JPH0334622B2 - - Google Patents
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- JPH0334622B2 JPH0334622B2 JP16675383A JP16675383A JPH0334622B2 JP H0334622 B2 JPH0334622 B2 JP H0334622B2 JP 16675383 A JP16675383 A JP 16675383A JP 16675383 A JP16675383 A JP 16675383A JP H0334622 B2 JPH0334622 B2 JP H0334622B2
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- Expired
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、イオンプレーテイング法により絶縁
性基材上に磁性膜を形成する磁気記録媒体の製造
方法に関する。
性基材上に磁性膜を形成する磁気記録媒体の製造
方法に関する。
プラスチツクのフイルム、板などの電気絶縁性
基材にイオン化した鉄及びコバルト等の磁性金属
をそれぞれ窒素及び酸素などと反応させながら蒸
着することにより保磁力の優れた磁気記録媒体を
製造する方法はすでに提案されているが、イオン
化された磁性金属が電気絶縁性基材面に飛着して
付着することにより該基材面には電荷が蓄積され
て電位が上昇し、その結果磁性金属の成膜効率が
低下すると共に該基材面の中央部及び周辺部に集
中して磁性金属が蒸着されその膜厚にばらつきが
生じ均一な磁気特性が得られないという不都合が
あつた。
基材にイオン化した鉄及びコバルト等の磁性金属
をそれぞれ窒素及び酸素などと反応させながら蒸
着することにより保磁力の優れた磁気記録媒体を
製造する方法はすでに提案されているが、イオン
化された磁性金属が電気絶縁性基材面に飛着して
付着することにより該基材面には電荷が蓄積され
て電位が上昇し、その結果磁性金属の成膜効率が
低下すると共に該基材面の中央部及び周辺部に集
中して磁性金属が蒸着されその膜厚にばらつきが
生じ均一な磁気特性が得られないという不都合が
あつた。
また、イオン化された鉄及びコバルト等の磁性
金属をそれぞれイオン化された窒素及び酸素など
と共に電気絶縁性基材上に照射して該基材上に磁
気記録媒体を製造する方法も提案されているが、
この方法は前記のような不都合が更に著しく、例
えば５×５cm2の基材中の飽和磁気モーメントのば
らつきが30％に達する場合が生じた。
金属をそれぞれイオン化された窒素及び酸素など
と共に電気絶縁性基材上に照射して該基材上に磁
気記録媒体を製造する方法も提案されているが、
この方法は前記のような不都合が更に著しく、例
えば５×５cm2の基材中の飽和磁気モーメントのば
らつきが30％に達する場合が生じた。
本発明はかかる不都合を解消することをその目
的としたもので、イオン捕集電位が付与される被
着基材支持体に取付けられた電気絶縁性被着基材
上にイオン化された磁性金属を被着しながらイオ
ン化されたガスを照射して磁性薄膜を形成する式
の製造方法において、前記被着基材の被着面に導
電膜を形成し、該導電膜を前記被着基材支持体に
電気的に接続して該被着基材を被着基材支持体に
取付けることを特徴とする。
的としたもので、イオン捕集電位が付与される被
着基材支持体に取付けられた電気絶縁性被着基材
上にイオン化された磁性金属を被着しながらイオ
ン化されたガスを照射して磁性薄膜を形成する式
の製造方法において、前記被着基材の被着面に導
電膜を形成し、該導電膜を前記被着基材支持体に
電気的に接続して該被着基材を被着基材支持体に
取付けることを特徴とする。
以上の構成を有する本発明の方法によれば、電
気絶縁性被着基材に蒸着された磁性金属の膜厚の
ばらつきを著しく低下する効果を有し、例えば５
×５cm2の被着基材中の飽和磁気モーメントのばら
つきを２％以内とすることができる。
気絶縁性被着基材に蒸着された磁性金属の膜厚の
ばらつきを著しく低下する効果を有し、例えば５
×５cm2の被着基材中の飽和磁気モーメントのばら
つきを２％以内とすることができる。
以下本発明の実施例を図面につき説明する。本
発明の製造方法を実施するために第１図示のよう
なイオンプレーテイング装置を使用した。該装置
は、磁性金属例えば純度99.9％の鉄を収容したる
つぼから成る蒸発源１と、該磁性金属に対して電
子ビームを照射してこれを蒸発させる電子ビーム
放射源２と、該磁性金属をイオン化するための熱
電子放射フイラメント３及び正電位が付与される
電極４と、電気絶縁性の被着基材５が取付けられ
イオン捕集電位が付与された被着基材支持体６
と、バルブ７を介して流入する窒素ガスをイオン
化すると共に該窒素イオンを加速する例えばフリ
ーマン型イオン銃８と膜厚計９とを具備し、これ
等はいずれも例えば10-6Torrに減圧された真空
槽内に配置されて構成される。
発明の製造方法を実施するために第１図示のよう
なイオンプレーテイング装置を使用した。該装置
は、磁性金属例えば純度99.9％の鉄を収容したる
つぼから成る蒸発源１と、該磁性金属に対して電
子ビームを照射してこれを蒸発させる電子ビーム
放射源２と、該磁性金属をイオン化するための熱
電子放射フイラメント３及び正電位が付与される
電極４と、電気絶縁性の被着基材５が取付けられ
イオン捕集電位が付与された被着基材支持体６
と、バルブ７を介して流入する窒素ガスをイオン
化すると共に該窒素イオンを加速する例えばフリ
ーマン型イオン銃８と膜厚計９とを具備し、これ
等はいずれも例えば10-6Torrに減圧された真空
槽内に配置されて構成される。
次にこの装置を用いて本発明の製造方法を説明
すると、例えば縦５cm、横５cmの例えばガラス板
からなる被着基材５の一方の面に例えば3000Åの
厚さにチタン（Ti）を蒸着し、この被着基材５
を第２図のようにチタン膜１０を表にするととも
に被着基材支持体６に電気的に接続させて該支持
体６に固定し、該支持体６を蒸発源１の真上に水
平にして設置した。そして電子ビーム放射源２か
らの電子ビームを蒸発源１の純度99.9％の鉄に照
射してこれを蒸発させると共に50vの正電位が付
与された電極４と熱電子放射フイラメント３とで
イオン化し、蒸発源１に対し−200vの電位が付
与された被着基材支持体６に流れる電流を25Åに
してイオン化された鉄を被着基材５に被着する。
次に前記イオン銃８から被着基材５にイオンを照
射し該被着基材５に流れる電流を更に25Å増加さ
せ、50Åとなるようにして100秒間行ない、前記
被着基材５上に鉄窒化物を1000Åの厚さに形成し
た。
すると、例えば縦５cm、横５cmの例えばガラス板
からなる被着基材５の一方の面に例えば3000Åの
厚さにチタン（Ti）を蒸着し、この被着基材５
を第２図のようにチタン膜１０を表にするととも
に被着基材支持体６に電気的に接続させて該支持
体６に固定し、該支持体６を蒸発源１の真上に水
平にして設置した。そして電子ビーム放射源２か
らの電子ビームを蒸発源１の純度99.9％の鉄に照
射してこれを蒸発させると共に50vの正電位が付
与された電極４と熱電子放射フイラメント３とで
イオン化し、蒸発源１に対し−200vの電位が付
与された被着基材支持体６に流れる電流を25Åに
してイオン化された鉄を被着基材５に被着する。
次に前記イオン銃８から被着基材５にイオンを照
射し該被着基材５に流れる電流を更に25Å増加さ
せ、50Åとなるようにして100秒間行ない、前記
被着基材５上に鉄窒化物を1000Åの厚さに形成し
た。
この被着基材を0.5cm×0.5cmの大きさに切断し
て作成した各試料につき試料振動型磁力計
（VSM）により飽和磁気モーメントを測定し、そ
の分布を調べた結果、平均4.25×10-3emu、最大
4.3×10-3emu、最小4.17×10-3emuでそのばらつ
きは平均値の上下２％以内に集中していた。
て作成した各試料につき試料振動型磁力計
（VSM）により飽和磁気モーメントを測定し、そ
の分布を調べた結果、平均4.25×10-3emu、最大
4.3×10-3emu、最小4.17×10-3emuでそのばらつ
きは平均値の上下２％以内に集中していた。
比較例
ガラス板にチタンを蒸着しない以外は前記実施
例と同様にして作成した試料について飽和磁気モ
ーメントの分布を調べた結果、平均3.50×
10-3emu、最大4.25×10-3emu、最小2.5×
10-3emuでそのばらつきは平均値の上下20〜30％
であつた。
例と同様にして作成した試料について飽和磁気モ
ーメントの分布を調べた結果、平均3.50×
10-3emu、最大4.25×10-3emu、最小2.5×
10-3emuでそのばらつきは平均値の上下20〜30％
であつた。
以上の実施例と比較例を対比して明らかなよう
に磁性膜を電気絶縁性被着基材にイオンプレーテ
イング法により形成する場合、該基材に予め導電
膜を形成し、該導電膜をイオン捕集電位とするこ
とによつてほぼ均一な磁気特性及び膜厚を有する
磁気記録媒体を得ることができた。
に磁性膜を電気絶縁性被着基材にイオンプレーテ
イング法により形成する場合、該基材に予め導電
膜を形成し、該導電膜をイオン捕集電位とするこ
とによつてほぼ均一な磁気特性及び膜厚を有する
磁気記録媒体を得ることができた。
第１図は本発明の製造方法に使用されるイオン
プレーテイング装置の１例の模式図、第２図は被
着基材が取付けられた状態の被着基材支持体の側
面図を示す。 １……蒸発源、２……電子ビーム放射源、３…
…熱電子放射フイラメント、４……電極、５……
被着基材、６……被着基材支持体、８……イオン
銃。
プレーテイング装置の１例の模式図、第２図は被
着基材が取付けられた状態の被着基材支持体の側
面図を示す。 １……蒸発源、２……電子ビーム放射源、３…
…熱電子放射フイラメント、４……電極、５……
被着基材、６……被着基材支持体、８……イオン
銃。
Claims (1)
- １ イオン捕集電位が付与される被着基材支持体
に取付けられた電気絶縁性被着基材上にイオン化
された磁性金属を被着しながらイオン化されたガ
スを照射して磁性薄膜を形成する式の製造方法に
おいて、前記被着基材の被着面に導電膜を形成
し、該導電膜を前記被着基材支持体に電気的に接
続して該被着基材を被着基材支持体に取付けるこ
とを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16675383A JPS6059535A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16675383A JPS6059535A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6059535A JPS6059535A (ja) | 1985-04-05 |
| JPH0334622B2 true JPH0334622B2 (ja) | 1991-05-23 |
Family
ID=15837095
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16675383A Granted JPS6059535A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6059535A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05106029A (ja) * | 1991-10-15 | 1993-04-27 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜形成装置 |
-
1983
- 1983-09-12 JP JP16675383A patent/JPS6059535A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6059535A (ja) | 1985-04-05 |
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