JPH0337825A - 磁気記録媒体 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、磁気記録媒体に関し、特に垂直磁気記録に用
いられる磁気記録媒体の改良に関する。
いられる磁気記録媒体の改良に関する。
〈従来の技術〉
這年、磁気記録媒体の高密度記録化は進む一方であるが
、従来広く用いられている磁性層面内記録方法では、磁
性層中の反磁界作用により減磁が生じ、−窓以上の記録
密度向上は困難である。
、従来広く用いられている磁性層面内記録方法では、磁
性層中の反磁界作用により減磁が生じ、−窓以上の記録
密度向上は困難である。
このような面内記録に対し、垂直磁気記録媒体が提案さ
れている。
れている。
垂直磁気記録は、磁性層を垂直方向に磁化することによ
り記録を行なう方法である。 垂直磁気記録では高密度
記録を行なう程減磁が減少するため、減磁の影響を受け
ることなく極めて高密度な記録を行なうことができる。
り記録を行なう方法である。 垂直磁気記録では高密度
記録を行なう程減磁が減少するため、減磁の影響を受け
ることなく極めて高密度な記録を行なうことができる。
垂直磁気記録媒体としては、ポリエチレンテレフタレー
ト等の基体上に、パーマロイ等の軟磁性膜およびCo−
Cr合金のスパッタ磁性層を順次形成したものがよく知
られている。
ト等の基体上に、パーマロイ等の軟磁性膜およびCo−
Cr合金のスパッタ磁性層を順次形成したものがよく知
られている。
また、このような垂直磁気記録媒体に高密度記録を行な
うための磁気ヘッドとしては、薄膜型の磁気ヘッドが好
適である。 薄膜型の磁気ヘッドは、セラミクス基体上
に磁極、保護膜等が、スパッタ法等の薄膜形成法により
積層されているものである。
うための磁気ヘッドとしては、薄膜型の磁気ヘッドが好
適である。 薄膜型の磁気ヘッドは、セラミクス基体上
に磁極、保護膜等が、スパッタ法等の薄膜形成法により
積層されているものである。
上記したように、垂直磁気記録媒体は原理的に高密度記
録に好適であるが、実用化を考えた場合、下記のような
性能が要求される。
録に好適であるが、実用化を考えた場合、下記のような
性能が要求される。
■耐久性が高いこと。
■耐食性、耐候性が高いこと。
■高速記録読出し下でのへラドタッチが良好であること
。
。
■再生出力が高いこと。
■モジュレーションの発生が低いこと。
■生産性が高いこと。
等である。
本発明者らはこのような性能を満足するために、基体、
軟磁性膜、磁性層、保護層および潤滑層をこの順で有す
る垂直磁気記録媒体において、各構成部分の物性、構成
材料等を限定する提案を行なっている(特開昭63−1
97028号公報)。
軟磁性膜、磁性層、保護層および潤滑層をこの順で有す
る垂直磁気記録媒体において、各構成部分の物性、構成
材料等を限定する提案を行なっている(特開昭63−1
97028号公報)。
また、本発明者らは、この提案をさらに発展させ、R(
ただしRは、Yを含む希土類元素から選択される1種以
上の元素を表わす。)を除く金属または半金属から選択
される1種以上の元素と、OおよびNとを含有し、さら
に、これらの元素に対し1〜10at%のRを含有する
固体保護層を有する垂直磁気記録媒体を提案しており(
特願平1−96964号)、さらに、固体保護層表面の
水との接触角を規定する提案を行なっている(特願平1
−98077号)これらの提案における磁気記録媒体は
、上記■〜■の性能を高水準で満たすものであり、特に
耐久性、耐食性、耐候性は極めて高いものである。 ま
た、磁気ヘッドの偏摩耗も防止される。
ただしRは、Yを含む希土類元素から選択される1種以
上の元素を表わす。)を除く金属または半金属から選択
される1種以上の元素と、OおよびNとを含有し、さら
に、これらの元素に対し1〜10at%のRを含有する
固体保護層を有する垂直磁気記録媒体を提案しており(
特願平1−96964号)、さらに、固体保護層表面の
水との接触角を規定する提案を行なっている(特願平1
−98077号)これらの提案における磁気記録媒体は
、上記■〜■の性能を高水準で満たすものであり、特に
耐久性、耐食性、耐候性は極めて高いものである。 ま
た、磁気ヘッドの偏摩耗も防止される。
〈発明が解決しようとする課題〉
しかし、垂直磁気記録媒体は極めて高密度の記録がなさ
れるため、さらに高い信頼性が要求される。
れるため、さらに高い信頼性が要求される。
そして、上記各提案において、磁気記録媒体に対し磁気
ヘッドは常に摺動しているため、信頼性を確保するため
には固体保護層の上に設けられる潤滑膜の選択が重要で
ある。
ヘッドは常に摺動しているため、信頼性を確保するため
には固体保護層の上に設けられる潤滑膜の選択が重要で
ある。
すなわち、摩擦係数が低いことが当然要求される他、繰
返し使用によっても摩擦低減効果が低下しないことが必
要とされる。
返し使用によっても摩擦低減効果が低下しないことが必
要とされる。
本発明は、このような事情からなされたものであり、垂
直磁気記録に用いられる磁気記録媒体であって、特に耐
久性、耐候性および耐食性が高く、また、磁気ヘッドの
摩耗が生じにくい&B磁気記録媒体提供することを目的
とする。
直磁気記録に用いられる磁気記録媒体であって、特に耐
久性、耐候性および耐食性が高く、また、磁気ヘッドの
摩耗が生じにくい&B磁気記録媒体提供することを目的
とする。
〈課題を解決するための手段〉
このような目的は、下記(1)〜(7)の本発明により
達成される。
達成される。
(1)基体上に、軟磁性膜、磁性層、固体保護層および
潤滑膜がこの順で設けられた磁気記録媒体であって、 前記固体保護層が、R(ただしRは、Yを含む希土類元
素から選択される1種以上の元素を表わす。)を除く金
属または半金属から選択される1種以上の元素と、Oお
よびNとを含有し、さらに、これらの元素に対し1〜1
0at%のRを含有し、 前記潤滑膜が下記式で表わされる平均分子量1000〜
i ooooの化合物を含有することを特徴とする磁気
記録媒体。
潤滑膜がこの順で設けられた磁気記録媒体であって、 前記固体保護層が、R(ただしRは、Yを含む希土類元
素から選択される1種以上の元素を表わす。)を除く金
属または半金属から選択される1種以上の元素と、Oお
よびNとを含有し、さらに、これらの元素に対し1〜1
0at%のRを含有し、 前記潤滑膜が下記式で表わされる平均分子量1000〜
i ooooの化合物を含有することを特徴とする磁気
記録媒体。
[式] F (C,F、O) CF、CF。
(ただし、上記式においてnは正の整数である。)
(2)前記潤滑膜が、50℃以下の融点を有する化合物
をさらに含有する上記(1)に記載の磁気記録媒体。
をさらに含有する上記(1)に記載の磁気記録媒体。
(3)前記50°C以下の融点を有する化合物が、脂肪
酸もしくはその塩、アルコール、エステルおよびフッ素
置換化合物の1種以上である上記(2)に記載の磁気記
録媒体。
酸もしくはその塩、アルコール、エステルおよびフッ素
置換化合物の1種以上である上記(2)に記載の磁気記
録媒体。
(4)前記固体保護層が金属または半金属としてSLを
含む上記(1)ないしく3)のいずれかに記載の磁気記
録媒体。
含む上記(1)ないしく3)のいずれかに記載の磁気記
録媒体。
(5)前記固体保護層が金属または半金属としてさらに
Aβを含む上記(4)に記載の磁気記録媒体。
Aβを含む上記(4)に記載の磁気記録媒体。
(6)前記固体保護層の潤滑膜側表面の水との接触角が
80’以下である上記(1)ないしく5)のいずれかに
記載の磁気記録媒体。
80’以下である上記(1)ないしく5)のいずれかに
記載の磁気記録媒体。
(7)前記磁性層がCo−Cr系合金の垂直磁化膜であ
る上記(1)ないしく6)のいずれかに記載の磁気記録
媒体。
る上記(1)ないしく6)のいずれかに記載の磁気記録
媒体。
く作用〉
本発明の磁気記録媒体では、磁性層上に固体保護層およ
び潤滑膜がこの順で設けられ、潤滑膜が所定の化合物を
含有する。
び潤滑膜がこの順で設けられ、潤滑膜が所定の化合物を
含有する。
このため、磁気記録媒体と磁気ヘッドとの間の摩擦が小
さく、磁気記録媒体および磁気ヘッドにキズや摩耗が生
じにくく、信頼性の高い磁気記録媒体が実現する。
さく、磁気記録媒体および磁気ヘッドにキズや摩耗が生
じにくく、信頼性の高い磁気記録媒体が実現する。
また、ヘッドタッチも向上し、磁気ヘッドの摩耗を防止
することができる。
することができる。
具体的には、上記式で表わされる化合物を含有するため
、耐久走行を行なった場合でも媒体とヘッドとの間の摩
擦増加が少なく、さらに50℃以下の融点を有する化合
物を含有することにより、初期摩擦も低いものとなる。
、耐久走行を行なった場合でも媒体とヘッドとの間の摩
擦増加が少なく、さらに50℃以下の融点を有する化合
物を含有することにより、初期摩擦も低いものとなる。
さらに、本発明では潤滑膜の下に設けられる固体保護層
が所定の元素を含有するため、耐食性向上効果が高い。
が所定の元素を含有するため、耐食性向上効果が高い。
さらに固体保護層表面が所定範囲の水との接触角を有す
る場合、潤滑膜を均一かつ強固に形成することができ、
耐久性およびヘッドタッチはさらに向上する。
る場合、潤滑膜を均一かつ強固に形成することができ、
耐久性およびヘッドタッチはさらに向上する。
なお、特開昭62−164207号公報には、Si、A
℃、OおよびNを含有するセラミックス保護膜を有する
磁気記録体が記載されているが、この保護膜の接触角に
関する開示はない。
℃、OおよびNを含有するセラミックス保護膜を有する
磁気記録体が記載されているが、この保護膜の接触角に
関する開示はない。
く具体的構成〉
以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。
第1図に、本発明の磁気記録媒体の好適実施例を示す。
本発明の磁気記録媒体1は、基体2上に、軟磁性膜3、
磁性層4、固体保護層5および潤滑膜6を、この順で有
する。
磁性層4、固体保護層5および潤滑膜6を、この順で有
する。
なお、基体2が可どう柱材質から構成されている場合、
軟磁性膜3、磁性層4、固体保護層5等の成膜時に発生
する基体2のソリを防止するために、軟磁性膜3、磁性
層4、固体保護層5および潤滑膜6は、第1図に示すよ
うに基体2の両面に設けられることが好ましい。
軟磁性膜3、磁性層4、固体保護層5等の成膜時に発生
する基体2のソリを防止するために、軟磁性膜3、磁性
層4、固体保護層5および潤滑膜6は、第1図に示すよ
うに基体2の両面に設けられることが好ましい。
ただし、これらを基体2の一方の側に設けることもでき
る。 基体2として可どう性のものを用いるときには、
他方の側にバックコート層を設けることにより基体2の
ソリを防止することもできる。 この場合のバックコー
ト層としては、Aff、Ti等の金属、あるいはS i
oz Si3N4 、Al220s 、後述する固体
保護層構成材質等の無機酸化物、窒化物ないしこれらの
混合物などのスパッタ膜が好適であり、さらには塗布型
のバックコート層も用いることができる。
る。 基体2として可どう性のものを用いるときには、
他方の側にバックコート層を設けることにより基体2の
ソリを防止することもできる。 この場合のバックコー
ト層としては、Aff、Ti等の金属、あるいはS i
oz Si3N4 、Al220s 、後述する固体
保護層構成材質等の無機酸化物、窒化物ないしこれらの
混合物などのスパッタ膜が好適であり、さらには塗布型
のバックコート層も用いることができる。
基体2は、可どう性であっても剛性であってもよく、ま
た、ディスク状であってちテープ状であってもよく、磁
気記録媒体lの使用目的に応じて選定すればよい。
た、ディスク状であってちテープ状であってもよく、磁
気記録媒体lの使用目的に応じて選定すればよい。
基体2を可どう性とする場合、その構成材質に特に制限
はないが、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート(
PET)、ポリフェニレンサルファイド(pps)
ポリアミド、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポ
リエーテルエーテルケトン(PEEK)などの高分子物
質から選択することが好ましく、耐熱性、寸法安定性、
表面粗度等が良好であることから、これらのうちではポ
リイミドを用いることがより好ましい。
はないが、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート(
PET)、ポリフェニレンサルファイド(pps)
ポリアミド、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポ
リエーテルエーテルケトン(PEEK)などの高分子物
質から選択することが好ましく、耐熱性、寸法安定性、
表面粗度等が良好であることから、これらのうちではポ
リイミドを用いることがより好ましい。
また、基体2を剛性とする場合、その構成材質に特に制
限はないが、各種ガラス、各種セラミクス、各種金属、
例えばへβ、An系合金、各種樹脂、例えばポリイミド
、ポリカーボネートなどから選択することが好ましく、
熱収縮率、表面粗度等の点で成形性が良好であることか
ら、これらのうちではガラスを用いることがより好まし
い。
限はないが、各種ガラス、各種セラミクス、各種金属、
例えばへβ、An系合金、各種樹脂、例えばポリイミド
、ポリカーボネートなどから選択することが好ましく、
熱収縮率、表面粗度等の点で成形性が良好であることか
ら、これらのうちではガラスを用いることがより好まし
い。
なお、Co−Cr系合金から構成される磁性層は、磁気
特性向上のために熱処理が施されることが好ましいので
、この場合の基体2構成材質には120℃程度以上の加
熱に耐えられるものを選択することが好ましい。
特性向上のために熱処理が施されることが好ましいので
、この場合の基体2構成材質には120℃程度以上の加
熱に耐えられるものを選択することが好ましい。
基体2が可どう性である場合、そのヤング率は、300
〜1000kgf/+nm”であることが好ましい。
ヤング率をこの範囲とすることにより、耐久性が向上す
ると共にヘッドタッチが良好となる。 ヤング率が上記
範囲未満であると、ヘッドタッチは良好であるが耐久性
が低下する。 また、ヤング率が上記範囲を超えると、
耐久性は向上するがヘッドタッチが悪化する。
〜1000kgf/+nm”であることが好ましい。
ヤング率をこの範囲とすることにより、耐久性が向上す
ると共にヘッドタッチが良好となる。 ヤング率が上記
範囲未満であると、ヘッドタッチは良好であるが耐久性
が低下する。 また、ヤング率が上記範囲を超えると、
耐久性は向上するがヘッドタッチが悪化する。
基体2の表面粗さ(Rmax)は、0.02u以下であ
ることが好ましい。 Rmaxがこの範囲であると、ヘ
ッドと媒体間で生じるスペーシングロスが減少し、記録
密度を高くすることができる。 Rmaxが上記範囲
を超えると、十分な記録密度を得ることが困難である。
ることが好ましい。 Rmaxがこの範囲であると、ヘ
ッドと媒体間で生じるスペーシングロスが減少し、記録
密度を高くすることができる。 Rmaxが上記範囲
を超えると、十分な記録密度を得ることが困難である。
上記のようなRmaxは、基体2の両面で実現している
ことが好ましいが、少なくとも磁性層設層面で実現して
いれば上記の効果は得られる。
ことが好ましいが、少なくとも磁性層設層面で実現して
いれば上記の効果は得られる。
なお、基体2中には、必要に応じ摩擦係数低減のために
フィラーが含有されていてもよい。
フィラーが含有されていてもよい。
基体2をディスク状とする場合、その直径は用途に応じ
て適当な値を選択すればよく、通常、50〜130mm
程度である。 また、基体2の厚さは、可どう性である
場合7〜80μm程度、より詳細にはフロッピーディス
クとして用いる場合20〜50μm程度、磁気テープと
して用いる場合7〜15μm程度であり、剛性である場
合、すなわちハードディスクとして用いる場合0.8〜
2mm程度である。
て適当な値を選択すればよく、通常、50〜130mm
程度である。 また、基体2の厚さは、可どう性である
場合7〜80μm程度、より詳細にはフロッピーディス
クとして用いる場合20〜50μm程度、磁気テープと
して用いる場合7〜15μm程度であり、剛性である場
合、すなわちハードディスクとして用いる場合0.8〜
2mm程度である。
基体2上には、軟磁性膜3が設けられる。
軟磁性膜3は、再生出力の向上のために設けられる。
軟磁性膜3の構成材質は、Fe−Ni系合金であること
が好ましい。
が好ましい。
Fe−Ni系合金としては、Fe−Ni合金(パーマロ
イ)Fe−Ni−Mo合金、Fe−Ni−Cr合金、F
e−Ni−Nb合金、F e −N i −M n −
Cu合金、Fe−Ni−Mo−Nb合金、Fe−Ni−
Mo−Cu合金、F e−N i−S L−At2合金
等を好ましく用いることができる。
イ)Fe−Ni−Mo合金、Fe−Ni−Cr合金、F
e−Ni−Nb合金、F e −N i −M n −
Cu合金、Fe−Ni−Mo−Nb合金、Fe−Ni−
Mo−Cu合金、F e−N i−S L−At2合金
等を好ましく用いることができる。
また、Fe−Ni系合金の他、Fe−C。
V系合金も好ましく用いることができる。
なお、これら合金には、必要に応じ、Ti、Aff、S
i、Mn、Cu、Ta、C50、N、Ar、Ca、C
r等が含有されていてもよい。
i、Mn、Cu、Ta、C50、N、Ar、Ca、C
r等が含有されていてもよい。
軟磁性膜3の面内方向の保磁力は、6〜200eである
ことが好ましい。 保磁力がこの範囲内であると、高い
再生出力が得られると共にモジュレーションが20%以
下に低下する。
ことが好ましい。 保磁力がこの範囲内であると、高い
再生出力が得られると共にモジュレーションが20%以
下に低下する。
保磁力が上記範囲未満となると再生出力は向上するがモ
ジュレーションが大きくなり、上記範囲を超えるとモジ
ュレーションは小さくなるが再生出力が低下してしまう
。
ジュレーションが大きくなり、上記範囲を超えるとモジ
ュレーションは小さくなるが再生出力が低下してしまう
。
軟磁性膜3の膜厚は0.2〜0.5μmであることが好
ましい。 膜厚がこの範囲未満であると生産性は向上す
るが+9分な再生出力が得られず、この範囲を超えると
再生出力は高くなるが、成膜に時間を要し生産性が低下
する。
ましい。 膜厚がこの範囲未満であると生産性は向上す
るが+9分な再生出力が得られず、この範囲を超えると
再生出力は高くなるが、成膜に時間を要し生産性が低下
する。
なお、軟磁性膜3は、スパッタ法により成膜されること
が好ましい。
が好ましい。
本発明の磁気記録媒体には垂直磁気記録がなされるため
、磁性層4は膜面と垂直方向に磁化容易軸を有する垂直
磁化膜であることが好ましい。
、磁性層4は膜面と垂直方向に磁化容易軸を有する垂直
磁化膜であることが好ましい。
このような磁性層4の構成材質としては、Co−Cr系
合金が好ましい。 Co−Cr系合金としては、Co−
Cr合金、Co−Cr−B合金、Co −Cr −M
n合金、Co−Cr−Mn−B合金、Co−Cr−Ta
合金、Co−Cr−3i−A4合金等が好ましい。
合金が好ましい。 Co−Cr系合金としては、Co−
Cr合金、Co−Cr−B合金、Co −Cr −M
n合金、Co−Cr−Mn−B合金、Co−Cr−Ta
合金、Co−Cr−3i−A4合金等が好ましい。
なお、Co−Cr系合金中のCr含有率は、16〜23
at%程度であることが好ましい。
at%程度であることが好ましい。
また、Co−Cr系合金の他、Co−V系合金も好まし
く用いることができる。
く用いることができる。
なお、これら合金には、必要に応じ、OlN、Si、A
n、Mn、Ar等が含有されていでもよい。
n、Mn、Ar等が含有されていでもよい。
磁性層4の垂直方向保磁力は4000e以上であること
が好ましい。 垂直方向保磁力がこの範囲未満であると
、再生出力が不十分である。 なお、垂直方向保磁力の
上限は特にないが、通常15000e程度まで容易に製
造することができる。
が好ましい。 垂直方向保磁力がこの範囲未満であると
、再生出力が不十分である。 なお、垂直方向保磁力の
上限は特にないが、通常15000e程度まで容易に製
造することができる。
磁性層4の厚さは0.05〜0.2μmであることが好
ましい。 厚さがこの範囲未満であると再生出力が低下
し、S/Nが低下する。
ましい。 厚さがこの範囲未満であると再生出力が低下
し、S/Nが低下する。
また、この範囲を超えると記録密度が低下し、例えば記
録密度(Dso)が100 KFRPIに達しない。
録密度(Dso)が100 KFRPIに達しない。
磁性層は、気相成膜法により形成されることが好ましく
、特にスパッタ法により成膜されることが好ましい。
、特にスパッタ法により成膜されることが好ましい。
固体保護層5は、Yを含む希土類元素(Y、ランタノイ
ド元素およびアクチノイド元素を意味し、以下、Rと略
称する。)を除く金属または半金属から選択される1種
以上の元素と、OおよびNとを含有し、さらに、これら
の元素に対し、Rから選択される1種以上の元素を1〜
10at%含有する。 なお、固体保護層は、通常、非
晶質状態にある。
ド元素およびアクチノイド元素を意味し、以下、Rと略
称する。)を除く金属または半金属から選択される1種
以上の元素と、OおよびNとを含有し、さらに、これら
の元素に対し、Rから選択される1種以上の元素を1〜
10at%含有する。 なお、固体保護層は、通常、非
晶質状態にある。
固体保護層5に含有されるR以外の金属または半金属と
しては、Si%A尼、Ti、ZnおよびBが好ましく、
これらのうちRおよびSLを必須とするかSiおよびA
nを必須として固体保護層5に含有させることが好まし
い。
しては、Si%A尼、Ti、ZnおよびBが好ましく、
これらのうちRおよびSLを必須とするかSiおよびA
nを必須として固体保護層5に含有させることが好まし
い。
また、これらの元素の他、F e 、 M g、Ca、
Sr、Ba、Ar、Mn等が全体の1at%以下程度含
有されていてもよい。
Sr、Ba、Ar、Mn等が全体の1at%以下程度含
有されていてもよい。
さらに詳述すると、固体保護層5の組成は、下記の組成
Iまたは組成■の範囲から選択することが好ましい。
Iまたは組成■の範囲から選択することが好ましい。
!LtL[金属または半金属としてSiおよびA℃を必
須とするもの] SiおよびAnは、通常、酸化物および窒化物の形で含
有される。
須とするもの] SiおよびAnは、通常、酸化物および窒化物の形で含
有される。
固体保護層5中の上記化合物は、その組成において化学
量論的な組成比を外れていてよい。
量論的な組成比を外れていてよい。
これらの元素と酸素および窒素とを含有することにより
、耐食性が向上する。
、耐食性が向上する。
組成Iにおける固体保護層5中の各元素の含有率は、下
記の範囲であることが好ましい。
記の範囲であることが好ましい。
S i : 2 0〜8 0at% 、より好ま
しくは40〜70at%。
しくは40〜70at%。
AQ:1〜30at%、
より好ましくは2〜1oat%。
O:2〜30at%、
より好ましくは2〜20at%。
N:5〜45at%、
より好ましくは15〜35at%。
このような組成の固体保護層には、上記したように、さ
らにRが含有される。
らにRが含有される。
Rとしては、Yおよびランタノイド元素が好ましい。
Rの含有率は、保護層中に含有されるR以外の金属また
は半金属元素と、0およびNとの合計を1ooat%と
じたとき、1〜1oat%であり、好ましくは2〜8a
t%である。
は半金属元素と、0およびNとの合計を1ooat%と
じたとき、1〜1oat%であり、好ましくは2〜8a
t%である。
このような含有率にてRを含有することにより、耐久性
、耐候性および耐食性がさらに向上し、特に耐久性は極
めて高いものとなる。
、耐候性および耐食性がさらに向上し、特に耐久性は極
めて高いものとなる。
この組成にお番ブるRとしては、Y、La、Ce、Pr
%Nd、SmおよびEuからなる群から選ばれた元素の
1種以上であることが好ましく、特にYを必須とするこ
とが好ましい。 R中のYの比率は、50%以上である
ことが好ましい。
%Nd、SmおよびEuからなる群から選ばれた元素の
1種以上であることが好ましく、特にYを必須とするこ
とが好ましい。 R中のYの比率は、50%以上である
ことが好ましい。
このとき耐久性、耐候性、耐食性等の面でより良好な結
果が得られる。
果が得られる。
また、固体保護層5をスパッタ法により形成する際に、
用いるターゲットにこれらの元素を含有させることによ
り緻密なターゲットが得られ、その結果、ターゲットの
冷却効率が向上し、スパッタ時の輻射熱が抑えられる。
用いるターゲットにこれらの元素を含有させることによ
り緻密なターゲットが得られ、その結果、ターゲットの
冷却効率が向上し、スパッタ時の輻射熱が抑えられる。
Rは、固体保護層S中にて元素単体あるいは化合物いず
れの形で含有されてもよい。 化合物として含有される
場合は、通常、酸化物の形で含有されることが好ましい
。
れの形で含有されてもよい。 化合物として含有される
場合は、通常、酸化物の形で含有されることが好ましい
。
監鬼土[金属または半金属としてSiを必須とするもの
1 この組成におけるRとしては、少なくともLaおよびC
eのうち一種以上が含まれることが好ましい。
1 この組成におけるRとしては、少なくともLaおよびC
eのうち一種以上が含まれることが好ましい。
LaおよびCeは、通常、酸化物として含有される。
これらの酸化物の化学量論組成はそれぞれL a z
O3およびCe Ozであるが、これらから偏奇したも
のであってもよい。
これらの酸化物の化学量論組成はそれぞれL a z
O3およびCe Ozであるが、これらから偏奇したも
のであってもよい。
CeおよびLaのはいずれか一方であってもよく、両者
が含有されてもよいが、両者が含有される場合、その量
比は任意である。
が含有されてもよいが、両者が含有される場合、その量
比は任意である。
また、Laおよび/またはCeの他、Yを含む他の希土
類元素、例えばY、Er等が含有されていてもよいが、
R中のLaおよび/またはCeの比率は50%以上であ
ることが好ましい。
類元素、例えばY、Er等が含有されていてもよいが、
R中のLaおよび/またはCeの比率は50%以上であ
ることが好ましい。
固体保護層5中には、希土類元素の酸化物に加え、Si
が含有される。
が含有される。
Stは、通常、酸化物および窒化物として含有されるが
、化学量論組成から偏奇して′7)てちよい。
、化学量論組成から偏奇して′7)てちよい。
組成Hにおける固体保護N5中の各元素の含有率は、下
記の範囲であることが好ましい。
記の範囲であることが好ましい。
S i : l O〜80at% 。
より好ましくは20〜60at%。
0:lO〜80at%、
より好ましくは15〜60at%。
N:2〜60at%、
より好ましくは3〜50at%。
そして、Rの含有率は、保護層中に含有されるR以外の
金属または半金属元素と、OおよびNとの合計を100
at%としたとき、1〜10at%、好ましくは2〜8
at%である。
金属または半金属元素と、OおよびNとの合計を100
at%としたとき、1〜10at%、好ましくは2〜8
at%である。
このような含有率にてRを含有することにより、耐久性
、耐候性および耐食性が向上し、特に耐久性は極めて高
いものとなる。
、耐候性および耐食性が向上し、特に耐久性は極めて高
いものとなる。
固体保護層5中の各元素の含有率は、オージェ、ESC
A、SIMS等によって測定すればよい。
A、SIMS等によって測定すればよい。
このような組成を有する固体保護層5の設層は気相成膜
法により行なうことが好ましく、特にスパッタ法を用い
ることが好ましい。
法により行なうことが好ましく、特にスパッタ法を用い
ることが好ましい。
スパッタ法としては、上記組成の焼結体をターゲットと
して用いてもよく、また、2種以上のターゲットを用い
る多元スパッタを用いてもよい。 さらに、反応性スパ
ッタを用いることもできる。
して用いてもよく、また、2種以上のターゲットを用い
る多元スパッタを用いてもよい。 さらに、反応性スパ
ッタを用いることもできる。
なお、希土類元素としてLaおよび/またはCeを含有
させる場合、スパッタターゲットの少なくとも一部とし
て、発火合金であるアラニルメタル、ヒユーバーメタル
、ミツシュメタル、ウエルスバソハメタル等の酸化物を
用いることもできる。
させる場合、スパッタターゲットの少なくとも一部とし
て、発火合金であるアラニルメタル、ヒユーバーメタル
、ミツシュメタル、ウエルスバソハメタル等の酸化物を
用いることもできる。
また、固体保護層5の設層には、その他の気相成膜法、
例えばCVD法、蒸着法、イオンブレーティング法等を
適宜用いることも可能である。
例えばCVD法、蒸着法、イオンブレーティング法等を
適宜用いることも可能である。
固体保護層5は、十分な耐久性を確保するためにビッカ
ース硬度が700以上であることが好ましいが、本発明
における上記したような組成を選択すれば、700以上
のビッカース硬度が容易に得られる。 特にRを含有す
る場合、1000以上のビッカース硬度を得ることもで
きる。
ース硬度が700以上であることが好ましいが、本発明
における上記したような組成を選択すれば、700以上
のビッカース硬度が容易に得られる。 特にRを含有す
る場合、1000以上のビッカース硬度を得ることもで
きる。
固体保護層5の厚さは、30〜200人、特に30〜1
00人とすることが好ましい。 厚さが上記範囲未満で
あると保護効果が不十分であり、上記範囲を超えるとス
ペーシングロスが増加して記録密度を向上させることが
できない。
00人とすることが好ましい。 厚さが上記範囲未満で
あると保護効果が不十分であり、上記範囲を超えるとス
ペーシングロスが増加して記録密度を向上させることが
できない。
本発明において、固体保護層5表面ばの水との接触角は
80°以下、好ましくは60’以下、より好ましくは4
0’以下であることが好ましい。
80°以下、好ましくは60’以下、より好ましくは4
0’以下であることが好ましい。
水との接触角をこのような範囲とすることにより、潤滑
膜6の成膜を均一に行なうことができる。 なお、固体
保護層5の水との接触角は、通常8°程度以上である。
膜6の成膜を均一に行なうことができる。 なお、固体
保護層5の水との接触角は、通常8°程度以上である。
水との接触角は、例えば、固体保護層表面に純水を滴下
して30秒後に測定すればよい。 測定雰囲気は、18
〜23℃、40〜60%RH程度である。
して30秒後に測定すればよい。 測定雰囲気は、18
〜23℃、40〜60%RH程度である。
固体保護層5上に設けられる潤滑膜6は、下記式で表わ
される平均分子量i ooo〜10000の化合物を含
有する。
される平均分子量i ooo〜10000の化合物を含
有する。
[式] F (C3F、O) CF2 CF。
(ただし、上記式においてnは正の整数である。)
この潤滑膜を設けることにより磁気記録媒体と磁気ヘッ
ドとの間の耐久走行中での摩擦変動が抑えられ、良好な
潤滑効果が持続する。 また、このような化合物を含有
する潤滑膜は撥水効果を有するので、高温条件下でも磁
気記録媒体と磁気ヘッドとの吸着が発生せず、潤滑効果
の経時変化も抑えることができる。
ドとの間の耐久走行中での摩擦変動が抑えられ、良好な
潤滑効果が持続する。 また、このような化合物を含有
する潤滑膜は撥水効果を有するので、高温条件下でも磁
気記録媒体と磁気ヘッドとの吸着が発生せず、潤滑効果
の経時変化も抑えることができる。
上記式で表わされる化合物の平均分子量は1000〜5
000であることが好ましく、より好ましくは2000
〜4000である。
000であることが好ましく、より好ましくは2000
〜4000である。
20℃における動粘度は20〜600cstであること
が好ましく、より好ましくは10〜200cstであり
、さらに好ましくは10〜50cstである。
が好ましく、より好ましくは10〜200cstであり
、さらに好ましくは10〜50cstである。
流動点は−90〜−50℃であることが好ましく、より
好ましくは−80〜−60℃であり、さらに好ましくは
−80〜−70″Cである。
好ましくは−80〜−60℃であり、さらに好ましくは
−80〜−70″Cである。
本発明において、潤滑膜には上記式で表わされる化合物
に加え、50℃以下の融点を有する化合物が含有される
ことが好ましい。
に加え、50℃以下の融点を有する化合物が含有される
ことが好ましい。
50℃以下の融点を有する化合物としては、脂肪酸もし
くはその塩、脂肪族のアルコール、それらのエステル、
これらのフッ素置換体およびその他のフッ素置換化合物
の1種以上を選択することが好ましい。 これらは飽和
体であっても不飽和体であってもよい。
くはその塩、脂肪族のアルコール、それらのエステル、
これらのフッ素置換体およびその他のフッ素置換化合物
の1種以上を選択することが好ましい。 これらは飽和
体であっても不飽和体であってもよい。
具体的には、下記のような化合物を選択することが好ま
しい。
胆」L酸
cHs(CH2)?CH=CH(CL)、C00I(I
J CI−(C)I*CH=CH) 5CH−(CH−)
−COOHCHsCHCHt(CH2) 1zGHzc
OOHCHa CH3(CH2)、、C00H CI(3(CH2)+ocOOH CHs (C)12)、C00)I Cl3(CHi)scOOH エライジン酸 エルカ酸 等。
J CI−(C)I*CH=CH) 5CH−(CH−)
−COOHCHsCHCHt(CH2) 1zGHzc
OOHCHa CH3(CH2)、、C00H CI(3(CH2)+ocOOH CHs (C)12)、C00)I Cl3(CHi)scOOH エライジン酸 エルカ酸 等。
アルコール
CHx (CH2) ll0H
(1,H,(C)I2)、、0H
CL (CH2) 3,0H
CH−(CH2) 、20H
CH3((41,)、、0H
coa (C1(、) 、0H
CH3(CH2)、5OH
CHs(CH2)+□CH(CH。
CHs (CH−)r−CH(CH3
CH3(CHa)+ 4CH(CH2
CH3(CH2、、CH(CH。
coa(cHa)+aco(cus
C,、I3.O)l (オレイ
C,、H!、OH
C,、H,、OH
エステル
C,、)1.、C00CH3
C,、H,、C00C2Hs
CI +HasCOOC4)1s
CI +HgzCOOC+ 282S
C,、H,、COOCH3
等。
Cl5H!?(,0OC2H。
C,、H,、C00C,H。
C1HatcOOcsH+ +
C1aH2tcOOc+ xH28
C,、H,、C00C,4H,。
c、、)!、、C00CzHs
CIsH3+C00CsHt
C,、I3.C00C,I9
C1*H−IC0OCsHlt
C,、H,、C00C,H。
C,、)1.、cOOcJ。
C,J3sCOOCaH+y
C1aH3yCOOC+oHz+
Cl8H3アC00C3zHzs
CH3(CHz)tcH:cH(CHz)ycOo(C
Hz)a−CH=CH(CHa)ocH3 CHl(CHI)、CH=CH(CH2)7COO(C
H2)9C)I3CH3(CH2)?CH(CH2)?
C00CH2CH(CH3)−OCO(CHz) tc
H=cH(CHa) ?CH−等。
Hz)a−CH=CH(CHa)ocH3 CHl(CHI)、CH=CH(CH2)7COO(C
H2)9C)I3CH3(CH2)?CH(CH2)?
C00CH2CH(CH3)−OCO(CHz) tc
H=cH(CHa) ?CH−等。
フッ、 A
フッ素置換化合物としては、パーフルオロ置換化合物が
好ましい。
好ましい。
例えば、パーフルオロカルボン酸、パーフルオロアルコ
ール、パーフルオロカルボン酸エステル、パーフルオロ
アルコールの脂肪酸エステル、パーフルオロアルコール
のパーフルオロカルボン酸エステル、パーフルオロアル
キル基を有するカルボン酸塩、パーフルオロアルキル基
を有する第4級アンモニウム塩、パーフルオロアルキル
基を有するベタイン類、エチレンアルキレンオキシドな
いしその付加物のパーフルオロ置換体、パーフルオロア
ルキレン部分を有するオリゴマーなどである。 これら
のうち特に好ましい化合物は、 C4F、C00H C,F、3COO)l C,F、、C00H CaF+yCOO)l C,F、 、CH20CH,COOH CaF+t(CH2)zO(CH*)zcOOH等であ
る。
ール、パーフルオロカルボン酸エステル、パーフルオロ
アルコールの脂肪酸エステル、パーフルオロアルコール
のパーフルオロカルボン酸エステル、パーフルオロアル
キル基を有するカルボン酸塩、パーフルオロアルキル基
を有する第4級アンモニウム塩、パーフルオロアルキル
基を有するベタイン類、エチレンアルキレンオキシドな
いしその付加物のパーフルオロ置換体、パーフルオロア
ルキレン部分を有するオリゴマーなどである。 これら
のうち特に好ましい化合物は、 C4F、C00H C,F、3COO)l C,F、、C00H CaF+yCOO)l C,F、 、CH20CH,COOH CaF+t(CH2)zO(CH*)zcOOH等であ
る。
上記式で表わされる化合物と50℃以下の融点を有する
化合物との含有比率は、8;2〜2;8であることが好
ましい。
化合物との含有比率は、8;2〜2;8であることが好
ましい。
なお、上記式で表わされる化合物および50℃以下の融
点を有する化合物は、それぞれ2種以上が含有されてい
てもよい。
点を有する化合物は、それぞれ2種以上が含有されてい
てもよい。
このような潤滑膜の成膜方法に特に制限はなく、塗布法
、ラングミュア・ブロジェット法等を用いればよい。
塗布法としては、ゲイ・ツブ法、スピンコード法等が好
ましい。
、ラングミュア・ブロジェット法等を用いればよい。
塗布法としては、ゲイ・ツブ法、スピンコード法等が好
ましい。
潤滑膜の表面は、水との接触角が70゛以上、持に90
゛以上であることが好ましい。
゛以上であることが好ましい。
このような接触角を有することにより、磁気ヘッドと磁
気記録媒体との吸着が防止され、高い走行安定性が得ら
れる9 潤滑膜の厚さは、成膜方法および使用化合物によっても
異なるが、5〜100A程度であることが好ましい。
気記録媒体との吸着が防止され、高い走行安定性が得ら
れる9 潤滑膜の厚さは、成膜方法および使用化合物によっても
異なるが、5〜100A程度であることが好ましい。
膜厚がこの範囲未満であると潤滑効果が不十分であり、
この範囲を超えるとかえって摩擦を増加させてしまう。
この範囲を超えるとかえって摩擦を増加させてしまう。
なお、より好ましい膜厚は5〜80人であり、さらに
好ましい膜厚は5〜40人である。
好ましい膜厚は5〜40人である。
以上に説明したような構成を有する本発明の磁気記録媒
体は、垂直磁気記録媒体として、フロッピーディスク、
ハードディスク、磁気テープなどに適用される。
体は、垂直磁気記録媒体として、フロッピーディスク、
ハードディスク、磁気テープなどに適用される。
また、本発明の磁気記録媒体の記録再生に用いられる垂
直記録型磁気ヘッドに特に制限はないが、本発明の磁気
記録媒体は薄膜型垂直磁気ヘッドと組合せて使用した場
合に、特にヘッド摩耗防止効果を発揮する。 薄膜型磁
気ヘッドとしては、Al2z Os −T i C等の
セラミクス製基体上にCo−Nb−Zr系アモルファス
等の金属製磁極を形成し、さらにA420.等の無機保
護膜を被覆したものを用いることが好ましい。
直記録型磁気ヘッドに特に制限はないが、本発明の磁気
記録媒体は薄膜型垂直磁気ヘッドと組合せて使用した場
合に、特にヘッド摩耗防止効果を発揮する。 薄膜型磁
気ヘッドとしては、Al2z Os −T i C等の
セラミクス製基体上にCo−Nb−Zr系アモルファス
等の金属製磁極を形成し、さらにA420.等の無機保
護膜を被覆したものを用いることが好ましい。
〈実施例〉
以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明をさらに詳
細に説明する。
細に説明する。
[実施例]]
第1図に示す構成で、固体保護層の組成が異なる種々の
磁気デfスクサンプルを作製した。
磁気デfスクサンプルを作製した。
各部の構成の詳細を以下に示す。
[基体]
直径86 m m 、厚さ40 u、 rT!、ヤング
率900 kgf/in” 表面粗さ(Rmax)0
.015um、y)ポリ1′ミドを用1ハた。
率900 kgf/in” 表面粗さ(Rmax)0
.015um、y)ポリ1′ミドを用1ハた。
F軟磁性膜]
2 ’?(、OWを含も2 X 10 ” ’ P a
のAr雰囲気中で、DCマグネトロノスベ・ツタ法によ
り80at%N i、 −F e合金を厚さ0.45g
mに成膜して形成し、た。
のAr雰囲気中で、DCマグネトロノスベ・ツタ法によ
り80at%N i、 −F e合金を厚さ0.45g
mに成膜して形成し、た。
軟磁性膜の面内方向の1呆磁力!;L、 9 0eであ
った。
った。
[Mi性層]
DCマグネトロンスパッタ法により20at%Cr−C
o合金を厚さ0.18μmに成膜して形成した。 成膜
時の雰囲気は、軟磁性膜形成の際と同様とした。
o合金を厚さ0.18μmに成膜して形成した。 成膜
時の雰囲気は、軟磁性膜形成の際と同様とした。
磁性層の垂直方向の保磁力は、7200eであった。
[固体保護層]
2%02を含むlXl0”’PaのAr雰囲気中で、R
Fノマグトロンスパッタ、云により、下記表1に示す各
種組成の固体保護層を厚さ0.01μmに形成した。
なお、スパックに用いたターゲットは、固体保護層に対
応する組成を有する焼結体を用いた。
Fノマグトロンスパッタ、云により、下記表1に示す各
種組成の固体保護層を厚さ0.01μmに形成した。
なお、スパックに用いたターゲットは、固体保護層に対
応する組成を有する焼結体を用いた。
各固体保護層のビッカース硬度を表1に示す。 ビッカ
ース硬度は、各磁気ディスクサンプルの固体保護層と同
条件で2μmの厚さに形成した膜で測定した。
ース硬度は、各磁気ディスクサンプルの固体保護層と同
条件で2μmの厚さに形成した膜で測定した。
[潤滑膜]
下記化合物No、 lおよびNO12を1:1の重量
比で含有するO、]、wt%フロン系溶戚をデイツプ法
により厚さ20人に成膜し、潤滑膜とした。
比で含有するO、]、wt%フロン系溶戚をデイツプ法
により厚さ20人に成膜し、潤滑膜とした。
(化合物No、1)
F (C,F、O) cFa CF。
この化合物の平均分子量は2700.20℃における動
粘度は53±10cst、流動点は一75℃、20℃に
おける密度は1.86g / m I2であった。
粘度は53±10cst、流動点は一75℃、20℃に
おける密度は1.86g / m I2であった。
(化合物No、2)
C,+ F、?C0OH
得られた各サンプルに対し、下記の試験を行なった。
(1)耐久試験A
針によるスクラッチ試験を行ない、耐久性を評価した。
針先端の曲率半径は100μm、負荷は10g、針とサ
ンプルとの相対速度は10m m / S e Cとし
た。
ンプルとの相対速度は10m m / S e Cとし
た。
耐久性の評価は、試験後のサンプル表面に存在するスク
ラッチキズの幅により行なった。
ラッチキズの幅により行なった。
なお、この際、スクラッチキズの幅が5μmを超えると
実用に際して問題が生じ、4好ましくは3μm以下であ
るとよい。
実用に際して問題が生じ、4好ましくは3μm以下であ
るとよい。
(2)耐候試験
70℃、90%RHの条件下で100円間保存後に、磁
性層面に現われた斑点状のシミ(鎮)の大きさを測定し
た。
性層面に現われた斑点状のシミ(鎮)の大きさを測定し
た。
(3)電磁変換特性の測定
磁極厚0.2μm、磁極幅50μ1mの主磁極励磁型単
磁極薄膜ヘッドを用い、ヘッドとディスクの相対速度2
m / s e cにてf特を測定し、Dsoにより
評価した。
磁極薄膜ヘッドを用い、ヘッドとディスクの相対速度2
m / s e cにてf特を測定し、Dsoにより
評価した。
薄膜l\ラッド、A℃203−Tic基体上にCo−N
b−Zrアモルファス磁極およびA Q 20−保護膜
をスパッタ法により形成したものを用いた。
b−Zrアモルファス磁極およびA Q 20−保護膜
をスパッタ法により形成したものを用いた。
(4)ヘッド摩耗試験A
ヘッドとディスクとを、負荷1.0 g、相対速度2m
/secで摺動させ、1000時間後のヘッド摩耗量を
測定した。 ヘッド摩耗量は、走行開始時および走行開
始t ooo時間後のヘッド形状を触針型表面粗さ計に
て測定し、これらを比較することにより求めた。
/secで摺動させ、1000時間後のヘッド摩耗量を
測定した。 ヘッド摩耗量は、走行開始時および走行開
始t ooo時間後のヘッド形状を触針型表面粗さ計に
て測定し、これらを比較することにより求めた。
なお、用いたヘッドは、上記(3)に示す薄膜ヘッドで
あり、摩耗部は、主として磁極および保護膜であった。
あり、摩耗部は、主として磁極および保護膜であった。
これらの試験結果を表1に示す。
表1に示される結果から、本発明の効果が明らかである
。
。
すなわち、固体保護層の組成が本発明の範囲内であるサ
ンプルは、各試験の結果が良好である。 こわに対し、
本発明範囲外の組成、すなわちRの含有量がlat%未
満および10at%超である組成の固体保護層を有する
サンプルは、これらの性能が劣っている。
ンプルは、各試験の結果が良好である。 こわに対し、
本発明範囲外の組成、すなわちRの含有量がlat%未
満および10at%超である組成の固体保護層を有する
サンプルは、これらの性能が劣っている。
なお、上記したサンプルの固体保護層に替え、前記組成
において異なるRのものや前記の組成■1として示され
る組成を有する固体保護層を設層したサンプルを作製し
、上記と同様な試験を行たったところ、上記各サンプル
とほぼ同等の特性が得られ、Rを1 =−1,0at%
含有することによる懸界的効果が確認された。
において異なるRのものや前記の組成■1として示され
る組成を有する固体保護層を設層したサンプルを作製し
、上記と同様な試験を行たったところ、上記各サンプル
とほぼ同等の特性が得られ、Rを1 =−1,0at%
含有することによる懸界的効果が確認された。
[実施例2〕
国体保A層形成法を変えた池は実施例1と同様にして、
種々の磁気ディスクサンプルを作製した。 固体保護層
の形成法を以下に示す。
種々の磁気ディスクサンプルを作製した。 固体保護層
の形成法を以下に示す。
[固体保護層]
Arと、02および/またはN2とを含む雰囲気中で、
RFマグネトロンスパッタ法により、下記表2に示す各
種組成および接触角を有する固体保護層を厚さ0.01
μmに形成した。
RFマグネトロンスパッタ法により、下記表2に示す各
種組成および接触角を有する固体保護層を厚さ0.01
μmに形成した。
なお、Ar圧はlXl0−’Paとし、これに1〜lO
%の02および/またはN2を加えることにより接触角
を変更した。 なお、表2に示すサンプルのうち接触角
が80’を超えるものは、0□だけを加えて成膜したち
のである。
%の02および/またはN2を加えることにより接触角
を変更した。 なお、表2に示すサンプルのうち接触角
が80’を超えるものは、0□だけを加えて成膜したち
のである。
接触角は、固体保護層表面に純水を滴下して30秒後に
測定した。 接触角測定の際の雰囲気は、20℃、55
%RHとした。
測定した。 接触角測定の際の雰囲気は、20℃、55
%RHとした。
スパッタに用いたターゲットは、固体保護層に対応する
組成を有する焼結体を用いた。
組成を有する焼結体を用いた。
各固体保護層のビッカース硬度を表2に示す。 ビッカ
ース硬度は、各磁気ディスクサンブルの固体保護層と同
条件で2μmの厚さに形成した膜で測定した。
ース硬度は、各磁気ディスクサンブルの固体保護層と同
条件で2μmの厚さに形成した膜で測定した。
このようにして得られた各サンプルに対し、実施例1の
(2)耐候性試験および(3)電磁変換特性の測定に加
え、下記の試験(5)および(6)を行なった。
(2)耐候性試験および(3)電磁変換特性の測定に加
え、下記の試験(5)および(6)を行なった。
(5)耐久試験B
垂直磁気記録用のフロッピーディスクドライブに各サン
プルを実装し、初期出力の70%まで出力が低下したと
きのバス数を求めた。
プルを実装し、初期出力の70%まで出力が低下したと
きのバス数を求めた。
磁気ヘッドには垂直記録用の薄膜ヘッドを使用し、負荷
はLog、摺動速度は2 m / sとした。
はLog、摺動速度は2 m / sとした。
(6)ヘッド摩耗試験B
実施例1の(4)ヘッド摩耗試験Aにおいで、摺動条件
をより過酷なものとした。
をより過酷なものとした。
すなわち、ヘッドとディスクとを、負荷15g、相対速
度2 m / s e cで摺動させ、1000時間後
のヘッド摩耗量を測定した。
度2 m / s e cで摺動させ、1000時間後
のヘッド摩耗量を測定した。
・ヘッド摩耗量は、走行開始時および走行開始1000
時間後のヘッド形状を触針型表面粗さ計にて測定し、こ
れらを比較することにより求めた。
時間後のヘッド形状を触針型表面粗さ計にて測定し、こ
れらを比較することにより求めた。
これらの試験結果を表2に示す。
表2に示される結果から、固体保護層の接触角が80°
以下となると、各試験の結果が良好となることがわかる
。
以下となると、各試験の結果が良好となることがわかる
。
なお、本発明の他の絵1茂の固体保護層でも、上記と同
様な試験を行なったところ上記とほぼ同等の結果が得ら
れた。
様な試験を行なったところ上記とほぼ同等の結果が得ら
れた。
[実施例3〕
潤滑膜が含有する化合物の比率を変えて種々の磁気ディ
スクを作製した。 潤滑膜以外は実施例2で作製1.た
す゛/プルNo、lQと同様とした。
スクを作製した。 潤滑膜以外は実施例2で作製1.た
す゛/プルNo、lQと同様とした。
これらの磁気ディスクを、ガラス基板上に貼りつけ、被
検サンプルを作製した。
検サンプルを作製した。
ガラス基板は、下記のようにして作製した。
外径130mm、内径40mm、厚さ1,9m nlの
アルミノケイ酸ガラス板を研磨し、さらに化学強化処、
理を施lた。 化7゛強化処理は、450℃の溶融硝酸
カリウムに10時間4項することにより行なった。
アルミノケイ酸ガラス板を研磨し、さらに化学強化処、
理を施lた。 化7゛強化処理は、450℃の溶融硝酸
カリウムに10時間4項することにより行なった。
次いで、このガラス板表面をメカノケミカルポリッシン
グにより平滑化した。 メカノケミカルポリッシングに
は、コロイダルシリカを含む研磨液を用いた。 次いで
洗浄し、ガラス基板を得た。
グにより平滑化した。 メカノケミカルポリッシングに
は、コロイダルシリカを含む研磨液を用いた。 次いで
洗浄し、ガラス基板を得た。
このようにして得られたガラス基板の表面粗さ(Rma
x)は、50人であった。
x)は、50人であった。
これらの被検サンプルについて、初期摩擦係数および耐
久走行後の摩擦係数の測定を行なった。
久走行後の摩擦係数の測定を行なった。
なお、潤滑膜に用いた化合物は、上記化合物No、
lおよび2であり、塗布溶媒および厚さは実施例2と同
様とした。 各サンプルの潤滑膜が含有する化合物の含
有量比率を、表3に示す辺1Li4」4数 実施例1の(3)電磁変換特性の測定に用いた磁気ヘッ
ドを用い、1 rpmにて1分間動摩擦係数を測定した
。
lおよび2であり、塗布溶媒および厚さは実施例2と同
様とした。 各サンプルの潤滑膜が含有する化合物の含
有量比率を、表3に示す辺1Li4」4数 実施例1の(3)電磁変換特性の測定に用いた磁気ヘッ
ドを用い、1 rpmにて1分間動摩擦係数を測定した
。
結果を表3に示す。 なお、表3に示す初期摩擦係数は
、測定中の最小値と最大値である。
、測定中の最小値と最大値である。
而、′−″ の 12、 乙
上記と同様な磁気ヘッドにより100 rprnにて1
0分間接接触前を行なった後、1 rpmにて1分間動
摩擦係数を測定した。
0分間接接触前を行なった後、1 rpmにて1分間動
摩擦係数を測定した。
結果を表3に示す。 なお、表3に示す摩擦係数の変化
は、測定中の最小値と最大値である。
は、測定中の最小値と最大値である。
表3に示される結果から、本発明の効果が明らかである
。
。
すなわち、上記式で表わされる化合物(化合物No、l
)を含有する潤滑膜を有するサンプルは、耐久走行後で
も摩擦係数が小さい。 そして、上記式で表わされる化
合物に、50℃以下の融点を有する化合物(化合物No
、2)を加えることにより、初期摩擦係数が減少する。
)を含有する潤滑膜を有するサンプルは、耐久走行後で
も摩擦係数が小さい。 そして、上記式で表わされる化
合物に、50℃以下の融点を有する化合物(化合物No
、2)を加えることにより、初期摩擦係数が減少する。
しかも、この場合、耐久走行後の摩擦係数がさらに小
さくなる。 さらに、この場合、摩擦変動も抑えること
ができる。
さくなる。 さらに、この場合、摩擦変動も抑えること
ができる。
そして、両化合物の含有率が2:8〜
8:2、特に4:6〜6:4である場合に、このような
効果か顕著であることがわかる。
効果か顕著であることがわかる。
一方、化合物No、 2だけを含有するサンプルでは、
初期摩擦係数は小さいが、耐久走行中にスティックスリ
ップが発生した他、潤滑膜にキズが発生し、実用に耐え
ない。
初期摩擦係数は小さいが、耐久走行中にスティックスリ
ップが発生した他、潤滑膜にキズが発生し、実用に耐え
ない。
また、表3に示す各サンプルにおいて、化合物No、
2に替えて下vp、 イr合物を用いてト言−と同様
な測定および試験を行なったところ、表3に示すサンプ
ルと同等の結果が得られた。
2に替えて下vp、 イr合物を用いてト言−と同様
な測定および試験を行なったところ、表3に示すサンプ
ルと同等の結果が得られた。
C6F、、C00H
C,F、、C0OH
さらに、固体保護層を本発明の他の組成に替えてサンプ
ルを作製し、上記と同様な試験を行なったところ、上記
各サンプルと同様な結果が得られた。
ルを作製し、上記と同様な試験を行なったところ、上記
各サンプルと同様な結果が得られた。
[実施例4]
実施例3で用いたガラス基板上に、軟磁性膜、磁性層、
固体保護層および潤滑膜を形成し、垂直記録ハードディ
スクを作製した。 軟磁性膜、磁性層、固体保護層およ
び潤滑膜の構成および組成は、実施例1〜3の各サンプ
ルと同様とした。
固体保護層および潤滑膜を形成し、垂直記録ハードディ
スクを作製した。 軟磁性膜、磁性層、固体保護層およ
び潤滑膜の構成および組成は、実施例1〜3の各サンプ
ルと同様とした。
これらのハードディスクと、A A z O5TiC製
のスライダを有するハードディスク用薄膜型垂直磁気ヘ
ッドとを組合せ、耐久性等、上記各試験に相当する試験
を行なったところ、上記各実施例と同等の効果が得られ
た。
のスライダを有するハードディスク用薄膜型垂直磁気ヘ
ッドとを組合せ、耐久性等、上記各試験に相当する試験
を行なったところ、上記各実施例と同等の効果が得られ
た。
〈発明の効果〉
本発明の磁気記録媒体は、耐久性、耐候性および耐食性
が良好であり、また、ヘッドの摩耗が少ない。 このた
め、高密度記録を行なう垂直磁気記録媒体に好適である
。
が良好であり、また、ヘッドの摩耗が少ない。 このた
め、高密度記録を行なう垂直磁気記録媒体に好適である
。
第1図は、本発明の磁気記録媒体の好適実施例を示す部
分断面図である。 符号の説明 1・・・磁気記録媒体 2・・・基体 3・・・軟磁性膜 4・・・磁性層 5・・・固体保護層 6・・・潤滑膜 G、1 平成 2年 6月11日
分断面図である。 符号の説明 1・・・磁気記録媒体 2・・・基体 3・・・軟磁性膜 4・・・磁性層 5・・・固体保護層 6・・・潤滑膜 G、1 平成 2年 6月11日
Claims (7)
- (1)基体上に、軟磁性膜、磁性層、固体保護層および
潤滑膜がこの順で設けられた磁気記録媒体であって、 前記固体保護層が、R(ただしRは、Yを含む希土類元
素から選択される1種以上の元素を表わす。)を除く金
属または半金属から選択される1種以上の元素と、Oお
よびNとを含有し、さらに、これらの元素に対し1〜1
0at%のRを含有し、 前記潤滑膜が下記式で表わされる平均分子量1000〜
10000の化合物を含有することを特徴とする磁気記
録媒体。 [式]F(C_3F_6O)_nCF_2CF_3(た
だし、上記式においてnは正の整数である。) - (2)前記潤滑膜が、50℃以下の融点を有する化合物
をさらに含有する請求項1に記載の磁気記録媒体。 - (3)前記50℃以下の融点を有する化合物が、脂肪酸
もしくはその塩、アルコール、エステルおよびフッ素置
換化合物の1種以上である請求項2に記載の磁気記録媒
体。 - (4)前記固体保護層が金属または半金属としてSiを
含む請求項1ないし3のいずれかに記載の磁気記録媒体
。 - (5)前記固体保護層が金属または半金属としてさらに
Alを含む請求項4に記載の磁気記録媒体。 - (6)前記固体保護層の潤滑膜側表面の水との接触角が
80°以下である請求項1ないし5のいずれかに記載の
磁気記録媒体。 - (7)前記磁性層がCo−Cr系合金の垂直磁化膜であ
る請求項1ないし6のいずれかに記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17149889A JPH0337825A (ja) | 1989-07-03 | 1989-07-03 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17149889A JPH0337825A (ja) | 1989-07-03 | 1989-07-03 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0337825A true JPH0337825A (ja) | 1991-02-19 |
Family
ID=15924215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17149889A Pending JPH0337825A (ja) | 1989-07-03 | 1989-07-03 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0337825A (ja) |
-
1989
- 1989-07-03 JP JP17149889A patent/JPH0337825A/ja active Pending
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