JPH036094A - インダクター及びインダクターを含む複合部品並びにそれらの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産呈上夏且里分国 本発明は、誘電性を有する磁性体材料を層状になしたも
のの両側に電極膜がパターン形成され、この外側がシー
ルドされているインダクター及び、バンドパスフィルタ
等のインダクターを含む複合部品、並びにそれらの製造
方法に関する。

丈米■肢血 上記のうち例えばバンドパスフィルタとして、第２０図
（正面図）、第２１図（底面図）、第２２図（背面図）
に示すように構成されたものがある。これは、焼成して
得た誘電体からなる基板２２０の表面２２０ａ及び裏面
２２０ｂに夫々左右対称な２つのコの字体の導電パター
ン２２１，２２２．２２３．２２４を形成し、表面２２
０ａの導電パターン２２１，２２２にアース用端子２２
５．２２５を、また裏面２２０ｂの導電パターン２゜２
３，２．２４に外部取り出し用リード端子２２６．２２
６を半田付けしたのち、リード端子２２５及びアース用
端子２２６の突出部分を除いてこれを絶縁用の樹脂浴中
に浸漬して樹脂膜（図示せず）を形成し、この外側を例
えば磁性体からなるシールドケース（図示せず）で囲ん
でシールドを施している。

このシールドは、近くに金属等の導体が存在すると周波
数特性にずれが生じるのを防止するためである。

また、インダクターやインダクターを含む他の複合部品
においても同様にしてシールドが施されている。

しよ゛　　る しかしながら、上述のようなシールド構造にあっては、
磁性体からなるシールドケースの透磁率μが周波数特性
に依存して変化するため、高周波領域においては透磁率
μの劣化が起こり、十分なシールド効果が得られなかっ
た。

また、上述のようにして製造した場合には、基板の焼成
、導電パターンの形成、端子の半田付け、樹脂中への浸
漬およびシールドケースによる被覆等、種々の製造工程
が必要であった。そこで、少ない工程で製造すべく、近
年ではシールド用の電極層を内部に組み込んだ一体的構
造に形成して焼成することにより、製造することが望ま
れているが、現実的には焼成の際にシールド電極層内部
のバンドパスフィルタ本体やインダクター本体等にＱの
劣化が生じ、実施できないという問題があった。

本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、使用
環境の周波数特性に影響されずにシールドが可能である
と共にシールド内部のインダクター等にＱの劣化が生じ
ることがない構成としたインダクター及びインダクター
を含む複合部品並びにそれらの製造方法を提供すること
を目的とする。

テ　　　７ン　るための 本発明に係るインダクターは、磁性体層を挟んでその両
側に形成されているコイルパターン電極を前記磁性体層
に穿設した貫通孔を通じて電気的に接続した構成のイン
ダクター本体と、このインダクター本体を挟んで両側に
設けてある磁性体又は絶縁体からなる一対のシート層と
、インダクター本体及び前記一対のシート層を挟んで両
側に設けてある一対のシールド電極層と、インダクター
本体、一対のシート層及び一対のシールド電極層を挟ん
で両側に設けてある磁性体又は絶縁体からなる一対の保
護層と、前記一対のシールド電極層と接続し外部に露出
させて設けてあるアース端子膜とを備える。

また、インダクターを含む複合部品は、磁性体層を挟ん
で両側にコイルパターンを含む電極を形成してなる複合
部品本体に対し、これを挟んでその両側に、インダクタ
ーの場合と同様にシート層。

シールド電極層、保護層と、アース端子膜とを備えた構
造とする。

このような構造とするのに好適なものとしてバンドパス
フィルタがある。

また、上述の構造のインダクターについては、磁性体層
を挟んでその両側に形成されているコイルパターン電極
を前記磁性体層に穿設した貫通孔を通じて電気的に接続
した構成のインダクター本体を形成する工程と、磁性体
又は絶縁体からなる保護層、シールド電極層、磁性体若
しくは絶縁体からなるシート層２前記インダクター本体
、磁性体若しくは絶縁体からなるシート層、シールド電
極層および、磁性体若しくは絶縁体からなる保護層をこ
の順に積層してなる積層体を形成する工程と、前記２つ
のシールド電極層と接続し外部に露出させてアース端子
膜を形成する工程と、前記積層体のままの状態で、或い
は積層体にアース端子膜を形成した状態で焼成する工程
とを行うと製造できる。

更に、インダクターを含む複合部品については、磁性体
層を挟んで両側にコイルパターンを含む電極を形成して
なる複合部品本体を作製する工程と、磁性体又は絶縁体
からなる保護層、シールド電極層、磁性体若しくは絶縁
体からなるシート層、前記複合部品本体、磁性体若しく
は絶縁体からなるシート層、シールド電極層及び、磁性
体若しくは絶縁体からなる保護層をこの順に積層してな
る積層体を形成する工程と、前記２つのシールド電極層
と接続し外部に露出させてアース端子膜を形成する工程
と、前記積層体のままの状態で、或いは積層体にアース
端子膜を形成した状態で焼成する工程を行うと製造でき
る。

作−一一月一 本発明のインダクターにあっては、インダクター本体と
シールド電極層との間に、磁性体又は絶縁体からなるシ
ート層が介在しているので、このシート層を厚くするこ
とにより焼成にて生じるインダクター本体のＱの劣化を
防止できる。また、シールド電極層の外側が保護層にて
覆われていると共にアース端子膜を介してアースされる
ので、使用環境の周波数に依存しない。また、このこと
はインダクターを含む複合部品やバンドパスフィルタに
おいても同様である。

更に、本発明方法によりインダクター、インダクターを
含む複合部品およびバンドパスフィルタを製造する場合
にあっては、各層を積層状態に重ねたのち一体焼成を行
えば製造でき、製造が容易である。

実−」Ｌ−傷 第１図は本発明に係るインダクターを示す外観斜視図、
第２図はその底面図、第３図は第１図の■−■線による
断面図である。このインダクターは、図示の如く複数の
層を積層したもので全体が直方体形状となっており、最
下層の２と最上層の８は、磁性体又は絶縁体からなる厚
さが２０〜５０μｍのシート状をした保護層である。そ
の内側の３と７は、例えば洞又は銀等からなるシールド
電極層、４と６は磁性体又は絶縁体からなる厚さ１〜１
．　５ｍｍのシート層であり、中央部の５は例えばスピ
ネル系フェライト等の誘電率が高い磁性体からなる厚さ
が２０〜５０μｍであるシート状の磁性体層５１，５２
，５３，５４，５５．５６を６枚重ね、これらの間に導
電材からなる電極膜がパターン形成されたインダクター
本体である。

また、図中１１は入力端子、１２は出力端子、１３はア
ース端子である。なお、保護層２．８及びシート層４，
６に用いる磁性体としては、誘電率の大きさに拘わらず
、どのようなものを用いてもよい。

上記インダクター本体５は、第４図に示すように、上か
ら５つの磁性体層５１．・・・、５５の下面に順次Ｃ形
の電極膜パターン５１ａ、・・・、５５ａが交互に向き
を逆にして形成されている。この電極膜パターン５１ａ
等は、最上の磁性体層５１に形成しである電極膜パター
ン５１ａの一端側（図中左側）に設けた入力端子片Ａと
は左右方向に順次位置を変えて磁性体層５２．・・・、
５５に貫通させて設けたパイヤホール５２ｂ、・・・、
５５ｂに導電材（図示せず）を充填して上下の電極膜パ
ターン５１ａ等の端部が接続され、前記入力端子片Ａか
ら磁性体層５５に設けた出力端子片Ｂまでが一体的に繋
がった螺線状のコイルとなされである。

なお、５７は充填した導電材と、接続すべき下側の電極
膜パターンとを確実に接続するための接合用電極である
。また、前記入力端子片Ａおよび出力端子Ｂとは磁性体
層５１等の端面に露出させてあり、インダクターの左右
端部に形成した入力端子１１及び出力端子１２と接続さ
れている。なお、前記電極膜パターン５１ａ等はＣ形に
形成しているが、これに限らすコの字形等に形成しても
よい。

上述したインダクター本体５の上下両側に設けたシール
ド電極層３．７は、第５図に示すように入力端子１１及
び出力端子１２が形成されていないインダクター側面に
露出するようにアース端子片３ａ　（７ａ）形成されて
おり、このアース端子片３ａ　（７ａ）を介してアース
端子１３に接続されている。

次に、かかる構造のインダクターの製造方法について説
明する。先ず、６つの磁性体層５１．・・・５６を用意
し、これらに所定の電極膜パターン５１ａ等を形成する
と共に、パイ中ホール５２ｂ等。

接合用電極５７．入力端子片Ａおよび出力端子片Ｂを形
成し、バイ中水−ル５２ｂ等内に導電材を充填して６つ
の磁性体層５１等を重ねる。

このようにして作製されたインダクター本体５を挟んで
両側に、第３図に示したように、シート層４．６と、シ
ールド電極層３，７と、保護Ｎ２゜８を順次積層する。

その後、インダクター側面に露出するように予め形成し
である入力端子片Ａおよび出力端子片Ｂの存在する側面
部分に夫々入力端子１１と出力端子１２を形成し、また
、シールド電極層３．７が露出する側面部分から底面縁
部にわたってアース端子１３を形成する。これにより、
入力端子１１は入力端子片Ａと、また、出力端子１２は
出力端子片Ｂと夫々接続され、アース端子１３はシール
ド電極層３．７の側面に露出させた部分と接続される。

そして、この状態のものを所定温度に保持した焼成炉内
に装入して焼成する。すると、上記構造のインダクター
が製造される。なお、上記シールド電極層３，７につい
ては、第５図に示すように、これを挟んで上下にある保
護層２等の大きさよりも若干小さく形成すると共に、中
央部やその近傍に多数個（この例では４個）の貫通孔３
ｂ（又は７ｂ）を形成し、上下層の密着性を向上させる
ようにしておくのが好ましい。この貫通孔は孔の断面を
小さくなし、シールドに支障が生じないようにする。

このようにして製造されたインダクターにおいては、各
層を積層して積層体を形成し、これを焼成して形成する
ので、異種の製造技術の数を少なくでき、これによりイ
ンダクターを容易に製造することが可能となり、また人
・出力端子、アース端子が外部に露出させて設けられて
いるので、回路基板等に表面実装をすることができる。

また、インダクター本体５とシールド電極層３，７との
間に磁性体又は絶縁体からなるシート層４．６が設けら
れているので、一体的構造に形成したのち焼成を行って
もインダクター本体５のＱが劣化することを防止できる
。また、シールド電極層３゜７の外側に保護層２．８が
形成され、シールド電極層３．７がアース端子１３を介
してアースされているので、金属等の導体がインダクタ
ーに近づいても周波数特性にずれが生じることがない。

次いで、本発明をバンドパスフィルタに適用した場合に
ついて説明する。第６図は本発明に係るバンドパスフィ
ルタを示す外観斜視図、第７図は第６図の■−■線によ
る断面図（正面図）、第８図は第７図の■−■線による
断面図（平面図）である。このバンドパスフィルタは、
第７図に示す如く複数の層を積層した直方体形状をなし
、最下層側から順に、磁性体又は絶縁体からなり、厚さ
が２０〜５０ａｍであるシート状の保護層２１、例えば
銅又は銀等からなるシールド電極層２２、磁性体又は絶
縁体からなる厚さ１〜１．５Ｍのシート層２３、銅等の
導電材料からなる裏電極膜２４．３４、例えばスピネル
系フェライト等の誘電率が高い磁性体からなり、厚さが
２０〜５０μｍであるシート状の磁性体層２５、銅等の
導電材料からなる表電極膜２６．３６、磁性体又は絶縁
体からなる厚さ１〜１．５ｍｍのシート層２７、シール
ド電極層２８及び、磁性体又は絶縁体からなり、厚さが
２０〜５０μｍであるシート状の保護層２９が設けられ
ている。上記保護層２１．２９及びシート層２３．２７
に用いる磁性体としては１、誘電率の大きさに拘わらず
、どのようなものを用いてもよい。

第８図の左側に位置する上記表電極膜２６（実線）と裏
電極膜２４（破線）とは２つのコンデンサ電極パターン
６１ａ、６２ａ、４１ａ、４２ａを１つのコイルパター
ン６３ａ、４３ａで接続したもので、平面視コの字パタ
ーン形状をしている。

前記コンデンサ電極パターン６１ａと４１ａ、及び６２
ａと４２ａは夫々磁性体層２５の表裏両面において対向
しており、磁性体層２５の誘電率、厚さ、コンデンサ電
極の対向面積によって決まる容量のコンデンサＣ１，Ｃ
２を形成している。

方、コイルパターン６３ａ、４３ａは、夫々磁性体層２
５の表裏各面において２つのコンデンサ電極パターン６
１ａと６２ａ、４１ａと４２ａを接続する状態で形成さ
れている。各コイルパターン６３ａ、４３ａは高周波的
にはコイルを形成するのでそのインダクタンスをＬｌ、
Ｌ２とすると、表電極膜２６．裏電極膜２４及びその間
の磁性体層２５は第９図に示すように第１のコンデンサ
ＣＩの両側にコイルＬｌ、Ｌ２を直列接続したＬＣ回路
に第２のコンデンサＣ２を並列接続した等価回路であら
れされる共振器Ｑ１を構成する。なお、この等価回路は
第２０図に示す従来品の場合も同様である。

また、前記裏電極膜２４及び表電極膜２６は共にバンド
パスフィルタの一側面に達する舌片２４ａ、２６ａを有
し、この舌片２４ａ、２６ａの露出した部分はこれより
も下の側面部分とこれに続く底面部分に夫々上字状に形
成した銀等の導電材料からなる入力用の端子電極膜３２
．アース用の端子電極膜３０（第６図参照）と電気的に
接続されている。この端子電極膜３２．３０は夫々相互
にかつ他の層に対しても電気的に絶縁されて形成しであ
る。

一方、第８図の右側に位置する上記表電極膜３６（実線
）と裏電極膜３４（破ｖＡ）とは２つのコンデンサ電極
パターン６１ｂ、６２ｂ、４　ｌ　ｂ。

４２ｂを１つのコイルパターン６３ｂ、４３ｂで接続し
たもので、前記表電極膜２６と裏電極膜２４の場合とは
左右対称な平面視コの字パターン形状をしている。前記
コンデンサ電極パターン６１ｂと４１ｂ、及び６２ｂと
４２ｂは夫々磁性体層２５０表裏両面において対向して
おり、磁性体層２５の誘電率、厚さ、コンデンサ電極の
対向面積によって決まる容量のコンデンサＣ３，Ｃ４を
形成している。一方、コイルパターン６３ｂ、４３ｂは
、夫々磁性体層２５の表裏各面において２つのコンデン
サ電極パターン６１ｔｉと６２ｂ、４１ｂと４２ｂを接
続する状態で形成されている。各コイルパターン６３ｂ
、４３ｂは高周波的にはコイルを形成するのでそのイン
ダクタンスをＬ３゜Ｌ４とすると、表電極膜３６．裏電
極膜３４及びその間の磁性体層２５は上記左側同様に第
９図に示すように第１のコンデンサＣ３の両側にコイル
Ｌ３．Ｌ４を直列接続したＬＣ回路に第２のコンデンサ
Ｃ４を並列接続した等価回路であられされる共振器Ｑ２
を構成する。

また、前記裏電極膜３４及び表電極膜３６は共にバンド
パスフィルタの一側面に達する舌片３４ａ、３６ａを有
し、この舌片３４ａ、３６ａの露出した部分はこれより
も下の側面部分とこれに続く底面部分に夫々上字状に形
成した銀等の導電材料からなる出力用の端子電極膜３３
．アース用の端子電極膜３１（第６図参照）と電気的に
接続されている。この端子電極膜３３．３１は夫々相互
にかつ他の層に対しても電気的に絶縁されて形成しであ
る。

そして、上述の等価回路を持つ共振器Ｑ１、Ｑ２が、第
８図に示しているように２つのコイルパターン６３ａ、
６３ｂを間隔ｄに接近させた状態であるので、２つのコ
イルパターン６３ａ、６３ｂが磁気結合を生じ、第１０
図に示す如き等価回路をもつバンドパスフィルタを構成
する。図中、Ｍは２つのコイルパターン６３ａ、６３ｂ
ｆｓ”ｆの磁気的結合度をあられす相互インダクタンス
、Ｌ３０、Ｌ３１はアース用の端子電極膜３０，３１の
もつインダクタンスである。尚、上記２つの共振器Ｑ１
．Ｑ２は磁性体層２５を用いている関係上、磁気的結合
だけでなく容量的結合も行われている。

図中、Ｃ３はその結合容量を模式的に示している。

このような構造からなるバンドパスフィルタ本体の両側
にあるシールド電極層２２．２８夫々の一部をバンドパ
スフィルタの側面に露出させてなり、この露出部分（図
示せず）は第６図に示すようにバンドパスフィルタの背
面側にある側面全面とその近傍に形成したアース端子膜
４３と接続されている。

かかる構造のバンドパスフィルタの製造方法につき次に
説明する。まず、保護層２１、シート層２３．２７、磁
性体層２５を用意し、保護［２１の表面に例えば銅等の
導電材料からなるペーストをスクリーン印刷又は塗布す
ることにより、一部を保護層２１の端面に露出するよう
にシールド電極層２２を形成し、またシート層２３の表
面に同様の方法で上記舌片２４ａ、３４ａを存し、左右
対称に形成した２つのコの字パターンの裏面電極膜２４
．３４を形成し、また磁性体層２５の表面に同様の方法
で上記舌片２６ａ、３６ａを有し、左右対称に形成した
２つのコの字パターンの表面電極膜２６．３６を形成し
、さらにシート層２７の表面に同様にして、一部をシー
ト層２７の端面に露出させてシールド電極層２８を形成
し、これらを保護層２９とともに重ね合わせたのち圧着
して積層体を形成し、この積層体におけ、る前記舌片２
４ａ、３４ａ、２６ａ、３６ａの露出部分とこれよりも
下の側面及びこれに続く底面に、例えば銅あるいは銀等
の導電材料からなるペーストを印刷して端子電極膜３０
，３１．３２．３３を形成すると共に、シールド電極層
２２．２８の一部が露出した側面部分に銅あるいは銀等
の導電材からなるアース端子膜４３を形成したのち、こ
れをたとえば１０００°Ｃで２時間焼成する。

このようにして製造されたバンドパスフィルタにおいて
は、各層を積層してなる積層体を形成し、これを焼成し
て形成するので、異種の製造技術の数を少なくでき、こ
れによりバンドパスフィルタを容易に製造することが可
能となり、また端子電極膜３０等、アース端子膜４３が
外部に露出させて設けられているので、回路基板等に表
面実装をすることができる。また、バンドパスフィルタ
本体とシールド電極層２２．２８との間に磁性体又は絶
縁体からなるシート層２３．２７が設けられているので
、一体的構造に形成したのち焼成を行ってもバンドパス
フィルタ本体のＱが劣化することを防止できる。また、
シールド電極Ｎ２２．２８の外側に保ｉｉｉ層２１．２
９が形成され、シールド電極層２２．２８がアース端子
膜４３を介してアースされているので、金属等の導体が
バンドパスフィルタに近づいても周波数特性にずれが生
じることがない。

なお、シールド電極２２．２８、裏面電極膜２４．３４
及び表面電極膜２６．３６の形成される位置は上述した
ものに限定されることはなく、たとえばシールド電極２
２を保護層２１の表面ではなく、シート層２３の裏面に
形成するようにしてもよい。

また、圧着については本発明の必須要件ではない。更に
、表電極膜２６．３６、裏電極膜２４３４及びシールド
電極！２２．２８を除く上記５つの各石火々については
、１枚のシート材で構成させても或いは同一材質からな
る２枚以上のシート材を重ねて構成させてもよい。

前記バンドパスフィルタ本体の上下位置、つまり外部か
らの磁界や外部に存在する導体から影響を受けやすい方
向位置には夫々シート層２７．２３を介してシールド電
極Ｎ２Ｂ、２２が配されている。このためバンドパスフ
ィルタ本体はこのシールド電極層２８．２２により有効
にシールドされており、また、シートｊｉ２７．２３の
両方又はいずれか一方の厚みを変えることにより、つま
り１枚のシート材の厚みを変えるか或いはシート層２７
．２３を構成する複数のシート材の枚数を増減すること
により、バンドパスフィルタの周波数特性を調整するこ
とが可能である。例えばシート、Ｉｉ！２７側の厚みを
変えて周波数特性の調整を行なう場合につき以下に説明
する。

先ず、中心周波数が所望の値より高い場合には、シート
Ｎ２７を厚くする。これによりバンドパスフィルタ本体
がシールド電極層２日から離隔するので中心周波数が低
下する。これによって第１１図（周波数特性曲線）に示
す如く曲線１から曲線３に周波数特性の調整を行なうこ
とができる。

逆に、中心周波数が所望の値より低い場合には、シート
層２７を薄くする。これにより上記の場合とは反対に、
シールド電極層がバンドパスフィルタ本体に接近するた
め、曲線１が曲線２の状態に変わり中心周波数が高くな
る。

また、上述のシート［２７及び２３は夫々厚さを均一に
することが可能であり、このためシールド電極層２８’
、２２と、表・裏電極膜２６，３６．２４．３４とを平
行にでき、間隔も例えば１　ｍｍ以上で一定にすること
ができる。これにより、シールドを施したバンドパスフ
ィルタの電気的特性の劣化を抑制できる。

なお、上記実施例では表電極膜２６，３６、裏電極膜２
４．３４及びシールド電極層２２．２８を印刷又は塗布
により形成しているが、本発明はこれに限らず、表電極
膜２６，３６、裏電極膜２４．３４及びシールド電極層
２２．２８用に導電材料からなるシート材を夫々用意し
、９つのシート材を重ね合わせるようにしても、或いは
表電極膜２６，３６、裏電極Ｍ２４，３４及びシールド
電極層２２．２８の１つ以上に導電材料からなるシート
材を用意し、印刷又は塗布を行なうことと併用して各シ
ート材を重ね合わせるようにしてもよい。

また、保護層２１，２９、シート層２３，２７、磁性体
層２５をそれぞれ、１枚のシート材によって構成するか
、それとも複数のシート材を積層することによって構成
するかは任意であり、適宜選択することができる。

第１２図は本発明に係る他の構成のバンドパスフィルタ
を示す外観斜視図であり、第１３図はその底面図、第１
４図は第１２図におけるＸＩＶ−Ｘ■線による断面図で
ある。このバンドパスフィルタは、積層する層の数、材
質等は前記と同様にしであるが、バンドパスフィルタの
側面に一部を露出させたシールド電極層２２．２８を、
バンドパスフィルタの左側側面部分に形成したアース端
子膜９３に接続させてあり、また第１５図に示すように
積層体中央部の磁性体層２５を挟んで両側にバクーン形
成した電極膜の形状が変えである（第７図と同一部分に
は同一符号を付している。）。

後者の電極膜のうち、第１５図の左側に位置する表電極
膜８０ａと裏電極膜８０ｂは、磁性体層２５を挟んで両
側に形成したコンデンサ電極パターン８１ａ、８１ｂに
、磁性体層２５の両側に形成しであるコイルパターン８
２ａ、８２ｂが接続され、これらコイルパターン８２ａ
、８２ｂが磁性体層２５に形成した貫通孔２５ａに充填
した導電材２５ｂを介して接続された構成となっている
。

前記コンデンサ電極パターン８１ａと８１ｂは、磁性体
層２５の表裏両面において対向しており、磁性体層２５
の誘電率、厚さ、コンデンサ電極の対向面積によって決
まる容量のコンデンサＣ１ｌを形成している。

一方、２つのコイルパターン８２ａ、８２ｂが接続され
て１つとなったものは、磁性体層２５０表裏表裏−おい
て２つのコンデンサ電極パターン８１ａと８１ｂを接続
する状態で形成されている。

上記２つのコイルパターン８２ａ、８２ｂは高周波的に
はコイルを形成するのでそのインダクタンスＬｌｌ、Ｌ
１２とすると、表電極膜８０ａ、裏電極膜８０ｂ及びそ
の間の磁性体層２５は共振器を構成する。

また、前記表電極膜８０ａ及び裏電極膜８０ｂは夫々バ
ンドパスフィルタの一側面に達する舌片８４ａ、８４ｂ
を有する。一方の舌片８４ａの露出した部分は、これよ
りも下の側面部分とこれに続く底面部分に夫々５字状に
形成した銀等の導電材料からなる入力用の端子電極膜９
０と電気的に接続され、他方の舌片８４ｂの露出した部
分は、これよりも下の側面部分とこれに続く底面部分に
夫々５字状に形成した銀等の導電材料からなるアース端
子膜９１と電気的に接続されている。前記端子電極膜９
０とアース端子膜９１は、夫々相互にかつ他の層に対し
ても電気的に絶縁されて形成しである。

一方、第１５図の右側に位置する表電極膜７０ａと裏電
極膜７０ｂは、磁性体層２５を挟んで両側に形成したコ
ンデンサ電極パターン７１ａ、７１ｂに、磁性体１２５
０両側に形成しであるコイルパターン７２ａ、７２ｂが
接続され、これらコイルパターン７２ａ、７２ｂが磁性
体層２５に形成した貫通孔２５ａ′に充填した導電材２
５ｂ′を介して接続された構成となっている。前記コン
デンサ電極パターン７１ａと７１ｂは、磁性体層２５の
表裏両面において対向しており、磁性体層２５の誘電率
、厚さ、コンデンサ電極の対向面積によって決まる容量
のコンデンサＣ１２を形成している。

上記２つのコイルパターン７２ａ、７２ｂが接続されて
１つとなったものは、磁性体層２５の表裏各面において
２つのコンデンサ電極パターン７１ａと７１ｂを接続す
る状態で形成されている。

上記２つのコイルパターン７２ａ、７２ｂは高周波的に
はコイルを形成するのでそのインダクタンスＬ１３．Ｌ
１４とすると、表電極膜７０ａ、裏電極膜７０ｂ及びそ
の間の磁性体層２５は共振器を構成する。

また、前記表電極膜７０ａ及び裏電極膜７０ｂは夫々バ
ンドパスフィルタの一側面に達する舌片７４ａ、７４ｂ
を有する。一方の舌片７４ａの露出した部分は、これよ
りも下の側面部分とこれに続く底面部分に夫々５字状に
形成した銀等の導電材料からなる出力用の端子電極膜９
２と電気的に接続され、他方の舌片７４ｂの露出した部
分は、左側と共用の前記アース端子膜９１と電気的に接
続されている。前記端子電極膜９２は、相互にかつ他の
層に対しても電気的に絶縁されて形成しである。

かかる構造のバンドパスフィルタは、第１６図の等価回
路に示すように、磁性体層２５の左右に形成された共振
器が、前同様に相互インダクタンスＭで磁気的結合され
た構成となっており、この周波数特性は第１７図に示す
ようになる。

このようにして製造されたバンドパスフィルタにおいて
も前同様に、各層を積層してなる積層体を形成し、これ
を焼成して形成するので、異種の製造技術の数を少なく
でき、これによりバンドパスフィルタを容易に製造する
ことが可能となり、また人・出力用の端子電極膜、アー
ス端子膜が外部に露出させて設けられているので、回路
基板等に表面実装をすることができる。また、バンドパ
スフィルタ本体とシールド電極層２２．２８との間に磁
性体又は絶縁体からなるシートＪＷ２３．２７が設けら
れているので、一体的構造に形成したのち焼成を行って
もバンドパスフィルタ本体のＱが劣化することを防止で
きる。また、シールド電極層２２．２８の外側に保護１
２１２９が形成され、シールド電極層２２．２８がアー
ス端子膜９３を介してアースされているので、金属等の
導体がバンドパスフィルタに近づいても周波数特性にず
れが生じることがない。

なお、上述したインダクターの場合、中央部に位置する
磁性体層の両側にシールド電極層を形成し、これにより
内部をシールドしているが、本発明はこれに限らず、第
１８図に示すようにこのシールド電極層３．７の他に更
に、入力端子１１出力端子１２が形成されていないイン
ダクター側面（２面）にもシールド電極膜３′　（破線
にて示す）を形成するようにしてもよい。このようにす
ると、よりシールドが確実なものにすることができる利
点がある。このことは、上述したバンドパスフィルタ等
のインダクターを含む複合部品について適用しても同じ
効果が得られる。

また、上述のインダクターの処で第５図を用いて説明し
たように、シールド電極層には多数の貫通孔を設けてい
るが、本発明はこれに代えて、第１９図（ａ）、（ｂ）
に示すように１つのシールド電極層３（７）を２分割ま
たは４分割等し、これらを離隔して上下層、例えば保護
層２等にて挟むようにしてもよい、このことは、バンド
パスフィルタ等にも適用するのが好ましい。

更に、本発明による場合には、インダクター及びインダ
クターを含む複合部品において次のような利点がある。

上述のインダクターを例に挙げて説明すると、保護ＦＪ
２，８やシート層４．６に対し、高周波領域まで使用帯
域が十分に伸びるように透磁率μが小さい磁性体を用い
たとしても、シールド電極層３，７が存在するため、シ
ールド効果を確保した状態で使用帯域を高周波側に伸ば
すことができる。

溌３序と凱果 以上詳述した如く本発明による場合には、各層を積層し
てなる積層体を形成し、これを焼成して形成するので、
異種の製造技術の数を少なくでき、これによりインダク
ター、インダクターを含む複合部品を容易に製造するこ
とが可能となり、また、インダクター本体、複合部品本
体を挟む両側にシールド電極膜を積層することにより本
体をシールドしていると共にシールド電極膜がアース端
子膜を介してアースされているため、金属等の導体が近
づいても周波数特性にずれが生じることがなく、４゜ 更に、インダクター本体、複合部品本体とシールド電極
層との間にシート層が設けられているので、本体部分の
Ｑの劣化を防止でき、また、シート層の厚さを変えるこ
とにより周波数特性の調整をすることが可能となる等、
優れた効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係るインダクターを示す外観斜視図、
第２図はその底面図、第３図は第１図の■−■線による
断面図、第４図は本発明に係るインダクター内部のイン
ダクター本体部分を示す分解斜視図、第５図は本発明に
用いるのに好適なシールド電極膜を示す斜視図、第６図
は本発明に係るバンドパスフィルタを示す外観斜視図、
第７図は第６図の■−■線による断面図、第８図は第７
図の■−■線による断面図（正面図）、第９図はそのバ
ンドパスフィルタの共振器部分に関する等価回路図、第
１０図はそのバンドパスフィルタ本体に関する等価回路
図、第１１図はそのバンドパスフィルタの周波数特性曲
線を示すグラフ、第１２図は本発明に係る他の構成のバ
ンドパスフィルタを示す外観斜視図、第１３図はその底
面図、第１４図はその縦断面図、第１５図はそのバンド
パスフィルタ本体部分の回路を示す平面図、第１６図は
そのバンドパスフィルタ本体の等価回路図、第１７図は
そのバンドパスフィルタの周波数特性を示すグラフ、第
１８図は本発明を適用した他のインダクター例を示す外
観斜視図、第１９図は本発明に用いるのに好適な他のシ
ールド電極膜を示す斜視図、第２０図は従来品を示す正
面図、第２１図はその底面図、第２２図はその背面図で
ある。 ２、　８．　２１．　２９・・・保護層、３．　７．　
２２２８・・・シールド電極層、４，６，２３．２７・
・・シート層、２４．３４・・・裏電極膜、２５，５１
．．５２．５３，５４，５５．５６・・・磁性体層、２
６３６・・・表電極膜、１３，４３．９３・・・アース
端子膜。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）　磁性体層を挟んでその両側に形成されているコ
   イルパターン電極を前記磁性体層に穿設した貫通孔を通
   じて電気的に接続した構成のインダクター本体と、 このインダクター本体を挟んで両側に設けてある磁性体
   又は絶縁体からなる一対のシート層と、インダクター本
   体及び前記一対のシート層を挟んで両側に設けてある一
   対のシールド電極層と、インダクター本体，一対のシー
   ト層及び一対のシールド電極層を挟んで両側に設けてあ
   る磁性体又は絶縁体からなる一対の保護層と、 前記一対のシールド電極層と接続し外部に露出させて設
   けてあるアース端子膜と を具備することを特徴とするインダクター。
2. （２）　磁性体層を挟んで両側にコイルパターンを含む
   電極を形成してなる複合部品本体と、 この複合部品本体を挟んで両側に設けてある磁性体又は
   絶縁体からなる一対のシート層と、複合部品本体及び前
   記一対のシート層を挟んで両側に設けてある一対のシー
   ルド電極層と、複合部品本体，一対のシート層及び一対
   のシールド電極層を挟んで両側に設けてある磁性体又は
   絶縁体からなる一対の保護層と、 前記一対のシールド電極層と接続し外部に露出させて設
   けてあるアース端子膜と を具備することを特徴とするインダクターを含む複合部
   品。
3. （３）　前記複合部品本体がバンドパスフィルタ本体で
   あることを特徴とする請求項２記載のインダクターを含
   む複合部品。
4. （４）　インダクターを製造する方法において、磁性体
   層を挟んでその両側に形成されているコイルパターン電
   極を前記磁性体層に穿設した貫通孔を通じて電気的に接
   続した構成のインダクター本体を形成する工程と、 磁性体又は絶縁体からなる保護層，シールド電極層，磁
   性体若しくは絶縁体からなるシート層，前記インダクタ
   ー本体，磁性体若しくは絶縁体からなるシート層，シー
   ルド電極層及び、磁性体若しくは絶縁体からなる保護層
   をこの順に積層してなる積層体を形成する工程と、 前記２つのシールド電極層と接続し外部に露出させてア
   ース端子膜を形成する工程と、 前記積層体のままの状態で、或いは積層体にアース端子
   膜を形成した状態で焼成する工程とを含むことを特徴と
   するインダクターの製造方法。
5. （５）　インダクターを含む複合部品を製造する方法に
   おいて、 磁性体層を挟んで両側にコイルパターンを含む電極膜を
   形成してなる複合部品本体を作製する工程と、 磁性体又は絶縁体からなる保護層，シールド電極層，磁
   性体若しくは絶縁体からなるシート層，前記複合部品本
   体，磁性体若しくは絶縁体からなるシート層，シールド
   電極層および、磁性体若しくは絶縁体からなる保護層を
   この順に積層してなる積層体を形成する工程と、 前記２つのシールド電極層と接続し外部に露出させてア
   ース端子膜を形成する工程と、 前記積層体のままの状態で、或いは積層体にアース端子
   膜を形成した状態で焼成する工程とを含むことを特徴と
   するインダクターを含む複合部品の製造方法。