JPH0337578A

JPH0337578A - 電気回路のオープンとショートを非接触で試験する試験セル

Info

Publication number: JPH0337578A
Application number: JP2156622A
Authority: JP
Inventors: J Lepage Andrew; アンドリュー　ジェイ　ラペイジ; G Ringleb Diethelm; ディーテルム　ジー　リングレブ
Original assignee: Digital Equipment Corp
Current assignee: Digital Equipment Corp
Priority date: 1989-06-26
Filing date: 1990-06-14
Publication date: 1991-02-18
Anticipated expiration: 2009-01-19
Also published as: US5032788A; DE69017109T2; EP0409398B1; ATE118896T1; EP0409398A2; DE69017109D1; JPH065245B2; CA2018725A1; EP0409398A3

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】発明の分野本発明はプリント配線基板、プリント回路等の回路基板
内の電気的導体の連続性及び絶縁（即ち、ショート及び
オープン）を試験する装置に関する。

特に、レーザー誘導プラズマを使用するオープン及びシ
ョートを試験する非接触試験セルに関する。

発明の背景通常のプリント配線基板、セラミック基板、プリント回
路等は選択的に接続され、非導電性剛体又は可撓性基板
上に比較的複雑なパターンを有する多様な導電通路又は
エッチラインを有する。種々のＩＣチップ、抵抗器、コ
ンデンサー等を回路に接続する前に、回路の電気的導電
体を試験して、オープン及びショートの様な回路欠陥が
発見され、これらの回路部品が基板又は回路に加えられ
る前に修正されることが望ましい。

長い間この様な回路の試験は、回路を固定具内に回路を
設置し、「釘のベット」状試験プローブを種々の回路導
体又はエッチラインに接触することにより実施されてい
た。−度接触して、種々のプローブの間の連続性は公知
の電気器具を使用して測定される。しかしながら、この
様な回路の充填密度は年毎に増大するので、導電体幅及
びパッドサイズがそれに応じて減少した。結果として、
より細いプローブの必要性及び試験される回路に関連し
てプローブを位置するシステムのためにこの様な機械的
手段を使用することがより困難になって来ている。更に
、試験中により細い導体及びプローブを損傷する傾向が
より大きくなる。これらのより厳密な試験の要求を満足
するために、種々の技法が発展され、この様な試験を遠
戚する際に回路に物理的に完全に接触することが除外さ
れた。一つの公知の技法は電子ビームの使用である。

回路内の導電体の一端が電子ビームの照射を受け、２次
電子放出によって所定の電位にもたらされ、導体の損傷
がないとすると、導体に沿って電流が流れる結果として
導体間の２端に電位差が生じる。

従来技術は、この原理を使用する試験システムであり、
中断されない及び中断された導体間で明らかな区別をも
たらすと共に、プリント配線基板、回路、ＶＬＳ　Ｉパ
ッケージ基板及び他のマイクロ回路内の短絡導電体の検
出を行う。しかしながら、電子ビームを使用する非接触
試験は幾つかの欠点を有する、２この様なシステムの幾
つかは独立して制御される電子ビームを必要とし、試験
中導体の両端を同時にアドレスできるものでなければな
らない。幾つかの電子ビームテストシステムは試料の搬
入及び搬出を困難にする比較的複雑なマスクを要求する
。

電気導伝体を試験する公知の非接触法においては、単一
の機械的プローブが低圧不活性雰囲気内に置かれる回路
の導電体を刺激する。この刺激はプローブに電気的に接
続する導電体及び全ライン及び通路をグロー（目先）さ
せる。このグローは次に走査型光量計を使用して観測さ
れる。この様にして、全回路網が単一の機械的プローブ
の使用によってチエツクすることができ、これにより、
試験中のプローブと回路間の接触が最小にされる。

この従来の試験法は、試験中試験装置と回路の０間に少なくとも成る物理的接触を要求すると言う欠点を
有する。

レーザーを使用する公知の欠陥試験法は、プローブ及び
回路導電体の間の物理的接触なしに、試験中プローブど
回路間の電気的接続を達成する。。

この構成においては、レーサーがプラズマを生成する。

これは電気的に、試験中回路上に位置するプローブを下
方の回路導電体に接続する。しかしながら、プラズマ「
プローブ」を、必要な器具に電気的に接続して回路欠陥
があるかないかを訣めるために機械的接続が依然として
必要とされる。

発明の要約これら従来技術の困難を克服する本発明は、回路基板、
配線基板、セラミック基板、電気的回路網等内のオープ
ン回路及びショート回路を非接触に試験する改良された
装置に関する。

この試験装置はクリーンルーム状態の外で試験が達成さ
れることを可能にし、試験が、比較的効率的に且つ最小
のコストで、試験中物理的接触のために回路に損傷を与
えないで達成することを可１能にする。

従って、本発明は以下の詳細な記述に例示される構造、
要素の組み合わせ及び部品配置の特徴を有し、本発明の
技術的範囲は特許請求の範囲内に示される。

簡潔には、本発明に従うと、試験される回路は回路の平
面に略並行に延びる一対の電極間の不活性ガス雰囲気内
に置かれる。回路導電体に対向する電極はこの電極に対
向して設置されたパルスレザーからの光に対して透明で
ある。回路の実際の試験は２段階で行われる。即ち、充
電段階と放電段階である。充電期間、数ボルトの電位差
が電極間で発生し、透明電極が負電荷を搬送する。次に
、レーザーが好ましくは瞬時的にパルス化されてこのレ
ーザービームは透明電極と試験されるべき回路導電体又
はエッチライン上の選択されたスポットとの間で焦点を
合わされる。ビームの焦点に於けるガスは多光子吸収の
結果、又好ましくはカスケード効果の結果としてイオン
化される。結果として、プラズマが焦点に形成され、印
加電場２の影響に下で拡散して、透明電極及び回路導電体上の選
択されたスポットを電気的に接続する。電流は単純に導
電体に流れ、電荷を、レーザーによって結像された導電
スポットに電気的に結合された全ての通路に分は与える
。このスポットで連続性を有さない導電体部分はこの様
に荷電されない。

このプラズマは、レーザーパルスが中断した後も数ミリ
秒間存続する。

レーザーパルスが終了すると直ちに、装置は放電段階に
切り換えられる。このために、電極に与えられる電圧の
極性は反転され、試験下の回路の回りの不活性ガスの降
伏電圧迄に増大する。−度破壊電圧に到達すると、導電
体の荷電部分から電子が放出し、これらの部分の上の不
活性ガスを励起する結果、放電プラズマが、前に荷電さ
れた部分又は導電体通路に沿って形成される。結果とし
て、レーザービームによって照らされた導電体スポット
に電気的に接続された回路の導電体通路の全てが、エレ
クトロルミネッセンスのために発光即ちグローを生じる
。従って、どの回路導電体上↓　３路が光を発生するかを観測することにより、これらの通
路が、レーザービームに曝された導電体スポットに電気
的に接続されているか否かを決めることができる。

放電クローはカメラ、ホトメータ、他の慣用の光検出器
によって自動的に検出することができる。

また、回路上の選択されたポイントは走査型ホトメータ
を使用して試験され、例えば、これらのスポットが発光
するが否かが決められる。これらの試験結果は次にその
回路の所望の連続性を示す参照サンプルと比較される。

一致があると、回路は試験に合格したものと見做される
。一致しないと、回路は試験に不合格ということができ
る。不一致が生じる部分の特定のポイントは、欠陥の位
置及び形態、即ち、オープン回路又はショート回路を示
す。

通常の場合、特定の回路基板は独立した又は分離した回
路通路を含み、各個別の通路は上述のように充電され、
放電され、回路を充分に試験する。

本発明の装置全体の内の重要な部分は、試験中４に回路に設置される試験セル又はモジールである。

この試験セルは基本的に浅い容器又は箱であり、これは
電気的に導体の底壁及び電気的に非導体の側壁及び頂部
壁を有しており、壁の一つが移動可能であって、容器の
内部にアクセスすることが可能とされている。容器の頂
部壁は透明であり、また導電体である。２面試験法では
、容器底壁も透明であり、且つ電気的に導電体である。

特に、頂部壁及び／又は底壁は、ガラスの様な透明ｖＪ
料のシートからなり、このシートにはその内部受は上に
同様に透明である電極が設けられている。容器の内部に
は、回路、セラミック基板等を保持するための手段が設
けられており、回路又は基板が容器底壁及び容器頂部壁
に略並行になるようにされている。適当なシールが移動
可能な壁及び残りの容器の壁の境界に設けられており、
移動可能な壁が閉じた状態になる場合に流体拘束シール
が達成されるように威されている。

適当な外部バルブにより調節されるガス器具が容器の壁
内に与えられて、セルが外部の配管に離脱可能に接続さ
れて、装置の残りの部分とは独立して、セルが空気でパ
ージされ、不活性ガスで充電されることを可能にする。

また、外部の電気的接触子又はコネクタがセルの壁にマ
ウントされ、容器の頂部壁及び底壁の導電表面に電気的
に接続され、これら表面が、外部表面の電位に離脱可能
に接続されることを可能にされている。好ましくは、容
器中に、セル内の不活性ガスの圧力を検出ため及びその
データを外部圧力制御器に与えるための手段が提供され
る。

回路が一度搬入されると、試験セルはレーザ及び光検出
器に直接対向する支持体上に位置して配置され、試験さ
れる回路の種々の導電通路がレサーによって照らされ、
検出器によって見られる様にする。セルが支持体上の特
定の位置にある場合、セル上のガス器具と支持体上の嵌
合充填材との間で自動的に接続がなされ、セルをガス源
及び排口に接続し、支持体上の電気的接続及び嵌合接続
の間でも自動的に接続がなされ、セル電極が電位源に接
続され、適用可能な場合、セル内のを圧力センサーを外
部の手段に接続して、試験中のセル内のガス圧力が制御
される。

この様な試験セルは種々の異なる利益を生じる。

このセルは作製するのが容易であり、交換可能である。

このセルはまた比較的安価であり、数個を手元におくこ
とができる。一つの回路が−セル内で試験される場合、
他の回路を他のセル内で試験のために準備できる。これ
は、試験器のスループットを増大し、試験器の高価な部
分、即ちレーザ、光検出器及び補助的な装置は試験のた
めの回路の準備と結びついていないので、回路の全体の
試験コストを減少する。更に、試験中の回路は試験セル
内で孤立され、従って、高価且つ時々制限されるクリー
ンルームの外に置かれるという付加的な高価を与える。

従って、この非接触試験セルは、回路、プリント配線基
板等の導体通路のオープン及びショートを試験するのに
必要な場合は何時でも広い応用を見出すに違いない。

７好適な実施態様の説明第１図は、参照番号１０で示される試験装置であり、試
験されるべき回路基板又は回路１４を収容するための流
体拘束試験セル１２を有している。

セル１２はレーザー１８の作動端部に直接対向して位置
し、このレーザー１８は好適なＸＹ位置決め装置２３に
よって支持され、レーザーはコヒレントビーム光りを、
セル１２内の回路１４の導電体又はエッチライン１４ａ
上の選択されたポイント又はスポットに向ける。

ホトメータ、ＣＣＤ又はビジコンカメラ、撮像装置等の
光検出器２２であり、試験下の回路１４から放射する光
を検出する。好ましくは、検出器２２は又ＸＹ位置決め
装置１９にマウントされ、検出器２２はセル１２及びこ
の内部の回路に関して移動することができる。

セル■２は、電極として機能する導電体底壁２６．４つ
の非導電性側壁２８及び頂部壁又はカバー３２を有し、
頂部壁は移動することができて、セル内に回路１４を位
置するためのセル内部に近■８づくことができる。図示されたセルの態様において、カ
バー３２は３４で側板２８に対してビンジされ、カバー
が、解放及び閉鎖位置の間を揺動するようにすることが
できる。適当なシール又はガスケット３Ｇが側壁２８の
頂部の回りに全て設けられており、カバー３２がその閉
鎖位置にある場合、ハーメチックがカバー及び側板２８
との間に与えられる。また、ハンドル／ラッチ４２がカ
バ３２の頂部にマウントされ、カバー３２は下方にある
側壁２８上のツメ４２ａに嵌合することができ、カバー
を持ち上げ、カバーをその閉鎖及びシール位置に止め易
くしている。

更に、第１図を参照する。回路１４は、セル側板か２８
から内方に延びる棚又は張出し棚４４によってセル内に
支持され、回路が、底板２６及びそれが閉塞した時にカ
バー３２に並行な像面に支持されるようにする。好適な
スプリンクイ」勢された掛は金４５が棚の回りに位置し
て、回路を取り外し可能に正しい位置に固定される。こ
の様に、据えつけられると、回路１４は底板２６及び天
板３２の間の略中間に位置され、各壁からの空間は２か
ら１０ミリメータのオーダーであり、５ｍｍが最適であ
る。

本発明に従うと、セル頂部壁又はカバー３２は導電体で
あり、且つレーザー１８から発射される光に対して透明
である。更に、このカバーは剛性の透明ガラス層３２ａ
を含むことができ、この層の裏即ち内側面は、電極とし
て機能する金又は他の不活性金属の導電性フィルム又は
コーティングにより被覆されている。これとは別に、細
いワイヤー状格子を透明電極として使用することができ
る。好ましくは、反射防止膜被覆３２ｃがカバー３２の
上方即ち外方に設けられる。

セル１２の導電性底壁２６と外部の電気的接続を威すた
めに、電気的接続又はコネクター５２をセルの側壁２８
にマウントすることができる。ここで、側壁の右側が第
１図に示されている。カバーヒンジ３４に隣接して同じ
壁にマウントされる同様な接続子又はコネクターをワイ
ヤー５６を介してカバー３２の導電体被覆３２ｂに電気
的に接０続することができる。更に、一対のガス器具５６．５８
が同じ側壁２８の、対角的に対向するコーナに設けられ
ており、ガスが試験セルを介して循環できるようにされ
ている。これらの器具は適当なチエツクバルブを含んで
おり、ガスを器具を介してセル内部に導入したり、器具
５８を介してセルから排出される様にできる。しかし、
ガスの流れがない場合、セルが支持体１６から引き離さ
れる時、これらの器具内のバルブは好ましくは閉じるよ
うにされる。

本発明の好適な態様においては、セル１２は内部圧力セ
ンサー６２を含み、セル内部のガス圧力が検出され、こ
れに応じる出力が発生される。この信号は、セル１２の
右側の側壁２８に取り付けられた外部接続子又はコネク
ター６４上に表れ、セル内部のガス圧力が外部の手段に
よってモニターされるようにできる。

第１図を参照する。支持体１６は、略水平な面にセルを
支持する一対のレール１６ａ、及びセルが壁１６ｂに対
して位置される時セル１２上の接１続子及び器具に接続する様にされる種々の接続子及び器
具を支持するための背壁１６ｂを含んでいる。従って、
第１図に示されるように、セル１２上の接続子５２と嵌
合する電気的接続子又はコネクター５２’ａ及びセル接
続子５４と嵌合するための第２の同様のコネクター５４
ａを設けることができる。同様にして、セル１２上の圧
力センサー接続子６４に直接対向する壁１６ｂ上に適当
に位置して接続子８４ａを設けることができる。従って
、セルは支持壁１６ｂに対向して堅固に圧迫される時、
前述の接続子及び器具の全てが互いに接続して、セルが
装置１０の収納部に結合される。

適当な掛は金（図示せず）をレール１６ａに設けて、試
験中セルを正しい位置に止めることができる。

第１図に示される様に、支持壁１６ｂ上の電気的接続子
５２ａ及び５４ａを、２方向スイツチ７２を介してｄｃ
電位源７４に電気的に接続することができる。

ガス器具５６ａは、制御バルブ７６を介して例２えばアルゴン又はネオンの様な不活性ガスに接続される
。ガス器具５８ａはガス排日又は不の圧力源に接続され
て、セルを空気でパージすることができる。

レーザー１８、光検出器２２、スイッチ７２及びバルブ
７６の動作を制御器８２によって制御することができ、
また、レーザー１８及び検出器２２を位置決めする位置
決め装置２３及び↓９をこの制御器で制御することがで
きる。同様に、圧力センサー接触子６４ａがこの制御器
に接続されて、制御器がセル１２及び制御バルブ７６内
の圧力を関しして、セル内部の選択されたガス圧力を維
持することができる。各試験の結果はモニタ８４上に表
示することができる。

オープン及びショートに対する回路の試験のために、回
路はセル１２内に設置され、セル内の支持棚４４上に位
置することができる。セルカバー３２が閉鎖され、ハン
ドル／掛は金４２がその係合位置に動き、セル内部の回
路をシールされた後、セルは支持体１６上に位置し、支
持背壁↓６ｂに３向かってスライドし、これによってセル上の種々の接点
及び器具を支持’ｄ１６ｂの嵌合する対向部分に接続す
ることができる。次に、制御器８２は試験を開始すべく
活性化される。第１に、制御器はバルブ７６を開放し、
パイプ５８の真空源（図示せず）を活動して、セル１２
が空気でパージされ、例えば１００Ｔｏｒｒの比較的低
い選択された圧力でアルゴン等の不活性ガスが充填され
る。

制御器８２はセル１２及び制御バルブ７６内の圧力セン
サ６２の出力を、所望の内部圧を維持するために必要と
されるものとして検知することができる。

回路１４を迅速に試験できるようにすることが望まれる
場合は、回路は上述されたようにセル１２が搬入され、
セルが次に器具５６及び５８を介して分離されたガス源
及び排口に接続されて、セル内に適当な不活性雰囲気を
提供するとかできる。この構成だと、数多くの異なる回
路基板が、異なるセルにおいてより早く準備され、装置
１０内に順次搬送することができる。これは試験効率４を増大し、装置１０の高価な部分が、回路が準備されて
いる間は関係されないので、基板試験コストを減少する
。更に、この場合において、装置１０の残りの部分がク
リーンルーム状態下に保持される必要がない。

回路１４の実際の試験は、装置１０によって、２段階、
即ち充電及び放電段階で達成することができる。第２Ａ
図及び第３Ａ図を参照する。第１制御器８２はレーザー
１８を位置決めして、光ビームが、回路１４の導電体１
４ａ上の選択スポット又はポイント、例えば第１図のス
ポラ）Ｐを照らすようにする。次に、制御器はスイッチ
７２を制御して、小さな電位差、典型的に１から５ボル
トの範囲で、例えば２ボルトを、電極２６及び３２ｂ間
に与えて、電極３２ｂが第３Ａ図に示される様に負の電
荷を搬送するようにする。次いで、制御器８２はレーザ
ー１８を活動して、レーザーがコヒーレント光のパルス
を発生し、光ビームが上方の電極３２ｂ及びスポラ）Ｐ
における導電体１４ａの間のセル１２内の焦点ＦＰに焦
点を結ぶ５ようにする。ビームの焦点における不活性ガスは、多光
子吸収の結果、及びセル１２内の圧力してカスケード効
果の結果としてイオン化する。結果として、プラズマが
焦点ＦＰで直ちに形成され、印加電場の影響下で拡散し
て、プラズマ「チューブ」Ｔを形成する。このプラズマ
チューブは導電体スポラ）Ｐ及び電極３２ｂを電気的に
接続する。チューブＴが形成された際に、導電体スポラ
）Ｐ及び導電体１４ａのスポットと電気的に連続する導
電体部分又は通路の全てに一時的に電流が流れる。

他方、破断又は裂は目Ｂによってスポラ）Ｐから分離さ
れた導電体通路は電荷を受は取らない。この様な孤立通
路が、導電体１４ａ内の破断の左側部分として第２Ａ図
に示される。

レーザーパルスが終了した後の数ミリ秒で、プラズマチ
ューブが消滅して、導電体の充電が終了する。プラズマ
形成に対して必要とされるレーザーパルス当たりのエネ
ルギーはセル１２内で使用されるガス、この圧力、レー
ザー１８から放出される光の波長及び焦点ＦＰにおける
レーザービー６ムの断面積に依存する。−例として、レーザーは、１ミ
クロンの波長を有し、２０ミリ秒のパルス幅を有し、５
ミルの直径のレーザービーム焦点スポットを有して、１
００Ｔｏ　ｒ　ｒのアルゴン雰囲気で動作されると、プ
ラズマ形成ためにパルス当たり約１ジユールのエネルギ
ーを必要とする。

回路導電体１４ａが上述の様にポイン）Ｐで充電された
後、装置１０を直ちに放電モード動作に切り換えること
ができる。特に、制御器８２はスッチ７２を切り換えて
、反対の極性の比較的高い電圧を電極２６及び３２ｂに
印加する。８３図にしめされる様に、この電圧はセル１
２内のガスの破壊電圧、例えばアルゴンガスに対して２
００ボルトを越え、先鋭な波形を有して導電体１４ａか
らの放電を制御できなくてはならない。セルガスの破壊
電圧が一度到達すると、電子が、第２Ｂ図中の小さな垂
直矢印によって示される様に、前の荷電された導電体１
４ａから放出される。これらの電子は、荷電された導電
体の回りのガスを励起して、第２Ｂ図に示されるグロー
放電プラズマ形成７を生成する。これは、前に荷電され、従って、所望によ
り又は短絡のために試験の充電期間中にレーザービーム
によって照らされた導電体スポットＰに電気的に接続さ
れる通路及び分岐の全てに沿う。他方、破断又は裂は目
のために導電体スポットＰと電気的な連続性を有さず、
従って、充電されない導電体１４ａの通路又は部分はク
ロープラズマ放電Ｇによっては「標識」を付けられず、
即ち識別されない。この様なりローを生じない導電体通
路は第２Ｂ図において、破断Ｂの左側に対応する。高電
圧基を同時に使用して、制御器８２で検出器２２を制御
して、検出器が回路を走査して、回路上で選択されたポ
イントから発生する光を検出し、どの検出ポイントが発
光し、しないかを示す電子的「マツプ」を生成すること
ができる。この情報は次に検出器又は制御器８２内に記
憶される参照マツプと比較され、回路１４内の非所望の
オープン回路及び／又はショート回路の位置が識別され
る。試験結果は次にモニター８４上で所望のフォーマッ
トで表示される。これを達成するた８めの装置は例えば米国特許４，５０７，６０５に記述さ
れる。

欠陥を見出すために回路基板１４を走査する代わりに、
カメラを使用して上方から回路１４のスナップショット
をとることができる。又、成る場合において、オペレー
タは基板上の欠陥を、回路部分のどの部分が発光し、し
ないかを単純に観測することもできる。

装置１０が、プリン配線基板、回路等のオープン及びシ
ョートの試験を、基板又は回路との物理的な接触を必要
としない、従って、試験のためのこれらの回路に対する
潜在的な損傷の危険を最小にするか又は除去する方法に
より行うことが可能になることが上述から理解できるで
あろう。

更に、ここに説明される試験セル１２は、かなりの利益
を生じる。第１に、セル１２は試験中の回路が試験セル
内に分離され、従って装置全体を高価な且つ時々制限的
なりリーンルームの外に置くという付加的な効果を有す
る。第２に、試験セル１２は比較的に単純であり安価に
作製できるの９で、数個手元に置くことができ、成る回路基板が成るセ
ル内で試験されている間、他の基板が別のセル内に搬送
されて、試験が準備されることを可能にする。回路がセ
ル１２内に搬入され、セルが上述の様に不活性ガスで充
填される間は、装置１０の高価な部分、即ちレーザー１
８、検出器２２、制御器２２及びモニター８４は、関係
しないので、試験工程の効率を増大し、且つ試験コスト
を減少する。

本発明の範囲を離れることなしに上述の構成に変更を加
えることができる。例えば、２方向化試験への応用に対
しては、セル１２の底壁２６を、金属板の代わりに、頂
部壁又はカバー３２と同じにすることができる。別の検
出器を、レーザー１８及び検出器２２が頂部壁３２に関
連して取り付けられるのと同じ手法により底壁２６に関
連して設けることができる。更に、試験中の回路基板１
４の電力板を電極として利用することができる。

従って、上述に含まれ、添付図面に示される全ての内容
は説明的なものであり、制限的な意味でな０いと解釈されるべきものと意図されている。

特許請求の範囲は、記述された本発明の一般的及び特定
な特徴の全てのを包含するものと意図されていると解釈
されるべきである。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明に従う非接触試験装置を示ず部破断概
略図、第２Ａ図及び第２Ｂ図は装置の動作を示す第１図の２−
２線に沿った断面図、第３Ａ図及び第３Ｂ図は第１図の装置の動作の説明を助
けるグラフ。１０・・試験装置、１２・・・セル、１４・・・回路、
１４ａ・・導電体又はエッチセル、１８・・・レーザ゛
１９．２３・・ＸＹ位置決め装置、２２・・・光検出器
、２６・・・底壁、２８・側壁、３２・・・頂部壁。ＦＩＧ、３Ａ３２ａＦＩＧ、３Ｂ

Claims

【特許請求の範囲】

（１）１つ以上の導電体を有する回路を非所望のオープ
ン及びショートに対して非接触的に試験するための試験
セルであって、この試験セルが、回路用のハーメチカル
にシール可能な容器であって、頂部壁及び底壁と、これ
ら頂部壁及び底壁を間隙で離して支持する側壁を有し、
これら壁の少なくとも一つが回路を容器内に挿入し且つ
これから引き出すことを可能にする前記容器、前記頂部壁及び底壁の間の前記容器内の結像面に挿入さ
れた回路を位置するための前記容器内の手段、前記容器内に位置する一対の平面状電極であって、前記
結像面に略並行な対向面から間隔を置いている電極、前記一対の電極に電気的に接続され、前記容器の外部に
延びる一対のコネクターであって、引き離し可能にこれ
ら電極を前記容器外部のｄｃ電位源に接続し、像形成面
に略並行に延びる電極間に電場を形成し、前記頂部壁及
び底壁の少ないとも一つ及びこれら壁に隣接する電極が
前記容器外部に設置されたレーザーからの、前記結像面
に設置される回路の導電体に像を結ぶ光に対して透明で
ある、前記コネクター、ガスの破壊電圧を越える電場に曝される時にプラズマを
形成することのできる能力を有する不活性イオン化可能
ガス源、バルブ制御可能なガス器具の形態を有するガス充填手段
であって、前記容器の外部にマウントされ、外部と交通
可能であり、離脱可能に前記ガス源に前記容器を接続し
て、前記ガスが前記容器を充填するようにし、選択され
た電圧が試験中前記コネクターに与えられる時発生され
る電場によってイオン化がなされるようにするガス充填
手段からなり、前記容器がこの容器内で試験されている回路の導電体に
接触する部分を全く有さないようにする試験セル。
（２）前記容器内にこの容器内のガス圧力を検出すため
の手段を更に備えることを特徴とする請求項（１）記載
の試験セル。
（３）前記充填手段が、前記容器の外にマウントされて
おり、前記容器の内部と交通してこの容器からガスを排
出する第２のバルブ制御可能なガス器具を含むことを特
徴とする請求項（１）記載の試験セル。
（４）前記頂部壁及び底壁の少なくとも一方に隣接する
前記電極が、前記壁の内表面上に被覆された薄い導電体
フィルムから成ることを特徴とする請求項（１）記載の
試験セル。
（５）前記充填手段が、前記容器の外にマウントされ、
前記容器の内部と交通して、この容器をガス排出口に離
脱可能に結合する第２のバルブ制御可能なガス器具から
成ることを特徴とする請求項（１）記載の試験セル。
（６）前記フィルムが比較的不活性な金属から成ること
を特徴とする請求項（５）記載の試験セル。
（７）前記一対の電極が、前記頂部壁及び底壁の内部表
面に渡って延びる細いワイヤーの配列から成ることを特
徴とする請求（１）記載の試験セル。
（８）前記頂部壁及び底壁の少なくとも一つに隣接する
電極がこの壁の内表面上に渡って延びる細いワイヤーの
配列から成ることを特徴とする請求項（１）記載の試験
セル。
（９）結像面と各電極間の空間が２から１０ｍｍの範囲
にあることを特徴とする請求項（１）記載の試験セル。
（１０）前記接続手段及び前記充填手段が前記容器の同
じ壁に位置していることを特徴とする請求項（２）記載
の試験セル。
（１１）一つ以上の導電体を有する回路の非所望のオめ
の試験セルが、回路用のハーメチカルにシール可能な容器であり、この
容器は平面状の頂部壁、底壁及びこれら頂部壁及び底壁
を空間により離間して支持する側壁を有し、前記壁の少
なくとも一つが、回路の前記容器内に挿入し且つこれか
ら引き出すことを可能にしている前記容器、挿入された回路を、前記容器内の前記頂部壁及び前記底
壁の間の結像面に位置するための前記容器内の手段、前記容器内に位置された一対の平面状電極であり、これ
ら電極は前記結像面の反対側に略並行に設置され、前記
頂部壁及び底壁の少なくとも一つ及びこれの隣接する電
極が、前記容器の外に設置されたレーザーからの、前記
結像面に位置する回路基板の導電体を照らす光に対して
実質的に透明である、前記一対の電極、ガスの破壊電圧を越える電場に曝される時、プラズマを
形成することのできる不活性イオン化可能ガス源、前記容器の外部にマウントされ、この容器の内部と交通
し、容器の内部を前記ガス源に離脱可能に接続して前記
ガスが前記容器を充填する容器する充填手段、前記一対の電極に電気的に結合して、前記容器の外部に
延びる接続手段、前記接続手段に結合して、或る選択された電圧を前記電
極に印加して、前記結像面に略垂直な電場を発生して前
記容器内のガスをイオン化する電圧源、前記透明電極及び前記結像面内の回路の導電体状のスポ
ットとの間にビームの焦点をもたらすレーザーであり、
ビーム焦点で容器内のガスを励起してプラズマを発生し
、このプラズマにより、電荷を前記選択された導電体ス
ポット及びこのスポットと連続する他の導電体部分に搬
送する前記レーザー、反対の極性及び、前記結像面内の回路の導電体の荷電部
分に対向する容器内ガスにグロー放電プラズマを形成す
るのに充分な強度を有する電圧を前記接続手段を介して
前記電極に与える手段、どの導電体部分が発光し、前記選択された導電体と電気
的に連続性を有し、どの部分がそうでないないかを決め
る手段から成る前記試験装置。