JPH0334987A - シリル化された安息香酸誘導体、その製法、新規化合物を含有する液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の第１］用分野〕 本発明は、新規の、部分的に液晶のンリル化された安息
香酸誘導体、その製法及びその使用に関する。

〔従来の技術〕

液晶化合物は、時にり、デムス（Ｄｅｍｕｓ）　、Ｈ。

ｒムス及びＨ，ザ゛シュヶ（Ｚａｓｃｈｋｅ）　Ｃノリ
ューツィヒ、クリスタル　イン　クベレン（Ｆ　ｌｕｓ
ｓｉｇｅＫｒｉｓシａｌｌｅ　ｉｎ　Ｔａｂｅｌｌｅｎ
　）　、ｉ　９７４年、Ｄ、デムス及Ｏ：Ｈ，ザシエケ
、フリューツィヒ　クリスタルイノ　タベレン用、１９
８４年、ＶＥＢ−Ｖｅｒｌａｇ　。

ライプツイヒ〕力・ら公知である。米１．Ｉｌ！Ｉ特許
（ＵＳ−Ａ）第４３５８３９１号［Ｈ，フィンケル？　
７　（Ｆｉｎｋｅｌｍａｎｎ）その他、ワラカーヒエミ
ー社（Ｗａｃｋｅｒ−Ｃｈｅｍｉｅ　ＧｍｂＨ）　］明
細書には、オルガノシロキサン構造及びメンケ９ン側鎖
基を有する液晶重合体が記載されている。Ｍ、ペトルツ
イルカ（Ｐｅ　シｒｚｉｌｋａ）その他〔欧州特許（Ｅ
Ｐ−Ａ）　第アルケニル鎖を有する液晶成分を特許請求
したが、その際、このアルケニル鎖に安息香酸誘導体も
結合していてよい。この化合物は、有機珪素基を全く有
さない。Ｗ、Ｒ，ヤング（Ｙｏｕｎｇ）その他〔モレキ
ュラール　クリスタル　アンドリキッド　クリスタルズ
（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｃｒｙｓシａｌｓａｎｄ　Ｌｉ
ｑｕｉｄ　ｃｒｙｓｈａｌｓ）　、第１３巻、３０５〜
３２１頁、１９７１年、（）ｏｒｄｏｎ　ａｎｄ　Ｂｒ
ｅａｃｈＳｃｉｅｎｃｅ　Ｐｕｂｌｉｓｈｅｒｓ〕は、
特に安息側［４−１ミノフエノールエステルの４′−シ
リル化ベンズイミドについて報告した。３０９頁下に、
この珪素を含有するエステルは比較可能な物質とは反対
に、液晶相音形成せず、このことはオルガノシリル基の
立体障害の原因（ｒＣなっていることが述べられている
。

〔本発明が解決しようとする課題〕

本発明の課題は、有オリな耕規岐晶化合物、特に、）ｐ
ｉ機珪系原子団乞有１−るような化合物を１成すること
でめった。もう１つの本発明の課題は、その他の液晶と
良好に混合用能であり、態位で低粘性である液晶化合物
ヲ製造することであった。更に、本発明の課題は、表示
製置中で誘電体として好適であり、特にそれ金柑いるこ
とによってこの柚の装置中で短い応答時間及び高いコン
トラストを生じさせることができるような液晶化合物ｋ
　ｄ造することであった。

〔課題を解決するための手段〕

前記課題は、本発明によれば、式 〔式中、 ２は、ベンゼン環の２−３−５−又は６−位に結合した
糸、即ち、）・ロデン原子、シアノ基、ヒドロキシル基
をｆｆＬ、 ｎは、０又は１を表し、 Ｒ′は、式； ％式％（９） （式中、Ｘは０又は１の数金表し、ｙは１〜１８の整数
４表し、 Ｒ”は、Ｃよ〜Ｃ８−アルキル基、式：　Ｒ”−（Ｓｉ
（Ｒ“）２０〕７−〈式中、Ｖは１〜１０の値の整数乞
表す〉の基又は式： 値中、Ｗは０又は１の数であり、Ｌは、コレステリール
基又は場合によりフェニル−ハロゲン−シアノ−及び／
又はＣ１〜Ｃ４−アルコキシ基により欣快されていても
よいフェニル基、又はＷ−口の場合には、ノ・ロケ９ン
原子、シアノ−又はＣ１〜Ｃ４−アルコキシ築を表して
もよい〉の基金表し、 Ｒ”は、同−又は異なるもので、直鎖又は分枝鎖状の、
場合ＶこよｒｖｉＬｍさｒしていてもよい、０１〜Ｃ１
Ｂ−炭化水素−又は炭化水素オキシ基を表し、Ｒ““は
、フェニレン−又はビフェニレン基又は式−Ｅ−（式中
、Ｅは式−〇−の２結合性基又は−（８１（Ｒ”）２〕
−であシ、２は０又は１の数金表す〉の基金表し、そし
て指数Ｘ＋Ｖ＋Ｚの合ｉ１−は、化合物が１分子尚り少
なくとも１１１６１０式；−８ｉ（Ｒ”）２−の基を有
するように、少なくとも１でちるべきである）の基であ
り、Ｒ″は、コレステリール基、Ｒ”が表す基又は式：
　−Ｃ’６Ｈ，−Ｒ“の基を表す〕の化合物によって解
決される。

櫓利には、ｎは口又は１、特に口の値虻有する。

基Ｒ”の置換基としては、弗素−又は塩素原子、シアノ
基及びオキシラニル基が壱利である。

基Ｒ”が分枝鎖状の基である場合には、基Ｒ“がその一
番長い鎖に添ってメナル基によって分枝し−Ｃいるのが
有利である。

Ｘが口の値を有する場合には、Ｒ″は有利には、式（３
）の基のみを有することができる。

式（８）の化合物によって生成される鎖は、基Ｂ５１２
１Ｊｊ、、フェニレン−７りロヘキシレンービリジンジ
イルー　ピリミジンシイルー　ピリダゾンシイルー　ト
リアジンジイル−テトラシンジイル−ジオキサンジイル
−テトラヒドロフラノジイル−ビシクロＣ２，２，２）
オクタンジイル基、コレステリール基及び基Ｄ、即ち、
カルボニルオキシ−オキシカルボニル基、−ＣＨ２−Ｃ
Ｈ２−、−０−ＣＨ２−及び＝ＣＨ２−〇−基、式％式
％ −Ｎ−Ｎ（０）−及び−〇−の鮮から（前記基及び群が
Ｃ１〜Ｃ１８−アルキル基、フェニル糸又は極性基、有
利にはハロゲン原子、シアノ又はヒドロキシル基によジ
置換されていることがでさ、基りが直接相互に結合して
いないという条件で）選択された、その他の構造単位に
よって延長されていてもよい。

（１５） 鎖を延長するその他の構造単位は有オＵには、＝１，４
−フェニレン−１−１Ｊ４−シクロヘキシレン−１−２
，５−ピリジンジイル、−２゜５−ビリミシンジイル−
−６，６−ピリダゾンシイルー　−３，６−トリアゾン
シイルー−３，６−チトラジンゾイルー　−２，５−ゾ
オキサンゾイノＣ−−−２．５−テトラヒドロフランシ
イルー　ビシクロ［２，２，２：］オクタノジイル基、
コレステリール越、カルボニルオキシオキシカルボニル
基、−ＣＨ２−ＣＨ２−−０−ＣＨ２−及び−〇Ｈ２−
０−基、式−Ｃ−Ｃ−−Ｎ＝ＣＨ−−ＣＨ−Ｎ−−Ｃ−
Ｃ−−Ｎ＝Ｎ−−Ｎ＝Ｎ（０）−及び−０−の群から（
前記基及び群が０１〜０１Ｂ−アルキル基、フェニル基
又は極性基、有利にはハロゲン原子、シアノ又はヒドロ
キシル基により置換されていることができるという条件
で）選択される。

有利には、式（８）の化合物には式（６０）のようなも
のが該当する： （１６） 〔式中、２及びｎは前記したものを表し、Ｒ３は、Ｃ１
〜Ｃ８−アルキル基、式Ｒ１−Ｒ４（Ｓｉ（Ｒす。Ｏ〕
７−の基を表し、その際、Ｒ１は、ノ・ロゲン原子、シ
アノ基、コレステリール基、水素原子、ヒドロキシル基
又はＲ”又は−〇−Ｒ′にの表す麩であシ、Ｖは口〜１
０の値の整数であり、Ｒ”は同−又は異なる、場合によ
ジ置換された０１〜０１Ｂ−炭化水素基であシ、Ｘは０
又は１の数であり、ｙは１〜１８の整数であシ、Ｅは式
−〇−又は（Ｓｉ（Ｒ”）２）７−であり、２は０又は
１の数を表し、基Ｒ２中は除いて、指数Ｘ＋Ｖ＋Ｚの合
計は少なくとも１であるべきであシ、 Ｒ４は、式−Ｃ（Ｂ）ｂ（Ｄ）ｄ″１０−（式中蔦３及
び９は基りが直接相互に結合していないという条件で、
前記したものを表すことができ、ｂ及びＣは各々、０〜
６の値の同−又は異なる整数であシ、ｄは各４口又は１
の数である）の同−又は異なる基を表し　Ｒ２は、式−
Ｒ４−Ｒ１又は−Ｒ’−（ＣＨ２）ｙ（Ｓｉ（Ｒ’）２
’］、−Ｒ３ノー価Ｏ基を表す〕。

基Ｒ２中は除き、ｘ＋ｖ＋Ｚの合計が少なくとも１であ
るべきであるという条件は、Ｆｑ−ｒｆ記条件が式（３
０）の次の式によって前官れる部分ＶＣ該当すべきでめ
ることを重味する： 有オリには、本発明による化合物は、式（８）、（３）
及び（３０）で表されるフェニレン基を含めて、Ｂの表
す基最高７個を含有する。

有利には、本発明による化合物としては、式中　Ｒ１が
、ハロゲン原子、有利には、塩素原子、シアノ基、水素
原子、ヒドロキシル基、Ｃ１〜０１８−アルコキシ基、
有利にはＣ１〜Ｃ８−アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ１Ｂ−ア
ルキル糸、Ｍ　！１３　Ｋ　Ｉｄ　Ｃ１−０８−アルキ
ル基、コレステリール基を表し、及び／又はＲ３が式Ｒ
１−Ｒ’−［５ｉ（ＣＨ３）２０’］、−の基（ｉｌ：
表し、及び／又はＲ４が化学的に単結合、−ＣＨ２−Ｃ
Ｈ２−基、式−〇−の基、式 一〇−１−０＠−−０−〇−１ Ｃ４２）　　　　　（４３）　　　　　　　　（４４）
＠−ＣＨ２ＣＨ２− （４５） ［相］０−１＠−ｃ○０− （４６）　　　　　　（４７） ＠−ｃｏｏ＠τ （４８） 一＠−ｃｏ〇−〇＠− （４９） −ＯＱ−ｃｏｏ＠−０− （５０） 一＠−ｃｏｏ−Ｑ− （５１） （５２） （５９） （６０） （６１） の場合により・・ロケ９ン化された２価の基の群から選
択された基を表し、及び／又はＶが、０％１又は２の数
であシ、及び／又はＸが１の数であり、及び／又はｙが
３〜１２の整数でめシ、及び／又はＲ２が式：　−Ｒ４
−Ｒ１又は−Ｒ’−（ＣＨｚ）　−８ｉ（ＣＨ３）２（
Ｓ工（ＣＨ３）２０’ｌｌ、−Ｒ４−Ｒ１の基であシ、
及びその他の一＄、は各４式（３０）　Ｋ記（１９） 戦のものを表し、及び式（３０）にお・けると同Ｂ１：
）に指数ｘ　十ｖ　十Ｚの合訓］ま、ｍＲ２中は除き、
少なくとも１であるべきであるような式（３０）の化合
物である。

式（３０）の化合物に関して、前、う己条件の少なくと
も２つ、有利には少なくとも３つ、特に右利には少なく
とも４つ、特別には少なくとも５つ、特別に有利には少
なくとも６つ、更に極めて有オＵには７つ全部の条件が
満／Ｃされるのが有利である。

前記の化合物で液晶化合物が有利である。

製造方法 方法１ 式（８）又は式（６０）の化合吻は、 Ｃ）化合物と式 ％式％（１２） の化合物と金、又は式： （２０） の化合物と式： ％式％（２） の化合物とγ、白金金属及び／又はその化合物の存在で
、反応させることによって製造することができるが、そ
の際、前記式（扛）　、（１２）、（３１）及び（３２
）中、ｘ、ｙ、Ｅ、Ｒ’、Ｒ”’、Ｒ１”″及びＲ８ば
、式（８）に記載したものを表し　Ｈ，２、Ｒ３及びＲ
４は、式（６Ｂ）に記載したものを表す。

白金金属及び／又はその化合物としては、有利には白金
及び／又はその化合物を使用する。

本発明では、脂肪族不飽和化合物への８１原子と直接結
合した化合物のけ加のために従来１更用されていた全て
の触媒を使用することができる。

この種の触媒の例は、担体、例えば二酸化珪素、酸化ア
ルミニウム又は活性炭上に存在してもよい金属ヒ１三及
び細分状の白金、白・金の化合物又は錯体、例えばハロ
ゲン化白金、例えばＰｂＣ１４、Ｈ２ｐｂＣ１６Ｘ　６
Ｈ２０、Ｎａ２ＰシＣ１４Ｘ　４　Ｒ２０、白金−オレ
フィン−錯体、白金−アルコール−錯体、白金−アルコ
ラ−トル錯体、白金−エーテルー銘木、白金−アルデヒ
ドー錯体、白金−ケトン−錯体、（Ｈ２ＰシＣｌ６Ｘ　
６Ｈ２０及びシクロヘギサノンからの反応生成物金倉む
）、白金−ビニルシロキサン錯体、特に、検出可能な無
機結合したハロケ９７′に含有するの）又は含有しない
白金−ジビニルケトンメチルジシロキサン錯体、ビス−
（γ−ピコリン）−白金ジクロリド、トリメチレンジピ
リジン白金ジクロリド、ジシクロペンタジェン白金ジク
ロリド、ジメチルスルホキ７ドエチレン白金−（Ｉｌｌ
）−ジクロリド、並びに四塩化白金とオレフィン及び第
１アミン又は第２アミン又は第１及び第２アミンとの反
応生成物、例えば１−オクテン中に溶解させた四塩化白
金とＳ−ブチルアミンからの反応生成物、又は欧州特許
（ＥＰ−Ｂ）第１１１］　３７０号明細誓によるアルミ
ニウムー白金錯体である。

白金触媒は有ノ７１には、過剰量又は化学量論的鼠で存
在する、式（１０）又は（１２）或は（６１）又は（３
２）の出発物質のモル数ＶＣ対して、０．１〜５０七ル
の菫で使用される。

反応は、有利には温度口〜１１０″Ｃ１自第１ｊには０
．０５〜１．０　ＭＰａで実施される。

式（１０）及び（１２）又は（３１）及び（６２）の化
合物が非′；イに反応不活発である場合には、これより
高いｏＡ度、烏い圧及びもつと多い白金触媒の存在で慄
作することができる。

有利には、反応は、特に非プロトン性であるべきである
溶剤中で実施され；各々０．１ＭＰａ（絶対）で１６０
°Ｃ，特に１２０’Ｃ１での沸点又は沸点範囲忙自する
溶剤又は溶剤混合物が有オＵでめる。溶剤０例は、エス
テル、例えば酢酸メチル、酢酸エチル、ｎ−及びイン−
プロピルアセテ−Ｆ、ｎ−１Ｂ−及びし−ブチルアセテ
ト、蟻酸エチル及び炭酸ジエチル；エーテル、例えば、
ジオキサン、テトラヒドロフラン、ツェナ／１／　ニー
　チル、シーｎ−，ｆロビルエーテル、ゾイングロビル
エーテル、ジーｎ　−−！チルエテル、エチレングリコ
ールモノメチルエーテル、エチレングリコール七ノエチ
ルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル及
びアニソール；塩素化炭化水素、例えば、ジクロルメタ
ン、トリクロルメタン、テトラクロルメタン、１．２−
ジクロルエタン、トリクロルエチレン、テトラクロルエ
チレン及びクロルベンゼン；炭化水素、例えば、ペンタ
ン、ｎ−ヘキサン、ヘキサン−異性体混合物、シクロヘ
キサン、ヘゾタン、オクタン、洗浄ベンジン、石油エー
テル、ベンゼン、トルエン、キシレン：ケトン、例工ば
アセトン、メチルエチルケトン、メチルインブチルケト
ン；二硫化炭素、ピリジン、アセトニトリル及びニトロ
ベンゼン又はこれらの溶剤の混合物である。

浴剤とは、全ての反応成分をこれに溶解させねばならな
いということ全意味するものではない。反応は反応成分
の一つ又は数棟類の懸濁液又ハエマルジョン中で行うこ
ともできる。反応全混合間隙全有する浴剤混合物中で実
施することもでき、その際、各反応、相中に各々少なく
とも１柚類の反応成分が町浴性である。

有利には、化合物（１０）又は（６１）は式（１２）又
は（３２）の化合物に比して本発明の方法ではモル比１
：２〜２：１、特に１　：　１．１〜１，１：１で使用
する。

式（１０）　、　（１２）　、（３１）及び（６２）の
化合物は、一部市販されている。これらは、公知方法で
公知化合物から製造することができる〔例えば、ツーペ
ン−ウェイルーミュラー（Ｈｏｕｂｅｎ−Ｗｅｙｌ−Ｍ
ｕｎｅｒ）　％メトーデン　デル　オルガニツシエヒ　
エ　ミ　−　（Ｍａｂｈｏｄｅｎ　　ｄｅｒ　　　Ｏｒ
ｇａｎｉｓｃｈｅｎ　　Ｃｈｅｍｉｅ）、Ｇｅｏｒｇ　
Ｔｈｉｅｍｅ　Ｖｅｒｌａｇ　、シュツツツガルト〕。

新規中間生成物 前記式（３２）　： ％式％（２） 〔式中、Ｘは１の値を有し、Ｒ１３は式：　Ｒ１−Ｒ４
−の基であり、Ｈ４Ｆ１．前記式（４７）、（４８）、
（４９）、（５０）、（５１）及び（５２）の基から選
択したものであり、その際、ベンゼン環は珪素原子と直
接結合して釦り、Ｆｌｌ　　Ｆｌ＊及びＸは式（３０）
に記載されたものを表す〕の化合物は、新規のものであ
る。これらは、相応する酸ハロゲン化物のエステル化に
よ！ｌ１ｇ造することができる。

このために使用することができるような酸ハロゲン化物
の例は、ジメチルシリル安息香酸クロリドである。これ
らは、米国時計出願第２２９１８８号明細書［１９８８
年８月８日出願、欧州特許（ＥＰ−Ａ　）第５０４７２
０号明細書に相応、Ｆ、−Ｈ，フロウラニル（Ｋｒｅｕ
ｚｅｒ　）その他、コンンルテウム　ヒュア　エレクト
ロヒエミツシエ　インドウストリー社（Ｃｏｎｓｏｒｔ
ｉｕｍｆｕｒ　ｅｌｅｋｔｒｏｃｈｅｍｉｓｃｈｅ　Ｉ
ｎｄｕｓｔｒｉｅ　ＧｍｂＨ）　〕Ｉｃ（２７） 、ｍ、！７１．４−ジハロゲンベンゼンから、相応する
モノグリニヤール化合物のジメチルクロルシランとの反
応、更にマグネシウムとの反応及びＣＯ２との反応そし
て最後にこうして得られた４−ジメチルシリル安息香酸
の例えは塩化チオニルとの反応から得られる。

式（３２）の有利な新規化合物は、式（５６）のような
もの： Ｈ−８ｔ（Ｆｌ＊）２８ｃｏ○−Ｇ　　　　　（５３）
特に、式（２２）のようなもの： Ｈ（ｓｉ（ＣＨ３）２）＋Ｃ００−Ｇ　　　　（２２）
であり、その際、前記式中、ｂ＊は、式（９）に記載し
たものを表し、Ｇは、場合によ９２価の基、即チ、フェ
ニレン−ビフェニレン−シクロヘキシレン−フェニレン
シクロヘキシレン−又ハシクロヘキシレンフェニレン基
ヲ介して珪酸原子と組合しｆｃ　１価の基、即ち、水素
−又ハハロケゞン原子、シアノ−ヒドロキシル−コレス
テリール−Ｃ１呵１２炭化水素−又は炭（２８） 化水素オキシ基を表す。

基Ｇとしては、有利には４−メトキシノエニルー　　４
−Ｘ７７／フェニル−４−クロルフェニル−トランス−
４−エチルシクロヘキシル（Ｓ）−２−メチルブチル−
４−ビフェニルイル−４、４’−メトキシビフェニルイ
ル、４．４’　−シアノビフェニルイル−４−ヒドロキ
シフェニル−４，４′−ヒドロキシビフェニルイル−ト
ランス−４−ヒドロキシシクロヘキフルー　コレステリ
ール−及び４−シクロヘキシル基である。

前記式（３２）： ％式％（３２） 〔式中、Ｘは１の値を有し、Ｒ３（，１、式：Ｒ１−Ｒ
４−の基であり、Ｒ４は、前記式（４７）、（４８）、
％式％） ら選択したもσ）であり、その際、ベンゼン環は直接珪
素原子と結合してむシ、ＲＩ　　Ｒ＊及びＸは式（３０
）に記載したものを表す〕の化合物、即ち、有利には、
式（５３）の化合物は、有利には、式（５４）　： ％式％（５４） 〔式中、Ｒ＋は、ハロケゞン原子又はＣ２−＜　４カル
ボン酸のアシル基を表す〕の化合物を相応するアルコー
ル、即ち特に、弐〇、−０１’（の２Ｌうなものでエス
テル化することによって、製造することができる。

新規化合物は、担体、例えは、ガラス、石英、シリカケ
ゞル等の表面変性を行うために、例えばクロマトグラフ
ィーの固定釦用の」具体４」村上で、使用することもで
きる。この表面変性は、特に、場合により白金金属及び
／又Ｑまその化合物をヒドロシリル化触媒として含有す
る、相応するトルエン溶液の拭取り又は滴加により行う
ことができる。

方法２ 式（８）又は式（３０）の化合物は、式：の化合物と式
： Ｆｔ”　［８ｉ（Ｒ＊）２）ｘ（ＣＩ（２）（ｙ−、）
の化合物とを又は、式： ％式％ （１４） （３４） の化合物と式： Ｒ”−ＣＳｌ（Ｒ＊）２　：ｌ］Ｘ　’　ＣＨ２）（Ｙ
　２　）−ＣＨ−ＣＨ２（３５）の化合物とを、白金金
属及び／又はその化合物の存在で、反応させることによ
って得ることができるが、その際、前記式（１４）　、
ＬＳ３．）、（３４）及び（３５）中、Ｅ１甘７　、Ｂ
／／ｌ　、ｙｌ／／、Ｒ＊、工及びｙは式（８）に記載
したものを表し、Ｂ　２　　Ｒ３及びＲ４は、式（３０
）　＆こ記載したものを表す。

特にこのようにして、式（１３） ％式％（１） の化合物を式（１４）　。

Ｒ”’　［５ｉ（Ｒ＊）２〕ｘ（ＣＨ２）（ｙ、）−Ｃ
Ｈ＝ＣＨ２（１４）（ろ１） の化合物とを、白金金属及び／又はその化合物の存在で
反応させることができ、その際、前記式（１３）及び（
１４）中、Ｅ１打′、Ｂ“′、Ｒ＊、Ｘ及びｙは式（８
）に記載したものを表す。

有利には、式中Ｅが−ｓ１（”’ｚ、）２−　ｋ表す式
（８）の化合物を、式： の化合物と、式： Ａ（Ｓｉ（ＣＨ３，）２〕ｘ（ＣＦ−Ｔ２．）（ｙ−２
）　Ｃｌ−ｌ＝ＣＨ２（２３）の化合物とを、白金金属
及び／又はその化合１勿の存在で反応させることによっ
て製造するが、その除、前記式（２２）及び／又は（２
３）中のＡは、Ｃ１−ＪＳ４−アルキル基又は式’、　
ＣＨ３（Ｓｌ（ＣＨ３）２０〕ｑ（式中、■は１．２又
は３の数である）の基を表し、Ｇは前記方法１で式（５
３）及び（２２）　Ｋ記載したものを表し、Ｘ及びｙは
式（９）　Ｋ記載のものを表す、即ち、ＸはＤ又畦１の
数でちり、（５２） ｙは１〜１８の部数である。

白金金属及び／又はその化合物としては、方法１に記載
の相応する金属及び化合物を使用することができる。

有利な反応条件、例えば量比、圧力、温度及び溶剤は方
法１に記載のもの（（相応する。

出発化合物（１ろ）、（１４）、（２２）、（２５）、
（ろ４）及び（３５）の入手性に関しては、方法１で出
発化合物（１０）、（１２）、（ろ１）及び（３２）に
間して前Ｎｌ］：　したものに相応−ターる。

方法２により、実施例５を実施した。

方法３ 式（８）又は式（ろ０）の化合物の製造は、ｆａ１式： の化合物、又は式： 〔式中、Ｈａｔｉｊ：、ハロゲン原子、有利には、塩素
又は臭素である〕の化合物乞、金属、有利にはマグネシ
ウムと反応させ、こうして得られた有機金属化合物を（
ｂ１式： ％式％（３７） Ｑどちらかの化合物と反応させることによっても実施す
ることができ、前記式中、Ｈａｌは式（１５）に記載し
たもの上衣し、ｆは式（８）に記載したものを表し、Ｒ
２は式（３０）に記載したものを表す。

前記反応ｆａ）及びｆｂ）は有利には、非プロトン性０
、主として無水の浴剤中で行われる。こｏ８Ｉ！の浴剤
の例は、方法１で好適な溶剤として前記した浴剤である
。

方法３により実施例７金行った。

方法４ 方法３は、式（１５）の化合物中で、基Ｒ′が、式： ％式％（１８） の基又は式： Ｈ−Ｅ−（１７） の基の一つによって置換されているか、又は式（３６）
の化合物中で、式： Ｒ３（Ｓｌ（Ｒ＊）２〕）（（ＣＨ２）ｙ−ＩＲ’−Ｅ
−が式：％式％（４０） の基又は式： Ｈ−Ｒ’−Ｅ−（４１） の基によって置換されており、反応から得られた生成物
を引き続き方法１又は２により処理することによって、
変えることもできる。

式（１７）中で、ＥＶｉ有利には、式：　−８ｉ（ＣＨ
３）２−の２結合性基を表す。

使用 本発明による又は本発明により製造することのできる液
晶化合物は、表示装置、特に、スメクチックな液晶（混
合物）を使用して製造される表示装置に使用することが
できる。その際、式（８）の純粋な化合物、その混合物
及び％に、式（８）の液晶化合物と七の他の液晶との混
合物を使用することができる。本発明による化合物（６
５） は、スメクチックな混合物を製造するために、特に、ス
メクチックなＣ−相を形成することかできるような混合
物を得るために、好適である。

しかし、本発明による化合？！Ｉは、ネマチック又はコ
レステリック相に添加物として使用することもできる。

式（８）の化合物を用いて、液晶基礎混合物を製造する
こともできるし、既に完成した基礎混合物の特性−例え
は光学的異方性、電気的異方性、自発分極、粘度、ティ
ルト角、ピッチ及び相挙動−を有利に変えることもてき
る。

数品混合物中の本発明による液晶状のシリル化された安
息香酸誘導体の含分は、使用目的に応じて広い範囲で変
えることができる。こ′ｒＬは、例えば１重量φ〜１［
］０］ｊ蓋多であってよい。

本発明ＶＣよる化合物が光学対称体であるか又はジアス
テレオマーである限り、本発明による化合物には１周々
の光学対称体又はジアステレオマー及びその混合物、％
にラセミ体も包含される。

（３６） 下記実施例中、特に記載のない限り、 ａ）蓋はＮ量であり； ｂ）圧力は全て０．１０　ＭＰａ　（絶対）であり；Ｃ
）温度は全て２０℃である。

相説明は、下記のように略記する： ｄ）数値は、遷移温度（℃）を表す； ｅ）相の種類は次のように特徴付けられろ：ｉ：異方性
相、 Ｕ：ネマチック相、 Ｃｈ：コレステリック相、 ＳＡ：スメクチツクへ−相、 ｓＣ：スメクチツクＣ−相、 ｓＣ＊　：キラル　スメクチックへ−相、８Ｂ＝スメク
チックＢ−相、 Ｓ：スメクチック状態、その型は決められな力）つた に：島状 Ｇニガラス状 ｆ）（）中の相貌咽は氷点下冷却ｂ」能な相を示す。

下記実施例中に使用される化合物の命名法は、常に国際
純正及び応用化学連合（ＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＵ
ｎｉｏｎ　ｏｆ　Ｐｕｒｅ　ａｎｄ　Ａｐｐｌｉｅｄ　
Ｃｂｅｍｉｓｔｒｙ　）（ＩＵＰＡＣ）の規則に基づく
とは眼らない。即ち、若干の例で６ペンタメチルジシロ
キシルー”基として記載した基はより正確にはペンタメ
テルジシロキサニルー基と呼ばれる。

例　　１　ニ ジクロルメタン２０．０．９中１７）４−（５’　−へ
キセニルオキシ）安息香酸−（４−オクチルオキシフェ
ニルエステル）　１８．０．９　（３６，１ミＩＪモル
）の浴液に、０．５％のジシクロペンタジェニル白金ジ
クロリド溶液０．７６　Ｅ／　（ｐｔＯ，口２くリモル
）を部側し、還流下にトリメチルシラン３．１４　Ｆ　
Ｃ４２，３ミリモル）を１４時時間量に導入した。８時
間後、史に０．５％のシンクロペンタジェニル白金ジク
ロリド溶液０．７６．９（ｐｔＯ，０２、’　ｌ）モル
）を、そして１２時間後に史Ｋ　Ｏ，５％のジシクロペ
ンタジェニル白金ジクロリド浴液０．３８　、！ｉ’　
（Ｐｔ　Ｏ，０１ミ　リモル）を添加した。オレフィン
を完全にヒドロシリル化した後、反応混合物□窒素を噴
霧し、ジクロルメタンを回転蒸発器で真空中で蒸発除去
した。

粗生成物を精製するためにシリカゲルのクロマトグラフ
ィーにかけた。得られた４−（１’トリメチルシリルヘ
キシルオキシ）安息香酸−（４−オクチルオキシフェニ
ルエステル）ヲ付加的にエタノールから再結晶させ、こ
れは次の相挙動を示した：　ｋ４７ｓｃ６１ｉ　。

同様にして次のもの金製造した： ４−（１’−トリメチルシリルプロピルオキシ）安息香
酸−（４−プロヒルオキシフェニルエステル）、相：　
ｋ１６５に２７０に３８５１　。

４−（１’−トリメチルシリルプロピルオキシ）安息香
酸−（４−ブチルオキシフェニルエステル）、相：　ｋ
７３　（ｓＡ４４）ｉ。

４−（１’−１−リメチルシリルプロビルオキシ）安Ｉ
Ｂ、香ｅ−＜　４−オクチルオキシフェニルエステル）
、相：　ｋ５４　（ｓ４２ｓｃ’４９−５０）　ｉ。

４１１’−トリメチルシリルブチルオキシ）（６９） 安息香酸−（４’　−オクチルオキシフェニルエステル
）、相：　ｋ４９　（ｓ３７ｎ４２）１０４−（１’−
）リメナルシリルペンチルオキシ）安息香酸−（４−プ
ロヒルオキシフェニルエステル）、相：　ｋ５８−５９
（ｓＣ４４−４６，）ｉ　。

４−（１’−１リメテルシリルベンチルオキシ）安息香
酸−（４−ブチルオキシフェニルエステル）、相：　ｋ
６５−６４（ｓｃ５６−５７）ｉ。

４−（１’−トリメチルシリルペンチルオキシ）安息香
酸−（４−オクチルオキシフェニルエステル）、相：　
ｋ５４ｓ６６ｉ　０ ４−（１’−トリメチルシリルヘキシルオキシ）安息香
酸−（４′−プロピルオキシフェニルエステル）、相：
　ｋ６６（ｎ４１　）１゜４−４１’−トリメチルシリ
ルヘキシルオキシ）安息香酸−（４−ブチルオキシフェ
ニルエステルノ、相：　ｋ６１−６２（ｓＣ４８ｎ５２
）ｉ　。

４−（１’−トリメチル７リルブチルオキシ）安息香酸
−４−（２’−（Ｓ）−メチルブチルオキシフェニルエ
ステル）、相：に５９ｉ。

（４０） ４−（１’−トリメチルシリルペンチルオキシ）安息香
酸−４−（２’−（Ｓ）−メチルブチルオキシフェニル
エステル）、相：　ｋ６８（ｓｃ３２）ｔ。

４．１１’−）リメチルシリルヘキシルオキシ）安息香
酸−（４−ｕｓ）−２’　〜メチルブチルオキシフェニ
ルエステル）、相： に５６（ｓＣ２５−２６）ｉ　０ ４−（１’−）リメチルシリルヘキシオキシ〕安息８酸
−（４−オキシカルボニル−２’−（ｓｌ−クロルエチ
ルエステル）、相： に８０（ｓＣ５８−５９，）ｉ。

４−（３−トリメチルシリルプロピルオキシ）安、ｔｌ
ｌ−（４、４’　−ペンチルビフェニルエステル）、和
：　ｋｇ６５ｃ１１３−１１５ｓＡ１１９−１２１ｎ１
３８１゜４−　（トリメチル７リルブチルオキシ）安息
香酸−（４、４’　−ペンチルビフェニルエステル）：
相：　ｋｇ９Ｊ、？／５ｏ）ｓ？／ｓｃ１［］９ｎ１４
２１゜４−　（）　ＩＪメチルシリルペンチルオキシ）
安息香酸−（４，４’　−ペンチルビフェニルエステル
〕；相：に１０口ｓｃ１１３ｎ１３９１゜４−　（３−
トリメチルシリルプロピルオキシ）安息香酸−（４−（
４−トランス−プロピルシクロヘキシレン）フェニルエ
ステル）；ａ：に１１３−１１４ｎｉ　３５１　。

４−（６−トリメチルシリルヘキシルオキシ）安息香酸
−（２−クロル−４−オクチルオキシフェニルエステル
）；相：　ｇ−４５ｓＣ−１６ｎ１２１゜５−クロル−
４−（１′−トリメチルシリルヘキシルオキシ）安息香
酸−（４−オクチルオキシフェニルエステル）；相：　
ｋ５７（ｓＢ４７）ｉ　。

例　　２ ジクロルメタン２５．０．９中の４−（５’　−へキセ
ニルオキシ安息香酸−４′−シアノビフェニルエステル
）　１５．０．９　（４７，０ミリモル）の浴液に、０
．５％のジシクロペンタジェニル白金ジクロリド（ジク
ロルメタン）溶液０．８０ｇ（Ｐｔ　Ｏ，［］　２　ミ
’Ｊモル）を添加し、還流下にトリメチルシラン４．０
０．９　（５３，９ミリモル）を１５時間の間に導入し
た。オレフィン金完全にヒドロシリル化した後、反応混
合物に窒素を噴精し、ジクロルメタンを回転蒸発器で真
空中で蒸発除去した。粗生成物を精製するためにシリカ
ゲルでクロマトグラフィーにかけた。

引き続きジエチルエーテルから再結晶させ、クロマトグ
ラフィーにかけた。得られた４−（１’−トリメチルシ
リルヘキシルオキシ）安息！酸−４−シアノビフェニル
ニステルハ、次の相挙動を示した：　ｋ７８ｓＡ（ｐｓ
Ａ）２１９−２２２゜同様にして次のものを製造した： ４−（６’−１リメチルシリルヘキシルオキシ）安息香
酸−（４、４’　−シアノビフェニル−エステル）、相
：　ｋｇ０ｓＡ２１３１゜４−（１’−）リメチルシリ
ルプロピルオキシ）安息香酸−（４、４’　−シアノビ
フェニル−エステル）、相：　ｋ１０７−１０８ｓＡ２
００−２０４１゜４−（１’−１−リメチルシリルプロ
ビルオキシ）安、！！酸−４−シアノフェニルエステル
、相：に８２（ｋｌ　５２（ｓＡ２７−２８））ｉ　０
４−［１−（ベンタメチルジシロキサニル）ペンチルオ
キシ］安息香酸−４−（５−ｎ−ヘキ（５） シルピリぐジン−２−イル）フェニルエステル、ｋ８３
（ｓＩ３５）ｓＡ８４ｕ１２３１゜４１１’−トリメチ
ルシリルブチルオキシ）安息香酸−４−シアノフェニル
エステル、相：に６８１゜ ４１１’−トリメチルシリルペンチルオキシ）安息香酸
−４−シアノフェニルエステル、相：に７２−７”＋（
ｓＡ５６−５７）ｉ　−４−（１’−トリメチルシリル
ヘキシルオキシ）安息香酸−４−シアノフェニルエステ
ル、相：に７２（５Ａ５９　）　ｉ。

例　　５ トルエン２０．０．９　中の４−５’　−へキセニルオ
キシ安息香酸−（４−オクチルオキシフェニルエステル
）　２０．０　ｇ（４７，２ミリモル）及びペンタメチ
ルジシロキサン７．１０　、！１７　（４８，０ミリモ
ル）の溶液に、０．５％０ジシクロペンタジエニル白金
ジクロリド（ジクロルメタン）溶液０−９４　＆　（ｐ
ｔ、０．０２ミリモル）を添加し、５時間還流させた。

オレフィン會元全にヒドリン（４４） リル化した後、反応混合物に窒素全噴霧し、トルエンを
回転蒸発器で真空下で蒸発除去した。

粗生成物を精製するためにシリカゲルでクロマトグラフ
ィーにかけた。得られた４−（１’ペンタメテルジシロ
キシルへキシルオキシ）安息香酸−（４−オクチルオキ
シフェニルエステル）を付加的にエタノールから再結晶
させ、これは次の相挙動會示した：　ｋ３８ｓ５０ｉ　
０同様にして次のものを製造した： ４−（１’　−ベンタメチルジシロキシルプロビルオキ
シ）安息香酸−（４−グロビルオキシフェニルエステル
）、相：に５０１゜ ４−　（１’　−ベンタメチルジシロキシルグロビルオ
キシ）安息香酸−（４−オクチルオキシフェニルエステ
ル）、相：　ｋ３０−３３１　。

４−　（１’　−ベンタメチルジシロキシルベンチルオ
キシ）安息香酸−（４′−オクチルオキシフェニルエス
テル）、相：　５ｃ４７ｉ。

４、−　（１’　−ベンタメチルジシロキシルへキシル
オキシ）安息香酸−（４−ブチルオキシフェニルエステ
ル）、相：　ｋ４６（ｓ？４３−４４）ｉ。

４−（１’　−ベンタメチルジシロキシルプロビルオキ
シ）安息香酸−４（２’　−（Ｓ）−メチルブチルオキ
シ−フェニルエステル）、相：に１７１゜ ４−（１’　−ベンタメチルジシロキシルベンチルオキ
シ）安息香酸−（４−２’−（Ｓ）−メチルブチルオキ
シフェニルエステル）、相：に６２−６３１０ ４−　（１’　−ベンタメチルジシロキシルへキシルオ
キシ）安息香酸−（４−２’　−（８）−メチルブチル
オキシフェニルエステル）、相：に３４１　。

４−　（１’　−ベンタメテルジシロキシルプロビルオ
キシ）安息香酸−（４′−プロピルフェニルエステル）
、相：　ｋ３６−３７（ｌｉ　。

４−（１’　−ベンタメテルジシロキシルベンチルオキ
シ）安息香酸−（４′−ブチルフェニルエステル）、相
：　ｋ７（ｓＣ−２−１ｓＡ１−２）ｉ。

４−（３−ペンタメチルジシロキサニルプロピルオキ”
）安Ｍ、香酸−（４、４’　−ベンチルビフェニルエス
テルノ；相：　ｋ７４−７８ｓＡ１０６−１［］７ｉ。

４−（６−ベンタメテルジシロキシルプチルオキシ）安
息香酸−（４、４’　−ベンチルビフェニルエステルノ
；相：　ｋ８０ｓＡ１１５−１１６１゜４−（５−ペン
タメテルジシロキサニルペンチルオキシ）安息香酸−（
４、４’　−ペンチルビフェニルエステル）；相：　ｋ
７９−８１　ｓＡｌ　１４−１１６１゜４−（６−ベン
タメチルジシロキシルへキシルオキシ）安息香酸−（４
、４’　−ペンチルビフェニルエステル）；相：　ｇ５
６ｓＡ１２８−１３１１０４−（３−ペンタメチルジシ
ロキサニルプロピルｊＦ　キシ）　安Ｍ、’４Ｆ酸−（
４，４’　−エチルビフェニルエステルノ；相：　ｋ７
７ｓＣ９２ｓＡ９２−９＋ｉ。

４−（３−ペンタメチルジシロキサニルグロビルオキシ
）安息香酸−（４−１４−１ランス−プロピルシクロヘ
キシレン）フェニルエステル）；相　：　ｋ１０５１　
０ ４−（６−ベンタメチルジシロキサニルヘキシルオキ’
／　）　安息香酸−（２−クロル−４−オキ（４７） シチロキシペンチルエステル）　；相：ｇ−５４ｓ−２
ｉ。

例　　４ トルエン５０．０　、！？中の４−（５’　−へキシル
オキシ）安息香酸−（４−シアノフェニルエステル）　
１５．８．９　（４２，９ミリモル）及びペンタメチル
ジシロキサン６．４８．９　（４３，７ミリモル）の溶
液に、０．５％のジシクロペンタジェニル白金ジクロリ
ド（ジクロルメタン）溶液０．９４９　（Ｐｔ　Ｏ，０
２ぐリモル）を添加し、３時間還流させた。オレフィン
を完全にヒドロシリル化した後、新たに０．５％のジシ
クロペンタジェニル白金ジクロリド（ジクロルメタン）
　溶ｉ　０．９４＆　（Ｐｔ　Ｏ，０２ミリモル）を添
加し、２時間還流させた。反応混合物に窒素全噴霧し、
トルエンを回転蒸発器で真空下で蒸発除去した。粗生成
物を精製するためにシリカゲルのクロマトグラフィーに
かけた。得られた４−（１’　−ペンタメチルジシロキ
シルへキシルオキシ）安息８飲−４−シアノフェニルエ
ステル’ｔ　付加的にぺ（４８） メタンから（１００〜１４０°Ｃ）再結晶させ、これは
次の相挙動を示しｆｃ　：　ｋ５４−５５（ｓＡ５３−
５５）ｉ。

同様にして次のものを製造した： ４−（１’　−ペンタメテルジシロキシルグロビルオキ
’／）　安息香酸−４−シアノフェニルエステル、相：
　ｋ６５（ｓＡ２６−２８）ｔ０４−（１’　−ペンタ
メチルジシロキシルブテル、ｔ　キシ）　安息香酸−４
−シアノフェニルエステル、相：　ｋ６８ｉ。

４−（１’　−ペンタメチルジシロキサン６ンチ”オキ
’／）　安り香酸−（４−シアノフェニルエステル）、
相：　５Ａ５５−５６１゜ ４−（１’　−ペンタメテルジシロキシルプロビルオキ
シ）安息香酸−（４′−シアノビフェニルエステル）、
相：　ｋ８６ｓＡ２０９−２１０１　。

４−（１’　−ペンタメテルジシロキシルペンテルオ＃
’／）安息香酸−（４′−シアノビフェニルエステル〕
、相：　ｋ４８ｓＡ２ｔ５ｉ　。

４〜（６−へブタメチルトリシロキサニルへキシルオキ
シ）安息香酸−（４、４′　−シアノビフェニルエステ
ル）、相：　ｋ＋５Ａ３９ｓＡ１９３−１９７ｉ。

４−（６−ノナメチルテトラシロキサニルへキシルオキ
シ）安息香酸−（４、４’　−シアノビフェニルエステ
ル）、相：　５Ｃ９１ｓＡ１７８−１８１１゜４−（６
−ランチカメチルペンタシロキサニルへキシルオキシノ
安息香酸−（、４、４’　−シアノビフェニルエステル
）、相：　５ｃ７７ｓＡ１５４−１５６１゜４−　（６
−トリデカメチルヘキサシロキサニルヘキシルオキシ）
安息香酸−（４、４’　−シアノビフェニルエステル）
、相：　５ｃ４３ｓＡ１．５５−１４１ｉ０４−（６−
ベンタゾカメテルヘブタシロキサニルへキシルオキシ）
安息香酸−（４、４’−シアノビフェニルエステル）、
相： ５ｃ４２ｓＡ１２７−１２９ｉ。

例　　５ トルエンｉｏ、ｏ、ｒ中の４−ブチ−６′−エニルオキ
シクロルフェノール２．００．９　（１１，０＝：リモ
ル〕及び４−ジメチルシリル安息香酸コレステリールエ
ステル６．００．９　（１０，９ミリモノリノ浴液に、
Ｒ流下に０．５％のジシクロペンタジエニル白金ジクロ
リド溶液（ジクロルメタン）０．１８９　（Ｐｔ　４．
６μモル）全添加し、１時間還流させた。完全にヒドロ
シリル化した後、トルエンを回転蒸発器で真空下で蒸発
除去した。

粗生成物を精製するためにシリカゲルでクロマトグラフ
ィーにかけた。得られた４−（４’クロルフエニルオキ
シブチルジメチルシリル）安息香酸コレステリールエス
テルを付加的にトルエンからメタノールを用いて再沈澱
させ、これは次の相挙＆ＩＪ金示した＋　ｋ８８−９４
（Ｇ１２ｃｈ５４）ｉ。

同様にして次のものを製造した： ４−（４’　−クロルフェニルオキシグロピルジメチル
シリル）安息香酸コレステリールエステル、相：　ｋ８
Ｂ（Ｇ１３ｓ６９）ｉ。

４−（４’　−ビフェニルオキシグロビルジメテルシリ
ル）安息香酸コレステリールエステル、相：　（）２８
ｓ１２８−１３２１゜ ４−（４’　−シアノフェニルオキシブチルジメチルシ
リル）安息香酸コレステリールエステル、相：　Ｇ２１
ｎ５１１　。

（５１） ４−（４’　−シアノフェニルオキシブチルジメチルシ
リル）安息香酸コレステリールエステル、相：　ｋ８４
（Ｇ１５ｃｈ６８）ｉ。

４１４’　−シアノフェニルオキシベンナルジメチルフ
リル）安息香酸コレステリールエステル、相：　ｋ６６
（ｏｌｏ）ｉ。

４１４’　−メトキシノエニルオキンプロビルジメチル
シリル）安息＠酸コレステリールエステル、相：　ｋ５
０−６０（Ｇ１０）ｉ　０４−（４’ｌ’ロルフエニル
オキ７カルボニルフエニル−４“−オキシプロピルジメ
チルシリル）−安息香酸コレステリールエステル、相：
に１４６１５Ｈｓ）ｉ　０ ４、−（４’　−シアノフェニルオキシカルボニルフェ
ニル−４“−オキシプロピルジメチルゾリル）−安息香
酸コレステリールエステル、相：に１２Ｂ−１３７（ｓ
、）ｉ　０ ４−　（４’−シアノフェニルオキシカルボニルフェニ
ル−４“−オキシブチルジメチルシリル）安息香酸コレ
ステリールエステル、相：（５２） Ｇ３１ｃｈ１５７１　ａ ４−（４，’　−シアノフェニルオキシカルボニルフェ
ニル−４“−オキシペンチルジメチルシリル）安息香酸
−コレステリールエステル、相：に１０４（（）２フ）
ｉ　。

４１コレステリールオキシカルボニルフエニル−４′−
オキシプロピルジメチルシリル）安息香酸−コレステリ
ールエステル、相：に１８９（ｓ１３２ｃｈ１７９）ｉ
。

４−（コレステリールオキシカルボニルフェニル−４′
−オキシ）ブチルジメチルシリル）安息香酸−コレステ
リールエステル、相：に１９９ｃｈ２３１−２３４１゜ ４−（コレステリールオキシカルボニルフェニレン−４
１−オキシブチルジメチルシリル）安息香酸コレステＩ
Ｊ　−／ｌ／エステル、相：に１８６−１９５（Ｃ）４
３ｓ１４８ｃｈ１８２）１０４−（コレステリールオキ
シカルボニルフェニル−４′−オキシヘキシルジメチル
シリル）安息香ｍ　コレステリールエステル、和：に１
７３ｓＡ２０２ｃｈ２１８１　。

４−（４’　−メトキシフェニルオキシカルボニルフェ
ニル−４７−オキシブチルジメチルシリル＞安息香ｗコ
レステリールエステル、相：に９０ｓ１１２−１１４ｉ
　　０ ４−（４’−メトキシフェニレンオキシカルボニルフェ
ニレン−４“−オキシブチルジメチルシリル）安息香酸
コレステリールエステル、相：　ｋ１５３（Ｇ２１ｃｈ
１４３）ｉ　。

４−（４’　−メトキシフェニルオキシカルボニルフェ
ニル−４７−オキシブチルジメチルシリル　ル）　安息
香酸コレステリールエステル、相：Ｇ２４ｓ６２−７４
ｔ　。

４−（４’　−ビフェニルオキシ力ルホニルフェニル−
４″−オキシブロビルジメチルシリルノ安息香酸コレス
テリールエステル、相：に１４４（Ｇ３６ｓ９０−９７
）ｉ。

４−（コレステリールオキシ力ルホニルフエニレン−４
′−オキシプロピルジメチルシリル）安Ｊ４Ｆ酸−４’
−ビフェニルエステル、相：に１ろ１（Ｃ）！１２８１
０６）ｉ　０４−（コレステリールオキシカルボニルフ
ェニレン−４７−オキシブチルジメチルシリル）安息香
酸−４’−ビフェニルエステル、相：に１２６（Ｇ４０
ｓ？５６）ｃｈ１８９１　。

４−（コレステリールオキシカルボニルフエニペ ルー４′−オキシオンチルジメチルシリル）安息香酸−
４−ビフェニルエステル、相：に１１２（Ｇ２５ｓ５０
−７５）Ｃｈ１０１９ｉ（１３５ｉ）４−（：Ｉレステ
リールオキシカルボニルフエニレン−４″−オキシヘキ
シルジメチルシリル）安息香酸−４′−ビフェニルエス
テル、相：Ｇ１８ｃｈ１５２１　。

４−（４’−メトキシフェニルオキシカルボニルフェニ
ル−４“−オキシプロピルジメチルシリル）安息香酸−
４−メトキシフェニルエステル、再結晶：トルエン、相
：　ｋ１５４−１４４１　。

４−１４’−メトキシフェニルオキシカルボニルフェニ
ル−４″−オキシブチルジメチルシリル〕安息香酸−４
−ビフェニルエステル、相：（５５） ｋｌ　４７−１５２（ｓ５０−７Ｏｎ１０ロー１１０）
ｉ　　。

４−４４’−メトキシフェニルオキシカルボニルフェニ
レン−４″−オキシペンチルジメチルシリル）安息香酸
−４−ビフェニルエステル、相：ｋ１２１１゜ ４−（コレステリールオキシカルボニルフェニレン−４
′−オキシプロピルジメチルシリル）安息香酸−４−ク
ロルフェニルエステル、相：に１４ｌ−１４５（ｓ１４
１−１４６）ｉ　０４−（４’−メトキシフェニルオキ
シカルボニルフェニレン−４“−オキシプロピルジメチ
ルシリル）安１．香酸−４−クロルフェニルエステル、
相：　ｋ１０５１゜ ４−（コレステリールオキ７カルポニルフエニレンー４
７−オキシプロピルジメチルシリル）安息香酸−４−シ
アノフェニルエステル、相：に１５４−１５８（Ｇ４０
ｃｈｌ　１９）ｉ。

４−（，４’　−ピフェニルオキシカルボニルフェニレ
ン−４７−オキシプロピルジメチルシリル）安息香酸−
４−シアノフェニルエステル、相：（５６） Ｇ２８ｓ１２９ｉ。

４−（４’　−メトキシフェニルオキシカルボニルフェ
ニル−４“−オキシプロピルジメチルシリル）安息香酸
−４−シアノフェニルエステル、相：　ｋｌ　４２−１
４６１゜ ４−（コレステリールオキシカルボニルフェニレン−４
′−オキシプロピルジメチルシリル）安息香ｔ１１．−
４−メトキシフェニルエステル、相：　ｋ１３７１゜ ４−（４’　−ビフェニルオキシカルボニルフェニレン
−４“−オキシプロピルジメチルシリル）安息１Ｆ酸−
４−メトキシフェニルエステル、相：　　ｋ１１８１　
。

４−（４’−メトキシフェニルオキシカルボニルフェニ
レン−４″−オキシプロビルジメチル”’Ｊル）安を香
１１−４−メトキシフェニルエステル、相：　ｋ１２８
−１３５ｉ。

４−（コレステリールオキシカルボニルフェニレン−４
′−オキシプロピルジメチルシリル）安息香酸−２’−
＜Ｓ）−メチルブチルエステル、相：　ｋ８３（Ｇ−２
５ｓ１７ｓｃ？７１Ｊｉ　。

４−（コレステリールオキシカルボニルフェニレン−４
７−オキシプロピルジメチルシリル）安息香酸−（４−
フェニレンカルボニルオキシ−２’−（Ｓ）−メチルブ
チルエステル）、相：　ｋｌｏｌ（Ｇ２３ｓ４３−４８
）１０４−（４’　−メトキシフェニルオキシカルボニ
ルフェニレン−４″−オキシプロピルジメチルＸ７１Ｊ
ル）安息香酸−（フェニレン−４−カルボニルオキシ−
２’−（Ｓ）−メチルブチルエステル）、相：　ｋ６７
ｉ　。

４−（４’−メトキシフェニルオキシカルボニルフェニ
レン−４″−オキシプロピルジメチルシリル）　安Ｊｅ
Ｌ　香Ｈ−（４−ヒドロキシシクロへキシルエステル）
　、相二Ｇ１８ｓ１３２ｉ。

４−（コレステリールオキシカルボニルフェニレン−４
７−オキシプロピルジメチルシリル）安息香酸−４、４
′−メトキシビフェニル、相：　　ｋ１５７−１６０ｃ
ｈ１７９１　　。

４−（コレステリールオキシカルボニルフエニシン−４
′−オキシプロピルジメチルシリル）安、ｔｌ［−４，
４’　−シアノビフェニルエステル、相：　ｋ１６５（
Ｇ３９ｓＣ１４８）ｉ　。

４−（：’レステリールオキシ力ルポニルフエニレン−
４′−オキシヘキシルジメチルシリルン安、を香ＩＷ−
４，４’　−シアノビフェニルエステル、相：　ｋ１６
０ＣＧ”＋７）ｓｃ１９０ｃｈ２３８１゜４−（コレス
テリールオキシカルボニルフェニレン−４′−オキシペ
ンチルジメチルシリル）安息ｓｗ−４、４′−シアノビ
フェニルエステル、相：　ｋ１１５（（）３２ｓ１３９
）ｓＡ１８５−１８６ｃｈ２１６１　。

４−（：’レステリールオキシカルボニルフエニレン−
４′−オキシヘキシルジメチルシリル）安息香酸−４，
４′−シアノビフェニルエステル、和：　ｋ１４３（（
）２８．）ｓＡ２２７−２２８ｃｈ２４３ｉ。

４−（４’−メトキシペニレンオキシ力ルポニルフエニ
レン−４“−オキシプロビルジメテルＸ７１Ｊル）安息
香酸−４，４′−メトキシビフェニルエステル、相：　
ｋ１３３−１３５（８９５，３ｉ　０例　　６ （５９） 自体公知の方法によ９次のもの全製造した：４−（１−
（トリメチルシリル）ヘキシル〕安息８９−（４−シア
ノフェニル）エステル融点＝４５°Ｃ１冷却に際シテ、
３９．７°ｃ　カラスメクチック相を生じ、これは３３
．５℃で再ひ晶出する。

４−１６−トリメチルシリルヘキシル−１）安息香酸−
Ｃ４’−（４−メトキシフェニル）エチルフェニル〕エ
ステルに６４ｎ８４１　。

４−　ＣＩ　−（トリメチルシリル）ブチル〕安息香酸
−（４−ブチルフェニル）エステル、ｋ２１１゜４−　
［１−（トリメチルシリル）ペンチル〕安息香？−（４
−プロピルフェニル）エステル、液状、（Ｇ）−６０ｉ
。

４−［１−（ペンタメテルジシロキサニル）グロヒル〕
安息査酸ｉ４−プロピルフェニル）エステル、（Ｇ）−
６９ｉ。

４−Ｌ：１−１ペンタメチルジシロキサニル〕ブチル〕
安息香酸−（４−ブチルフェニル）−エステル（Ｃ））
−１９ｉ　０ （６０） ４−［１−１ペンタメテルジシロキサニル）ペンチル）
安息！酸−（４−ブチルフェニル）−エステル、ｋ−３
２１゜ ４−４１−（ペンタメチルジシロキサニル）ヘキシル〕
安息香酸−（４−ブチルフェニル）−エステル、ｋ−２
８１゜ ４−［１−ペンタメテルジシロキサニル）プロピル〕安
息香酸−（４−ブトキシフェニルノーエステル、ｋ４０
１゜ ４−（１−（ペンタメチル７シロキサニル）フロピｋ〕
安息香酸−（４−シアノフェニル）−エステル、ｋ１９
１゜ ４−（１−（ベンタメテルジシロキサニル）ぺ７ｆｋＥ
　安、ｌ＆！酸−（４−シアノフェニル）−エステル、
ｋ２７ｉ　。

４−［１−（ペンタメチルジシロキサニル）フロビル）
安息香酸−（４−シアノビフェニリル万エステル、ｋ１
２１ｎ１６５ｉ　。

４−４ｌ−（トリメチルシリル）ドデシル〕安息香酸−
（４−シアノビフェニルイル）エステル　　ｋ６４−６
６ｓＡ１９１１　。

４−［１−（ペンタメテルジシロキサニルクドデシル〕
安息香酸−（４−シアノビフェニル）エステル　ｋ３５
−に、　５Ａ４６ｓＡ１８３ｉ。

４−ｃｉ−（ペンタメチルジシロキサニル）ペンチル〕
安息香酸−（４−ｎ−オクチルオキシフェニル）エステ
ル　ｋ３７１゜ ４−［１−（）リメチルシリルフデシル〕安息査酸１４
−ブチルフェニル）エステルメタスタビル　ｎ　；　ｋ
ｌ　２−２１　’　ａ４１１−１ジメチルエチルシリル
）ヘキシル〕安息香ｍ−（４−シアノビフェニリル）エ
ステル　　ｋ６６ｓＡ　１８７−１９０１　。

４−［１−（）ＩＪメチルシリル）ヘプチル〕安息？酸
１４−シアノビフェニルイルノエステ息香酸−（４−ｎ
−オクチルオキシフェニル）エステル　ｋ２９−２１１
゜ ４−［１−［ブチルジメチルシリル）ブチル〕安息香１
１ｕ１４−ｎ−オクチルフェニル）エステル　ｋ−２１
。

４−［１−（ヘプタメチルトリシロキサニル）ペンチル
〕安息香酸−（４−シアノビフェニルイル）エステル； ４−［１−（ペンタメチルジシロキサニル）ブチル−（
４−フェニル）エチル〕安息香酸（４−ｎ−オクテルオ
キシノエニル）エステル８Ｇ３６−４１ｓＣ８３−８６
１。

４−４１−（ペンタメチルジシロキサニル）ブチル−（
４−フェニル）エチル〕安息香酸−（４−シアノビフェ
ニルイル）エステルに６８−７［１ｓＡ２ろＣ１−２３
２ｉ。

４−　（５−トリメチルシリルペンチルオキシ）安息香
酸−４’−（５−へキシルピリミジン−２−イル）フェ
ニルエステル に８３（ｓＩ３５）ｓＡ８４ｎ１２３ｉ。

倒　７ 市販のクロルメチルトリメチルシラン１２．６、＆　（
０，１モル）をジエチルエーテルｉｏｏＭ中（６５） に溶かし、この溶液を保護気体下にマグネシウム片３１
前記混合物２Ｍの出発量及び痕跡のヨウ化エチルの混合
物に、反応の開始後に１時間以内に攪拌下に２０°Ｃで
滴加した。添加終了後、なお３０分間還流加熱し、次い
で冷却し、過剰のマグネシウムを傾斜除去した。得られ
た浴液に５０分以内に攪拌下で２０〜６０°Ｃでテトラ
ヒドロフラン１００１Ｍ中のトルエンスルホニ／酸−２
−１４−１０ルフエニル）エチルエステル（ＴＵＷｉ（
Ｚ）２−　（４−Ｉロルフェニル）エタノールから慣用
のトルエンスルホン酸クロリドとの反応により得られる
）　２２．７．９　（０，１モノリの溶液ＶＣ滴部側た
。添加終了後、浴剤混合物１００Ｕ’に蒸発除去し、テ
トラヒドロフラン５０紅を補充した。混合物を６０分間
内部温度６０°Ｃに加熱し、その際、トシル酸マグネシ
ウムの沈澱が生じた。冷却後、混合物を氷に注ぎ、少量
の塩酸で酸性にし、水相ｆｔ２［！ｌ、ｔ−グチル−メ
チルエーテルで抽出した。集めた胸機相′ｋＮａＣｔ浴
液で洗浄し、乾燥させ、濃縮した。

（６４） 残分の分別蒸留によジ１６　ｈＰａ及び１１５〜１１８
°Ｃで１−（１−トリメチルシリルプロピル）−４−り
ｏ　ルヘンセン１７．１９　（ｓｌ！ｍ値の７５．４％
）が得られた。７ラスコ中にマグネシウム２５’？ｔ−
前もって装入し、４０℃で前記シラン及びテトラヒドロ
フランの１：１混合物７就を添加して反応を開始させた
。７５°Ｃの内部温度に達したら、７ラン／ＴＨＦ況合
物（シラン１４ｇに相応する）の残分を史に加熱しない
で３０分間で滴加した。引き続き、１時間還流に加熱し
、次いで冷却し、過剰のマグネシウムを濾過した。

この溶液を室温で、市販のクロル蟻酸−４−メトキシフ
ェニルエステル１３．９　（０，０７モル）及びテトラ
ヒドロフラン４Ｑ劇の混合物に添加した。発熱反応を外
部冷却によって１５℃に保持した。添加終了後、２時間
還流加熱し、その際沈澱が生じた。冷却後、混合物を氷
上に注ぎ、２Ｎ硫酸で酸性にし、相合分離した。水相を
２回ｔ−ブチルメチルエーテルで抽出し、有機相ｆ　Ｎ
ａＣｔ溶液で洗浄し、乾燥させ、濃縮した。

残分ヲ溶離剤として石油ベンジン（沸点５０−７５°Ｃ
）／酢酸エチルエステルの５０：１混合物を用いてシリ
カグルによるクロマトグラフィーにカケることによって
、液状の４−（１−１リメチルシリルプロビル）−安息
香酸−（４−メトキシフェニル）エステル５．６　！！
が得られた。

エステルの１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（浴斉りとしてＣＤ
ＩＩＩ）ｔ、）　： ０．１　　ｐｐｍ　　Ｌ　　ｓ　　、ＳｉＭｅ３　　）
；　　０．５　−０．７　　ｐｐｍ　　（ｍ。

Ｍｅ３Ｓｉ−ＣＨ２）　：　１．６−１．８　ｐｐｍ　
（ｍ　、　Ｍｅ３ＳｉＣＨ２−ｑｈ）　：　５．８　ｐ
ｐｍ　（ｔ　、　Ｊ　−６，ＯＨ７、Ｃ６Ｈ４−ｃ６−
　）；　　ろ、９　ｐｐｍ　（ｓ　　、　　０ＣＲ３）
　　；　　６．９−７．２ｐｐｍ　（ｍ　＋　４芳香族
、Ｈ安息香酸）　；　７．２−８．２　ｐｐｍ　（ｍ　
、　４芳香族、Ｈ７，ｌＩＣ，ノール含分の）比９：２
：２：２：３：４：４゜ 例　　８ ジクロルメタンｉＱｍｇ中の４−（３−ブテニｙｖオキ
シ）安息査散−（４−へキセニルオキシノフェニルエス
テル）　５．００ｇ（９，７１−；　ｌ）モル）の溶液
に、触媒としてジクロルメタン中の０．５優のジシクロ
ペンタジェニル白金ジクロリド浴液０．３５．９　（Ｐ
ｔ　Ｏ，０１ミリモル）會添加し、還流下にトリメチル
シラン２．０２　ｇ（２７，２ミリモル）を８時間の間
に導入した。オレフィンを完全にヒドロシリル化した後
、反応混合物に窒素に’ＪＸ霧し、ジクロルメタンを回
転蒸発器で真空下に蒸発除去した。粗生成物を精製する
ためにシリカゲルでクロマトグラフィーにかけ、４−（
１−ト１）メチルシリルブチルオキシ）安息香酸−（４
−（１−トリメチルシリルヘキシルオキシ）フェニルエ
ステル）、相：　ｋ７２ｉ。

が得られた。

例　　９ トルエン１５．００　ｇ中の４−（３−ブテニルオキシ
）’Ｅ息香酸−（４１５−へキシルオキシ）フェニルエ
ステル）　５．口０　、？　（７，５４ミリモル）及び
ペンタメチルジシロキサン４０口５．９　（２７，３ミ
リモル）の浴液に、ジクロルメタン中の０．５％のジシ
クロペンタジェニル白金ジ（６７） クロリド溶液０．４８９　（ｐｔ　Ｏ，０１２ミリモル
）を触媒として添加し、４時間還流させた。オレフィン
を完全にヒドロシリル化した後、トルエンを回転蒸発器
で真空下に蒸発除去した。粗生成物を精製するためにシ
リカゲルでクロマトグラフィーにかけた。４−（１−ペ
ンタメテルジシロキシルブチルオキシ）安息香酸−４−
（１−ペンタメチルシリルジシロキシルへキシルオ相 キシ〕フェニルエステル、ｙ　：　ｋｌ５（ｓ）ｉ　、
カ得られた。

同様にして次のものヲ製造した： ４．４’−（ビス−４−（１−ペンタメテルジシロキシ
ルプロピルオキシ）ベンゾイルオキ７）ビフェニル、相
：　ｋｌ７９に２１９５ｉ、４−（１−ペンタメチルジ
シロキシルグロビルオキシ）安息香酸−（４−（１−ペ
ンタメチルジシロキシルへキシルオキシ）フェニルエス
テル）、相：　ｋｌｏ（ｓ＜−１５）ｉ。

式（５３）の新規中間生成物の製造側 例１０ （６８） 無水トルエン４０ｍ１中のｐ−ジメチルシリル安息香酸
クロリド１９．９．９　（０，１００モル）及びｐ−メ
トキシフェノール１２．４　Ｆ　Ｃ０，１００モルつの
浴液を１５時間加熱沸騰させた。反応完了は、薄層クロ
マトグラフィーにより調べた。

真空中で回転蒸発器で浴剤を抽出した後、粗生成物をＤ
−ヘキサンから再結晶させ、４−ジメチルシリル安息香
酸−（ｐ−メトキシフェニルエステル）、融点６７°Ｃ
が得られた。

同様にして次のものを製造した： ４−（４−ジメチルシリルベン・アイルオキシ）安息香
酸−（２−メチルブチルエステル）、融点４１℃。

４−ジメチルシリル安息″４酸（４−ビフェニルエステ
ル）、１１９℃。

４−ジメチルシリル安息香酸（コレステリールエステル
）、［ｋｌ　０７ｓＡ１４４ｃ’ｈ１５５ｉ）。

４−ジメチルシリル安息香酸（４−シアノフェニルエス
テル）、；シクロヘキサンから４結晶、融点６２°Ｃ０ ４−ジメチルシリル安息香酸（４−クロルフェニルエス
テル）；トルエンからｐＡＭ晶、融点７７°Ｃ０ ４−ジメチルシリル安息香酸（４−ヒドロキシフェニル
エステル）；トルエンカラー再結晶、融点１０８℃。

４−ジメチルシリル安息香酸（トランス−４エチルシク
ロヘキシルニスデル）：沸点１１５〜１２５°Ｃ１０，
５□Ｈｇ。

例１１ 無水ジオキサン４３縦中のｐ−ジメチルシリル安息香酸
クロリド４９．７．９　（０，２５０モル）７ｉ）’４
　、４’　−’）ヒドロキシビフェニル１８．６＆　（
０，１００モル）のｈａを１５時間加熱沸騰させた。反
応完了は、薄層クロマトグラフィーにより脚べた。真空
中で回転蒸発器で浴剤全抽出した後、粗生成物をトルエ
ンから再結晶させ、と ４．４′−ビス−（４−ジメチルシリベン・戸イルオキ
シ）ビフェニル、Ｃ−４ｓ１４６ｎ１８４１　）が得ら
れた。同様にして次のもの乞製造した：１．４−ビス−
（４−ジメチルシリルベンゾイルオキシ）ペン・戸−ル
、融点１３６°Ｃ。

シス、トランス−１，４−ビス（４−ジメチルシリルベ
ンゾイルオキシ）シクロヘキサン、融点１３９℃。

例１２ 無水ピリジン２Ｏｒｎｌ中の２−メチルブタン−１−オ
ール８．９０Ｆ　Ｃ０，１０１モル）の溶液に、１０〜
１５℃で４−ジメチルシリル安息香酸クロリド２０．０
　、！ｌ’　（０，１０１モル）を滴加した。

２５℃で１特間攪拌した後、反応溶液を氷上に注ぎ、Ｈ
Ｃｌで酸性にした。有拗相を分離し、トルエンで希釈し
、１０％のＨＣｌで３回振出した。

水で洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥させた。

真空中で回転蒸発器でトルエンを抽出した後、４−ジメ
チルシリル安息香酸（２−メチルブテルエメチルンが蒸
留により得られた；沸点８６〜１　１　０’Ｃ／　　０
．０　５　　ト　ル。

同様にして次のものを製造した： ４−ジメチルシリル安息香酸（４−（４’　−シ（７１
） アノ）ビフェニルエステル）；シクロヘキサン／トルエ
ン（４：１）から和結晶、 ［ｋｌ４．２ｎ１６７Ｄ。

４−ジメチルシリル安息香酸（４−（４’　−メトキシ
）ビフェニルエステル）；シクロヘキサンから再結晶、
［ｋｌ　４１　ｎｌ　４８：］。

式（５６）の新規中間生成物の使用例 例１６ ガラスの表面処理 使用されるガラスを超音波浴中でエタノールで脱脂し、
引き続き乾燥させた。このガラス上に、ｐｔ　２．５モ
ル％をジシクロペンタジェニル白金ジクロリドの形で含
有する４−ジメチルシリル安息香酸−（４、４’　−シ
アノビフェニルエステル）の２％溶液（重量％）を滴加
し、３０分間１００℃で乾燥させる。処理したガラスを
トルエン及びアセトンで洗浄し、新たに乾燥させた。こ
のようにして処理したガラス上に塗布した、メルク社（
Ｆｉ、ｒｍａ　ＪｖｉｅｒＣｋ　）のネマチック鳩の厚
さ１０μの層は、ガラス板に対して（７２） 垂直に方向していた。

同様にして次のものを使用した： ４−ジメチルシリル安息香酸−（４，４’−メトキシビ
フェニルエステル） ４−ジメチルシリル安息香酸−４−ビフェニルエステル ４−ジメチルシリル安息香酸コレステリールエステル ４−アリル安息香酸−（４−プロピルフェニル）エステ
ル　ｋｌ９１ ４−アリル安息香酸−（４−ブナルフェニル）エステル
　ｋ３０１ ４−アリル安息香酸−（４−プロポキシフェニル）エス
テル　ｋ６［１１ ４−アリル安息香酸−（４−ブトキシフェニル）エステ
ル　ｋ５７１ ４−アリル安息香酸−（４−オクチルオキシフェニル）
エステ）Ｌｊｋ４２１ ４−アリル安息香酸−（４−シアノフェニル）エステル
　ｋｌ０８１ ４−アリル安息香酸−（４−シアノビフェニルイル）エ
ステル　ｋｌ１３−１１８に％ｎ１２５ｎ２３９−２４
６１４−（ろ−ブテニル）安息香酸−（４−プロピルフ
ェニル）エステル　ｋｌ４１ ４−（３−ブテニル）安息香酸−（４−ブナルフェニル
）エステル　ｋ１６１ ４−（６−フチニル）安息香酸−（４−メトキシフェニ
ルノエステル　ｋ５４８９ｉ ４−（５−ブテニル）安息香酸−（４−プロポキシフェ
ニル）エステル　ｋ５４−５９１４−　（３−フチニル
）安息香酸−（４−ブトキシフェニルノエステル　ｋ５
８ｎ５９１４−（ろ−ブテニル）安息香酸−（４−オク
チルフェニル）エステル　ｋ４２ｎ６７ｉ４−（３−ブ
テニル）安息香酸−（４−シアノフェニルＪ）エステル
　ｋ、ｎ、７５に、　１７７１４−（３−ブテニル）安
息香酸−（４−シアノビフェニルイル）エステル　１ｇ
５−１２４Ｔ］２６０ｉ４−（３−ブテニルノ安息香酸
−（４−クロルフェニル）エステル　ｋ５３１ ４−（５−ブテニル）安息香酸−（４−ビフェニルイル
）エステルに９５ｎ１［］５ｉ４−（４−ペンテニル）
安息香酸−（４−プロピルフェニル）エステル　８点（
０，０６ｈＰａ　）１７６℃ ４−（４−ペンテニル）安息香酸−（４−ブチルフェニ
ル）エステル　ｋ−４１ ４−（４−ペンテニル）安息香酸−（４−シアノフェニ
ル）エステル　ｋ４［］１ ４−（４，−ヘンテニル）安息香酸−（４−シアノフェ
ニルイル）エステル　ｋ４２ｎ６３１４−（５−へキセ
ニル）安息香酸−（４−プロピルフェニル）エステル　
ｋ２ｉ ４−（５−へキセニル）安息香酸−（４−ブチルフェニ
ル）エステル　ｋｇｉ ４−（５−へキセニル）安息香酸−（４−オクチルオキ
シフェニル）エステル　ｋ４０ｎ５７ｉ４−（５−へキ
セニル９安息香［−（４−シア（７５） ノ フェニル）エステル に６３１ （ 一へキセニル）安息香酸− （ シア ノ ビフェニルイル）エステル に１３２ｎ２３９ｉ （７６）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、式： ▲数式、化学式、表等があります▼（８） 〔式中、 Ｚは、ベンゼン環の２−、３−、５−又は６−位に結合
   した基、即ちハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシル基
   を表し、ｎは、０又は１を表し、 Ｒ′は、式： Ｒ′″−〔Ｓｉ（Ｒ＾＊）＿２〕＿ｘ（ＣＨ＿２）＿ｙ
   Ｒ″″−（９）（式中、ｘは０又は１の数を表し、ｙは
   １〜１８の整数を表し、 Ｒ′″は、Ｃ＿１−〜Ｃ＿８−アルキル基、式：Ｒ＾＊
   −〔Ｓｉ（Ｒ＾＊）＿２Ｏ〕＿ｖ−＜式中、ｖは１〜１
   ０の値の整数を表す＞の基又は式： ▲数式、化学式、表等があります▼（３） ＜式中、ｗは０又は１の数であり、Ｌはコレステリール
   基又はフェニル−、ハロゲン−、シアノ−及び／又はＣ
   ＿１−〜Ｃ＿４−アルコキシ基によル置換されていても
   よいフェニル基又はｗ＝０の場合には、ハロゲン原子、
   シアノ−又はＣ＿１〜Ｃ＿４−アルコキシ基を表しても
   よい＞の基を表し、 Ｒ＾＊は、同一又は異なるもので、直鎖又は分枝鎖状の
   、置換されていてもよい、Ｃ＿１−〜Ｃ＿１＿８−炭化
   水素−又は炭化水素オキシ基を表し、 Ｒ″″は、フェニレン−又はビフエニレン基又は式−Ｅ
   −＜式中、Ｅは式−Ｏ−の２結合性基又は−〔Ｓｉ（Ｒ
   ＾＊）＿２〕＿ｚ−であり、ｚは０又は１の数を表す＞
   の基を表し、指数ｘ＋ｙ＋ｚの合計は、化合物が１分子
   当り少なくとも１個の式−Ｓｉ（Ｒ＾＊）＿２−の基を
   有するように、少なくとも１であるべきである）の基で
   あり、Ｒ″は、コレステリール基、Ｒ＾＊が表す基又は
   式： −Ｃ＿６Ｈ＿４−Ｒ＾＊の基を表す〕の化合物。 ２、式（８）の分子鎖が、基Ｂ、即ち、フェニレン−、
   シクロヘキシレン−、ピリジンジイル−、ピリミジンジ
   イル−、ピリダジンジイル−、トリアジンジイル−、テ
   トラジンジイル−、ジオキサンジイル−、テトラヒドロ
   フランジイル−、ビシクロ〔２．２．２〕オクタンジイ
   ル基、コレステリール基の群及び基Ｄ、即ち、カルボニ
   ルオキシ−、オキシカルボニル基、−ＣＨ＿２−ＣＨ＿
   ２−、−Ｏ−ＣＨ＿２−及び−ＣＨ＿２−Ｏ−基、式−
   ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｃ＝Ｃ
   −、−Ｎ＝Ｎ−、−Ｎ＝Ｎ（Ｏ）−及び−Ｏ−の群から
   （前記基又は群がＣ＿１〜Ｃ＿１＿８−アルキル基、フ
   ェニル基又は極性基、有利にはハロゲン原子、シアノ基
   又はヒドロキシル基により置換されていることができ、
   基Ｄが直接相互に結合していないという条件で）選択さ
   れた、その他の構造単位を有することを特徴とする、請
   求項１に記載の化合物。 ６、式： ▲数式、化学式、表等があります▼（３０） 〔式中ｚ及びｎは請求項１に記載のものを表し、Ｒ＾３
   はＣ＿１〜Ｃ＿８−アルキル基、式：Ｒ＾１−Ｒ＾４−
   〔Ｓｉ（Ｒ＾＊）＿２Ｏ〕＿ｖ−（ここでＲ＾１はハロ
   ゲン原子、シアノ基、コレステリール基、水素原子、ヒ
   ドロキシル基又は基Ｒ＾＊又は−Ｏ−Ｒ＾＊と同じもの
   を表し、ｖは０〜１０の整数であり、Ｒ＾＊は同一又は
   異なるもので、置換されていてもよいＣ＿１〜Ｃ＿１＿
   ８−炭化水素基を表し、ｘは０又は１の数であり、ｙは
   １〜１８の整数である）を表し、Ｅは式−Ｏ−又は−〔
   Ｓｉ（Ｒ＾＊）＿２〕＿ｚ−の２結合性基を表し、ｚは
   ０又は１の数であり、指数ｘ＋ｖ＋ｚの合計は、基Ｒ＾
   ２中は除き、少なくとも１であり、Ｒ＾４は同一又は異
   なるもので、式：−〔（Ｂ）＿ｂ（Ｄ）＿ｄ〕＿ｃ−（
   ここでＢ及びＤの各々は基Ｄが直接相互に結合しない条
   件で、請求項２に記載のものを表わしてよく、指数ｂ及
   びｃの各々は、それぞれ同一又は異なるもので、０〜６
   の整数であり、ｄはそれぞれ０又は１の数である）の基
   を表し、Ｒ＾２は式：−Ｒ＾４−Ｒ＾１−又は−Ｒ＾４
   −（ＣＨ＿２）＿ｙ−〔Ｓｉ（Ｒ＾＊）＿２〕＿ｘ−Ｒ
   ＾３の１価の基を表す〕の化合物。 ４、請求項１による式（８）の化合物を製造するに当た
   り、式： ▲数式、化学式、表等があります▼（１０） の化合物と式： Ｒ′″−〔Ｓｉ（Ｒ＾＊）＿２〕＿ｘ−Ｈ（１２）の化
   合物とを、又は式： ▲数式、化学式、表等があります▼（３１） の化合物と式： Ｒ＾３−〔Ｓｉ（Ｒ＾＊）＿２〕＿ｘ−Ｈ（３２）の化
   合物とを、白金金属及び／又はその化合物の存在で、反
   応させる〔前記式（１０）、（１２）、（３１）及び（
   ３２）中、ｎ、ｘ、ｙ、Ｅ、Ｚ、Ｒ″、Ｒ″、Ｒ″″及
   びＲ＾＊は請求項１に記載のものを表し、Ｒ＾２、Ｒ＾
   ３及びＲ＾４は請求項３に記載のものを表す〕 ことを特徴とする、請求項１に記載の式（８）の化合物
   の製法。 ５、式： Ｒ＾３−〔Ｓｉ（Ｒ＾＊）＿２〕＿ｘ−Ｈ（３２）〔式
   中、ｘは１の値を有し、Ｒ＾３は式Ｒ＾１−Ｒ＾４の基
   であり、Ｒ＾４は、式（４７）、（４８）、（４９）、
   （５０）、（５１）及び（５２）： ▲数式、化学式、表等があります▼（４７）、▲数式、
   化学式、表等があります▼（４８） ▲数式、化学式、表等があります▼（４９）、▲数式、
   化学式、表等があります▼（５０） ▲数式、化学式、表等があります▼（５１）、▲数式、
   化学式、表等があります▼（５２） の基から選択したものである〕の化合物。 ６、請求項５に記載の化合物を製造するに当たり、式： ▲数式、化学式、表等があります▼（５４） 〔式中、Ｒ＾＊、Ｚ及びｎは前記したものを表し、Ｒ＾
   ＋はハロゲン原子又はＣ＿２〜Ｃ＿４−カルボン酸のア
   シル基を表す〕の化合物を相応するアルコールでエステ
   ル化することを特徴とする、請求項５に記載の化合物の
   製法。 ７、請求項１又は２に記載の式（８）化合物又は請求項
   ３に記載の式（３０）の化合物を製造するに当り、式： ▲数式、化学式、表等があります▼（３３） の化合物と式： Ｒ′″−〔Ｓｉ（Ｒ＾＊）＿２〕＿ｘ（ＣＨ＿２）＿（
   ＿ｙ＿−＿２＿）−ＣＨ＝ＣＨ＿２（１４）の化合物と
   を又は、式： ▲数式、化学式、表等があります▼（３４） の化合物と式： Ｒ＾３−〔Ｓｉ（Ｒ＾＊）＿２〕＿ｘ（ＣＨ＿２）＿（
   ＿ｙ＿−＿２）−ＣＨ＝ＣＨ＿２（３５）の化合物とを
   、白金金属及び／又はその化合物の存在で、反応させる
   （その際、前記式中、Ｅ、Ｒ″、Ｒ′″、Ｒ″″、Ｒ＾
   ＊、ｘ、ｙ、Ｒ＾２、Ｒ＾３及びＲ＾４は、前記したも
   のを表す）ことを特徴とする、請求項１に記載の式（８
   ）又は請求項３に記載の式（３０）の化合物の製法。 ８、請求項１に記載の式（８）又は請求項３に記載の式
   （６０）の化合物を製造するに当り、（ａ）式： ▲数式、化学式、表等があります▼（１５） の化合物、又は式： ▲数式、化学式、表等があります▼（３６） 〔式中、Ｈａｌは、ハロゲン原子、有利には、塩素又は
   臭素である〕の化合物を、金属と反応させ、こうして得
   られた有機金属化合物を（ｂ１）式： Ｈａｌ−ＣＯＯ−Ｒ″（１６）又はＨａｌ−ＣＯＯ−Ｒ
   ＾２（３７）〔式中、Ｈａｌ、Ｒ″及びＲ＾２は前記の
   ものを表す〕のどちらかの化合物と反応させることを特
   徴とする、請求項１に記載の式（８）又は請求項６に記
   載の式（３０）の化合物の製法。 ９、式（１５）の化合物〔基Ｒ′が、式： Ｈ＿２Ｃ＝ＣＨ−（ＣＨ＿２）＿（＿ｙ＿−＿２＿）−
   Ｒ″″−（１８）の基又は式： Ｈ−Ｅ−（１７） の基の一つによつて置換されているか、又は式（３６）
   の化合物中で式； Ｒ＾３−〔Ｓｉ（Ｒ＾＊）＿２〕＿ｘ（ＣＨ＿２）＿ｙ
   −Ｒ＾４−Ｅ−の基が式：Ｈ＿２Ｃ＝ＣＨ−（ＣＨ＿２
   ）＿（＿ｙ＿−＿２＿）−Ｒ＾４−Ｅ−（４０）の基又
   は式： Ｈ−Ｒ＾４−Ｅ−（４１） の基によつて置換されている〕の化合物を使用し、この
   反応から得られた生成物を引き続き請求項４又は７に記
   載の方法により処理することを特徴とする、請求項８に
   記載の方法。 １０、請求項１、２、３又は５のいずれか１項に記載の
   化合物又は請求項４、６、７、８又は９のいずれか１項
   に記載の方法により製造した化合物を、使用することを
   特徴とする、表示装置。