JPH0334045B2 - - Google Patents
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- JPH0334045B2 JPH0334045B2 JP57216318A JP21631882A JPH0334045B2 JP H0334045 B2 JPH0334045 B2 JP H0334045B2 JP 57216318 A JP57216318 A JP 57216318A JP 21631882 A JP21631882 A JP 21631882A JP H0334045 B2 JPH0334045 B2 JP H0334045B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
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- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
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Description
【発明の詳細な説明】
＜技術分野＞
本発明は各画素にスイツチング素子として薄膜
トランジスタ（Thin Film Transistor、以下
TFTと略す）を配置したマトリツクス型液晶表
示装置の製造技術に関するものである。
トランジスタ（Thin Film Transistor、以下
TFTと略す）を配置したマトリツクス型液晶表
示装置の製造技術に関するものである。
＜従来技術＞
薄膜トランジスタは、近年、EL素子や液晶等
を用いる表示装置のスイツチング素子としてその
応用が検討されている。しかし、本来の半導体デ
バイスに比べて特性が劣りまた信頼性も低いた
め、未だ実用するには至つていない。
を用いる表示装置のスイツチング素子としてその
応用が検討されている。しかし、本来の半導体デ
バイスに比べて特性が劣りまた信頼性も低いた
め、未だ実用するには至つていない。
一般に、TFTは第１図に示すような構造であ
る。１は絶縁基板、２はベースコート、３はゲー
ト電極、４はゲート絶縁膜、５，６は電極でソー
ス、ドレインに対応する。７はチヤネルを形成す
る半導体層である。
る。１は絶縁基板、２はベースコート、３はゲー
ト電極、４はゲート絶縁膜、５，６は電極でソー
ス、ドレインに対応する。７はチヤネルを形成す
る半導体層である。
絶縁基板１にはセラミツクやガラスが用いられ
る。ベースコート２は、下地をなめらかな表面に
すること及び絶縁基板１から素子部へ汚染物質又
は不純物イオンが拡散するのを阻止するために設
けられ、SiO2、Si3N4、Al2O3やTa2O5などが使
われる。ゲート電極３は金属たとえばAu、Cr、
AlあるいはTaなどで蒸着によつて形成される。
ゲート絶縁膜４としては、たとえばSiO、SiO2、
Al2O3、Ta2O5等が真空蒸着、CVDあるいは陽極
酸化法等によつて形成される。特に、絶縁性が良
好なことから、Al2O3やTa2O5等の陽極酸化膜が
広く用いられる。半導体７は、例えばａ−Si（ア
モルフアスシリコン）、Ｐ−Si（多結晶シリコン）、
CdS、CdSe、Te等の一つを成分とし、真空蒸
着、イオンプレーテイング、スパツタリング、グ
ロー放電等の種々の方法で形成される。電極５，
６は例えばNi、Cr、Auなどの金属の蒸着等で形
成される。
る。ベースコート２は、下地をなめらかな表面に
すること及び絶縁基板１から素子部へ汚染物質又
は不純物イオンが拡散するのを阻止するために設
けられ、SiO2、Si3N4、Al2O3やTa2O5などが使
われる。ゲート電極３は金属たとえばAu、Cr、
AlあるいはTaなどで蒸着によつて形成される。
ゲート絶縁膜４としては、たとえばSiO、SiO2、
Al2O3、Ta2O5等が真空蒸着、CVDあるいは陽極
酸化法等によつて形成される。特に、絶縁性が良
好なことから、Al2O3やTa2O5等の陽極酸化膜が
広く用いられる。半導体７は、例えばａ−Si（ア
モルフアスシリコン）、Ｐ−Si（多結晶シリコン）、
CdS、CdSe、Te等の一つを成分とし、真空蒸
着、イオンプレーテイング、スパツタリング、グ
ロー放電等の種々の方法で形成される。電極５，
６は例えばNi、Cr、Auなどの金属の蒸着等で形
成される。
TFTの動作は電界効果トランジスタと同じで、
ソース電極５とドレイン電極６間で半導体７中に
流れる電流をゲート電極３に印加する電圧で制御
する。
ソース電極５とドレイン電極６間で半導体７中に
流れる電流をゲート電極３に印加する電圧で制御
する。
このようなTFTは、その特徴として、ガラス
基板上に真空蒸着、スパツタリング、CVD等の
確立された技術により比較的容易に形成すること
ができ、前述の表示装置に適用した場合に表示面
の大形化を達成することができると期待される。
基板上に真空蒸着、スパツタリング、CVD等の
確立された技術により比較的容易に形成すること
ができ、前述の表示装置に適用した場合に表示面
の大形化を達成することができると期待される。
上述の材料でTFTを形成し、例えばTN−
FEM（ツイストネマテイツク電界効果）型のマト
リツクス型液晶表示装置の各画素にスイツチング
素子として配置した場合、ゲート・バー及びソー
ス・バーもそれぞれゲート電極及びソース電極と
同じ金属材料を用いると、各画素の周囲に金属の
枠が現われ、表示が暗くなると同時に視角によつ
てはそれぞれのバーの反射のために表示品位を著
しく低下させることになり、スイツチング素子を
具備することによる利点よりも逆にこの点での欠
点が目立つ結果になる。その対策としてTFTの
電極の部分のみに金属を用い、ゲート・バー及び
ソース・バーに透明導電膜を用いれば上述の欠点
を解消することができる。TFTを用いたマトリ
ツクス型液晶表示装置において、ゲートバー及び
ソースバーを透明導電膜で形成する方式について
は特願昭57−152013号（特開昭59−42584号）に
て出願されている。
FEM（ツイストネマテイツク電界効果）型のマト
リツクス型液晶表示装置の各画素にスイツチング
素子として配置した場合、ゲート・バー及びソー
ス・バーもそれぞれゲート電極及びソース電極と
同じ金属材料を用いると、各画素の周囲に金属の
枠が現われ、表示が暗くなると同時に視角によつ
てはそれぞれのバーの反射のために表示品位を著
しく低下させることになり、スイツチング素子を
具備することによる利点よりも逆にこの点での欠
点が目立つ結果になる。その対策としてTFTの
電極の部分のみに金属を用い、ゲート・バー及び
ソース・バーに透明導電膜を用いれば上述の欠点
を解消することができる。TFTを用いたマトリ
ツクス型液晶表示装置において、ゲートバー及び
ソースバーを透明導電膜で形成する方式について
は特願昭57−152013号（特開昭59−42584号）に
て出願されている。
第２図はゲートバー及びソースバーをそれぞれ
透明導電膜で形成したマトリツクス型液晶表示装
置の薄膜トランジスタ及びその周辺部の拡大構成
図である。透明導電膜から成るゲート・バー８と
ソース・バー９で行及び列方向の電極ラインを構
成し、ゲート・バー８にゲート電極１０を連結し
てこの上にゲート絶縁膜１１を介してTFTの半
導体層１２を堆積し、更にソース・ドレイン電極
１３を形成するとともにソース電極とソース・バ
ー９を連結しドレイン電極と表示の絵素電極１４
を連結することによりTFTの基板が構成されて
いる。TFTの動作に応答して絵素電極１４に印
加される電圧によりドツトマトリツクス表示が実
行される。以下、従来の方式に即して第２図に示
すゲート・バーとソース・バーをそれぞれ透明導
電膜で形成したTFT及びマトリツクス型液晶表
示装置の製造方法について説明する。
透明導電膜で形成したマトリツクス型液晶表示装
置の薄膜トランジスタ及びその周辺部の拡大構成
図である。透明導電膜から成るゲート・バー８と
ソース・バー９で行及び列方向の電極ラインを構
成し、ゲート・バー８にゲート電極１０を連結し
てこの上にゲート絶縁膜１１を介してTFTの半
導体層１２を堆積し、更にソース・ドレイン電極
１３を形成するとともにソース電極とソース・バ
ー９を連結しドレイン電極と表示の絵素電極１４
を連結することによりTFTの基板が構成されて
いる。TFTの動作に応答して絵素電極１４に印
加される電圧によりドツトマトリツクス表示が実
行される。以下、従来の方式に即して第２図に示
すゲート・バーとソース・バーをそれぞれ透明導
電膜で形成したTFT及びマトリツクス型液晶表
示装置の製造方法について説明する。
第３図は薄膜トランジスタ部の各製作工程を示
す断面図である。まずガラス等の絶縁基板１５上
にベースコート１６を施し、その上にITO（In2O3
＋SnO2）、SnO2等の透明導電膜１７を蒸着やス
パツタ等で500〜2000Å程度の厚さに付着し、こ
の透明導電膜上に有機感光性材料により所望形状
のマスクパターンを形成した後、不要部分をエツ
チングすることによりゲート・バーが形成される
（第３図Ａ）。次に陽極酸化されるべき金属、例え
ばAl、Ta等を蒸着、スパツタやイオンプレーテ
イング等で1000〜2000Å程度付け、ゲート・バー
上に薄膜トランジスタ部となる領域を残し、不要
となる領域をウエツト・エツチングあるいはドラ
イ・エツチングにより除去してゲートのパツド１
８を形成する（第３図Ｂ）。上記基板上に基板と
の密着性に優れかつ耐圧の大きいホトレジスト１
９（例えばポジタイプのホトレジストとしてシプ
レイフアーイースト社のAZ−1350、AZ−1470、
AZ−1470Zや1300−37タイプ、メルク社の
Selectilux Ｎ、コダツク社のKMPR−809等があ
り、ネガタイプのレジストとして東京応化の
OMR−83や感光性ポリイミド前駆体である東レ
のフオトニースUR3100、メルク社のSelectilux
HTR等の如く各種商品名のものが市販されてい
る。）を塗布し、ゲート電極上の所望の部分に開
口部を設けるようにしたマスクパターンを形成す
る（第３図Ｃ）。上記開口部のゲート電極の金属
をホウ酸アンモニウム水溶液、リン酸、クエン酸
等の電解液中にて電圧値約50〜200V程度で陽極
酸化し、膜厚500〜2000Åの絶縁膜を形成してこ
の膜をゲート絶縁膜２０とする（第３図Ｄ）。ゲ
ート絶縁膜２０を形成した後、レジスト膜を剥離
液や有機溶剤で除去する（第３図Ｅ）。半導体膜
２１とソース・ドレイン電極２２，２３をそれぞ
れ膜付着とエツチングやリフトオフ等によつてパ
ターン化する。また第３図Ａにて形成された透明
導電膜のソース・バー（図示せず）とソース電極
を連結する（第３図Ｆ）。
す断面図である。まずガラス等の絶縁基板１５上
にベースコート１６を施し、その上にITO（In2O3
＋SnO2）、SnO2等の透明導電膜１７を蒸着やス
パツタ等で500〜2000Å程度の厚さに付着し、こ
の透明導電膜上に有機感光性材料により所望形状
のマスクパターンを形成した後、不要部分をエツ
チングすることによりゲート・バーが形成される
（第３図Ａ）。次に陽極酸化されるべき金属、例え
ばAl、Ta等を蒸着、スパツタやイオンプレーテ
イング等で1000〜2000Å程度付け、ゲート・バー
上に薄膜トランジスタ部となる領域を残し、不要
となる領域をウエツト・エツチングあるいはドラ
イ・エツチングにより除去してゲートのパツド１
８を形成する（第３図Ｂ）。上記基板上に基板と
の密着性に優れかつ耐圧の大きいホトレジスト１
９（例えばポジタイプのホトレジストとしてシプ
レイフアーイースト社のAZ−1350、AZ−1470、
AZ−1470Zや1300−37タイプ、メルク社の
Selectilux Ｎ、コダツク社のKMPR−809等があ
り、ネガタイプのレジストとして東京応化の
OMR−83や感光性ポリイミド前駆体である東レ
のフオトニースUR3100、メルク社のSelectilux
HTR等の如く各種商品名のものが市販されてい
る。）を塗布し、ゲート電極上の所望の部分に開
口部を設けるようにしたマスクパターンを形成す
る（第３図Ｃ）。上記開口部のゲート電極の金属
をホウ酸アンモニウム水溶液、リン酸、クエン酸
等の電解液中にて電圧値約50〜200V程度で陽極
酸化し、膜厚500〜2000Åの絶縁膜を形成してこ
の膜をゲート絶縁膜２０とする（第３図Ｄ）。ゲ
ート絶縁膜２０を形成した後、レジスト膜を剥離
液や有機溶剤で除去する（第３図Ｅ）。半導体膜
２１とソース・ドレイン電極２２，２３をそれぞ
れ膜付着とエツチングやリフトオフ等によつてパ
ターン化する。また第３図Ａにて形成された透明
導電膜のソース・バー（図示せず）とソース電極
を連結する（第３図Ｆ）。
以上の工程により薄膜トランジスタが形成され
る。
る。
次に上記薄膜トランジスタを保護するために
Si3N4、SiO2または配向膜を兼用した有機膜等を
CVD法、プラズマCVD法、蒸着法または塗布法
等により形成し、ラビングまたは斜方蒸着法等に
よる配向処理を行なつた後、対向基板とシール材
を介して貼り合わせることにより液晶セルが形成
される。この液晶セルに液晶を注入し、注入口を
封止してマトリツクス型液晶表示装置が作製され
る。
Si3N4、SiO2または配向膜を兼用した有機膜等を
CVD法、プラズマCVD法、蒸着法または塗布法
等により形成し、ラビングまたは斜方蒸着法等に
よる配向処理を行なつた後、対向基板とシール材
を介して貼り合わせることにより液晶セルが形成
される。この液晶セルに液晶を注入し、注入口を
封止してマトリツクス型液晶表示装置が作製され
る。
次にゲート電極の金属とゲート・パツドの透明
導電膜を連結する他の従来方式について第４図を
参照しながら説明する。基板２４上にベースコー
ト２５を施し、その上に透明導電膜を付けたのち
ゲート・バー２６及びソース・バー（図示せず）
となるべきパターンをホトレジストによりパター
ン化し透明導電膜をエツチングする（第４図Ａ）。
この場合、第３図の例と異なり、ゲート絶縁膜が
形成される部分には透明導電膜は存在しない。次
に陽極酸化されるべき金属を付けた後エツチング
によりパターン化し、透明導電膜で形成したゲー
ト・バー２６間に架設することによりゲート電極
２７とし、ゲート電極２７とゲート・バー２６を
連結させる（第４図Ｂ）。次に陽極酸化する領域
以外の部分をレジスト２８でマスクして陽極酸化
処理し、ゲート絶縁膜２９を形成する（第４図
Ｃ，Ｄ）。レジスト２８を剥離し、ゲート電極２
７、ゲート絶縁膜２９及びゲート・バー２６の形
成が完了する（第４図Ｅ）。半導体層３０、ソー
ス電極３１及びドレイン電極３２を形成し、薄膜
トランジスタが形成される（第４図Ｆ）。以後の
工程は前述した通りである。この方式ではゲート
絶縁膜の下に透明導電膜がなく、これによつて、
陽極酸化時に陽極酸化される金属のピンホールに
よる透明導電膜を電解液との接触に起因する酸素
発生とそれに伴う化成膜の損傷は免れる。しかし
ながら、透明導電膜上のマスクのレジストにピン
ホールがあるかあるいは陽極酸化時の電圧に対し
てレジストの一部分に弱い部分があれば、レジス
トが絶縁破壊を起し、電解液と下の透明導電膜と
が接触して短絡するため陽極酸化膜の成長に支障
をきたす場合がある。
導電膜を連結する他の従来方式について第４図を
参照しながら説明する。基板２４上にベースコー
ト２５を施し、その上に透明導電膜を付けたのち
ゲート・バー２６及びソース・バー（図示せず）
となるべきパターンをホトレジストによりパター
ン化し透明導電膜をエツチングする（第４図Ａ）。
この場合、第３図の例と異なり、ゲート絶縁膜が
形成される部分には透明導電膜は存在しない。次
に陽極酸化されるべき金属を付けた後エツチング
によりパターン化し、透明導電膜で形成したゲー
ト・バー２６間に架設することによりゲート電極
２７とし、ゲート電極２７とゲート・バー２６を
連結させる（第４図Ｂ）。次に陽極酸化する領域
以外の部分をレジスト２８でマスクして陽極酸化
処理し、ゲート絶縁膜２９を形成する（第４図
Ｃ，Ｄ）。レジスト２８を剥離し、ゲート電極２
７、ゲート絶縁膜２９及びゲート・バー２６の形
成が完了する（第４図Ｅ）。半導体層３０、ソー
ス電極３１及びドレイン電極３２を形成し、薄膜
トランジスタが形成される（第４図Ｆ）。以後の
工程は前述した通りである。この方式ではゲート
絶縁膜の下に透明導電膜がなく、これによつて、
陽極酸化時に陽極酸化される金属のピンホールに
よる透明導電膜を電解液との接触に起因する酸素
発生とそれに伴う化成膜の損傷は免れる。しかし
ながら、透明導電膜上のマスクのレジストにピン
ホールがあるかあるいは陽極酸化時の電圧に対し
てレジストの一部分に弱い部分があれば、レジス
トが絶縁破壊を起し、電解液と下の透明導電膜と
が接触して短絡するため陽極酸化膜の成長に支障
をきたす場合がある。
＜発明の目的＞
本発明は上記TFTを有する液晶表示装置に於
いて、特にゲート電極に陽極酸化可能な金属、ゲ
ートバーに透明導電膜を用いたTFTを基板上に
形成し、マトリツクス型液晶表示装置を作製する
製造技術を提供することを目的とするものであ
る。
いて、特にゲート電極に陽極酸化可能な金属、ゲ
ートバーに透明導電膜を用いたTFTを基板上に
形成し、マトリツクス型液晶表示装置を作製する
製造技術を提供することを目的とするものであ
る。
＜実施例＞
第５図は本発明の一実施例を説明するTFT基
板の製造工程図であり、Ａ乃至Ｈは断面図、
A′乃至H′はそれぞれ対応する平面図である。ベ
ースコートを施した基板３３上に陽極酸化可能な
金属を付け、エツチングによりゲート・バー３４
を形成する（第５図Ａ，A′）。次にゲート・バー
３４上のゲート絶縁膜となる領域以外の部分をホ
トレジスト３５でマスクする（第５図Ｂ，B′）。
露出しているゲート・バー３４の陽極酸化を行な
つて厚さ500〜3000Å程度のゲート絶縁膜３６を
形成する（第５図Ｃ，C′）。次にマスクのホトレ
ジストを剥離液または有機溶剤で取り除く（第５
図Ｄ，D′）。ゲート・バー３４の陽極酸化した部
分及びその両端の陽極酸化されていない金属のう
ち、後に形成される透明導電膜のゲート・バーと
連結するために必要な部分をホトレジスト３７で
マスクする（第５図Ｅ，E′）。マスクされた部分
以外のゲート・バー３４をエツチングで除去した
後、ホトレジスト３７を取り除く（第５図Ｆ，
F′）。この上にITO、SnO2等の透明導電膜３８を
蒸着法あるいはスパツタリング法等で堆積する
（第５図Ｇ，G′）。透明導電膜３８をホトレジス
トでマスクした後、エツチングすることによりパ
ターン化しゲート・バーとする。ゲート・バーは
金属部と透明導電膜とが重なつた状態で連結され
る（第５図Ｈ，H′）。以後の工程は前述した如く
であり、ゲート絶縁膜３６上に硫化物、セレン化
物、Te、アモルフアスシリコン、多結晶シリコ
ン等の半導体層を堆積した後、ソース電極及びド
レイン電極を形成し、TFTとする。TFTの基板
への配置は第２図と同様な構成とし、これを液晶
表示装置のセル基板の一方としてこのTFT基板
に対向基板を接着し、その間隙にツイストネマテ
イツク構造等の液晶層を注入する。TFTを動作
させるとともに液晶層の電気光学効果を利用する
ことによりドツトマトリツクス型の表示を実行す
ることができる。従来では金属のゲート電極と透
明導電膜のゲート・バーを形成したのちに陽極酸
化を行なつたが、本実施例では金属でバーを形成
し、必要部分を陽極酸化したのち、不要な部分を
エツチングで取り除き透明導電膜のゲート・バー
を形成する。従つて、マスクのレジストにピンホ
ールが生じて陽極酸化時に電解液がレジスト中に
滲みこんでも、接触するのは陽極酸化可能な金属
であるのでその部分は直ちに陽極酸化されて絶縁
膜となりカバーされるため本来の陽極酸化膜の成
長に支障をきたさない。またピンホール部の絶縁
膜は面積が小さいのでのちの不要金属部のエツチ
ング時にリフトオフされ、工程の歩留りの点でも
本実施例の製造方法は優れた結果を得ることがで
きる。
板の製造工程図であり、Ａ乃至Ｈは断面図、
A′乃至H′はそれぞれ対応する平面図である。ベ
ースコートを施した基板３３上に陽極酸化可能な
金属を付け、エツチングによりゲート・バー３４
を形成する（第５図Ａ，A′）。次にゲート・バー
３４上のゲート絶縁膜となる領域以外の部分をホ
トレジスト３５でマスクする（第５図Ｂ，B′）。
露出しているゲート・バー３４の陽極酸化を行な
つて厚さ500〜3000Å程度のゲート絶縁膜３６を
形成する（第５図Ｃ，C′）。次にマスクのホトレ
ジストを剥離液または有機溶剤で取り除く（第５
図Ｄ，D′）。ゲート・バー３４の陽極酸化した部
分及びその両端の陽極酸化されていない金属のう
ち、後に形成される透明導電膜のゲート・バーと
連結するために必要な部分をホトレジスト３７で
マスクする（第５図Ｅ，E′）。マスクされた部分
以外のゲート・バー３４をエツチングで除去した
後、ホトレジスト３７を取り除く（第５図Ｆ，
F′）。この上にITO、SnO2等の透明導電膜３８を
蒸着法あるいはスパツタリング法等で堆積する
（第５図Ｇ，G′）。透明導電膜３８をホトレジス
トでマスクした後、エツチングすることによりパ
ターン化しゲート・バーとする。ゲート・バーは
金属部と透明導電膜とが重なつた状態で連結され
る（第５図Ｈ，H′）。以後の工程は前述した如く
であり、ゲート絶縁膜３６上に硫化物、セレン化
物、Te、アモルフアスシリコン、多結晶シリコ
ン等の半導体層を堆積した後、ソース電極及びド
レイン電極を形成し、TFTとする。TFTの基板
への配置は第２図と同様な構成とし、これを液晶
表示装置のセル基板の一方としてこのTFT基板
に対向基板を接着し、その間隙にツイストネマテ
イツク構造等の液晶層を注入する。TFTを動作
させるとともに液晶層の電気光学効果を利用する
ことによりドツトマトリツクス型の表示を実行す
ることができる。従来では金属のゲート電極と透
明導電膜のゲート・バーを形成したのちに陽極酸
化を行なつたが、本実施例では金属でバーを形成
し、必要部分を陽極酸化したのち、不要な部分を
エツチングで取り除き透明導電膜のゲート・バー
を形成する。従つて、マスクのレジストにピンホ
ールが生じて陽極酸化時に電解液がレジスト中に
滲みこんでも、接触するのは陽極酸化可能な金属
であるのでその部分は直ちに陽極酸化されて絶縁
膜となりカバーされるため本来の陽極酸化膜の成
長に支障をきたさない。またピンホール部の絶縁
膜は面積が小さいのでのちの不要金属部のエツチ
ング時にリフトオフされ、工程の歩留りの点でも
本実施例の製造方法は優れた結果を得ることがで
きる。
＜発明の効果＞
以上詳述した製造方法でバーの部分を透明導電
膜にしてマトリツクス型液晶表示装置を製作した
ところ、薄膜トランジスタ自体は安定な電気的特
性が再現性良く得られ、その上に表示装置として
もTN−FEMのみならずゲストホスト型や反射
型、透過型のいかなる表示モードに対しても表示
面の「見え」を損うことなく高コントラストの表
示が可能になり、TFTを備えたことによる利点
を大いに発揮することができる。また、透明導電
膜の陽極酸化時に陽極酸化される金属のピンホー
ルに起因する酸素発生や化成膜の損傷を回避する
こともできる。
膜にしてマトリツクス型液晶表示装置を製作した
ところ、薄膜トランジスタ自体は安定な電気的特
性が再現性良く得られ、その上に表示装置として
もTN−FEMのみならずゲストホスト型や反射
型、透過型のいかなる表示モードに対しても表示
面の「見え」を損うことなく高コントラストの表
示が可能になり、TFTを備えたことによる利点
を大いに発揮することができる。また、透明導電
膜の陽極酸化時に陽極酸化される金属のピンホー
ルに起因する酸素発生や化成膜の損傷を回避する
こともできる。
第１図はTFTの一般的な構造の１例を示す断
面図である。第２図はマトリツクス型液晶表示装
置のTFT及びその周辺部の拡大構成図である。
第３図及び第４図はそれぞれ従来のTFTの各製
作工程を示す断面図である。 第５図は本発明の一実施例を説明するTFT基
板の製造工程図である。 ３３……基板、３４……ゲート・バー、３６…
…ゲート絶縁膜、３８……透明導電膜。
面図である。第２図はマトリツクス型液晶表示装
置のTFT及びその周辺部の拡大構成図である。
第３図及び第４図はそれぞれ従来のTFTの各製
作工程を示す断面図である。 第５図は本発明の一実施例を説明するTFT基
板の製造工程図である。 ３３……基板、３４……ゲート・バー、３６…
…ゲート絶縁膜、３８……透明導電膜。
Claims (1)
- １ 基板上に形成されたゲート電極となる金属を
陽極酸化してゲート絶縁膜を形成した後、ゲート
電極領域以外の前記金属を除去し、残存する前記
金属の陽極酸化されない両端部と電気的に接続さ
れる透明導電膜を堆積してゲート電極ラインを形
成し、前記ゲート絶縁膜上には薄膜トランジスタ
を構成するとともに前記基板を一方のセル基板と
して液晶表示セルを作製することを特徴とする液
晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57216318A JPS59105617A (ja) | 1982-12-08 | 1982-12-08 | 液晶表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57216318A JPS59105617A (ja) | 1982-12-08 | 1982-12-08 | 液晶表示装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59105617A JPS59105617A (ja) | 1984-06-19 |
| JPH0334045B2 true JPH0334045B2 (ja) | 1991-05-21 |
Family
ID=16686644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57216318A Granted JPS59105617A (ja) | 1982-12-08 | 1982-12-08 | 液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59105617A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012067053A1 (ja) | 2010-11-18 | 2012-05-24 | 帝人ファイバー株式会社 | 織物および衣料 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2620240B2 (ja) * | 1987-06-10 | 1997-06-11 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
| JPH01219721A (ja) * | 1988-02-19 | 1989-09-01 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 金属絶縁物構造体及び液晶表示装置 |
| US6713783B1 (en) | 1991-03-15 | 2004-03-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Compensating electro-optical device including thin film transistors |
| JP3172841B2 (ja) * | 1992-02-19 | 2001-06-04 | 株式会社日立製作所 | 薄膜トランジスタとその製造方法及び液晶表示装置 |
| KR100659710B1 (ko) * | 2003-11-29 | 2006-12-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광 표시 장치 및 그 표시 패널 |
-
1982
- 1982-12-08 JP JP57216318A patent/JPS59105617A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012067053A1 (ja) | 2010-11-18 | 2012-05-24 | 帝人ファイバー株式会社 | 織物および衣料 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59105617A (ja) | 1984-06-19 |
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