイレベルに保
持され、ナンドゲート４３の出力信号がハイレベ
ルに保持される。

さらにナンドゲート４３の出力信号がハイレベ
ルに保持されるため信号出力ピンｈがローレベル
に保持され、トランジスタ４６がオフして機構制
御部４８の入力端子ｊにハイレベルの信号が入力
される。

つぎに、飛び越し選曲を行なうために、機構部
を選曲モードにすると、スイツチ２，４，７，１
１が再生接点ｐに切り換わり、テープが早送りま
たは巻き戻し再生され、信号入力ピンａに再生信
号が入力される。

そして再生信号の最初の有曲に達するまでは、
比較信号がローレベルに保持され、トランジスタ
４６がオフし続けるとともに、コンデンサ２７に
より短時間のノイズ信号が吸収され、比較信号の
レベル変化が阻止される。

つぎに、再生信号の有曲に達すると、比較信号
がハイレベルになり、コンデンサ２７が充電され
た後、フリツプフロツプ２８がセツトされ、トラ
ンジスタ３０がオフする。このとき、比較信号に
よりトランジスタ２９がオンし、コンデンサ３１
の充電は阻止され、トランジスタ４６がオフし続
ける。

さらに、再生信号の有曲から無曲への変化によ
り、比較信号がハイレベルからローレベルに変化
してトランジスタ２９がオフし、コンデンサ３１
が充電される。

そしてコンデンサ３１の所定充電によりシユミ
ツト回路３３の出力信号がハイレベルになり、ト
ランジスタ３７がオフしてコンデンサ３８が充電
され、コンデンサ３１の所定充電後からコンデン
サ３８の所定充電までの間ナンドゲート４３の出
力信号がローレベルになるため、信号出力ピンｈ
からハイレベルのパルス信号が出力され、該パル
ス信号によりトランジスタ４６が所定期間オン
し、機構制御部４８の入力端子ｊへの出力信号は
所定期間だけローレベルになる。

さらに、再生信号がつぎの有曲から無曲に変化
したときにも、比較信号がハイレベルからローレ
ベルに変化し、コンデンサ３１，３８が順次に充
電され、トランジスタ４６が所定期間オンし、入
力端子ｊへの出力信号は所定期間だけローレベル
になる。

以降同様の動作のくり返しにより、入力端子ｊ
への出力信号は、再生信号の有曲から無曲への変
化により所定期間ローレベルになる。

なお、コンデンサ３１，３８などにより、無曲
の間が100msec以上の所定無曲期間でなければ、
信号出力ピンｈからはパルス信号が出力されな
い。

そして機構制御部４８のマイクロコンピユータ
は、入力端子ｊにローレベルの出力信号が入力さ
れる毎に、カウンタに設定された飛び越し数を１
だけ減算し、カウンタの数値が零になつてちき
に、選曲終了命令を出力し、機構部を選曲モード
から再生モードに制御し、飛び越し選曲を終了す
る。

なお、入力端子ｊにローレベルの出力信号が入
力されないときおよび、カウンタの数値が零でな
いときは、機構部を選曲モードに保持する。

ところで再生信号の有曲から無曲への変化毎
に、コンデンサ２７は集積回路１２の内部回路を
介して放電するが、内部回路のインピーダンスが
高いため、容易には放電できず、コンデンサ２７
の放電が不完全になる。

そしてコンデンサ２７の放電が不完全になるた
め、ノイズ信号を吸収するノイズフイルタ効果
が、再生信号の２回目以降の無曲から有曲への変
化の間には弱まり、曲間検出部１３が誤動作する
欠点がある。

この考案は前記の点に留意してなされたもので
あり、曲間検出部に、選曲等の再生信号と基準信
号とを比較し、前記再生信号の有曲、無曲により
ハイレベル、ローレベルそれぞれの比較信号を出
力する比較器と、該比較器の出力端子に接続され
ノイズ信号による前記比較信号のレベル変化を阻
止するノイズ吸収用コンデンサと、ハイレベルの
前記比較信号によりオンし、ローレベルの前記比
較信号によりオフする充放電制御用半導体スイツ
チと、該半導体スイツチのオンにより放電される
とともにオフにより充電される第１時定数用コン
デンサと、前記比較信号が最初にハイレベルにな
るまでの間前記第１時定数用コンデンサの充電を
阻止する充電阻止回路と、前記第１時定数用コン
デンサの所定充電によりオフからオンに変化し、
出力信号がハイレベルからローレベルに変化する
出力用半導体スイツチと、前記第１時定数用コン
デンサの所定充電後の充電期間に充電される第２
時定数用コンデンサと、前記第１時定数用コンデ
ンサの所定充電から前記第２時定数用コンデンサ
の所定充電までの間ハイレベルのパルス信号を出
力する信号発生回路と、前記パルス信号を出力す
る信号発生回路と、前記パルス信号によりオンし
前記ノイズ吸収用コンデンサを短絡接地する放電
路用半導体スイツチとを設け、かつ、機構制御部
に、前記出力信号のハイレベルからローレベルへ
の変化を検知するレベル検知手段と、前記出力信
号のローレベル期間が所定無曲期間以上のときに
計数パルスを出力する期間計測手段と、前記計数
パルスを計数し所定の飛び越し数に達したときに
機構部を選曲モードから再生モードに制御する制
御手段とを有するマイクロコンピユータを設けた
テープレコーダを提供するものである。

したがつて、この考案のテープレコーダによる
と、再生信号の有曲から無曲への変化毎に、放電
路用半導体スイツチがオンしてノイズ吸収用コン
デンサが短絡接地されるため、該コンデンサを完
全放電して曲間検出部の誤動作を防止し、正確な
飛び越し選曲を行なうことができるのである。

つぎに、この考案を、その１実施例を示した第
２図とともに詳細に説明する。

同図において、第１図と同一記号は同一もしく
は相当するものを示し、異なる点はつぎの点であ
る。

すなわち、トランジスタ４６のベースをベース
抵抗４６を介して検出タイミングピンｅに接続す
るとともに、信号出力ピンｈにベース抵抗５０を
介して放電路用半導体スイツチ、すなわちNPN
型の第６トランジスタ５１のベースを接続し、該
トランジスタ５１のエミツタを接地するととも
に、コレクタをノイズフイルタピンｄに接続した
点である。

また、機構制御部４８の代わりに機構制御部５
２を設け、該制御部５２のマイクロコンピユータ
により、出力信号のハイレベルからローレベルへ
の変化を検知するとともに、出力信号のローレベ
ル期間が100msec以上の所定無曲期間以上であれ
ば計数パルスを出力し、さらに、計数パルスが入
力される毎にカウンタに設定された飛び越し数か
ら１を減算し、カウンタが零になると選曲終了命
令を出力して機構部を選曲モードから再生モード
に制御するようにした点である。

そして、再生信号の有曲から無曲への変化によ
りコンデンサ３１が所定充電される毎に、トラン
ジスタ４６がオフからオンに変化し、機構制御部
５２の入力端子ｊに入力される出力信号は、ハイ
レベルからローレベルに変化する。

また、再生信号の無曲から有曲への変化によ
り、信号出力ピンｈからハイレベルのパルス信号
が出力される毎に、トランジスタ５１がオンして
コンデンサ２７が放電接地され、コンデンサ２７
が完全放電し、コンデンサ２７のノイズフイルタ
効果が弱まることがなく、曲間検出部１３の誤動
作を防止することができる。

そして機構制御部５２は、入力端子ｊにローレ
ベルの出力信号が入力される毎にローレベル期間
を計測し、無曲のときにのみカウンタの数値を１
だけ減算し、カウンタの数値が零になり、所望の
飛び越し数に達したときに、機構部を選曲モード
から再生モードに制御する。

したがつて前記実施例によると、トランジスタ
５１、抵抗４９，５０を第１図に追加するととも
に、第１図の機構制御部４８のマイクロコンピユ
ータのソフト処理を変更して機構制御部５２を形
成することにより、安価かつ簡単にコンデンサ２
７を完全放電してノイズフイルタ効果の低下を防
止し、曲間検出部１３の誤動作を防止して正確な
飛び越し選曲を行なうことができる。

なお、簡易な方法としては、トランジスタ５１
の代わりにインピーダンス素子を設けることも考
えられる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のテープレコーダの結線図、第２
図はこの考案のテープレコーダの１実施例の結線
図である。 １２……集積回路、１３……曲間検出部、２
０，４０……比較器、２２，２９，３０，３７，
４６，５１……トランジスタ、２７……ノイズ吸
収用コンデンサ、２８……フリツプフロツプ、３
１，３８……第１、第２時定数用コンデンサ、３
３……シユミツト回路、５２……機構制御部。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 曲間検出部に、選曲時の再生信号と基準信号と
   を比較し、前記再生信号の有曲、無曲によりハイ
   レベル、ローレベルそれぞれの比較信号を出力す
   る比較器と、該比較器の出力端子に接続されノイ
   ズ信号による前記比較信号のレベル変化を阻止す
   るノイズ吸収用コンデンサと、ハイレベルの前記
   比較信号によりオンし、ローレベルの前記比較信
   号によりオフする充放電制御用半導体スイツチ
   と、該半導体スイツチのオンにより放電されると
   ともにオフにより充電される第１時定数用コンデ
   ンサと、前記比較信号が最初にハイレベルになる
   までの間前記第１時定数用コンデンサの充電を阻
   止する充電阻止回路と、前記第１時定数用コンデ
   ンサの所定充電によりオフからオンに変化し、出
   力信号がハイレベルからローレベルに変化する出
   力用半導体スイツチと、前記第１時定数用コンデ
   ンサの所定充電後の充電期間に充電される第２時
   定数用コンデンサと、前記第１時定数用コンデン
   サの所定充電から前記第２時定数用コンデンサの
   所定充電までの間ハイレベルのパルス信号を出力
   する信号発生回路と、前記パルス信号によりオン
   し前記ノイズ吸収用コンデンサを短絡接地する放
   電路用半導体スイツチとを設け、かつ、機構制御
   部に、前記出力信号のハイレベルからローレベル
   への変化を検知するレベル検知手段と、前記出力
   信号のローレベル期間が所定無曲期間以上のとき
   に計数パルスを出力する期間計測手段と、前記計
   数パルスを計数し所定の飛び越し数に達したとき
   に機構部を選曲モードから再生モードに制御する
   制御手段とを有するマイクロコンピユータを設け
   たテープレコーダ。