JPH0334917Y2 - - Google Patents

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JPH0334917Y2
JPH0334917Y2 JP8137585U JP8137585U JPH0334917Y2 JP H0334917 Y2 JPH0334917 Y2 JP H0334917Y2 JP 8137585 U JP8137585 U JP 8137585U JP 8137585 U JP8137585 U JP 8137585U JP H0334917 Y2 JPH0334917 Y2 JP H0334917Y2
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tube
flow path
heat sink
semiconductor
cooling device
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JP8137585U
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Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この考案は半導体冷却装置、特に板状の半導体
チツプを冷却する装置に関するものである。
〔従来の技術〕
第3図は従来の半導体冷却装置を示す正面図で
ある。図において、1は半導体スタツクであり、
複数個の円板状の半導体チツプ2を間に挟む複数
個の円板状のヒートシンク3が積層され、絶縁板
4を介して締付板5間にボルト6により締付けら
れ、ベース7上に固定されている。ヒートシンク
3は伝熱性の金属板の内部に管状の流路が形成さ
れ、その両端に取付けられたブツシユ8にノズル
(またはニツプル)9が取付けられ、隣接するノ
ズル9間に可撓性のチユーブ10を接続してクラ
ンプ11で締付けられている。
上記の冷却装置は、図の状態で半導体チツプ
2、ヒートシンク3等を積層してスタツク1を形
成し、各ヒートシンク3をチユーブ10で接続し
た後、流路が垂直方向になるように配置し、チユ
ーブ10を通してヒートシンク3に冷却水を流し
て半導体チツプ2を冷却する。
〔考案が解決しようとする問題点〕
上記のような従来の半導体冷却装置において
は、スタツク1間のチユーブ10を接続するため
に、スタツク1間の距離Lは最小でも150mm必要
であり、スペースフアクタが悪いとともに、狭い
場所にチユーブ10を接続するため作業性が悪
く、またクランプ11の締め方が悪いと水漏れが
起こるなどの問題点があつた。
この考案は上記問題点を解決するためのもの
で、スペースフアクタおよび作業性が良好で、水
漏れがなくかつ通水抵抗の小さい半導体冷却装置
を提供することを目的としている。
〔問題点を解決するため手段〕
この考案は、半導体チツプを挟みかつ内部に冷
却水の流路を有するヒートシンクと、隣接するヒ
ートシンクの流路に両端部が挿入されかつ冷却水
の水圧による膨張により流路の内壁に圧着可能な
チユーブと、このチユーブおよび流路の内壁間に
介在するOリングとを備えた半導体冷却装置であ
る。
〔作用〕
この考案の半導体冷却装置では、隣接するヒー
トシンクの流路にOリングを介してチユーブの両
端部を挿入し、ヒートシンク間に半導体チツプを
挟んだ状態でチユーブを通してヒートシンクの流
路に冷却水を流し、半導体チツプを冷却する。チ
ユーブを通して冷却水を流すと、水圧によりチユ
ーブが膨張して流路の内壁およびOリングに圧着
され、水漏れは防止される。
〔実施例〕
以下、この考案を図面の実施例により説明す
る。第1図はこの考案の一実施例を示す第3図の
A−A相当断面図であり、第3図と同一符号は同
一または相当部分を示す。ヒートシンク3は伝熱
性の金属製円板からなり、内部に管状の流路12
が形成されており、その両端部にブツシユ8が取
付けられている。チユーブ10はポリアミド樹脂
(ナイロン)等の若干硬質で剛性を有し、冷却水
の水圧により周壁が放射方向に膨張する材質から
なり、その両端は隣接するヒートシンク3の流路
12にブツシユ8を介して挿入されている。ブツ
シユ8に形成された流路12の内壁とチユーブ1
0間にはOリング13が介在している。流路12
には使用時にチユーブ10の下端となる部分に段
部14が形成され、チユーブ10の下方向へのず
れが防止されている。流路12の使用時にチユー
ブ10の上側となる部分は段部はなく、チユーブ
10が自由に移動できるようになつて、チユーブ
10の挿着を容易にしている。
以上の構成において、ヒートシンク3にチユー
ブ10を挿着するには、Oリング13を挿入後、
段部14のない側の流路12にチユーブ10の一
端部を挿入し、さらに反対側の端部を挿入して段
部14に当接させる。半導体チツプ2は2枚のヒ
ートシンク3間に挟み、第3図と同様に半導体ス
タツク1を形成する。そして、段部14がチユー
ブ10の下側に来るように流路12を垂直方向に
配置し、上向流で冷却水を流して半導体チツプ2
の冷却を行う。このとき冷却水の水圧によりチユ
ーブ10が膨張して流路12の内壁およびOリン
グ13に圧着され、水漏れは防止される。
第2図は他の実施例を示し、この実施例ではブ
ツシユ8は省略され、チユーブ10の両端および
Oリング13はヒートシンク3に形成された流路
12に直接挿入されており、スペースフアクタが
さらに良好になつている。
以上のように構成することによりLは80〜100
mmに減少でき、チユーブ10は予めヒートシンク
3にセツトすることができる。上記説明におい
て、ヒートシンク3は半導体チツプ2の形状に合
わせてその形状を変更することが可能であり、ま
た流路12の構造等も図示のものに限定されな
い。
〔考案の効果〕
この考案によれば、チユーブを流路の内壁に水
圧により圧着するようにしたので、構造が簡単で
スペースフアクタおよび作業性が改善され、チユ
ーブによる接続が容易であるとともに、チユーブ
は予めヒートシンクにセツトできるため接続の時
間が短縮でき、また水漏れが防止でき、かつ通水
抵抗が小さくて圧力損失が減少するなどの効果が
ある。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図はそれぞれこの考案の別の
実施例を示す第3図のA−A相当断面図、第3図
は従来の半導体冷却装置の正面図である。 各図中、同一符号は同一または相当部分を示
し、1は半導体スタツク、2は半導体チツプ、3
はヒートシンク、8はブツシユ、10はチユー
ブ、12は流路、13はOリングである。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 半導体チツプを挟みかつ内部に冷却水の流路
    を有するヒートシンクと、隣接するヒートシン
    クの流路に両端部が挿入されかつ冷却水の水圧
    による膨張により流路の内壁に圧着可能なチユ
    ーブと、このチユーブおよび流路の内壁間に介
    在するOリングとを備えた半導体冷却装置。 (2) チユーブが直接またはブツシユを介して流路
    に挿入された実用新案登録請求の範囲第1記載
    の半導体冷却装置。 (3) Oリングがヒートシンクまたはブツシユに形
    成された流路とチユーブ間に介在する実用新案
    登録請求の範囲第1項または第2項記載の半導
    体冷却装置。
JP8137585U 1985-05-30 1985-05-30 Expired JPH0334917Y2 (ja)

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JP8137585U JPH0334917Y2 (ja) 1985-05-30 1985-05-30

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JPS61196540U JPS61196540U (ja) 1986-12-08
JPH0334917Y2 true JPH0334917Y2 (ja) 1991-07-24

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