JPH05265189A - フォトマスク及びその製造方法 - Google Patents
フォトマスク及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH05265189A JPH05265189A JP5860892A JP5860892A JPH05265189A JP H05265189 A JPH05265189 A JP H05265189A JP 5860892 A JP5860892 A JP 5860892A JP 5860892 A JP5860892 A JP 5860892A JP H05265189 A JPH05265189 A JP H05265189A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- photomask
- film pattern
- silicon film
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 フォトマスク（レチクルを含む。以下同様）
の構造及び製造方法に関し、静電気の放電によるマスク
パターンの破損がなく、又、塵埃が付着しにくいフォト
マスク及びその製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 石英ガラスからなる透明基板１上にシリコン
膜パターン３とタングステン膜パターン４をこの順に積
層したマスクパターン５を設けた構造とする。先ず透明
基板１上にシリコン膜２を被着し、これをリソグラフィ
法によりパターニングしてシリコン膜パターン３を形成
し、次にこのシリコン膜パターン３上に選択ＣＶＤ法に
よりタングステン膜パターン４を成長せしめる製造方法
とする。
の構造及び製造方法に関し、静電気の放電によるマスク
パターンの破損がなく、又、塵埃が付着しにくいフォト
マスク及びその製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 石英ガラスからなる透明基板１上にシリコン
膜パターン３とタングステン膜パターン４をこの順に積
層したマスクパターン５を設けた構造とする。先ず透明
基板１上にシリコン膜２を被着し、これをリソグラフィ
法によりパターニングしてシリコン膜パターン３を形成
し、次にこのシリコン膜パターン３上に選択ＣＶＤ法に
よりタングステン膜パターン４を成長せしめる製造方法
とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造等に使
用するフォトマスク（レチクルを含む。以下同様）の構
造及び製造方法に関する。
用するフォトマスク（レチクルを含む。以下同様）の構
造及び製造方法に関する。
【０００２】半導体装置の製造工程ではフォトマスクの
パターンをウェーハに転写する工程が繰り返される。近
年、半導体装置は高密度・高集積化の要求に対応してパ
ターンの微細化が進行しているため、マスクパターンの
微小な欠陥やフォトマスク上に付着した微小な塵埃でも
転写パターンに欠陥を生じることが多くなって来た。そ
のためフォトマスクの高品質化が望まれている。
パターンをウェーハに転写する工程が繰り返される。近
年、半導体装置は高密度・高集積化の要求に対応してパ
ターンの微細化が進行しているため、マスクパターンの
微小な欠陥やフォトマスク上に付着した微小な塵埃でも
転写パターンに欠陥を生じることが多くなって来た。そ
のためフォトマスクの高品質化が望まれている。
【０００３】
【従来の技術】従来のフォトマスク、特に微細パターン
転写用のフォトマスクは、石英ガラス製の透明基板の片
面にクロム( Cr )等のマスクパターン（遮光膜パター
ン）を形成したものであった。尚、透明基板として石英
ガラスを使用するのは、ナトリウムの析出がない、光の
透過率が大、熱膨張係数が小、等の理由によるものであ
り、又、マスクパターンとしてクロム膜を使用するの
は、遮光性が良いから膜厚を薄く出来る、エッチング性
が良い、等の理由によるものであった。但し、クロム膜
は光の反射率が大であるため表面に酸化クロム薄膜が被
着され、又、クロム膜と石英ガラスとの密着性を補うた
めにクロム膜と石英ガラスとの間に酸化クロム薄膜が挿
入されるのが普通であった。
転写用のフォトマスクは、石英ガラス製の透明基板の片
面にクロム( Cr )等のマスクパターン（遮光膜パター
ン）を形成したものであった。尚、透明基板として石英
ガラスを使用するのは、ナトリウムの析出がない、光の
透過率が大、熱膨張係数が小、等の理由によるものであ
り、又、マスクパターンとしてクロム膜を使用するの
は、遮光性が良いから膜厚を薄く出来る、エッチング性
が良い、等の理由によるものであった。但し、クロム膜
は光の反射率が大であるため表面に酸化クロム薄膜が被
着され、又、クロム膜と石英ガラスとの密着性を補うた
めにクロム膜と石英ガラスとの間に酸化クロム薄膜が挿
入されるのが普通であった。
【０００４】このような従来のフォトマスクの製造方法
は、先ず透明基板の片面全面にクロム等の遮光膜が被着
されたマスクブランクスの遮光膜側にレジストを塗布し
てこれを電子ビーム露光法等によりパターニングし、次
にこのレジストパターンをエッチングマスクとして遮光
膜をエッチングしてマスクパターンを形成し、その後レ
ジストパターンを除去するものであった。
は、先ず透明基板の片面全面にクロム等の遮光膜が被着
されたマスクブランクスの遮光膜側にレジストを塗布し
てこれを電子ビーム露光法等によりパターニングし、次
にこのレジストパターンをエッチングマスクとして遮光
膜をエッチングしてマスクパターンを形成し、その後レ
ジストパターンを除去するものであった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、石英ガラス
は電気的絶縁性が高く静電気が発生し易いため、フォト
マスク製造工程においてマスクパターン間の放電でマス
クパターンが破壊されることがあり、且つ塵埃が付着し
易い、という問題があった。通常、一枚のフォトマスク
で大量のウェーハを露光するから、一枚のフォトマスク
の欠陥や塵埃付着により大量のウェーハが不良品となる
おそれがある。
は電気的絶縁性が高く静電気が発生し易いため、フォト
マスク製造工程においてマスクパターン間の放電でマス
クパターンが破壊されることがあり、且つ塵埃が付着し
易い、という問題があった。通常、一枚のフォトマスク
で大量のウェーハを露光するから、一枚のフォトマスク
の欠陥や塵埃付着により大量のウェーハが不良品となる
おそれがある。
【０００６】本発明はこのような問題を解決して、製造
工程においてマスクパターンが破壊されにくく、塵埃が
付着しにくいフォトマスクとその製造方法を提供するこ
とを目的とする。
工程においてマスクパターンが破壊されにくく、塵埃が
付着しにくいフォトマスクとその製造方法を提供するこ
とを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的は、本発明によ
れば、[1] 透明基板上にシリコン膜パターンとタングス
テン膜パターンとをこの順に積層してなるマスクパター
ンを設けたことを特徴とするフォトマスクとすること
で、[2] 透明基板上にシリコン膜を被着する工程と、該
シリコン膜をパターニングしてシリコン膜パターンを形
成する工程と、該シリコン膜パターン上にタングステン
膜パターンを選択ＣＶＤ法により成長せしめて該シリコ
ン膜パターンと該タングステン膜パターンからなるマス
クパターンを形成する工程とを有することを特徴とする
フォトマスクの製造方法とすることで、達成される。
れば、[1] 透明基板上にシリコン膜パターンとタングス
テン膜パターンとをこの順に積層してなるマスクパター
ンを設けたことを特徴とするフォトマスクとすること
で、[2] 透明基板上にシリコン膜を被着する工程と、該
シリコン膜をパターニングしてシリコン膜パターンを形
成する工程と、該シリコン膜パターン上にタングステン
膜パターンを選択ＣＶＤ法により成長せしめて該シリコ
ン膜パターンと該タングステン膜パターンからなるマス
クパターンを形成する工程とを有することを特徴とする
フォトマスクの製造方法とすることで、達成される。
【０００８】
【作用】本発明のフォトマスクでは、透明基板として従
来と同様、石英ガラス（化学的に安定であるが静電気が
発生し易い）を使用するが、その透明基板上に導電性の
シリコン膜パターンを介してタングステン膜パターンが
形成されているから電荷が拡散し易く、従って、製造工
程においてマスクパターンが静電気の放電により破壊さ
れることがなくなり、又、塵埃が付着しにくい。
来と同様、石英ガラス（化学的に安定であるが静電気が
発生し易い）を使用するが、その透明基板上に導電性の
シリコン膜パターンを介してタングステン膜パターンが
形成されているから電荷が拡散し易く、従って、製造工
程においてマスクパターンが静電気の放電により破壊さ
れることがなくなり、又、塵埃が付着しにくい。
【０００９】本発明のフォトマスクの製造方法では、タ
ングステン膜パターンの形成にタングステン選択ＣＶＤ
法を採用した。この方法によればタングステン( W ) は
石英ガラス（二酸化シリコン─ SiO2 ）上には成長せ
ず、シリコン( Si )上だけに成長するから、シリコン膜
をリソグラフィ法で所望のパターンにパターニングして
おけば、タングステン膜をリソグラフィ法でパターニン
グすることなく、所望のパターンのタングステン膜パタ
ーンが得られる。従って、製造工程は複雑にはならな
い。
ングステン膜パターンの形成にタングステン選択ＣＶＤ
法を採用した。この方法によればタングステン( W ) は
石英ガラス（二酸化シリコン─ SiO2 ）上には成長せ
ず、シリコン( Si )上だけに成長するから、シリコン膜
をリソグラフィ法で所望のパターンにパターニングして
おけば、タングステン膜をリソグラフィ法でパターニン
グすることなく、所望のパターンのタングステン膜パタ
ーンが得られる。従って、製造工程は複雑にはならな
い。
【００１０】
【実施例】本発明に係るフォトマスク及びその製造方法
の実施例を図１を参照しながら説明する。図１は本発明
の実施例の説明図であり、製造工程を (a)〜(c) の順に
示す断面図である。
の実施例を図１を参照しながら説明する。図１は本発明
の実施例の説明図であり、製造工程を (a)〜(c) の順に
示す断面図である。
【００１１】先ず石英ガラス製の透明基板１の片面全面
にスパッタリング法、ＣＶＤ法等によりシリコンを被着
して厚さ約 500〜1000Åのシリコン膜２を形成する（図
１(a) 参照）。次にこのシリコン膜２をリソグラフィ法
によりパターニングして透明基板１上にシリコン膜パタ
ーン３を形成する（図１(b) 参照）。その後これらにDe
ep ＵＶ光を照射し、更に稀弗酸で洗浄してシリコン表
面を安定化させる。
にスパッタリング法、ＣＶＤ法等によりシリコンを被着
して厚さ約 500〜1000Åのシリコン膜２を形成する（図
１(a) 参照）。次にこのシリコン膜２をリソグラフィ法
によりパターニングして透明基板１上にシリコン膜パタ
ーン３を形成する（図１(b) 参照）。その後これらにDe
ep ＵＶ光を照射し、更に稀弗酸で洗浄してシリコン表
面を安定化させる。
【００１２】次にタングステン選択ＣＶＤ法によりシリ
コン膜パターン３上にタングステンを成長させて厚さ約
1000〜3000Åのタングステン膜パターン４を形成する
（図１(c) 参照）。ソースガスとしては六弗化タングス
テン( WF6)を使用する。尚、タングステン選択ＣＶＤ法
は、タングステンを含む中間生成物をソースガスとし、
基板表面での化学反応を利用して基板上にタングステン
薄膜を堆積させる技術であり、基板表面がシリコンであ
ればタングステンの堆積は急速に進み、二酸化シリコン
であれば堆積しないという選択性があり、半導体装置の
製造工程においてコンタクトホールの埋込み平坦化等に
適用されている。
コン膜パターン３上にタングステンを成長させて厚さ約
1000〜3000Åのタングステン膜パターン４を形成する
（図１(c) 参照）。ソースガスとしては六弗化タングス
テン( WF6)を使用する。尚、タングステン選択ＣＶＤ法
は、タングステンを含む中間生成物をソースガスとし、
基板表面での化学反応を利用して基板上にタングステン
薄膜を堆積させる技術であり、基板表面がシリコンであ
ればタングステンの堆積は急速に進み、二酸化シリコン
であれば堆積しないという選択性があり、半導体装置の
製造工程においてコンタクトホールの埋込み平坦化等に
適用されている。
【００１３】このようにして得たフォトマスクは、静電
気の放電によるマスクパターンの破損がなく、又、塵埃
が付着しにくく、しかも遮光性や表面反射率等の点で従
来のフォトマスクと同等であった。
気の放電によるマスクパターンの破損がなく、又、塵埃
が付着しにくく、しかも遮光性や表面反射率等の点で従
来のフォトマスクと同等であった。
【００１４】本発明は以上の実施例に限定されることな
く、更に種々変形して実施出来る。
く、更に種々変形して実施出来る。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
静電気の放電によるマスクパターンの破損がなく、又、
塵埃が付着しにくいフォトマスク及びその製造方法を提
供することが出来、半導体装置製造における歩留り向上
等に寄与する。
静電気の放電によるマスクパターンの破損がなく、又、
塵埃が付着しにくいフォトマスク及びその製造方法を提
供することが出来、半導体装置製造における歩留り向上
等に寄与する。
【図１】 本発明の実施例の説明図である。
１ 透明基板 ２ シリコン膜 ３ シリコン膜パターン ４ タングステン膜パターン ５ マスクパターン
Claims (2)
- 【請求項１】 透明基板(1) 上にシリコン膜パターン
(3) とタングステン膜パターン(4) とをこの順に積層し
てなるマスクパターン(5) を設けたことを特徴とするフ
ォトマスク。 - 【請求項２】 透明基板(1) 上にシリコン膜(2) を被着
する工程と、 該シリコン膜(2) をパターニングしてシリコン膜パター
ン(3) を形成する工程と、 該シリコン膜パターン(3) 上にタングステン膜パターン
(4) を選択ＣＶＤ法により成長せしめて該シリコン膜パ
ターン(3) と該タングステン膜パターン(4) からなるマ
スクパターン(5) を形成する工程とを有することを特徴
とするフォトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5860892A JPH05265189A (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | フォトマスク及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5860892A JPH05265189A (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | フォトマスク及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05265189A true JPH05265189A (ja) | 1993-10-15 |
Family
ID=13089247
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5860892A Withdrawn JPH05265189A (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | フォトマスク及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05265189A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020096817A1 (en) * | 2018-11-05 | 2020-05-14 | Lam Research Corporation | Directional deposition in etch chamber |
-
1992
- 1992-03-17 JP JP5860892A patent/JPH05265189A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020096817A1 (en) * | 2018-11-05 | 2020-05-14 | Lam Research Corporation | Directional deposition in etch chamber |
| US11742212B2 (en) | 2018-11-05 | 2023-08-29 | Lam Research Corporation | Directional deposition in etch chamber |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990518 |