JPH02276021A - 磁気記録媒体 - Google Patents
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- JPH02276021A JPH02276021A JP9696489A JP9696489A JPH02276021A JP H02276021 A JPH02276021 A JP H02276021A JP 9696489 A JP9696489 A JP 9696489A JP 9696489 A JP9696489 A JP 9696489A JP H02276021 A JPH02276021 A JP H02276021A
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- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 46
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 claims description 10
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 claims description 7
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 10
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 10
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 abstract description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 48
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 23
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 17
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 5
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- 230000005347 demagnetization Effects 0.000 description 4
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 /11j2 Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910020018 Nb Zr Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 2
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000521 B alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020516 Co—V Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000914 Mn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001257 Nb alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003271 Ni-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003286 Ni-Mn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003296 Ni-Mo Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018559 Ni—Nb Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001362 Ta alloys Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052768 actinide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001255 actinides Chemical class 0.000 description 1
- 125000001980 alanyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N oxo(oxolanthaniooxy)lanthanum Chemical compound O=[La]O[La]=O KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- FPVKHBSQESCIEP-JQCXWYLXSA-N pentostatin Chemical compound C1[C@H](O)[C@@H](CO)O[C@H]1N1C(N=CNC[C@H]2O)=C2N=C1 FPVKHBSQESCIEP-JQCXWYLXSA-N 0.000 description 1
- 125000006551 perfluoro alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、磁気記録媒体に関し、特に垂直磁気記録に用
いられる磁気記録媒体の保護層の改良に関する。
いられる磁気記録媒体の保護層の改良に関する。
〈従来の技術〉
近年、磁気記録媒体の高密度記録化は進む一方であるが
、従来広く用いられている磁性層面内記録方法では、磁
性層中の反磁界作用により減磁が生じ、一定態上の記録
密度向上は困難である。
、従来広く用いられている磁性層面内記録方法では、磁
性層中の反磁界作用により減磁が生じ、一定態上の記録
密度向上は困難である。
このような面内記録に対し、垂直磁気記録媒体が提案さ
れている。
れている。
垂直磁気記録は、磁性層を垂直方向に磁化することによ
り記録を行なう方法である。 垂直磁気記録では高密度
記録を行なう程減磁が減少するため、減磁の影響を受け
ることなく極めて高密度な記録を行なうことができる。
り記録を行なう方法である。 垂直磁気記録では高密度
記録を行なう程減磁が減少するため、減磁の影響を受け
ることなく極めて高密度な記録を行なうことができる。
垂直磁気記録媒体としては、ポリエチレンテレフタレー
ト等の基体上に、パーマロイ等の軟磁性膜およびCo−
Cr合金のスパッタm性層を順次形成したものがよく知
られている。
ト等の基体上に、パーマロイ等の軟磁性膜およびCo−
Cr合金のスパッタm性層を順次形成したものがよく知
られている。
上記したように、垂直磁気記録媒体は原理的に高密度記
録に好適であるが、実用化を考えた場合、下記のような
性能が要求される。
録に好適であるが、実用化を考えた場合、下記のような
性能が要求される。
■耐久性が高いこと。
■高速記録読出し下でのへラドタッチが良好であること
。
。
■再生出力が高いこと。
■モジュレーションの発生が低いこと。
■生産性が高いこと。
等である。
本発明者らはこのような性能を満足するために、基体、
軟磁性膜、磁性層、保護層および潤滑層をこの順で有す
る垂直磁気記録媒体において、各構成部分の物性、構成
材料等を限定する提案を行なっている(特開昭63−1
97028号公報)。
軟磁性膜、磁性層、保護層および潤滑層をこの順で有す
る垂直磁気記録媒体において、各構成部分の物性、構成
材料等を限定する提案を行なっている(特開昭63−1
97028号公報)。
〈発明が解決しようとする課題〉
特開昭63=197028号公報に開示されている垂直
磁気記録媒体は、上記■〜■の性能を満たすものではあ
るが、高密度磁気記録媒体では特に信頼性が要求される
ことから、よりいっそう高い耐久性が要求される。 ま
た、耐候性、耐食性が高いことも必須要件である。
磁気記録媒体は、上記■〜■の性能を満たすものではあ
るが、高密度磁気記録媒体では特に信頼性が要求される
ことから、よりいっそう高い耐久性が要求される。 ま
た、耐候性、耐食性が高いことも必須要件である。
本発明は、このような事情からなされたものであり、垂
直磁気記録に用いられる磁気記録媒体であって、特に耐
久性、耐候性および耐食性の高い磁気記録媒体を提供す
ることを目的とする。
直磁気記録に用いられる磁気記録媒体であって、特に耐
久性、耐候性および耐食性の高い磁気記録媒体を提供す
ることを目的とする。
〈課題を解決するための手段〉
このような目的は、下記(1ン〜(4)の本発明により
達成される。
達成される。
(1)基体上に、軟磁性膜、磁性層、固体保護層および
有機潤滑膜がこの順で設けられた磁気記録媒体であって
、 前記固体保護層が、R(ただしRは、Yを含む希土類元
素から選択される1種以上の元素を表わす。)を除く金
属または半金属から選択される1種以上の元素と、0お
よびNとを含有し、これらの元素に対し1〜10at%
のRをさらに含有することを特徴とする磁気記録媒体。
有機潤滑膜がこの順で設けられた磁気記録媒体であって
、 前記固体保護層が、R(ただしRは、Yを含む希土類元
素から選択される1種以上の元素を表わす。)を除く金
属または半金属から選択される1種以上の元素と、0お
よびNとを含有し、これらの元素に対し1〜10at%
のRをさらに含有することを特徴とする磁気記録媒体。
(2)前記金属または半金属としてSiを含む上記(1
)に記載の磁気記録媒体。
)に記載の磁気記録媒体。
(3)前記金属または半金属としてさらにA℃を含む上
記(2)に記載の磁気記録媒体。
記(2)に記載の磁気記録媒体。
(4)前記磁性層がCo−Cr系合金の垂直磁化膜であ
る上記(1)ないしく3)のいずれかに記載の磁気記録
媒体。
る上記(1)ないしく3)のいずれかに記載の磁気記録
媒体。
〈作用〉
本発明の磁気記録媒体では、磁性層上に固体保護層が設
けられる。
けられる。
本発明ではこの固体保護層が所定の組成を有するため、
固体保護層と6琺性層との接着性が良好である。 また
、固体保護層の硬度が高い。
固体保護層と6琺性層との接着性が良好である。 また
、固体保護層の硬度が高い。
さらに、この保護層による耐食性向上効果が高い。
このため、本発明の磁気記録媒体は、耐久性、耐候性お
よび耐食性が良好である。
よび耐食性が良好である。
なお、特開昭62−164207号公報には、Si、A
ρ、OおよびNを含有するセラミックス保護膜を有する
磁気記録体が記載されているが、この保護膜が本発明に
おけるRを含有する旨の開示はない。
ρ、OおよびNを含有するセラミックス保護膜を有する
磁気記録体が記載されているが、この保護膜が本発明に
おけるRを含有する旨の開示はない。
く具体的構成〉
以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。
第1図に、本発明の磁気記録媒体の好適実施例を示す。
本発明の磁気記録媒体1は、基体2上に、軟磁性膜3、
磁性層4、固体保護層5および有機潤滑膜6を、この順
で有する。
磁性層4、固体保護層5および有機潤滑膜6を、この順
で有する。
なお、基体2が可どう性材質から構成されている場合、
軟磁性膜3、磁性層4、固体保護層5等の成膜時に発生
する基体2のソリを防止するために、軟磁性膜3、磁性
層4、固体保護層5および有機潤滑膜6は、第1図に示
すように基体2の両面に設けられることが好ましい。
軟磁性膜3、磁性層4、固体保護層5等の成膜時に発生
する基体2のソリを防止するために、軟磁性膜3、磁性
層4、固体保護層5および有機潤滑膜6は、第1図に示
すように基体2の両面に設けられることが好ましい。
ただし、これらを基体2の一方の側に設け、他方の側に
バックコート層を設けることにより基体2のソリを防止
することもできる。 この場合のバックコート層として
は、/11j2、Ti等の金属、あるいは5iOz 、
Sis N4、A A 203、後述する固体保護層構
成材質等の無機酸化物、窒化物ないしこれらの混合物な
どのスパッタ膜が好適であり、さらには塗布型のバック
コート層も用いることができる。
バックコート層を設けることにより基体2のソリを防止
することもできる。 この場合のバックコート層として
は、/11j2、Ti等の金属、あるいは5iOz 、
Sis N4、A A 203、後述する固体保護層構
成材質等の無機酸化物、窒化物ないしこれらの混合物な
どのスパッタ膜が好適であり、さらには塗布型のバック
コート層も用いることができる。
基体2は、可どう性であっても剛性であってもよく、ま
た、ディスク状であってもテープ状であってもよ(、磁
気記録媒体1の使用目的に応じて選定すればよい。
た、ディスク状であってもテープ状であってもよ(、磁
気記録媒体1の使用目的に応じて選定すればよい。
基体2を可どう性とする場合、その構成材質に特に制限
はないが、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート(
PET)、ポリフェニレンサルファイド(PPS)、ポ
リアミド、ポリエヂレンナフタレート(PEN)、ポリ
エーテルエーテルケトン(PEEK)などの高分子物質
から選択することが好ましく、耐熱性、寸法安定性、表
面粗度等が良好であることから、これらのうちではポリ
イミドを用いることがより好ましい。
はないが、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート(
PET)、ポリフェニレンサルファイド(PPS)、ポ
リアミド、ポリエヂレンナフタレート(PEN)、ポリ
エーテルエーテルケトン(PEEK)などの高分子物質
から選択することが好ましく、耐熱性、寸法安定性、表
面粗度等が良好であることから、これらのうちではポリ
イミドを用いることがより好ましい。
また、基体2を剛性とする場合、その構成材質に特に制
限はないが、各種ガラス、各種セラミクス、Ar1、A
I2系合金、ポリイミド、ポリカーボネートなどから選
択することが好ましく、熱収縮率、表面粗度等の点で成
形性が良好であることから、これらのうちではガラスを
用いることがより好ましい。
限はないが、各種ガラス、各種セラミクス、Ar1、A
I2系合金、ポリイミド、ポリカーボネートなどから選
択することが好ましく、熱収縮率、表面粗度等の点で成
形性が良好であることから、これらのうちではガラスを
用いることがより好ましい。
なお、Go−Cr系合金から構成される磁性層は、磁気
特性向上のために熱処理が施されることが好ましいので
、この場合の基体2構成材質には120℃程度以上の加
熱に耐えられるものを選択することが好ましい。
特性向上のために熱処理が施されることが好ましいので
、この場合の基体2構成材質には120℃程度以上の加
熱に耐えられるものを選択することが好ましい。
基体2が可どう性である場合、そのヤング率は、30C
l〜l OOOkgf/mm2であることが好ましい。
l〜l OOOkgf/mm2であることが好ましい。
ヤング率をこの範囲とすることにより、耐久性が向上
すると共にヘッドタッチが良好となる。 ヤング率が上
記範囲未満であると、ヘッドタッチは良好であるが耐久
性が低下する。 また、ヤング率が上記範囲を超えると
、耐久性は向上するがヘッドタッチが悪化する。
すると共にヘッドタッチが良好となる。 ヤング率が上
記範囲未満であると、ヘッドタッチは良好であるが耐久
性が低下する。 また、ヤング率が上記範囲を超えると
、耐久性は向上するがヘッドタッチが悪化する。
基体2の表面粗さ(Rmax)は、0.02戸以下であ
ることが好ましい。 Rmaxがこの範囲であると、ヘ
ッドと媒体間で生じるスペーシングロスが減少し、記録
密度を高くすることができる。 Rmaxが上記範囲を
超えると、十分な記録密度を得ることが困難である。
ることが好ましい。 Rmaxがこの範囲であると、ヘ
ッドと媒体間で生じるスペーシングロスが減少し、記録
密度を高くすることができる。 Rmaxが上記範囲を
超えると、十分な記録密度を得ることが困難である。
上記のようなRmaxは、基体2の両面で実現している
ことが好ましいが、少な(とも磁性層設層面で実現して
いれば上記の効果は得られる。
ことが好ましいが、少な(とも磁性層設層面で実現して
いれば上記の効果は得られる。
なお、基体2中には、必要に応じ摩擦係数低減のために
フィラーが含有されていてもよい。
フィラーが含有されていてもよい。
基体2をディスク状とする場合、その直径は用途に応じ
て適当な値を選択すればよ(、通常、50〜130mm
程度である。 また、基体2の厚さは、可どう性である
場合7〜80LLm程度、より詳細にはフロッピーディ
スクとして用いる場合20〜50μm程度、磁気テープ
として用いる場合7〜15μm程度であり、剛性である
場合、すなわちハードディスクとして用いる場合0.8
〜2mm程度である。
て適当な値を選択すればよ(、通常、50〜130mm
程度である。 また、基体2の厚さは、可どう性である
場合7〜80LLm程度、より詳細にはフロッピーディ
スクとして用いる場合20〜50μm程度、磁気テープ
として用いる場合7〜15μm程度であり、剛性である
場合、すなわちハードディスクとして用いる場合0.8
〜2mm程度である。
基体2上には、軟磁性膜3が設けられる。
軟磁性膜3は、再生出力の向上のために設けられる。
軟磁性膜3の構成材質は、Fe−Ni系合金であること
が好ましい。
が好ましい。
Fe−Ni系合金としては、Fe−Ni合金(パーマロ
イ)、Fe−Ni−Mo合金、Fe−N 1−Cr合金
、Fe−Ni−Nb合金、F e −N i −M n
−Cu合金、Fe−N1−M o −N b合金、F
e −N i −M o −Cu合金、Fe−Ni−
3i−A42合金等を好ましく用いることができる。
イ)、Fe−Ni−Mo合金、Fe−N 1−Cr合金
、Fe−Ni−Nb合金、F e −N i −M n
−Cu合金、Fe−N1−M o −N b合金、F
e −N i −M o −Cu合金、Fe−Ni−
3i−A42合金等を好ましく用いることができる。
また、Fe−Ni系合金の他、Fe−Co−■系合金も
好ましく用いることができる。
好ましく用いることができる。
なお、これら合金には、必要に応じ、Tj、AA、Si
、Mn、Cu、Ta、C,OlN、Ar、Ca、Cr等
が含有されていてもよい。
、Mn、Cu、Ta、C,OlN、Ar、Ca、Cr等
が含有されていてもよい。
軟磁性膜3の面内方向の保磁力は、6〜200eである
ことが好ましい。 保磁力がこの範囲内であると、高い
再生出力が得られると共にモジュレーションが20%以
下に低下する。
ことが好ましい。 保磁力がこの範囲内であると、高い
再生出力が得られると共にモジュレーションが20%以
下に低下する。
保磁力が上記範囲未満となると再生出力は向上するがモ
ジュレーションが大きくなり、上記範囲を超えるとモジ
ュレーションは小さくなるが再生出力が低下してしまう
。
ジュレーションが大きくなり、上記範囲を超えるとモジ
ュレーションは小さくなるが再生出力が低下してしまう
。
軟磁性膜3の膜厚は0.3〜0.5μmであることが好
ましい。 膜厚がこの範囲未満であると生産性は向上す
るが十分な再生出力が得られず、この範囲を超えると再
生出力は高くなるが、成膜に時間を要し生産性が低下す
る。
ましい。 膜厚がこの範囲未満であると生産性は向上す
るが十分な再生出力が得られず、この範囲を超えると再
生出力は高くなるが、成膜に時間を要し生産性が低下す
る。
なお、軟磁性膜3は、スパック法により成膜されること
が好ましい。
が好ましい。
本発明の磁気記録媒体には垂直磁気記録がなされるため
、磁性層4は膜面と垂直方向に磁化容易軸を有する垂直
磁化膜であることが好ましい。
、磁性層4は膜面と垂直方向に磁化容易軸を有する垂直
磁化膜であることが好ましい。
このような磁性層4の構成材質としては、Co−Cr系
合金が好ましい。 Go−Cr系合金としては、Co−
Cr合金、Co−CrB合金、Co−Cr−Mn合金、
Co−CrM n −B合金、Co−Cr−Ta合金、
Co−Cr−3i−A2合金等が好ましい。
合金が好ましい。 Go−Cr系合金としては、Co−
Cr合金、Co−CrB合金、Co−Cr−Mn合金、
Co−CrM n −B合金、Co−Cr−Ta合金、
Co−Cr−3i−A2合金等が好ましい。
なお、Co−Cr系合金中のCr含有率は、16〜23
at%程度であることが好ましい。
at%程度であることが好ましい。
また、Co−Cr系合金の他、Co−V系合金も好まし
く用いることができる。
く用いることができる。
なお、これら合金には、必要に応じ、0、N、Si、A
j2、Mn、Ar等が含有されていてもよい。
j2、Mn、Ar等が含有されていてもよい。
磁性層4の垂直方向保磁力は4000e以上であること
が好ましい。 垂直方向保磁力がこの範囲未満であると
、再生出力が不十分である。 なお、垂直方向保磁力の
上限は特にないが、通常15000e程度まで容易に製
造することができる。
が好ましい。 垂直方向保磁力がこの範囲未満であると
、再生出力が不十分である。 なお、垂直方向保磁力の
上限は特にないが、通常15000e程度まで容易に製
造することができる。
磁性層4の厚さは0.05〜0.2μmであることが好
ましい。 厚さがこの範囲未満であると再生出力が低下
し、S/Nが低下する。
ましい。 厚さがこの範囲未満であると再生出力が低下
し、S/Nが低下する。
また、この範囲を超えると記録密度が低下し、例えば記
録密度(D so)が100 KFRPIに達しない。
録密度(D so)が100 KFRPIに達しない。
磁性層は、気相成膜法により形成されることが好ましく
、特にスパッタ法により成膜されることが好ましい。
、特にスパッタ法により成膜されることが好ましい。
固体保護層5は、Yを含む希土類元素(以下、Rと略称
する。)から選択される1種以上の元素と、Rを除く金
属または半金属から選択される1種以上の元素と、0お
よびNとを含有し、通常、非晶質状態にある。
する。)から選択される1種以上の元素と、Rを除く金
属または半金属から選択される1種以上の元素と、0お
よびNとを含有し、通常、非晶質状態にある。
本発明において、Rとは、Y、ランタノイド元素および
アクチノイド元素を意味する。
アクチノイド元素を意味する。
Rとしては、Yおよびランタノイド元素が好ましい。
本発明では、保護層中に含有されるR以外の金属または
半金属から選択される1種以上の元素と、0およびNと
の合計を100at%としたとき、Rの含有率は1〜1
0at%、好ましくは2〜8at%とされる。
半金属から選択される1種以上の元素と、0およびNと
の合計を100at%としたとき、Rの含有率は1〜1
0at%、好ましくは2〜8at%とされる。
このような含有率にてRを含有することにより、耐久性
、耐候性および耐食性が向上し、特に耐久性は極めて高
いものとなる。
、耐候性および耐食性が向上し、特に耐久性は極めて高
いものとなる。
なお、Rの含有率が上記範囲を外れると、本発明の効果
が実現しない。
が実現しない。
金属または半金属としては、Si、Aρ、Ti、Znお
よびBが好ましく、これらのうちSiを必須とするかS
iおよびAAを必須として固体保護層5に含有させるこ
とが好ましい。
よびBが好ましく、これらのうちSiを必須とするかS
iおよびAAを必須として固体保護層5に含有させるこ
とが好ましい。
また、これらの元素の他、Fe、Mg、Ca、Sr、B
a、Ar、Mn等が全体の1st%以下程度含有されて
いてもよい。
a、Ar、Mn等が全体の1st%以下程度含有されて
いてもよい。
さらに詳述すると、固体保護層5の組成は、下記の組成
■または組成ITの範囲から選択することが好ましい。
■または組成ITの範囲から選択することが好ましい。
LLL[金属または半金属がSiおよび、642を必須
とするもの] この組成におけるRとしては、Y、La、Ce、Pr、
Nd、SmおよびEuからなる群から選ばれた元素の1
種以上であることが好ましく、特にYを必須とすること
が好ましい。
とするもの] この組成におけるRとしては、Y、La、Ce、Pr、
Nd、SmおよびEuからなる群から選ばれた元素の1
種以上であることが好ましく、特にYを必須とすること
が好ましい。
R中のYの比率は、50%以上であることが好ましい。
このとき耐久性、耐候性、耐食性等の面でより良好な結
果が得られる。
果が得られる。
また、固体保護層5をスパッタ法により形成する際に、
用いるターゲットにこれらの元素を含有させることによ
り緻密なターゲットが得られ、その結果、ターゲットの
冷却効率が向上し、スパッタ時の輻射熱が抑えられる。
用いるターゲットにこれらの元素を含有させることによ
り緻密なターゲットが得られ、その結果、ターゲットの
冷却効率が向上し、スパッタ時の輻射熱が抑えられる。
Rは、固体保護層5中にて元素単体あるいは化合物いず
れの形で含有されてもよい。 化合物として含有される
場合は、通常、酸化物の形で含有されることが好ましい
。
れの形で含有されてもよい。 化合物として含有される
場合は、通常、酸化物の形で含有されることが好ましい
。
SiおよびA℃は、通常、酸化物および窒化物の形で含
有される。
有される。
固体保護層5中の上記化合物は、その組成において化学
量論的な組成比を外れていてよい。
量論的な組成比を外れていてよい。
これらの元素と酸素および窒素とを含有することにより
、耐食性が向上する。
、耐食性が向上する。
組成工における固体保護層5中の各元素の含有率は、下
記の範囲であることが好ましい。
記の範囲であることが好ましい。
Si:20〜80at%、
より好ましくは40〜70at%。
AI2.:1〜30at%、
より好ましくは2〜10at%。
0:2〜30at%、
より好ましくは2〜20at%。
N:5〜45at%、
より好ましくは15〜35at%。
1威1[金属または半金属がSiを必須とするもの]
この組成におけるRとしては、少なくともLaおよびC
eのうち一種以上が含まれることが好ましい。
eのうち一種以上が含まれることが好ましい。
LaおよびCeは、通常、酸化物として含有される。
これらの酸化物の化学量論組成はそれぞれLa2O3お
よびCen2であるが、これらから偏奇したものであっ
てもよい。
これらの酸化物の化学量論組成はそれぞれLa2O3お
よびCen2であるが、これらから偏奇したものであっ
てもよい。
CeおよびLaのはいずれが一方であってもよく、両者
が含有されてもよいが、両者が含有される場合、その量
比は任意である。
が含有されてもよいが、両者が含有される場合、その量
比は任意である。
また、Laおよび/またはCeの他、Yを含む他の希土
類元素、例えばY、Er等が含有されていてもよいが、
R中のLaおよび/またはCeの比率は50%以上であ
ることが好ましい。
類元素、例えばY、Er等が含有されていてもよいが、
R中のLaおよび/またはCeの比率は50%以上であ
ることが好ましい。
固体保護層5中には、希土類元素の酸化物に加え、Si
が含有される。
が含有される。
Siは、通常、酸化物および窒化物として含有されるが
、化学量論組成から偏奇していてもよい。
、化学量論組成から偏奇していてもよい。
組成IIにおける固体保護層5中の各元素の含有率は、
下記の範囲であることが好ましい。
下記の範囲であることが好ましい。
S i : I C)〜80at%、
より好ましくは20〜60at%。
O:10〜80at%、
より好ましくは15〜60at%。
N:2〜60at% 、
より好ましくは3〜50at%。
固体保護層5中の各元素の含有率は、オージェ、ESC
A、SIMS等によって測定すればよい。
A、SIMS等によって測定すればよい。
このような組成を有する固体保護層5の設層は気相成膜
法により行なうことが好ましく、特にスパッタ法を用い
ることが好ましい。
法により行なうことが好ましく、特にスパッタ法を用い
ることが好ましい。
スパッタ法としては、上記組成の焼結体をターゲットと
して用いてもよく、また、2種以上のターゲットを用い
る多元スパッタを用いてもよい。 さらに、反応性スパ
ッタを用いることもできる。
して用いてもよく、また、2種以上のターゲットを用い
る多元スパッタを用いてもよい。 さらに、反応性スパ
ッタを用いることもできる。
なお、希土類元素としてLaおよび/またはCeを含有
させる場合、スパッタターゲットの少なくとも一部とし
て、発火合金であるアラニルメタル、ヒユーバーメタル
、ミツシュメタル、ウェルスバッハメタル等の酸化物を
用いることもできる。
させる場合、スパッタターゲットの少なくとも一部とし
て、発火合金であるアラニルメタル、ヒユーバーメタル
、ミツシュメタル、ウェルスバッハメタル等の酸化物を
用いることもできる。
また、固体保護層5の設層には、その他の気相成膜法、
例えばCVD法、蒸着法、イオンブレーティング法等を
適宜用いることも可能である。
例えばCVD法、蒸着法、イオンブレーティング法等を
適宜用いることも可能である。
固体保護層5は、十分な耐久性を確保するためにビッカ
ース硬度が700以上であることが好ましいが、本発明
における上記したような組成を選択すれば、700以上
のビッカース硬度が容易に得られ、1000以上のビッ
カース硬度を得ることもできる。
ース硬度が700以上であることが好ましいが、本発明
における上記したような組成を選択すれば、700以上
のビッカース硬度が容易に得られ、1000以上のビッ
カース硬度を得ることもできる。
固体保護層5の厚さは、30〜200人、特に30〜1
00人とすることが好ましい。 厚さが上記範囲未満で
あると保護効果が不十分であり、上記範囲を超えるとス
ペーシングロスが増加して記録密度を向上させることが
できない。
00人とすることが好ましい。 厚さが上記範囲未満で
あると保護効果が不十分であり、上記範囲を超えるとス
ペーシングロスが増加して記録密度を向上させることが
できない。
固体保護層5上に設けられる有機潤滑膜6は、極性基な
いし親水性基、あるいは親水性部分を有する有機化合物
を含有することが好ましい。 これにより高い耐久性が
実現する。
いし親水性基、あるいは親水性部分を有する有機化合物
を含有することが好ましい。 これにより高い耐久性が
実現する。
極性基を有する有機化合物に特に制限はないが、潤滑性
が高いことからフッ素系有機化合物を用いることが好ま
しい。
が高いことからフッ素系有機化合物を用いることが好ま
しい。
フッ素系有機化合物としては、パーフルオロアルキレン
を有するポリエーテルおよび/またはその誘導体が好ま
しく、これらのうち特に下記式(I)で表わされる化合
物を用いることが好ましい。 なお、下記式(I)で表
わされる化合物は、通常、液状である。
を有するポリエーテルおよび/またはその誘導体が好ま
しく、これらのうち特に下記式(I)で表わされる化合
物を用いることが好ましい。 なお、下記式(I)で表
わされる化合物は、通常、液状である。
式(I)
A、 −B、 (−Lf、 −0+Lf2−B2−A2
上記式(I)において、A1およびA2は、−F、−H
l−0H1−cooz、−COORまたは置換もしくは
非置換の1価の芳香族基を表わす。 ただし、Zは−H
または1価のカチオンを、Rはアルキル基を表わす。
上記式(I)において、A1およびA2は、−F、−H
l−0H1−cooz、−COORまたは置換もしくは
非置換の1価の芳香族基を表わす。 ただし、Zは−H
または1価のカチオンを、Rはアルキル基を表わす。
A1とA2とは、同一であっても異なっていでもよい。
芳香族基の置換基としては、アルキル基、アルコキシ基
等である。
等である。
B1およびB2は、−CH20
CH20CH2−または−CF、0−
−CONH−あるいは単なる結合手を表わす。
B1 とB2とは、同一であっても異なっていてもよい
。
。
Lf、およびLf2は、パーフルオロアルキレン基を表
わす。
わす。
LflおよびLf2 としては、−CF2−−CF2
CF2−1−CF (CF3 )−CF (CF3 )
CF2−などが挙げられる。
CF2−1−CF (CF3 )−CF (CF3 )
CF2−などが挙げられる。
Lf、 とLf2 とは、同一であっても異なっていて
もよい。
もよい。
pは正の整数を表わし、好ましくは1〜100、より好
ましくは2〜80程度である。
ましくは2〜80程度である。
pが2以上の場合、各Lf2は同一であっても異なって
いてもよい。 また、この場合、(−Lfl−0+はブ
ロック縮合体であってもよくp ランダム縮合体であってもよい。
いてもよい。 また、この場合、(−Lfl−0+はブ
ロック縮合体であってもよくp ランダム縮合体であってもよい。
なお、A1およびA2のいずれにもZやRが存在する場
合、それらは互いに同一であっても異なっていてもよい
。
合、それらは互いに同一であっても異なっていてもよい
。
本発明において、上記式(I)で表わされる化合物は、
有機膜中に2種以上含有されていてもよい。
有機膜中に2種以上含有されていてもよい。
このような化合物の他、フッ素系有機化合物として下記
式(II )で表わされる化合物も好適に用いることが
できる。
式(II )で表わされる化合物も好適に用いることが
できる。
式(II )
CIIF、、、、−X−Z
上記式(II)において、Xは内部にエーテル結合(−
〇−)および/またはエステル結合(−Coo−または
−〇C0−)を1または2以上有してもよいアルキレン
基であって、その総炭素数をmとしたとき正の整数n、
mは、n+m≧9である。 また、2は親水性基を表わ
す。
〇−)および/またはエステル結合(−Coo−または
−〇C0−)を1または2以上有してもよいアルキレン
基であって、その総炭素数をmとしたとき正の整数n、
mは、n+m≧9である。 また、2は親水性基を表わ
す。
有機潤滑膜6には、上記式CI)で表わされる化合物お
よび上記式(H)で表わされる化合物の少なくとも一方
が含有されていることが好ましい。
よび上記式(H)で表わされる化合物の少なくとも一方
が含有されていることが好ましい。
また、これらの化合物に加え、あるいはこれらの化合物
に替え、液状ないし半液状あるいは固体状の両親媒性化
合物が含有されていることが好ましい。 用いる両親媒
性化合物としては、公知の各種脂肪酸、エステルおよび
アルコールの1種以上が好ましい。
に替え、液状ないし半液状あるいは固体状の両親媒性化
合物が含有されていることが好ましい。 用いる両親媒
性化合物としては、公知の各種脂肪酸、エステルおよび
アルコールの1種以上が好ましい。
有機潤滑膜6の成膜方法に特に制限はないが、ラングミ
ュア・プロジェット法または塗布法により成膜されるこ
とが好ましく、特に均一な膜が得られることから、ラン
グミュア・プロジェット法を用いることが好ましい。
ュア・プロジェット法または塗布法により成膜されるこ
とが好ましく、特に均一な膜が得られることから、ラン
グミュア・プロジェット法を用いることが好ましい。
上記したような化合物および成膜方法の詳細は、特願昭
63−332.526号等に開示されている。
63−332.526号等に開示されている。
有機潤滑膜6の表面は、水との接触角が70°以上、特
に90°以上であることが好ましい。 このような接触
角を有することにより、ヘッドと媒体の吸着が防止され
、高い走行安定性が得られる。
に90°以上であることが好ましい。 このような接触
角を有することにより、ヘッドと媒体の吸着が防止され
、高い走行安定性が得られる。
有機潤滑膜6の膜厚は5〜50人、特に10〜40人で
あることが好ましい。 膜厚がこの範囲未満であると潤
滑効果が不十分であり、この範囲を超えるとかえって摩
擦を増加させてしまう。
あることが好ましい。 膜厚がこの範囲未満であると潤
滑効果が不十分であり、この範囲を超えるとかえって摩
擦を増加させてしまう。
以上に説明したような構成を有する本発明の磁気記録媒
体は、垂直磁気記録媒体として、フロッピーディスク、
ハードディスク、磁気テープなどに適用される。
体は、垂直磁気記録媒体として、フロッピーディスク、
ハードディスク、磁気テープなどに適用される。
また、本発明の磁気記録媒体の記録再生に用いられる垂
直記録型磁気ヘッドに特に制限はないが、本発明の磁気
記録媒体は薄膜型垂直磁気ヘッドと組合せて使用した場
合に、特にヘッド摩耗防止効果を発揮する。 薄膜型磁
気ヘッドとしては、Aβao3 Tic等のセラミクス
製基体上にCo−Nb−Zr系アモルファス等の磁極を
形成し、さらにAj220.等の保護膜を被覆したもの
を用いることが好ましい。
直記録型磁気ヘッドに特に制限はないが、本発明の磁気
記録媒体は薄膜型垂直磁気ヘッドと組合せて使用した場
合に、特にヘッド摩耗防止効果を発揮する。 薄膜型磁
気ヘッドとしては、Aβao3 Tic等のセラミクス
製基体上にCo−Nb−Zr系アモルファス等の磁極を
形成し、さらにAj220.等の保護膜を被覆したもの
を用いることが好ましい。
〈実施例〉
以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明をさらに詳
細に説明する。
細に説明する。
第1図に示す構成で、固体保護層の組成が異なる種々の
磁気ディスクサンプルを作製した。
磁気ディスクサンプルを作製した。
各部の構成の詳細を以下に示す。
[基体]
直径86mm、厚さ40μm、ヤング
率900 kgf/mm” 、表面粗さ(Rmax)0
.015μmのポリイミドを用いた。
.015μmのポリイミドを用いた。
[軟磁性膜]
2%02を含む2X10−’PaのAr雰囲気中で、D
Cマグネトロンスパッタ法により80at%Ni−Fe
合金を厚さ0.45μmに成膜して形成した。
Cマグネトロンスパッタ法により80at%Ni−Fe
合金を厚さ0.45μmに成膜して形成した。
軟磁性膜の面内方向の保磁力は、9 0eであった。
[磁性層]
DCマグネトロンスパッタ法により20at%Cr−C
o合金を厚さ0.184zmに成膜して形成した。 成
膜時の雰囲気は、軟磁性膜形成の際と同様とした。
o合金を厚さ0.184zmに成膜して形成した。 成
膜時の雰囲気は、軟磁性膜形成の際と同様とした。
磁性層の垂直方向の保磁力は、7200eであった。
[固体保護層]
2%0□を含むlXl0−’PaのAr雰囲気中で、R
Fマグネトロンスパッタ法により、下記表1に示す各種
組成の固体保護層を厚さ0.01μmに形成した。 な
お、スパッタに用いたターゲットは、固体保護層に対応
する組成を有する焼結体を用いた。
Fマグネトロンスパッタ法により、下記表1に示す各種
組成の固体保護層を厚さ0.01μmに形成した。 な
お、スパッタに用いたターゲットは、固体保護層に対応
する組成を有する焼結体を用いた。
各固体保護層のビッカース硬度を表1に示す。 ビッカ
ース硬度は、各磁気ディスクサンプルの固体保護層と同
条件で2μmの厚さに形成した膜で測定した。
ース硬度は、各磁気ディスクサンプルの固体保護層と同
条件で2μmの厚さに形成した膜で測定した。
[有機潤滑膜]
下記式で表わされる化合物のQ、1wt%溶液を用いて
、スピンコード法により厚さ20人に成膜して形成した
。 この有機潤滑膜表面の水との接触角(水を滴下して
30秒後)は、100”であった。
、スピンコード法により厚さ20人に成膜して形成した
。 この有機潤滑膜表面の水との接触角(水を滴下して
30秒後)は、100”であった。
(式)
%式%
(この化合物の分子量は、2000であった。)
各サンプルに対し、下記の試験を行なった。
(1)耐久試験
針によるスクラッチ試験を行ない、耐久性を評価した。
針先端の曲率半径は100μm、負荷は10g、針とサ
ンプルとの相対速度は10mm/secとした。
ンプルとの相対速度は10mm/secとした。
耐久性の評価は、試験後のサンプル表面に存在するスク
ラッチキズの幅により行なった。
ラッチキズの幅により行なった。
なお、この際、スクラッチキズの幅が5μmを超えると
実用に際して問題が生じ、好ましくは3μm以下である
とよい。
実用に際して問題が生じ、好ましくは3μm以下である
とよい。
(2)耐候試験
70℃、90%RHの条件下で100日間保存後に、磁
性層面に現われた斑点状のシミ(錆)の大きさを測定し
た。
性層面に現われた斑点状のシミ(錆)の大きさを測定し
た。
(3)電磁変換特性の測定
磁極厚0.2μm、磁極幅50μmの主磁極励磁型単磁
極薄膜ヘッドを用い、ヘッドとディスクの相対速度2
m / s e cにてf特を測定し、D5゜により評
価した。
極薄膜ヘッドを用い、ヘッドとディスクの相対速度2
m / s e cにてf特を測定し、D5゜により評
価した。
薄膜ヘッドは、Aρa O3T i C基体上にGo−
Nb−Zrアモルファス磁極およびAl2tOs保護膜
をスパッタ法により形成したものを用いた。
Nb−Zrアモルファス磁極およびAl2tOs保護膜
をスパッタ法により形成したものを用いた。
(4)ヘッド摩耗試験
ヘッドとディスクとを、負荷10g、相対速度2 m
/ s e cで摺動させ、1000時間後のヘッド摩
耗量を測定した。 ヘッド摩耗量は、走行開始時および
走行開始1000時間後のヘッド形状な触針型表面粗さ
計にて測定し、これらを比較することにより求めた。
/ s e cで摺動させ、1000時間後のヘッド摩
耗量を測定した。 ヘッド摩耗量は、走行開始時および
走行開始1000時間後のヘッド形状な触針型表面粗さ
計にて測定し、これらを比較することにより求めた。
なお、用いたヘッドは、上記(3)に示す薄膜ヘッドで
あり、摩耗部は、主として磁極および保護膜であった。
あり、摩耗部は、主として磁極および保護膜であった。
これらの試験結果を表1に示す。
4、
第1図は、本発明の磁気記録媒体の好適実施例を示す部
分断面図である。 符号の説明 l・・・磁気記録媒体 2・・・基体 3・・・軟磁性膜 4・・・磁性層 5・・・固体保護層 6・・・有機潤滑膜 表1に示される結果から、本発明の効果が明らかである
。 すなわち、固体保護層の組成が本発明の範囲内であるサ
ンプルは、各試験の結果が良好である。 これに対し、
固体保護層の組成が本発明範囲外であるサンプルは、こ
れらの性能が劣っている。 なお、上記したサンプルの固体保護層に替え、前記の組
成IIとして示される組成を有する固体保護層を設層し
たサンプルを作製し、上記と同様な試験を行なったとこ
ろ、上記各サンプルとほぼ同等の特性が得られた。 〈発明の効果〉 本発明の磁気記録媒体は、耐久性、耐候性および耐食性
が良好であり、高密度記録を行なう垂直磁気記録媒体に
好適である。 G・ 手続ネ甫正書(自発)
分断面図である。 符号の説明 l・・・磁気記録媒体 2・・・基体 3・・・軟磁性膜 4・・・磁性層 5・・・固体保護層 6・・・有機潤滑膜 表1に示される結果から、本発明の効果が明らかである
。 すなわち、固体保護層の組成が本発明の範囲内であるサ
ンプルは、各試験の結果が良好である。 これに対し、
固体保護層の組成が本発明範囲外であるサンプルは、こ
れらの性能が劣っている。 なお、上記したサンプルの固体保護層に替え、前記の組
成IIとして示される組成を有する固体保護層を設層し
たサンプルを作製し、上記と同様な試験を行なったとこ
ろ、上記各サンプルとほぼ同等の特性が得られた。 〈発明の効果〉 本発明の磁気記録媒体は、耐久性、耐候性および耐食性
が良好であり、高密度記録を行なう垂直磁気記録媒体に
好適である。 G・ 手続ネ甫正書(自発)
Claims (4)
- (1)基体上に、軟磁性膜、磁性層、固体保護層および
有機潤滑膜がこの順で設けられた磁気記録媒体であって
、 前記固体保護層が、R(ただしRは、Yを含む希土類元
素から選択される1種以上の元素を表わす。)を除く金
属または半金属から選択される1種以上の元素と、Oお
よびNとを含有し、これらの元素に対し1〜10at%
のRをさらに含有することを特徴とする磁気記録媒体。 - (2)前記金属または半金属としてSiを含む請求項1
に記載の磁気記録媒体。 - (3)前記金属または半金属としてさらにAlを含む請
求項2に記載の磁気記録媒体。 - (4)前記磁性層がCo−Cr系合金の垂直磁化膜であ
る請求項1ないし3のいずれかに記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9696489A JPH02276021A (ja) | 1989-04-17 | 1989-04-17 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9696489A JPH02276021A (ja) | 1989-04-17 | 1989-04-17 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02276021A true JPH02276021A (ja) | 1990-11-09 |
Family
ID=14178924
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9696489A Pending JPH02276021A (ja) | 1989-04-17 | 1989-04-17 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02276021A (ja) |
-
1989
- 1989-04-17 JP JP9696489A patent/JPH02276021A/ja active Pending
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