JPH0334193A - 半導体記憶装置 - Google Patents
半導体記憶装置Info
- Publication number
- JPH0334193A JPH0334193A JP1166644A JP16664489A JPH0334193A JP H0334193 A JPH0334193 A JP H0334193A JP 1166644 A JP1166644 A JP 1166644A JP 16664489 A JP16664489 A JP 16664489A JP H0334193 A JPH0334193 A JP H0334193A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- data
- volatile memory
- semiconductor memory
- address
- speed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Static Random-Access Memory (AREA)
- Memory System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高速揮発性メモリと不揮発性メモリを内蔵す
る半導体記憶装置に係り、特に高速揮発性メモリから不
揮発性メモリへのデータ転送に関する。
る半導体記憶装置に係り、特に高速揮発性メモリから不
揮発性メモリへのデータ転送に関する。
半導体メモリは小型、大容量、高速アクセスという利点
があるが、その反面、電源を落とすとデータが消える。
があるが、その反面、電源を落とすとデータが消える。
いわゆる揮発性メモリであるという欠点がある。このた
め、半導体記憶装置では例えば、特開昭６０−４５８５
７号公報に記載のように停電時、あるいは業務終了に伴
う電源切断時におけるアンロードにおいては半導体メモ
リ内のデータを全て、磁気ディスク等の不揮発性メモリ
に転送している。
め、半導体記憶装置では例えば、特開昭６０−４５８５
７号公報に記載のように停電時、あるいは業務終了に伴
う電源切断時におけるアンロードにおいては半導体メモ
リ内のデータを全て、磁気ディスク等の不揮発性メモリ
に転送している。
上記従来技術は、データ退避時間の短縮については配慮
されておらず、半導体メモリの記憶容量が増加するとこ
れに伴ないデータの退避時間が増すという問題があった
。このため、業務終了後もオペレータは全データを退避
し終わるまで拘束されていた。
されておらず、半導体メモリの記憶容量が増加するとこ
れに伴ないデータの退避時間が増すという問題があった
。このため、業務終了後もオペレータは全データを退避
し終わるまで拘束されていた。
また、停電時においてはバッテリを用いて退避を行うが
、データ退避時間が長いためにバッテリの放電時間もこ
れに伴ない長くなり、バッテリが大容量化し、装置が大
型化するという問題があった。
、データ退避時間が長いためにバッテリの放電時間もこ
れに伴ない長くなり、バッテリが大容量化し、装置が大
型化するという問題があった。
本発明の目的は、半導体メモリ等の高速揮発性メモリか
ら磁気ディスク等の不揮発性メモリにデータを退避する
際の退避時間を短縮するような半導体記憶装置を提供す
ることにある。
ら磁気ディスク等の不揮発性メモリにデータを退避する
際の退避時間を短縮するような半導体記憶装置を提供す
ることにある。
上記目的は、半導体記憶装置内に高速の揮発性メモリ内
の書き変えられたデータのアドレスを記憶する機能を備
え１、データ退避時この記憶されたアドレスのみデータ
を読み出して磁気ディスク等の不揮発性メモリに書込む
ための制御機能を備えることにより達成される。
の書き変えられたデータのアドレスを記憶する機能を備
え１、データ退避時この記憶されたアドレスのみデータ
を読み出して磁気ディスク等の不揮発性メモリに書込む
ための制御機能を備えることにより達成される。
通常動作時、上位装置からの書込み命令により高速の揮
発性メモリにデータを書込む。この時この番地をアドレ
ス記憶部に記憶しておく。
発性メモリにデータを書込む。この時この番地をアドレ
ス記憶部に記憶しておく。
データ退避時この番地を読出すことにより書変えられた
番地を知ることができるのでこの番地のデータのみを退
避することにより退避時間を短縮することができる。
番地を知ることができるのでこの番地のデータのみを退
避することにより退避時間を短縮することができる。
以下、本発明の一実施例を第１図により詳細に説明する
。
。
第１図は、本発明の半導体記憶′！Ａ置を示すブロック
図である。
図である。
第１図において、１は半導体記憶装置、２はマイクロプ
ロセッサ、３はデータを記憶しておく高速揮発性メモリ
の半導体メモリ部、４はデータバックアップ用の不揮発
性メモリであり１本実施例では磁気ディスク装置、５は
上位装置との接点であるインターフェース制御部、６は
データ転送制御部、７は半導体メモリ３内の書き変えら
れたデータの番地を記憶しておくアドレス記憶部、８は
半導体メモリ部３のデータの書き変えられた部分を磁気
ディスク装置４に書き込むための制御を行うアンロード
制御部、９は半導体記憶装置ｌの電源投入時、磁気ディ
スク装置４のデータを半導体メモリ部３にロードするた
めの制御を行うロード制御部、１０は電源制御部、１↓
は半導体記憶装置１全体に電力を供給すると共にバッテ
リを含む電源部、１２は読み取り、書き出しのタイミン
グを知るためのタイミング回路である。又、矢印の細線
は制御信号の流れ、太線はデータの流れを示している。
ロセッサ、３はデータを記憶しておく高速揮発性メモリ
の半導体メモリ部、４はデータバックアップ用の不揮発
性メモリであり１本実施例では磁気ディスク装置、５は
上位装置との接点であるインターフェース制御部、６は
データ転送制御部、７は半導体メモリ３内の書き変えら
れたデータの番地を記憶しておくアドレス記憶部、８は
半導体メモリ部３のデータの書き変えられた部分を磁気
ディスク装置４に書き込むための制御を行うアンロード
制御部、９は半導体記憶装置ｌの電源投入時、磁気ディ
スク装置４のデータを半導体メモリ部３にロードするた
めの制御を行うロード制御部、１０は電源制御部、１↓
は半導体記憶装置１全体に電力を供給すると共にバッテ
リを含む電源部、１２は読み取り、書き出しのタイミン
グを知るためのタイミング回路である。又、矢印の細線
は制御信号の流れ、太線はデータの流れを示している。
まず、半導体記憶装置■の電源を投入すると、磁気ディ
スク装置４の全データが半導体メモリ部３にロードされ
る。そして通常動作時には、上位装置は半導体メモリ部
３よりデータを読み書きする。又、通常動作時には半導
体メモリ部３に書き込まれたデータの番地をアドレス記
憶部７に記憶させておく。
スク装置４の全データが半導体メモリ部３にロードされ
る。そして通常動作時には、上位装置は半導体メモリ部
３よりデータを読み書きする。又、通常動作時には半導
体メモリ部３に書き込まれたデータの番地をアドレス記
憶部７に記憶させておく。
次に通常動作時のアンロード動作について説明する。半
導体記憶装置１の電源を落とす指示が出されると、電源
制御部１０がこの指示を検出しマイクロプロセッサ２に
割り込み、アンロード動作の開始を指示する。マイクロ
プロセッサ２はこの割り込みにより電源部１１より供給
されてくる磁気ディスク装置４の電源を投入する。通常
のアンロード動作時にはバッテリは使用しない。次にマ
イクロプロセッサ２はアンロード制御部８を通して半導
体メモリ部３の読み出し回路を起動して、半導体メモリ
部３の先頭アドレスの読み出し回路を起動して先頭アド
レスからの読み出し準備を行わせる。
導体記憶装置１の電源を落とす指示が出されると、電源
制御部１０がこの指示を検出しマイクロプロセッサ２に
割り込み、アンロード動作の開始を指示する。マイクロ
プロセッサ２はこの割り込みにより電源部１１より供給
されてくる磁気ディスク装置４の電源を投入する。通常
のアンロード動作時にはバッテリは使用しない。次にマ
イクロプロセッサ２はアンロード制御部８を通して半導
体メモリ部３の読み出し回路を起動して、半導体メモリ
部３の先頭アドレスの読み出し回路を起動して先頭アド
レスからの読み出し準備を行わせる。
マイクロプロセッサ２はアドレス記憶部７を参照しなが
ら、半導体メモリ３に書き込みが行われたメモリアドレ
スのデータを磁気ディスク装置４のデータフォーマット
に従って磁気ディスク装置４に書き込む。この時、半導
体メモリ部３のアドレスは先頭から順に読まれ、書き変
えられたアドレスのデータのみを磁気ディスク装置４に
転送する。書き込みが終了すると磁気ディスク装置４の
電源は切られる。マイクロプロセッサ２はアンロード完
了信号を電源制御部１０へ送り、電源制御部１０は電源
切断を上位装置へ報告すると同時に装置全体の電源を切
断する。通常のアンロード動作は以上述べた通りである
。
ら、半導体メモリ３に書き込みが行われたメモリアドレ
スのデータを磁気ディスク装置４のデータフォーマット
に従って磁気ディスク装置４に書き込む。この時、半導
体メモリ部３のアドレスは先頭から順に読まれ、書き変
えられたアドレスのデータのみを磁気ディスク装置４に
転送する。書き込みが終了すると磁気ディスク装置４の
電源は切られる。マイクロプロセッサ２はアンロード完
了信号を電源制御部１０へ送り、電源制御部１０は電源
切断を上位装置へ報告すると同時に装置全体の電源を切
断する。通常のアンロード動作は以上述べた通りである
。
又、停電時にも上記の動作を行うが、電源部１１はバッ
テリを用いて作動する。
テリを用いて作動する。
上記実施例では１通常のアンロード動作時、半導体メモ
リ部３に書き込まれたデータのみを磁気ディスク装置に
退避していたが、データ退避時間が問題とならない場合
は、全データを転送しても良い。
リ部３に書き込まれたデータのみを磁気ディスク装置に
退避していたが、データ退避時間が問題とならない場合
は、全データを転送しても良い。
このように、磁気ディスク装置４に全データを退避する
のに比べて、半導体メモリ部３の書き変えられたデータ
のみを転送するため、転送時間が大巾に短縮される。
のに比べて、半導体メモリ部３の書き変えられたデータ
のみを転送するため、転送時間が大巾に短縮される。
また、停電時にはデータ転送時間の短縮に伴ない、バッ
テリの放電時間が減少するためバッテリの長寿命化とと
もに小型化がはかれる。
テリの放電時間が減少するためバッテリの長寿命化とと
もに小型化がはかれる。
本発明によれば半導体記憶装置の電源断時、ｉ！′６速
揮発性メモリ内の書変えが行われた番地のみのデータを
不揮発性記憶装置に退避させるので、退避時間が短縮さ
れるという効果がある。
揮発性メモリ内の書変えが行われた番地のみのデータを
不揮発性記憶装置に退避させるので、退避時間が短縮さ
れるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例の半導体記憶装置の機能ブロ
ック図である。 １・・・半導体記憶装置、２・・マイクロプロセソサ。 ３・・・半導体メモリ部５４・・・磁気ディスク装置、
５・・・インタフェース制御部、６・・・データ転送制
御部、７・・・アドレス記憶部、８・・・アンロード制
御部、９・・ロード制御部、１０・・電源制御部、１１
・・電源部。
ック図である。 １・・・半導体記憶装置、２・・マイクロプロセソサ。 ３・・・半導体メモリ部５４・・・磁気ディスク装置、
５・・・インタフェース制御部、６・・・データ転送制
御部、７・・・アドレス記憶部、８・・・アンロード制
御部、９・・ロード制御部、１０・・電源制御部、１１
・・電源部。
Claims (1)
- １、高速揮発性メモリと不揮発性メモリとを具備し、上
位装置とのデータ転送開始前に前記不揮発性メモリ内の
データを前記高速揮発性メモリにロードし、業務終了時
、あるいは停電時に前記高速揮発性メモリ内のデータを
前記不揮発性メモリに転送する半導体記憶装置において
、前記高速揮発性メモリ内の書きかえられたデータのア
ドレスを記憶するアドレス記憶部を設け、前記高速揮発
性メモリ内のデータを前記不揮発性メモリに転送する際
、前記アドレス記憶部に記憶されたアドレスのデータの
みを転送することを特徴とする半導体記憶装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1166644A JPH0334193A (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 半導体記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1166644A JPH0334193A (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 半導体記憶装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0334193A true JPH0334193A (ja) | 1991-02-14 |
Family
ID=15835093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1166644A Pending JPH0334193A (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 半導体記憶装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0334193A (ja) |
-
1989
- 1989-06-30 JP JP1166644A patent/JPH0334193A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6693840B2 (en) | Non-volatile semiconductor memory device with enhanced erase/write cycle endurance | |
| JP2003091463A (ja) | メモリ装置 | |
| JPH11272427A5 (ja) | データ退避方法および外部記憶装置ならびに記憶システム | |
| JPH10187302A (ja) | データ記憶システム及び同システムに適用する電力節約方法 | |
| JPH0334193A (ja) | 半導体記憶装置 | |
| JPH0411897B2 (ja) | ||
| JPH064228A (ja) | 半導体ディスク装置 | |
| JPH04112318A (ja) | 半導体記憶装置 | |
| JPH0744982A (ja) | データ記録再生装置及びデータ書込み制御方法 | |
| JPS63280357A (ja) | デ−タ退避／復旧方式 | |
| JPS61210453A (ja) | デ−タ記憶装置 | |
| JPS58144270A (ja) | 記憶装置システム | |
| JP2002042479A (ja) | 半導体記憶装置 | |
| JPH11353120A (ja) | 磁気ディスク装置およびライトデータのバックアップ方法 | |
| JPS63285657A (ja) | 記憶装置 | |
| JPH04358243A (ja) | 半導体ディスク装置 | |
| JPH036643A (ja) | フロッピィディスク装置 | |
| JP2003131955A (ja) | データバックアップ回路 | |
| JPH04105110A (ja) | 電源制御装置 | |
| JP2000066843A (ja) | ディスクアレイ装置 | |
| JPH04291644A (ja) | 半導体記憶装置 | |
| JP2564090Y2 (ja) | データ記録回路 | |
| JPH0535411A (ja) | キヤツシユメモリ回路 | |
| JPH09161489A (ja) | 不揮発性メモリ装置 | |
| JPH01191247A (ja) | 計算機の記憶保持装置 |