JPH0334620B2 - - Google Patents
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- JPH0334620B2 JPH0334620B2 JP2471882A JP2471882A JPH0334620B2 JP H0334620 B2 JPH0334620 B2 JP H0334620B2 JP 2471882 A JP2471882 A JP 2471882A JP 2471882 A JP2471882 A JP 2471882A JP H0334620 B2 JPH0334620 B2 JP H0334620B2
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- manufacturing
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
本発明は垂直記録方式に用いる記録媒体の製造
方法に関し、長尺の媒体を安定に製造できるよう
にすることを目的とするものである。 垂直記録方式は、短波長記録に適する記録方式
として注目され、媒体の開発、記録方式の研究が
各方面で盛んである。 垂直方向に磁化容易軸を有する、いわゆる垂直
磁化膜は、CoにCrを添加してMsを下げ、かつh.
c.p構造の結晶のＣ軸を基板面の垂直方向に小さ
な分散で配向させた膜が良く知られる。 この膜の製法は、高周波スパツタリング法、電
子ビーム蒸着法が知られる。高周波スパツタリン
グ法は、成膜速度が小さいため、実用に供する上
では難点がある。 一方電子ビーム蒸着法は、Crの成分比を一定
に保持する上で困難を伴うため、成膜速度の大き
さを生かす上で工夫を必要とする。 Crは昇華するため、蒸着速度の制御がむずか
しいからである。 本発明はかかる点に鑑みなされたもので蒸発源
としては、Cr又はCoNi等のCoをベースとし、蒸
気圧の近い物質の組み合わせたものを用いCrの
添加は、Crの気体プラズマからの析出により行
い、成分比を安定に保持するものである。以下に
図面を用い本発明を詳細に説明する。 図は本発明を実施するための装置の一例を示
す。図に示すように、高分子成形物等よりなるテ
ープ状基体１は、温度制御された円筒状キヤン２
の周側面に沿つて、送り出し軸３より、巻取軸４
へ移動する。その間、マスク５の開孔部を通し蒸
着される。 Co又はCo合金６は、電子ビーム加熱により蒸
気化される。８は電気ビーム源を模式的に示す。
７は蒸気源容器である。 Crの供給は、プラズマより行うよう構成する。
例えば、一端が開放されたコイル状の高周波電極
９にマツチングボツクス１０の調整により、高周
波電源１１より高周波電力を効率良く供給し、高
周波プラズマを生成をするよう構成する。 放電気体としてCr（C9H12）2などのガス状Cr化
合物をニードル弁１２を調節して、系内に導入す
る。導入ノズル１３は勿論、真空槽１４の外部
も、180℃程度に保持する必要がある。それは、
上記気体の導入量を一定に制限するためである。 真空槽１４は、巻取り機構を配する上室１５
と、プラズマ室１６と、蒸発室１７に、かくへき
１８，１９で仕切られる。電子ビーム蒸発源は
10-4Torr以上の高真空を必要とするため、ある
程度の差圧をとる必要もあり、個々に、真空排気
系２０，２１，２２を具備させるのが良い。 ２３はシヤツタであり、２４は高圧導入用の絶
縁端子である。 次に具体的に本発明の実施例を説明する。 実施例 １ 基体として、ポリエチレンテレフタレートフイ
ルム（厚さ12μｍ、幅150mm、長さ1000ｍ）を用
いた。 高周波電極は４ターンに構成され、高周波電力
は、13.56MHz490Wに制御した。 Co蒸発源は、30kV、最大4Aの電子ビーム加熱
方式を採用し、蒸発源容器はZrO2製で、Coの供
給は、蒸発源容器に直径15mmのロツドを上記電気
ビームの一部のパワーで溶解し補給する方法をと
つた。実験結果を表１に示す。
方法に関し、長尺の媒体を安定に製造できるよう
にすることを目的とするものである。 垂直記録方式は、短波長記録に適する記録方式
として注目され、媒体の開発、記録方式の研究が
各方面で盛んである。 垂直方向に磁化容易軸を有する、いわゆる垂直
磁化膜は、CoにCrを添加してMsを下げ、かつh.
c.p構造の結晶のＣ軸を基板面の垂直方向に小さ
な分散で配向させた膜が良く知られる。 この膜の製法は、高周波スパツタリング法、電
子ビーム蒸着法が知られる。高周波スパツタリン
グ法は、成膜速度が小さいため、実用に供する上
では難点がある。 一方電子ビーム蒸着法は、Crの成分比を一定
に保持する上で困難を伴うため、成膜速度の大き
さを生かす上で工夫を必要とする。 Crは昇華するため、蒸着速度の制御がむずか
しいからである。 本発明はかかる点に鑑みなされたもので蒸発源
としては、Cr又はCoNi等のCoをベースとし、蒸
気圧の近い物質の組み合わせたものを用いCrの
添加は、Crの気体プラズマからの析出により行
い、成分比を安定に保持するものである。以下に
図面を用い本発明を詳細に説明する。 図は本発明を実施するための装置の一例を示
す。図に示すように、高分子成形物等よりなるテ
ープ状基体１は、温度制御された円筒状キヤン２
の周側面に沿つて、送り出し軸３より、巻取軸４
へ移動する。その間、マスク５の開孔部を通し蒸
着される。 Co又はCo合金６は、電子ビーム加熱により蒸
気化される。８は電気ビーム源を模式的に示す。
７は蒸気源容器である。 Crの供給は、プラズマより行うよう構成する。
例えば、一端が開放されたコイル状の高周波電極
９にマツチングボツクス１０の調整により、高周
波電源１１より高周波電力を効率良く供給し、高
周波プラズマを生成をするよう構成する。 放電気体としてCr（C9H12）2などのガス状Cr化
合物をニードル弁１２を調節して、系内に導入す
る。導入ノズル１３は勿論、真空槽１４の外部
も、180℃程度に保持する必要がある。それは、
上記気体の導入量を一定に制限するためである。 真空槽１４は、巻取り機構を配する上室１５
と、プラズマ室１６と、蒸発室１７に、かくへき
１８，１９で仕切られる。電子ビーム蒸発源は
10-4Torr以上の高真空を必要とするため、ある
程度の差圧をとる必要もあり、個々に、真空排気
系２０，２１，２２を具備させるのが良い。 ２３はシヤツタであり、２４は高圧導入用の絶
縁端子である。 次に具体的に本発明の実施例を説明する。 実施例 １ 基体として、ポリエチレンテレフタレートフイ
ルム（厚さ12μｍ、幅150mm、長さ1000ｍ）を用
いた。 高周波電極は４ターンに構成され、高周波電力
は、13.56MHz490Wに制御した。 Co蒸発源は、30kV、最大4Aの電子ビーム加熱
方式を採用し、蒸発源容器はZrO2製で、Coの供
給は、蒸発源容器に直径15mmのロツドを上記電気
ビームの一部のパワーで溶解し補給する方法をと
つた。実験結果を表１に示す。
【表】
なお表１における本発明Ａはキヤン直径50cm、
同温度70℃とし厚さ0.2μｍの磁性膜を形成した場
合を示し、本発明Ｂはキヤン直径100cm、同温度
80℃とし、厚さ0.2μｍの磁性膜を形成した場合を
示す。 実施例 ２ ポリイミドフイルム（厚さ25μｍ）を用い、キ
ヤン温度200℃で、本発明を実施した場合の生産
性と特性面を他の方法におけるのと比較した結果
を表２示す。
同温度70℃とし厚さ0.2μｍの磁性膜を形成した場
合を示し、本発明Ｂはキヤン直径100cm、同温度
80℃とし、厚さ0.2μｍの磁性膜を形成した場合を
示す。 実施例 ２ ポリイミドフイルム（厚さ25μｍ）を用い、キ
ヤン温度200℃で、本発明を実施した場合の生産
性と特性面を他の方法におけるのと比較した結果
を表２示す。
【表】
以上の表１、表２に示した結果から明らかなよ
うに、本発明により製造したものは、長尺ものの
長手方向における性状の変動が極めて小さなもの
となつており、しかも生産性が高いものとなつて
いる。 なお本発明は、基体上に非磁性下地を配した場
合、或いはパーマロイ薄膜を配した２層構成の場
合は勿論、基体の両面にかかる構成を得る場合も
有効である。 又、基体の種類によらず有効で、さらに磁性膜
としてCo−Crに限定されず他の垂直磁化膜でCr
を含有するものについて共通に効果がある。 以上の説明により明らかなように、本発明は、
高い生産性と、高品質の垂直磁化膜の生産を両立
させ得るものであつて、テープ、デイスクの形態
によらず、長尺の原反を得るのに最適であつて、
その工業的有価値性は大きいものがある。
うに、本発明により製造したものは、長尺ものの
長手方向における性状の変動が極めて小さなもの
となつており、しかも生産性が高いものとなつて
いる。 なお本発明は、基体上に非磁性下地を配した場
合、或いはパーマロイ薄膜を配した２層構成の場
合は勿論、基体の両面にかかる構成を得る場合も
有効である。 又、基体の種類によらず有効で、さらに磁性膜
としてCo−Crに限定されず他の垂直磁化膜でCr
を含有するものについて共通に効果がある。 以上の説明により明らかなように、本発明は、
高い生産性と、高品質の垂直磁化膜の生産を両立
させ得るものであつて、テープ、デイスクの形態
によらず、長尺の原反を得るのに最適であつて、
その工業的有価値性は大きいものがある。
図は本発明を実施するために用いられる装置の
一例を示す図である。 １……基体、２……円筒状キヤン、６……Co
合金、９……高周波電極、１３……導入ノズル。
一例を示す図である。 １……基体、２……円筒状キヤン、６……Co
合金、９……高周波電極、１３……導入ノズル。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 円筒状キヤンの周側面に沿つて移動する基体
にCoを含む蒸気流を差し向けるとともに上記蒸
気流をガス状Cr化合物を放電気体とするプラズ
マ中を通過せしめることを特徴とする磁気記録媒
体の製造方法。 ２ Cr化合物がCr（C6H12）2で表される化合物で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57024718A JPS58141444A (ja) | 1982-02-17 | 1982-02-17 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57024718A JPS58141444A (ja) | 1982-02-17 | 1982-02-17 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58141444A JPS58141444A (ja) | 1983-08-22 |
| JPH0334620B2 true JPH0334620B2 (ja) | 1991-05-23 |
Family
ID=12145935
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57024718A Granted JPS58141444A (ja) | 1982-02-17 | 1982-02-17 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58141444A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100731483B1 (ko) | 2005-04-15 | 2007-06-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 제조설비 |
-
1982
- 1982-02-17 JP JP57024718A patent/JPS58141444A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58141444A (ja) | 1983-08-22 |
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