JPH0334204B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明は、積層セラミツクコンデンサを得た
後で、容量の調整を行なうための方法に関するも
のである。なお、この発明でいう「容量調整」と
は、完成後の積層セラミツクコンデンサに対して
微少な容量調整を行なう「容量トリミング」の概
念に留まらず、より広い範囲にわたつて容量を変
更するような容量調整も含まれる。

従来の技術 従来、完成後の積層セラミツクコンデンサの容
量調整を行なう１つの方法として、サンドブラス
ト法による容量トリミングがある。すなわち、積
層セラミツクコンデンサの外表面からサンドブラ
ストを与え、内部にある内部電極にまで届くよう
に穴をあけ、内部電極の一部を削り取つて、内部
電極の有効重なり面積を減少させる方法である。
この方法は、微少容量偏差が要求される積層セラ
ミツクコンデンサの製造に一部使用されている。

また、完成後の積層セラミツクコンデンサの容
量調整を行なう他の方法として、積層セラミツク
コンデンサの外表面に内部電極と対向するトリミ
ング用電極を設けておいて、これをサンドブラス
ト法などにより削り取り、容量の調整を行なおう
とする方法もある。

発明が解決しようとする問題点 上述した２つの典型的な従来の容量調整方法
は、微少範囲での容量調整には適した方法である
と言えるが、広い範囲にわたつての容量値の調整
には適さない。また、内部電極またはトリミング
用電極を削るとき、比較的大きな機械的衝撃が、
積層セラミツクコンデンサの一部に加わる。とこ
ろが、このような機械的衝撃が加わる部分は、内
部電極やトリミング用電極といつた、容量形成に
直接関与する部分であるので、積層セラミツクコ
ンデンサそのものの特性に悪影響を及ぼすことが
あり得る。

また、特に前述した前者の方法では、トリミン
グの結果として残された穴は、ガラス成分などに
より埋められることになる。そのため、余分な手
間を必要とし、さらに、穴の存在により、たとえ
それを埋めたとしても、信頼性の面で問題が残る
ことになる。

そこで、この発明は、積層セラミツクコンデン
サそのものの特性に悪影響を及ぼすことなく、ま
た、より広い範囲での容量調整を簡単に実施でき
る、積層セラミツクコンデンサの容量調整方法を
提供することを目的とするものである。

問題点を解決するための手段 この発明では、積層体の内部で延びる内部電極
の一部から積層体の表面に向う容量形成に関与し
ない引出電極が積層体の表面において外部電極と
電気的に接続されているとき、外部電極を、引出
電極のうちの特定のものと接する部分において除
去し、それによつて外部電極と特定の内部電極と
の電気的接続を断つようにしたことを特徴として
いる。

作用効果 この発明においては、外部電極の部分的な除去
により、或る特定の数の内部電極すべてが容量形
成に寄与し得なくするものである。したがつて、
容量調整の範囲が広くなり、極端に言えば、０〜
100％の範囲での容量調整が可能である。また、
この発明では、このような容量調整を行なうため
に除去される外部電極と引出電極との接続部分
は、本来的に、容量形成に関与する場所ではない
ので、このような除去により、積層セラミツクコ
ンデンサそのものの特性に悪影響が及ぼされるこ
とはない。また、積層セラミツクコンデンサの積
層体に穴をあけることはないので、その後の穴埋
めの工程も不要であり、能率的に容量調整を行な
うことができるとともに、穴の存在による信頼性
の低下も防止できる。

実施例 第１図ないし第５図は、この発明の一実施例を
説明するための図である。

まず、第４図に示すような積層セラミツクコン
デンサ１を製造するにあたり、第１図および第２
図にそれぞれ示すセラミツク誘電体層２，３が交
互に積層されて、その後、一体に焼成すると、第
３図に示すような積層体４が得られる。積層体４
の内部に形成されている内部電極の状態は、次の
ような特徴がある。

第１図のセラミツク誘電体層２の一方主表面上
には、内部電極５が形成され、この内部電極５の
図による下辺の左端から下方へ延びて引出電極６
が形成されている。引出電極６は、セラミツク誘
電体層２の端縁にまで延びている。他方、第２図
に示すセラミツク誘電体層３の一方主表面上に
は、内部電極７が形成され、この内部電極７の図
による上辺の右端から上方へ延びて引出電極８が
形成されている。この引出電極８も、セラミツク
誘電体層３の端縁にまで延びている。これらのセ
ラミツク誘電体層２，３が交互に積層されたと
き、第３図に示すように、積層体４の寸法Ｗがセ
ラミツク誘電体層２，３の幅方向寸法Ｗと一致す
るようになり、かつ、積層体４の寸法Ｔが寸法Ｗ
より大きくなるように各セラミツク誘電体層２，
３の積層数が選ばれる。

したがつて、第３図において、積層体４内で延
びる内部電極５，７は、垂直方向に向いている。
そして、一方の引出電極６は、積層体４の第３図
における下面の左側に偏つた位置に露出して並
ぶ。他方、引出電極８は、積層体４の上面の右側
に寄つた位置に露出して並ぶ。

第３図の積層体４に対して、第４図に示すよう
に、外部電極９，１０が形成される。外部電極９
は、引出電極６が露出する部分において積層体の
表面を覆うように形成される。外部電極１０は、
引出電極８が露出する部分において積層体４の表
面を覆うように形成される。

この実施例では、外部電極９，１０は、いずれ
も、積層体１の相対向する端面とそれに隣接する
面の各一部を覆うように形成され、引出電極６，
８の露出部分を少なくとも覆うように形成されて
いる。しかしながら、外部電極９，１０の端縁９
ａ，１０ａが互いに平行にかつ斜めに延びている
ことから明らかなように、外部電極９，１０は、
引出電極６，８と接触しない部分においては、よ
り狭い領域にしか形成されていない。すなわち、
第４図に現われている面で説明すると、外部電極
９の部分９ｂは、外部電極１０の部分１０ｂより
幅が狭くなつている。このことは、後で説明する
外部電極の一部除去を行なうべき部分（外部電極
１０についていえば部分１０ｂ）の判別を容易に
行なえるようにするためである。また、たとえ
ば、引出電極８を覆うように形成される外部電極
１０は、部分１０ｂにおいて比較的広い面積で形
成されなければならない。そのため、もう一方の
外部電極９の部分９ｂとの距離が短くなる傾向に
ある。この距離が短い場合、このような積層セラ
ミツクコンデンサ１が実装されたとき、短絡のお
それがあり、できるだけこの距離を長くするほう
が好ましい。その手段として、外部電極９の部分
９ｂの幅を狭くすることが有効である。なお、第
４図の積層セラミツクコンデンサ１の裏側につい
ても同様の構成である。

積層セラミツクコンデンサ１は、第４図に示す
ように、適当な回路基板１１上の導電経路１２，
１３上にはんだ（図示せず）等により実装され
る。この積層セラミツクコンデンサ１は、第４図
に示すような実装状態においても、容易に容量調
整を行なうことができる。

第５図を参照して、積層セラミツクコンデンサ
１に対して、容量調整が行なわれている、あるい
は行なわれた後の状態が示されている。外部電極
１０の部分１０ｂに注目すると、そこには、一部
除去された部分が示されている。これによつて、
引出電極８のうち特定の引出電極、すなわち引出
電極８ａ，８ｂが積層体４の表面に直接露出して
おり、これらの引出電極８ａ，８ｂは、外部電極
１０との電気的接続が断たれている。したがつ
て、この状態にある積層セラミツクコンデンサ１
は、引出電極８ａ，８ｂに連なる内部電極７が寄
与していた容量分だけ減少された全体容量を持つ
ことになる。外部電極１０の特定の部分の除去
は、周知のサンドブラスト法またはレーザトリミ
ング法を用いることができる。

なお、積層セラミツクコンデンサ１の実装後に
おいて容量調整を行なう場合、積層セラミツクコ
ンデンサ１の実装に際しては、第４図に示した積
層セラミツクコンデンサ１の下方に向く面を上に
してもよい。そのようにしたとしても、今度は、
引出電極６が外部電極９と接する側の面が現わ
れ、外部電極９を部分的に除去することにより同
様の容量調整を行なうことができる。したがつ
て、第４図に示すような積層セラミツクコンデン
サ１は、実装に際しては、表裏を選ばず、したが
つて、実装の誤りも生じ得ない。

上述のように、実装状態で、容量調整が行なえ
るので、この積層セラミツクコンデンサ１は、そ
のユーザ側で簡単に容量調整ができるようにな
り、有利である。

第６図ないし第８図は、この発明が適用される
積層セラミツクコンデンサの他の例を示してい
る。この例では、第６図および第７図にそれぞれ
示すセラミツク誘電体層１４，１５が交互に積層
されて、第８図に示すような積層セラミツクコン
デンサ１６を構成している。

第６図のセラミツク誘電体層１４の一方主表面
上には、内部電極１７と、この内部電極１７の図
による左辺の中央部から左方へ延びる引出電極１
８とが形成される。第７図のセラミツク誘電体層
１５の一方主表面には、内部電極１９と、内部電
極１９の右辺の中央部から右方へ延びる引出電極
２０とが形成される。

第８図に示すように、積層体２１の両端部にそ
れぞれ外部電極２２，２３が形成されたとき、外
部電極２２は引出電極１８と電気的に接続される
状態となり、外部電極２３は引出電極２０と電気
的に接続される状態となる。

第８図において、外部電極２３には、一部除去
された部分があり、これによつて、引出電極２０
ａが外部に露出した状態となつている。したがつ
て、引出電極２０ａが寄与していた容量分が削減
される。

以上述べた２種類の積層セラミツクコンデンサ
１および１６における引出電極６，７および１
８，１９は、容量形成に関与するものではなく、
当該引出電極を引出す内部電極５，７および１
７，１９の辺の長さよりも狭い幅で延びている。
したがつて、外部電極のわずかな部分を除去する
だけで、特定の内部電極との電気的接続を断つこ
とができる。しかしながら、引出電極は、当該引
出電極を引出す内部電極の辺の長さと同じ幅で延
びていてもよい。

この発明の容量調整方法は、特に、非連続的
な、すなわち段階的な容量調整を行なうのに適し
ている。したがつて、たとえば、水晶発振式時計
の場合を例にとると、そこに含まれるトリマコン
デンサの可変範囲内で調整が不可能な場合に、こ
の発明を適用すると有利である。また、この発明
による容量調整方法は、いわゆる容量トリミング
として容量調整を行なう場合のほか、同じ積層セ
ラミツクコンデンサから、外部電極の除去程度を
変えることにより、個々の積層セラミツクコンデ
ンサの容量を変えることができるので、多品種の
積層セラミツクコンデンサを得るのに有効であ
る。

なお、１個の積層セラミツクコンデンサに含ま
れる内部電極の面積を互いに異ならせ、外部電極
との電気的接続が断たれようとする内部電極を選
ぶことにより、容量調整による変化幅を、任意に
変えることも可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は、この発明が適用される
積層セラミツクコンデンサの第１の例に含まれる
セラミツク誘電体層を示す平面図である。第３図
は、第１図および第２図に示すセラミツク誘電体
層を積層して得られた積層体を示す斜視図であ
る。第４図は、第３図の積層体を用いて得られた
積層セラミツクコンデンサを示す斜視図であり、
併せて積層セラミツクコンデンサの実装状態が示
されている。第５図は、第４図の積層セラミツク
コンデンサに対して容量調整を行なつている、あ
るいは行なわれた状態を示す平面図である。第６
図および第７図は、この発明が適用される積層セ
ラミツクコンデンサの第２の例に含まれるセラミ
ツク誘電体層を示す平面図である。第８図は、第
６図および第７図に示したセラミツク誘電体層を
用いて得られた積層セラミツクコンデンサの斜視
図であり、併せて容量調整が行なわれた状態が示
されている。 図において、１，１６は積層セラミツクコンデ
ンサ、２，３，１４，１５はセラミツク誘電体
層、４，２１は積層体、５，７，１７，１９は内
部電極、６，８，１８，２０は引出電極、９，１
０，２２，２３は外部電極、１１は回路基板であ
る。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 複数層の内部電極がセラミツク誘電体層を挟
   んで積層されて積層体を構成し、各内部電極から
   延びかつ容量形成に関与しない引出電極が積層体
   の表面に引出され、引出電極が露出する部分にお
   いて積層体の表面に外部電極が形成された、積層
   セラミツクコンデンサの容量調整方法であつて、 前記外部電極を、前記引出電極のうちの特定の
   ものと接する部分において除去し、それによつて
   外部電極と特定の内部電極との電気的接続を断つ
   ことを行なう、積層セラミツクコンデンサの容量
   調整方法。 ２ 引出電極は、当該引出電極を引出す内部電極
   の辺の長さよりも狭い幅で延びる、特許請求の範
   囲第１項記載の積層セラミツクコンデンサの容量
   調整方法。 ３ 積層セラミツクコンデンサが実装された状態
   で行なわれる、特許請求の範囲第１項または第２
   項記載の積層セラミツクコンデンサの容量調整方
   法。 ４ 積層セラミツクコンデンサの実装状態におい
   て、内部電極は実装される面に対して垂直方向に
   延び、引出電極は実装される面と平行な積層体上
   の面に引出される、特許請求の範囲第３項記載の
   積層セラミツクコンデンサの容量調整方法。