JPH0337724B2 - - Google Patents
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- JPH0337724B2 JPH0337724B2 JP58072075A JP7207583A JPH0337724B2 JP H0337724 B2 JPH0337724 B2 JP H0337724B2 JP 58072075 A JP58072075 A JP 58072075A JP 7207583 A JP7207583 A JP 7207583A JP H0337724 B2 JPH0337724 B2 JP H0337724B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- composition
- relationship
- coercive force
- perpendicularly magnetized
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
最近、高密度記録の可能な新しい磁気記録方式
として、垂直磁気記録方式と光磁気記録方式が注
目され、研究されているが、これら方式に用いら
れる媒体は、垂直方向に磁気異方性を備え且つ
Ku⊥≧2xMs2或はHc⊥＞Hc、Br⊥＞Brの
条件を満足したいわゆる垂直磁化膜を使用する必
要がある。
として、垂直磁気記録方式と光磁気記録方式が注
目され、研究されているが、これら方式に用いら
れる媒体は、垂直方向に磁気異方性を備え且つ
Ku⊥≧2xMs2或はHc⊥＞Hc、Br⊥＞Brの
条件を満足したいわゆる垂直磁化膜を使用する必
要がある。
従来、此種の垂直磁化膜の有力なものの１つと
して、Co−Cr系薄膜があり、スパツタ法と蒸着
法により作成されている。しかし乍ら、スパツタ
法では析出速度が小さいためフロツピーデイスク
や磁気テープのような大量に使用する媒体には、
量産性の点で問題がある。他方蒸着法では、析出
速度が大きいが、CoとCrの蒸気圧が大きく異な
るため長時間にわたる安定したCr組成の制御が
困難であり、又この場合、基板を200〜300℃に加
熱しておく必要があり、未加熱の基板では垂直磁
化膜が得られない欠点がある。
して、Co−Cr系薄膜があり、スパツタ法と蒸着
法により作成されている。しかし乍ら、スパツタ
法では析出速度が小さいためフロツピーデイスク
や磁気テープのような大量に使用する媒体には、
量産性の点で問題がある。他方蒸着法では、析出
速度が大きいが、CoとCrの蒸気圧が大きく異な
るため長時間にわたる安定したCr組成の制御が
困難であり、又この場合、基板を200〜300℃に加
熱しておく必要があり、未加熱の基板では垂直磁
化膜が得られない欠点がある。
本発明は、これに代り、新しい基板を加熱しな
いでも、優れた垂直磁化膜をもつ有利な垂直磁気
記録体を提供するもので、その第１発明の垂直磁
気記録体は非磁性基材面に直接又は軟磁性薄膜層
を介し、組成が（FexCoyNiz）100-nOnで表わさ
れ、ｘ、ｙ、ｚ、ｍがそれぞれat％で０＜ｘ≦
５、０＜ｚ≦40、ｘ＋ｙ＋ｚ＝100、15≦ｍ≦50
の範囲にあり、結晶構造がHCP構造のＣ軸を垂
直方向に配向した柱状粒子構造で且つ垂直方向の
保磁力Hc⊥と平行方向の保磁力Hcの関係が
Hc⊥＞Hcとなり、垂直方向の残留磁束密度
Br⊥と平行方向の残留磁束密度Brの関係が
Br⊥＞Brとなる垂直磁化膜を形成して成り、
第２発明の垂直磁気記録体は、非磁性基板面に直
接又は軟磁性薄膜層を介し、組成が（FexCoy
Niz）100-nOmで表わされ、ｘ、ｙ、ｚ、ｍがそれ
ぞれat％で40≦ｘ≦100、０≦ｚ≦25、ｘ＋ｙ＋
ｚ＝100、15≦ｍ≦50の範囲にあり、結晶構造が
BCC構造の（100）方向を垂直方向に配向した柱
状粒子構造で且つ垂直方向の保磁力Hc⊥と平行
方向の保磁力Hcの関係がHc⊥＞Hcとなり、
垂直方向の残留磁束密度Br⊥と平行方向の残留
磁束密度Brの関係がBr⊥＞Brとなる垂直磁
化膜を形成して成る。
いでも、優れた垂直磁化膜をもつ有利な垂直磁気
記録体を提供するもので、その第１発明の垂直磁
気記録体は非磁性基材面に直接又は軟磁性薄膜層
を介し、組成が（FexCoyNiz）100-nOnで表わさ
れ、ｘ、ｙ、ｚ、ｍがそれぞれat％で０＜ｘ≦
５、０＜ｚ≦40、ｘ＋ｙ＋ｚ＝100、15≦ｍ≦50
の範囲にあり、結晶構造がHCP構造のＣ軸を垂
直方向に配向した柱状粒子構造で且つ垂直方向の
保磁力Hc⊥と平行方向の保磁力Hcの関係が
Hc⊥＞Hcとなり、垂直方向の残留磁束密度
Br⊥と平行方向の残留磁束密度Brの関係が
Br⊥＞Brとなる垂直磁化膜を形成して成り、
第２発明の垂直磁気記録体は、非磁性基板面に直
接又は軟磁性薄膜層を介し、組成が（FexCoy
Niz）100-nOmで表わされ、ｘ、ｙ、ｚ、ｍがそれ
ぞれat％で40≦ｘ≦100、０≦ｚ≦25、ｘ＋ｙ＋
ｚ＝100、15≦ｍ≦50の範囲にあり、結晶構造が
BCC構造の（100）方向を垂直方向に配向した柱
状粒子構造で且つ垂直方向の保磁力Hc⊥と平行
方向の保磁力Hcの関係がHc⊥＞Hcとなり、
垂直方向の残留磁束密度Br⊥と平行方向の残留
磁束密度Brの関係がBr⊥＞Brとなる垂直磁
化膜を形成して成る。
上記の各垂直磁化膜は、Fe、Co、Ni蒸着によ
る柱状組織に成長した強磁性結晶粒子相とこれを
とりまく非強磁性酸化物相との２相構造から成
る。
る柱状組織に成長した強磁性結晶粒子相とこれを
とりまく非強磁性酸化物相との２相構造から成
る。
次に本発明の実施例につき説明する。
本発明者は、先に、特願昭58−36652号及び同
58−36653号で提案したように、Co−Ｏ及びCo−
Ni−Ｏより成る垂直磁化膜をもつ垂直磁気記録
体を開発したが、今般もう１つの強磁性元素であ
るFeを含んだFe−Co−Ni3元系成分にＯを導入
した場合について、種々検討した所、第１図に示
すように、斜線で囲む２つの領域Ａ及びＢにおい
て、優れた１部酸化した３元成分の垂直磁化膜が
得られることを確認した。
58−36653号で提案したように、Co−Ｏ及びCo−
Ni−Ｏより成る垂直磁化膜をもつ垂直磁気記録
体を開発したが、今般もう１つの強磁性元素であ
るFeを含んだFe−Co−Ni3元系成分にＯを導入
した場合について、種々検討した所、第１図に示
すように、斜線で囲む２つの領域Ａ及びＢにおい
て、優れた１部酸化した３元成分の垂直磁化膜が
得られることを確認した。
該第１の領域Ａは、Feに近い領域でほゞ３元
系状態図ではBCC相を形成する領域である。他
の１つの領域Ｂは、Coに近い領域でHCP相を形
成する領域である。
系状態図ではBCC相を形成する領域である。他
の１つの領域Ｂは、Coに近い領域でHCP相を形
成する領域である。
よく知られているように、垂直磁化膜を得るに
は、垂直磁気異方性エネルギーK⊥が薄膜の垂直
方向の反磁界のエネルギー2πM2sより大きいこと
が必要である。この場合、垂直磁気異方性として
は、結晶磁気異方性と形状磁気異方性が考えられ
るが、本発明垂直磁化膜は、垂直に成長したFe、
Co、Niの強磁性柱状粒子相をFe、Co、Ni等の
非強磁性酸化物相により隔離した構成になつてお
り、しかもその強磁性柱状粒子の粒径は、短軸が
約200〜1000Å、長軸が1000Å〜1μｍの細長い形
状をしていることが確認された。従つて、大きい
形状磁気異方性が発生している。又Ｘ線回折の結
果、Coに近いＢの領域では、HCP構造のＣ軸方
向が垂直方向に配向しており、又Feに近いＡの
領域でも、BCC構造の（100）方向が垂直方向に
配向し、その両者の方向とも夫々の結晶の容易磁
化方向であり、従つて、結晶磁気異方性も本発明
の垂直磁化膜で発生している。
は、垂直磁気異方性エネルギーK⊥が薄膜の垂直
方向の反磁界のエネルギー2πM2sより大きいこと
が必要である。この場合、垂直磁気異方性として
は、結晶磁気異方性と形状磁気異方性が考えられ
るが、本発明垂直磁化膜は、垂直に成長したFe、
Co、Niの強磁性柱状粒子相をFe、Co、Ni等の
非強磁性酸化物相により隔離した構成になつてお
り、しかもその強磁性柱状粒子の粒径は、短軸が
約200〜1000Å、長軸が1000Å〜1μｍの細長い形
状をしていることが確認された。従つて、大きい
形状磁気異方性が発生している。又Ｘ線回折の結
果、Coに近いＢの領域では、HCP構造のＣ軸方
向が垂直方向に配向しており、又Feに近いＡの
領域でも、BCC構造の（100）方向が垂直方向に
配向し、その両者の方向とも夫々の結晶の容易磁
化方向であり、従つて、結晶磁気異方性も本発明
の垂直磁化膜で発生している。
本発明のO2の導入の役割は、以上のように、
垂直柱状粒子を非強磁性酸化物で隔離する役割と
共に、膜全体の飽和磁化を減少させ、K⊥≧
2πMs2の条件を満足させる役割がある。
垂直柱状粒子を非強磁性酸化物で隔離する役割と
共に、膜全体の飽和磁化を減少させ、K⊥≧
2πMs2の条件を満足させる役割がある。
Fe、Co、Niの蒸発量を一定に保ち乍らO2ガス
の導入量を増加させてゆくと、膜中のO2濃度が
増加し、同時に柱状粒子の微細化と隔離が進行し
て、飽和磁化の減少と垂直方向の異方性磁界が増
加してゆく。而して、種々実験の結果、該Ａの領
域では、Ｏ組成が25at％以上で、又該Ｂの領域で
は15at％以上で垂直磁化膜が得られ、該Ａの領域
では、15〜50at％の範囲が有効で、就中、35〜
45at％が最も好ましく、該Ｂの領域では、15〜
50at％の範囲が有効で、就中、25〜45at％が最も
好ましい結果を得た。即ち、Ｏ組成が50at％を越
えると、すべて非磁性酸化物となり飽和磁化がな
くなる。これは、酸化物がFeO、CoO、NiOやこ
れらの混晶であり、原子比が１：１となつている
ためであると考えられる。Ａの領域では、Ｏ組成
が領域Ｂの場合より大きい組成で垂直磁化膜が得
られるが、これは、Fe側領域は、飽和磁化の値
が大きいことと結晶磁気異方性が小さいことのた
めである。
の導入量を増加させてゆくと、膜中のO2濃度が
増加し、同時に柱状粒子の微細化と隔離が進行し
て、飽和磁化の減少と垂直方向の異方性磁界が増
加してゆく。而して、種々実験の結果、該Ａの領
域では、Ｏ組成が25at％以上で、又該Ｂの領域で
は15at％以上で垂直磁化膜が得られ、該Ａの領域
では、15〜50at％の範囲が有効で、就中、35〜
45at％が最も好ましく、該Ｂの領域では、15〜
50at％の範囲が有効で、就中、25〜45at％が最も
好ましい結果を得た。即ち、Ｏ組成が50at％を越
えると、すべて非磁性酸化物となり飽和磁化がな
くなる。これは、酸化物がFeO、CoO、NiOやこ
れらの混晶であり、原子比が１：１となつている
ためであると考えられる。Ａの領域では、Ｏ組成
が領域Ｂの場合より大きい組成で垂直磁化膜が得
られるが、これは、Fe側領域は、飽和磁化の値
が大きいことと結晶磁気異方性が小さいことのた
めである。
以上の２つの領域Ａ，Ｂと上記特定の範囲のＯ
組成で得られる垂直磁化膜の垂直方向の保磁力
Hc⊥の値は400〜1000Oe程度で、垂直磁気記録
体としては最も良好な値である。
組成で得られる垂直磁化膜の垂直方向の保磁力
Hc⊥の値は400〜1000Oe程度で、垂直磁気記録
体としては最も良好な値である。
而もこの値は、本発明垂直磁気記録体を製造す
る場合、後記する製造法において、基板を加熱し
てもしなくても、或は水冷キヤンで積極的に冷却
している場合でも得られ、有利である。従つて、
従来磁気テープ、フロツピーデイスク等の基材と
して、特に耐熱性の高いポリイミドフイルム等の
高価な基材しか使用できなかつた不都合を解消
し、これ以外の例えば、一般の安価なポリエチレ
ンテレフタレート（PET）フイルム等任意の材
料が基材として使用可能となり、有利である。
る場合、後記する製造法において、基板を加熱し
てもしなくても、或は水冷キヤンで積極的に冷却
している場合でも得られ、有利である。従つて、
従来磁気テープ、フロツピーデイスク等の基材と
して、特に耐熱性の高いポリイミドフイルム等の
高価な基材しか使用できなかつた不都合を解消
し、これ以外の例えば、一般の安価なポリエチレ
ンテレフタレート（PET）フイルム等任意の材
料が基材として使用可能となり、有利である。
このように、本発明では、未加熱の室温基板で
も良好な垂直磁気特性が得られる原因は、加熱し
ないでも、Ｏ原子は、膜表面の拡散が容易である
ことに関係していると考えられる。
も良好な垂直磁気特性が得られる原因は、加熱し
ないでも、Ｏ原子は、膜表面の拡散が容易である
ことに関係していると考えられる。
従来のCo−Cr系垂直磁化膜は、Cr原子が、Co
柱状粒子の粒界付近に偏析して非強磁性相を形成
して柱状粒子を隔離する構造によつて得られるも
のであるが、このためには、Cr原子が膜表面で
拡散せしめる必要があり、この目的は、基板温度
を高くすることにより達成されるが、基板温度が
低く或は未加熱の室温では、Cr原子の拡散が悪
く垂直磁化膜が得られない。
柱状粒子の粒界付近に偏析して非強磁性相を形成
して柱状粒子を隔離する構造によつて得られるも
のであるが、このためには、Cr原子が膜表面で
拡散せしめる必要があり、この目的は、基板温度
を高くすることにより達成されるが、基板温度が
低く或は未加熱の室温では、Cr原子の拡散が悪
く垂直磁化膜が得られない。
これに対し、本発明では、O2を導入するので、
Ｏ原子は膜の表面拡散が容易で、未加熱の室温基
板でも充分垂直磁化膜が得られるものと考えられ
る。又、従来のCo−Cr系垂直磁化膜を蒸着法で
作成しようとする場合は、Cr組成の制御が困難
で、長時間に亘り均一な垂直磁化膜を得ることが
非常に困難であるが、本発明垂直磁化膜を製造す
る場合、Coの蒸発速度とO2ガス導入量を一定に
保てば足り、現在の技術をもつてすれば、極めて
容易に長時間に亘り均一な垂直磁化膜として製造
することができる。
Ｏ原子は膜の表面拡散が容易で、未加熱の室温基
板でも充分垂直磁化膜が得られるものと考えられ
る。又、従来のCo−Cr系垂直磁化膜を蒸着法で
作成しようとする場合は、Cr組成の制御が困難
で、長時間に亘り均一な垂直磁化膜を得ることが
非常に困難であるが、本発明垂直磁化膜を製造す
る場合、Coの蒸発速度とO2ガス導入量を一定に
保てば足り、現在の技術をもつてすれば、極めて
容易に長時間に亘り均一な垂直磁化膜として製造
することができる。
更に本発明によれば、PET基板に垂直磁化膜
を形成しても、殆どカーリングせず、カーリング
のはげしいCo−Cr系垂直磁化膜にくらべるとフ
ロツピーデイスクや磁気テープへの応用に極めて
有利である。
を形成しても、殆どカーリングせず、カーリング
のはげしいCo−Cr系垂直磁化膜にくらべるとフ
ロツピーデイスクや磁気テープへの応用に極めて
有利である。
尚、Fe−Co−Ni系組成において、前記Ａ及び
Ｂで示した領域のみで、垂直磁化膜が得られ、他
の領域で得られない原因については、現在充分明
確ではない。しかし、前記Ａ及びＢ以外の領域で
は、すべてFCC相であることを考えると、おそ
らく柱状粒子構造に変化があると考えられる。
尚、本発明の垂直磁化膜は、Fe、Co、Ni及びＯ
から成るが、それ以外の他のCr、Ｖ、Mo、Ｗ、
Rh、Ti、Re等の元素が微量に混入しても差支え
ない。
Ｂで示した領域のみで、垂直磁化膜が得られ、他
の領域で得られない原因については、現在充分明
確ではない。しかし、前記Ａ及びＢ以外の領域で
は、すべてFCC相であることを考えると、おそ
らく柱状粒子構造に変化があると考えられる。
尚、本発明の垂直磁化膜は、Fe、Co、Ni及びＯ
から成るが、それ以外の他のCr、Ｖ、Mo、Ｗ、
Rh、Ti、Re等の元素が微量に混入しても差支え
ない。
次に本発明の垂直磁気記録体をその製造例と共
に説明する。
に説明する。
第２図は、本発明垂直磁気記録体を製造するた
めに用いる真空蒸着装置を示し、真空ポンプ（図
示せず）に１側に於て接続する容器１内に、回転
冷却キヤン２とその直下に電子ビーム蒸発源３を
設け、その上部両側に巻解しローラー４と巻取り
ローラー５とを配設し、該ローラー４に巻きつけ
た非磁性基材、例えば、ロール状のPETテープ
基材ｃを、冷却キヤン２の周面をその回動と共に
回動走行しローラー５に巻き取られるようにし
た。更に、容器１内には酸素を導入するための供
給管６を備えるようにした。
めに用いる真空蒸着装置を示し、真空ポンプ（図
示せず）に１側に於て接続する容器１内に、回転
冷却キヤン２とその直下に電子ビーム蒸発源３を
設け、その上部両側に巻解しローラー４と巻取り
ローラー５とを配設し、該ローラー４に巻きつけ
た非磁性基材、例えば、ロール状のPETテープ
基材ｃを、冷却キヤン２の周面をその回動と共に
回動走行しローラー５に巻き取られるようにし
た。更に、容器１内には酸素を導入するための供
給管６を備えるようにした。
図示の例では、これを走行テープｃ面の近傍で
開口する長手のものとした。７は、蒸発源直上に
対向する冷却キヤン２の最下面を残して水平に配
置した防着板を示し、これにより蒸発源ｄからの
蒸発Fe原子、Co原子及びNi原子がテープ基材ｃ
面に対して実質上垂直に入射蒸着するようにし
た。
開口する長手のものとした。７は、蒸発源直上に
対向する冷却キヤン２の最下面を残して水平に配
置した防着板を示し、これにより蒸発源ｄからの
蒸発Fe原子、Co原子及びNi原子がテープ基材ｃ
面に対して実質上垂直に入射蒸着するようにし
た。
次に本装置を使用し、先ず１×10-5トール以下
まで容器１内を排気した後、蒸発材料ｄ、即ち、
Fe−Co−Ni合金を一定速度で蒸発させながら
種々の分圧になるようにO2ガス導入量を変化さ
せて各種組成の垂直蒸着膜をテープ基材ｃ面に形
成し本発明の垂直磁気テープを得た。尚、この製
造例において、蒸発材料ａとして成分組成割合を
色々に変えたものを使用し各種組成の垂直蒸着膜
をもつ磁気テープを製造した。又基材ｃの走行速
度を変化させて、膜厚1000〜10000Åの範囲で異
なる各種のものを製造した。これら各種製品につ
き、振動型磁気測定器と螢光Ｘ線により磁気特性
と合金組成の測定を行なつた。
まで容器１内を排気した後、蒸発材料ｄ、即ち、
Fe−Co−Ni合金を一定速度で蒸発させながら
種々の分圧になるようにO2ガス導入量を変化さ
せて各種組成の垂直蒸着膜をテープ基材ｃ面に形
成し本発明の垂直磁気テープを得た。尚、この製
造例において、蒸発材料ａとして成分組成割合を
色々に変えたものを使用し各種組成の垂直蒸着膜
をもつ磁気テープを製造した。又基材ｃの走行速
度を変化させて、膜厚1000〜10000Åの範囲で異
なる各種のものを製造した。これら各種製品につ
き、振動型磁気測定器と螢光Ｘ線により磁気特性
と合金組成の測定を行なつた。
この結果、Ｏ組成を15at％の一定にしたFe、
Co、Ni組成を変化させた場合のHc⊥／Hcの
値とBr⊥／Brの値とを測定した。その結果を
第３図及び第４図に示す。これから明らかなよう
に、Ｂの領域の組成では、Hc⊥／Hc及び
Br⊥／Brの両方とも１の値を越えており、垂
直磁化膜が得られ、Ａの領域の組成では、
Hc⊥／Hcの値は１以上であるが、Br⊥／
Brの値は小さく垂直磁化膜になつていないこ
とが分る。又そのＡ，Ｂ領域以外のFCC相領域
では、両者とも１以下の値で垂直磁化膜は得られ
ないことが分る。同様に、第５図及び第６図にＯ
組成が25at％の場合の結果を示す。AB両領域の
組成とも垂直磁化膜が得られることが分る。
Co、Ni組成を変化させた場合のHc⊥／Hcの
値とBr⊥／Brの値とを測定した。その結果を
第３図及び第４図に示す。これから明らかなよう
に、Ｂの領域の組成では、Hc⊥／Hc及び
Br⊥／Brの両方とも１の値を越えており、垂
直磁化膜が得られ、Ａの領域の組成では、
Hc⊥／Hcの値は１以上であるが、Br⊥／
Brの値は小さく垂直磁化膜になつていないこ
とが分る。又そのＡ，Ｂ領域以外のFCC相領域
では、両者とも１以下の値で垂直磁化膜は得られ
ないことが分る。同様に、第５図及び第６図にＯ
組成が25at％の場合の結果を示す。AB両領域の
組成とも垂直磁化膜が得られることが分る。
第７図及び第８図は、Ｏ組成が40at％の場合を
示し、共に更にすぐれた垂直磁化膜が得られるこ
とが分る。
示し、共に更にすぐれた垂直磁化膜が得られるこ
とが分る。
尚、図には示さないが、Ｏ組成が15at％未満で
は、酸素量が不足し、すべての組成において垂直
酸化膜が得られず、又逆に、50at％を越える場合
では、すべて非磁性酸化物となり、飽和磁化が無
くなつてしまうことが確認された。
は、酸素量が不足し、すべての組成において垂直
酸化膜が得られず、又逆に、50at％を越える場合
では、すべて非磁性酸化物となり、飽和磁化が無
くなつてしまうことが確認された。
又、垂直磁気記録方式においては、垂直磁化膜
と非磁性基材面との間にパーマロイ、Fe、Co、
Co−Zr非晶質膜等の比較的軟質磁性を示し、飽
和磁化の大きい磁性体の薄膜を介在させると、記
録電流を小さくでき、又再生出力を増大できるの
で、予め、非磁性基材面に該軟磁性薄膜層を形成
した後、その薄膜層の上面に、例えば上記の製造
例に従い、所定の本発明の垂直磁化膜を形成する
ことにより、該軟磁性薄膜層を介入した本発明垂
直磁気記録体を製造することができる。
と非磁性基材面との間にパーマロイ、Fe、Co、
Co−Zr非晶質膜等の比較的軟質磁性を示し、飽
和磁化の大きい磁性体の薄膜を介在させると、記
録電流を小さくでき、又再生出力を増大できるの
で、予め、非磁性基材面に該軟磁性薄膜層を形成
した後、その薄膜層の上面に、例えば上記の製造
例に従い、所定の本発明の垂直磁化膜を形成する
ことにより、該軟磁性薄膜層を介入した本発明垂
直磁気記録体を製造することができる。
このように、本発明によるときは、特許請求の
範囲に記載の特定の条件組成において、垂直磁化
膜が得られ、その製造においても、O2の導入に
より容易に所定の上記の垂直磁化膜をもつた磁気
記録体が得られ、この場合、基材を加熱しないで
も優れた製品をもたらし、基材の材料は安価なも
のが使用でき、磁気テープ、デイスク、フロツピ
ーデイスク等がカールや反りかえりなく良好な垂
直磁気記録体を提供できる効果を有する。
範囲に記載の特定の条件組成において、垂直磁化
膜が得られ、その製造においても、O2の導入に
より容易に所定の上記の垂直磁化膜をもつた磁気
記録体が得られ、この場合、基材を加熱しないで
も優れた製品をもたらし、基材の材料は安価なも
のが使用でき、磁気テープ、デイスク、フロツピ
ーデイスク等がカールや反りかえりなく良好な垂
直磁気記録体を提供できる効果を有する。
第１図は、本発明における垂直磁化膜の金属成
分組成を特定する図、第２図は本発明垂直磁気記
録体を製造するために用いる装置の１例の截断側
面図、第３図乃至第８図は、各種成分組成と磁気
特性との関係を示す図である。 Ａ，Ｂ……本発明の金属組成領域、１……容
器、ｃ……基材、３……蒸発源、ｄ……蒸発材
料、４，５……ローラー、６……酸素ガス供給
管、７……防着板。
分組成を特定する図、第２図は本発明垂直磁気記
録体を製造するために用いる装置の１例の截断側
面図、第３図乃至第８図は、各種成分組成と磁気
特性との関係を示す図である。 Ａ，Ｂ……本発明の金属組成領域、１……容
器、ｃ……基材、３……蒸発源、ｄ……蒸発材
料、４，５……ローラー、６……酸素ガス供給
管、７……防着板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 非磁性基材面に直接又は軟磁性薄膜層を介
し、組成が（FexCoyNiz）100-nOnで表わされ、
ｘ、ｙ、ｚ、ｍがそれぞれat％で０＜ｘ≦５、０
＜ｚ≦40、ｘ＋ｙ＋ｚ＝100、15≦ｍ≦50の範囲
にあり、結晶構造がHCP構造のＣ軸を垂直方向
に配向した柱状粒子構造で且つ垂直方向の保磁力
Hc⊥と平行方向の保磁力Hcの関係がHc⊥＞
Hcとなり、垂直方向の残留磁束密度Br⊥と平
行方向の残留磁束密度Brの関係がBr⊥＞
Brとなる垂直磁化膜を形成して成る垂直磁気
記録体。 ２ 非磁性基板面に直接又は軟磁性薄膜層を介
し、組成が（FexCoyNiz）100-nOmで表わされ、
ｘ、ｙ、ｚ、ｍがそれぞれat％で40≦ｘ≦100、
０≦ｚ≦25、ｘ＋ｙ＋ｚ＝100、15≦ｍ≦50の範
囲にあり、結晶構造がBCC構造の（100）方向を
垂直方向に配向した柱状粒子構造で且つ垂直方向
の保磁力Hc⊥と平行方向の保磁力Hcの関係が
Hc⊥＞Hcとなり、垂直方向の残留磁束密度
Br⊥と平行方向の残留磁束密度Brの関係が
Br⊥＞Brとなる垂直磁化膜を形成して成る垂
直磁気記録体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58072075A JPS59198707A (ja) | 1983-04-26 | 1983-04-26 | 垂直磁気記録体 |
| DE8484301530T DE3465647D1 (en) | 1983-03-08 | 1984-03-08 | A magnetic recording member and a manufacturing method for such a member |
| EP84301530A EP0122030B1 (en) | 1983-03-08 | 1984-03-08 | A magnetic recording member and a manufacturing method for such a member |
| US07/412,535 US5024854A (en) | 1983-03-08 | 1989-09-22 | Method of manufacturing perpendicular type magnetic recording member |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58072075A JPS59198707A (ja) | 1983-04-26 | 1983-04-26 | 垂直磁気記録体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59198707A JPS59198707A (ja) | 1984-11-10 |
| JPH0337724B2 true JPH0337724B2 (ja) | 1991-06-06 |
Family
ID=13478921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58072075A Granted JPS59198707A (ja) | 1983-03-08 | 1983-04-26 | 垂直磁気記録体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59198707A (ja) |
Families Citing this family (3)
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|---|---|---|---|---|
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Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS57113417A (en) * | 1980-12-29 | 1982-07-14 | Sony Corp | Magnetic recording medium |
| JPS59140629A (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-13 | Hitachi Ltd | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS59163810A (ja) * | 1983-03-08 | 1984-09-14 | Ulvac Corp | 垂直磁気記録体並びにその製造法 |
-
1983
- 1983-04-26 JP JP58072075A patent/JPS59198707A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59198707A (ja) | 1984-11-10 |
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