JPH0354722A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH0354722A JPH0354722A JP19118289A JP19118289A JPH0354722A JP H0354722 A JPH0354722 A JP H0354722A JP 19118289 A JP19118289 A JP 19118289A JP 19118289 A JP19118289 A JP 19118289A JP H0354722 A JPH0354722 A JP H0354722A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- magnetic
- protective layer
- recording medium
- head
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 57
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 56
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 44
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 39
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 claims abstract description 18
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 claims abstract description 18
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 claims abstract description 17
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims abstract description 16
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 15
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 86
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 30
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 claims description 26
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 10
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 9
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims description 7
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 26
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 abstract description 11
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 abstract description 6
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 abstract 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 21
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 20
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 17
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 16
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000008346 aqueous phase Substances 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 7
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 6
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000005461 lubrication Methods 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 150000004671 saturated fatty acids Chemical class 0.000 description 4
- 235000003441 saturated fatty acids Nutrition 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 3
- 230000005347 demagnetization Effects 0.000 description 3
- -1 fatty acid ester Chemical class 0.000 description 3
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- SMYREFDDLSTNKQ-UHFFFAOYSA-N oxocan-2-ol Chemical compound OC1CCCCCCO1 SMYREFDDLSTNKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 150000004670 unsaturated fatty acids Chemical class 0.000 description 3
- 235000021122 unsaturated fatty acids Nutrition 0.000 description 3
- CUXYLFPMQMFGPL-UHFFFAOYSA-N (9Z,11E,13E)-9,11,13-Octadecatrienoic acid Natural products CCCCC=CC=CC=CCCCCCCCC(O)=O CUXYLFPMQMFGPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000521 B alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910020516 Co—V Inorganic materials 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910020018 Nb Zr Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003426 chemical strengthening reaction Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- LQNUZADURLCDLV-UHFFFAOYSA-N nitrobenzene Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC=CC=C1 LQNUZADURLCDLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N potassium nitrate Chemical compound [K+].[O-][N+]([O-])=O FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000790 scattering method Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 2
- ALSTYHKOOCGGFT-KTKRTIGZSA-N (9Z)-octadecen-1-ol Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCO ALSTYHKOOCGGFT-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- IJTNSXPMYKJZPR-ZSCYQOFPSA-N (9Z,11E,13E,15Z)-octadecatetraenoic acid Chemical compound CC\C=C/C=C/C=C/C=C\CCCCCCCC(O)=O IJTNSXPMYKJZPR-ZSCYQOFPSA-N 0.000 description 1
- ZVRMGCSSSYZGSM-CCEZHUSRSA-N (E)-hexadec-2-enoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCC\C=C\C(O)=O ZVRMGCSSSYZGSM-CCEZHUSRSA-N 0.000 description 1
- KIHBGTRZFAVZRV-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyoctadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCC(O)C(O)=O KIHBGTRZFAVZRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100038916 Caspase-5 Human genes 0.000 description 1
- 229910020676 Co—N Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100112336 Homo sapiens CASP5 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000004166 Lanolin Substances 0.000 description 1
- 229910000914 Mn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017315 Mo—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100273286 Mus musculus Casp4 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910001257 Nb alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003271 Ni-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003296 Ni-Mo Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018559 Ni—Nb Inorganic materials 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001362 Ta alloys Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ACIAHEMYLLBZOI-ZZXKWVIFSA-N Unsaturated alcohol Chemical compound CC\C(CO)=C/C ACIAHEMYLLBZOI-ZZXKWVIFSA-N 0.000 description 1
- 229910052768 actinide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001255 actinides Chemical class 0.000 description 1
- CUXYLFPMQMFGPL-SUTYWZMXSA-N all-trans-octadeca-9,11,13-trienoic acid Chemical compound CCCC\C=C\C=C\C=C\CCCCCCCC(O)=O CUXYLFPMQMFGPL-SUTYWZMXSA-N 0.000 description 1
- CUXYLFPMQMFGPL-FWSDQLJQSA-N alpha-Eleostearic acid Natural products CCCCC=CC=C\C=C\CCCCCCCC(O)=O CUXYLFPMQMFGPL-FWSDQLJQSA-N 0.000 description 1
- IJTNSXPMYKJZPR-WVRBZULHSA-N alpha-parinaric acid Natural products CCC=C/C=C/C=C/C=CCCCCCCCC(=O)O IJTNSXPMYKJZPR-WVRBZULHSA-N 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229940053200 antiepileptics fatty acid derivative Drugs 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001055 chewing effect Effects 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- IXLCRBHDOFCYRY-UHFFFAOYSA-N dioxido(dioxo)chromium;mercury(2+) Chemical compound [Hg+2].[O-][Cr]([O-])(=O)=O IXLCRBHDOFCYRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-MDZDMXLPSA-N elaidic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C\CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-MDZDMXLPSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- BEFDCLMNVWHSGT-UHFFFAOYSA-N ethenylcyclopentane Chemical compound C=CC1CCCC1 BEFDCLMNVWHSGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- ORTFAQDWJHRMNX-UHFFFAOYSA-N hydroxidooxidocarbon(.) Chemical compound O[C]=O ORTFAQDWJHRMNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 229940039717 lanolin Drugs 0.000 description 1
- 235000019388 lanolin Nutrition 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 229940055577 oleyl alcohol Drugs 0.000 description 1
- XMLQWXUVTXCDDL-UHFFFAOYSA-N oleyl alcohol Natural products CCCCCCC=CCCCCCCCCCCO XMLQWXUVTXCDDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- FPVKHBSQESCIEP-JQCXWYLXSA-N pentostatin Chemical compound C1[C@H](O)[C@@H](CO)O[C@H]1N1C(N=CNC[C@H]2O)=C2N=C1 FPVKHBSQESCIEP-JQCXWYLXSA-N 0.000 description 1
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 235000010333 potassium nitrate Nutrition 0.000 description 1
- 239000004323 potassium nitrate Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000010199 sorbic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000004334 sorbic acid Substances 0.000 description 1
- 229940075582 sorbic acid Drugs 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- IJTNSXPMYKJZPR-BYFNFPHLSA-N trans-parinaric acid Chemical compound CC\C=C\C=C\C=C\C=C\CCCCCCCC(O)=O IJTNSXPMYKJZPR-BYFNFPHLSA-N 0.000 description 1
- IJTNSXPMYKJZPR-UHFFFAOYSA-N trans-parinaric acid Natural products CCC=CC=CC=CC=CCCCCCCCC(O)=O IJTNSXPMYKJZPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Lubricants (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、潤滑作用および保護作用を有する保護潤滑膜
を有する磁気記録媒体に関する。
を有する磁気記録媒体に関する。
〈従来の技術〉
磁気記録媒体の高密度記録化は進む一方であるが、従来
広く用いられている磁性層面内記録方法では、磁性層中
の反磁界作用により滅磁が生じ、一定以上の記録密度向
上は困難である。
広く用いられている磁性層面内記録方法では、磁性層中
の反磁界作用により滅磁が生じ、一定以上の記録密度向
上は困難である。
このような面内記録に対し、垂直磁気記録媒体が提案さ
れている。
れている。
垂直磁気記録は、磁性層を垂直方向に磁化することによ
り記録を行なう方法である。 垂直磁気記録では高密度
記録を行なう程減磁が減少するため、滅6aの影響を受
けることなく極めて高密度な記録を行なうことができる
。
り記録を行なう方法である。 垂直磁気記録では高密度
記録を行なう程減磁が減少するため、滅6aの影響を受
けることなく極めて高密度な記録を行なうことができる
。
垂直磁気記録媒体としては、ポリエチレンテレフタレー
ト等の基体上に、バーマロイ等の軟磁性膜およびCo−
Cr合金のスバッタ磁性層を順次形成したものがよく知
られている。
ト等の基体上に、バーマロイ等の軟磁性膜およびCo−
Cr合金のスバッタ磁性層を順次形成したものがよく知
られている。
また、このような垂直磁気記録媒体に高密度記録を行な
うための磁気ヘッドとしては、薄膜型の磁気ヘッドが好
適である。 薄膜型の磁気・\ツドは、セラミクス基体
上に磁極、保護膜等が、スバッタ法等の薄膜形成法によ
り積層されている6のである。
うための磁気ヘッドとしては、薄膜型の磁気ヘッドが好
適である。 薄膜型の磁気・\ツドは、セラミクス基体
上に磁極、保護膜等が、スバッタ法等の薄膜形成法によ
り積層されている6のである。
上記したように、垂直磁気記録媒体は原理的に高密度記
録に好適であるが、実用化を考えた場合、下記のような
性能が要求される。
録に好適であるが、実用化を考えた場合、下記のような
性能が要求される。
■耐久性が高いこと。
■耐食性、耐候性が高いこと。
■高速記録読出し下でのへッドタッヂが良好であること
。
。
■再生出力が高いこと。
■モジュレーションの発生が低いこと。
■生産性が高いこと。
等である。
本発明者らはこのような性能を満足するために、基体、
軟磁性膜、磁性層、保護層および潤滑層をこの順で有す
る垂直磁気記録媒体において、各構成部分の物性、構成
材籾等を限定する提案を行なっている(特開昭63−1
97028号公報) また、本発明者らは、この提案をさらに発展させ、R(
ただしRは、Yを含む希土類元素から選択される1種以
上の元素を表わす。)を除く金属または半金属から選択
される1種以七の元素と、0およびNとを含有し、さら
に、これらの元素に対しl〜1.0at%のRを含有す
る固体保護層を有する垂直磁気記録媒体を提案しており
(特願平1−96964号)、さらに、固体保護層表面
の水との接触角を規定する提案を1テなっている(特願
平1−98077号)これらの提案における磁気記録媒
体は、上記■〜■の性能を高水準で満たすちのであり、
特に耐久性、創食性、耐候性は極めて高いものである。
軟磁性膜、磁性層、保護層および潤滑層をこの順で有す
る垂直磁気記録媒体において、各構成部分の物性、構成
材籾等を限定する提案を行なっている(特開昭63−1
97028号公報) また、本発明者らは、この提案をさらに発展させ、R(
ただしRは、Yを含む希土類元素から選択される1種以
上の元素を表わす。)を除く金属または半金属から選択
される1種以七の元素と、0およびNとを含有し、さら
に、これらの元素に対しl〜1.0at%のRを含有す
る固体保護層を有する垂直磁気記録媒体を提案しており
(特願平1−96964号)、さらに、固体保護層表面
の水との接触角を規定する提案を1テなっている(特願
平1−98077号)これらの提案における磁気記録媒
体は、上記■〜■の性能を高水準で満たすちのであり、
特に耐久性、創食性、耐候性は極めて高いものである。
また、磁気ヘッドの偏摩耗も防止される。
しかし、垂直磁気記録媒体は極めて高密度の記録がなさ
れるため、さらに高い信頼性が要求される。
れるため、さらに高い信頼性が要求される。
そして、上記各提案において、磁気記録媒体に対し磁気
ヘッドは常に摺動しているため,信頼性を確保するため
には固体保護層の上に設けられる保謹潤滑膜の選択が重
要である。
ヘッドは常に摺動しているため,信頼性を確保するため
には固体保護層の上に設けられる保謹潤滑膜の選択が重
要である。
すなわち、摩擦係数が低いことが当然要求される他、繰
返し使用によっても摩擦低減効果が低下しないことが必
要とされる。
返し使用によっても摩擦低減効果が低下しないことが必
要とされる。
このような保護潤滑膜としては、特公昭56−3060
9号公報に、炭素数8〜28の直珀飽和脂肪酸の単分子
膜または累積膜が提案されている。
9号公報に、炭素数8〜28の直珀飽和脂肪酸の単分子
膜または累積膜が提案されている。
しかし、同公報記載のものは、固体保護層を用いておら
ず、極めて高い耐久性を要求される固体保護層を設けた
垂直媒体の場合には、脂肪酸等の従来の保護潤滑膜では
十分な保護潤滑効果は得られない。
ず、極めて高い耐久性を要求される固体保護層を設けた
垂直媒体の場合には、脂肪酸等の従来の保護潤滑膜では
十分な保護潤滑効果は得られない。
すなわち、初期と走行後における磁気記録媒体と磁気ヘ
ッドとの間の摩擦が大幅に変動し,スティックスリップ
が発生したりし、保護潤滑効果はいっそう劣化する。
ッドとの間の摩擦が大幅に変動し,スティックスリップ
が発生したりし、保護潤滑効果はいっそう劣化する。
く発明が解決しようとする課題〉
本発明の目的は、磁気記録媒体と磁気ヘッドとの間の摩
擦が小さく、かつ、耐久走行中でのその変動が少なく、
つまりスティックスリップが発生しに<<、磁気記録媒
体への磁気ヘッドの吸着が発生しにくく、しかも磁気ヘ
ッドおよび磁気記録媒体にキズあるいは破損が生じにく
い磁気記録媒体を提供することにある。
擦が小さく、かつ、耐久走行中でのその変動が少なく、
つまりスティックスリップが発生しに<<、磁気記録媒
体への磁気ヘッドの吸着が発生しにくく、しかも磁気ヘ
ッドおよび磁気記録媒体にキズあるいは破損が生じにく
い磁気記録媒体を提供することにある。
〈課題を解決するための手段〉
このような目的は、下記(1)〜(4)の本発明により
達成される。
達成される。
<1)支持体上に軟磁性膜、垂直磁化膜、固体保護層お
よび保護潤滑膜をこの順に有する磁気記録媒体であって
、 前記保護潤滑膜が、脂肪酸であって融点30℃以上のも
のと、エステルとを含有することを特徴とする磁気記録
媒体。
よび保護潤滑膜をこの順に有する磁気記録媒体であって
、 前記保護潤滑膜が、脂肪酸であって融点30℃以上のも
のと、エステルとを含有することを特徴とする磁気記録
媒体。
(2)支持体上に、軟磁性膜、垂直磁化膜、固体保護層
および保護潤滑膜をこの順に有する磁気記録媒体であっ
て、 前記保護潤滑膜が、脂肪酸であって融点30℃以上のも
のと、アルコールとを含有することを特徴とする磁気記
録媒体。
および保護潤滑膜をこの順に有する磁気記録媒体であっ
て、 前記保護潤滑膜が、脂肪酸であって融点30℃以上のも
のと、アルコールとを含有することを特徴とする磁気記
録媒体。
(3)前記固体保護層が、R(ただしRは、Yを含む希
土類元素から選択されるl種以上の元素を表わす。)を
除く金属または半金属から選択される1種以上の元素と
、OおよびNとを含有し、さらに、これらの元素に対し
l〜10at%のRを含有する上記(1)または(2)
に記載の磁気記録媒体。
土類元素から選択されるl種以上の元素を表わす。)を
除く金属または半金属から選択される1種以上の元素と
、OおよびNとを含有し、さらに、これらの元素に対し
l〜10at%のRを含有する上記(1)または(2)
に記載の磁気記録媒体。
(4)セラミックス基体上に、薄膜磁極層を有する磁気
ヘッドにより、記録再生を行う上記(1)ないし(3)
のいずれかに記載の磁気記録媒体。
ヘッドにより、記録再生を行う上記(1)ないし(3)
のいずれかに記載の磁気記録媒体。
く作用〉
本発明では、垂直磁気記録媒体の軟磁性膜、磁性層およ
び固体保護層上に、融点30℃以上の脂肪酸に加え、エ
ステルあるいはアルコールを含有する保護潤滑膜を有す
る。
び固体保護層上に、融点30℃以上の脂肪酸に加え、エ
ステルあるいはアルコールを含有する保護潤滑膜を有す
る。
この保護潤滑膜の作用は、磁気記録媒体と磁気ヘッドと
の間の摩擦係数を低減し、しかも摩擦変動を減少させ、
耐久走行中でのスティックスリップや膜ケズレを発生し
に<<シ、磁気ヘッドの媒体への接触時に媒体およびヘ
ッドの破損、媒体表面へのヘッドの吸着を生じにくくさ
せる。
の間の摩擦係数を低減し、しかも摩擦変動を減少させ、
耐久走行中でのスティックスリップや膜ケズレを発生し
に<<シ、磁気ヘッドの媒体への接触時に媒体およびヘ
ッドの破損、媒体表面へのヘッドの吸着を生じにくくさ
せる。
このうち、特に、初期摩擦の低減作用と、耐久走行後の
摩擦変動減少作用とは、上記の垂直磁化膜磁性層上に固
体保護層を有する媒体を用いる場合において、固状ない
し半固状の脂肪酸に加え、エステルまたはアルコールを
添加したとき、選択的に発現する作用である。
摩擦変動減少作用とは、上記の垂直磁化膜磁性層上に固
体保護層を有する媒体を用いる場合において、固状ない
し半固状の脂肪酸に加え、エステルまたはアルコールを
添加したとき、選択的に発現する作用である。
〈具体的構成〉
以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。
本発明の保護潤滑膜は、融点30℃以上の脂肪酸を1種
以上含有する。 このような脂肪酸としては、下記のも
のが好適である。
以上含有する。 このような脂肪酸としては、下記のも
のが好適である。
?−1融点30℃以上の1価の不飽和脂肪酸;直鎖モノ
エン酸として、 2−パルミトレイン酸 エライジン酸 等。
エン酸として、 2−パルミトレイン酸 エライジン酸 等。
ジ、トリ、テトラエン酸として、
ソルビン酸
α一エレオステアリン酸
β一エレオステアリン酸
α−パリナリン酸
β−パリナリン酸 等。
1−2融点30℃以上の1価の飽和脂肪酸;CHs(C
Hx acOOH CH. cHi IOCOOH CH3 C8212cOOH C}13 0H2 .4COOH CH2 CH2 +6COOH CH3 CH2 +aCOOH CHs (CHz)zoCOOH CH3(C}{2 2*cOOH CHs (CH2■.COOH ?H3 CH■ 26coOH CL CH■ 28COOH CI{. CH. .oCOO}ICH3 CH
. ,2COOH CH. (CH2).4COO}I 等。
Hx acOOH CH. cHi IOCOOH CH3 C8212cOOH C}13 0H2 .4COOH CH2 CH2 +6COOH CH3 CH2 +aCOOH CHs (CHz)zoCOOH CH3(C}{2 2*cOOH CHs (CH2■.COOH ?H3 CH■ 26coOH CL CH■ 28COOH CI{. CH. .oCOO}ICH3 CH
. ,2COOH CH. (CH2).4COO}I 等。
I − 3天然脂肪酸(1.2−ヒドロキシステアリン
酸、ラノリン脂肪酸等); I−4各種合成脂肪酸; I−5脂肪酸誘導体 等。
酸、ラノリン脂肪酸等); I−4各種合成脂肪酸; I−5脂肪酸誘導体 等。
これらのうち5好ましくは直鎖の1価の飽和ないし不飽
和の総炭素数10〜36の脂肪酸である。 特に、総炭
素数18〜30の脂肪酸が好ましい。
和の総炭素数10〜36の脂肪酸である。 特に、総炭
素数18〜30の脂肪酸が好ましい。
保護潤滑膜には、さらにエステルの1種以上が含有され
る。
る。
エステルの添加により、摩擦係数削久走行後の摩擦変動
が小さなものとなる。
が小さなものとなる。
好適に使用できるエステルとしては下記のものがある。
?I − 1 融点3 0 ”C未満のエステルC,
,H,COOCH3 C+3HztCOOCHa C. .L3COOC2}1, C . .H2,COOC2HS C,.1{,,COOC21{. C . .H2.COOC4}1. CI3Ha,COOC4Hs C,814.,COOC.H. C1アH3■COOC4H. C1Jz7COOCsH, C . ,H3 scOOcsH C}13 (C}12)?CI4=CH’(CH■),
COO(CH2)8−C}l=cH(CH2),Cll
. CH3(CHzltCH;CH(CH2)−Coo(C
Hz)scH,CIl.(CH2),CH(CH.),
COOCH2CH(CH.)−OCO(CH2)7(1
:H=CH(CHj),C}l.i?I − 2 融
点30℃以上のエステル:C113(CL).cOOc
t{3 C1イi(CL+sCOOC}+3 CH3 CHz)1aCOOCHx CL CHz)aocOOcHx CHx(CLla−COOCL CH, CL ,.COOC2H. CH. CI■+ .COOC28a CH,(Cl42)..COOC,Il1.,他これら
のうち、好ましくは直鎖の1価の飽和ないし不飽和の総
炭素数10〜38、特に12〜30の脂肪酸と,直鎖の
l価の飽和ないし不飽和の総炭素1〜30のアルコール
との脂肪酸エステルである。
,H,COOCH3 C+3HztCOOCHa C. .L3COOC2}1, C . .H2,COOC2HS C,.1{,,COOC21{. C . .H2.COOC4}1. CI3Ha,COOC4Hs C,814.,COOC.H. C1アH3■COOC4H. C1Jz7COOCsH, C . ,H3 scOOcsH C}13 (C}12)?CI4=CH’(CH■),
COO(CH2)8−C}l=cH(CH2),Cll
. CH3(CHzltCH;CH(CH2)−Coo(C
Hz)scH,CIl.(CH2),CH(CH.),
COOCH2CH(CH.)−OCO(CH2)7(1
:H=CH(CHj),C}l.i?I − 2 融
点30℃以上のエステル:C113(CL).cOOc
t{3 C1イi(CL+sCOOC}+3 CH3 CHz)1aCOOCHx CL CHz)aocOOcHx CHx(CLla−COOCL CH, CL ,.COOC2H. CH. CI■+ .COOC28a CH,(Cl42)..COOC,Il1.,他これら
のうち、好ましくは直鎖の1価の飽和ないし不飽和の総
炭素数10〜38、特に12〜30の脂肪酸と,直鎖の
l価の飽和ないし不飽和の総炭素1〜30のアルコール
との脂肪酸エステルである。
これらのうち、より高い保護潤滑効果を得るためには、
融点30℃以上のエステルが好ましい。
融点30℃以上のエステルが好ましい。
エステルの1種以上は、エステル/脂肪酸、モル比で9
/1以下、特に1/9〜9/1、さら:こは3/7〜7
/3の量比で混合されること?好ましい。
/1以下、特に1/9〜9/1、さら:こは3/7〜7
/3の量比で混合されること?好ましい。
この保護潤滑膜には、エステルにかえ、アルコールが含
有される。
有される。
アルコールの併用は、エステルと同等の効果をもつ。
このようなアルコールとしては例えば以下のようなもの
がある。
がある。
III − 1 融点30℃未満のアルコール1価の
飽和アルコールとして、 CH.(CH2 ),,OH CH3(CH2) OH CH,(CH,)I.CHOHC}{,CH3 (CH
2).,CHOHCH3CH.(CH2),■C H
O H C H a等。
飽和アルコールとして、 CH.(CH2 ),,OH CH3(CH2) OH CH,(CH,)I.CHOHC}{,CH3 (CH
2).,CHOHCH3CH.(CH2),■C H
O H C H a等。
1価の不飽和アルコールとして、
c ,aH 3!to H (オレイルアルコール)C
1aH3aOH C ,,H ..O H C ,3H 2.O H C .2H ..O H 等。
1aH3aOH C ,,H ..O H C ,3H 2.O H C .2H ..O H 等。
多価の天然アルコール。
合成アルコールとして、
ドハノール23
ドハノール25
ドハノール45
オキソコール12l3
オキソコール1215
オキソコール14l5
アルホール1214
等。
?II − 2 融点30℃以上のアルコールl価の
飽和アルコールとして、 C H= (C H2 ) l■OHCH3 (CH
z )130H CH= (CH− ) ,gOH CH3 (CH2 > I?OH CH,(CH.)..OH CH.(cHa ).,OH CH,(CH2 )..OH CH3 (CHI )zsOH CH.(CH2).,OH CH.(CH.)13cHOHcH3 CH.(CH.)I.CHOHCH. CH.(CH.),,CHOHCH. 等。
飽和アルコールとして、 C H= (C H2 ) l■OHCH3 (CH
z )130H CH= (CH− ) ,gOH CH3 (CH2 > I?OH CH,(CH.)..OH CH.(cHa ).,OH CH,(CH2 )..OH CH3 (CHI )zsOH CH.(CH2).,OH CH.(CH.)13cHOHcH3 CH.(CH.)I.CHOHCH. CH.(CH.),,CHOHCH. 等。
l価ないし多価の天然アルコール、合成アルコール等。
これらのうち、より高い保護潤滑効果を得るためには、
融点30℃以上のアルコールが好ましい。
融点30℃以上のアルコールが好ましい。
これらのうち、好ましくは直鎖の1価の飽和アルコール
、より好ましくは直鎖、あるし)は分岐を有する1価の
飽和アルコールである。
、より好ましくは直鎖、あるし)は分岐を有する1価の
飽和アルコールである。
アルコールの1種以上は、アルコール/脂肪酸が、モル
比で9/1以下、特にl/9〜9/1、さらには3/7
〜7/3の量比で脛合されることが好ましい。
比で9/1以下、特にl/9〜9/1、さらには3/7
〜7/3の量比で脛合されることが好ましい。
本発明において保護潤滑膜の厚さは4〜1. O O人
程度であることが好ましい。 4人未満では十分な本発
明の効果が得られず特に耐久性が劣り、100人をこえ
ると吸着が発生し、磁気ヘッドのクラッシュを起こす場
合がある。 なお、より好ましい膜厚は4〜80人であ
り、さらに好ましい膜厚は5〜40人である。 そして
、特に単分子層からなるものが好ましい。
程度であることが好ましい。 4人未満では十分な本発
明の効果が得られず特に耐久性が劣り、100人をこえ
ると吸着が発生し、磁気ヘッドのクラッシュを起こす場
合がある。 なお、より好ましい膜厚は4〜80人であ
り、さらに好ましい膜厚は5〜40人である。 そして
、特に単分子層からなるものが好ましい。
保護潤滑膜の形成方法に特に制限はなく、ラングミュア
・プロジェット(LB)法、塗布法等から適当に選択す
ればよい。
・プロジェット(LB)法、塗布法等から適当に選択す
ればよい。
例えば、LB法を用いる場合、被着体基板(磁気記録媒
体または浮上型磁気ヘッド)を水相中に浸漬する。 次
いで、所定のアルコールの展開溶液を所定量水相に均一
に落とし、単分子膜を展開する。
体または浮上型磁気ヘッド)を水相中に浸漬する。 次
いで、所定のアルコールの展開溶液を所定量水相に均一
に落とし、単分子膜を展開する。
次に、表面圧が所定の張力となるまで気液界面を圧縮し
た後、一定圧を保つように界面を圧縮しながら被着体基
板を所定の速度で水相中からほぼ垂直に上昇させて、被
着体基板上に単分子膜を移し取る。 次いで、付着した
水を必要に応じ乾燥させる。 さらに、必要に応じ、同
じ操作を繰り返すことによって累積膜を得る。
た後、一定圧を保つように界面を圧縮しながら被着体基
板を所定の速度で水相中からほぼ垂直に上昇させて、被
着体基板上に単分子膜を移し取る。 次いで、付着した
水を必要に応じ乾燥させる。 さらに、必要に応じ、同
じ操作を繰り返すことによって累積膜を得る。
累積数は1〜20層程度、より好ましくはl〜5層程度
、特に好ましくはl層、すなわち単分子層であることが
好ましい。
、特に好ましくはl層、すなわち単分子層であることが
好ましい。
なお、被着体基板表面に疎水性、あるいは親水性の処理
を行い、この上にLB法により有機膜を形成してもよい
。
を行い、この上にLB法により有機膜を形成してもよい
。
また、親水処理はプラズマ法、スバッタ法、溶斉り、イ
オンボンバード、逆スパッタリング等により行なえばよ
い。
オンボンバード、逆スパッタリング等により行なえばよ
い。
LB法において展開する溶液の溶媒としては、炭化水素
系(キシレン、ベンゼン等)、ハロゲン化炭化水素系(
クロロホルム等の塩素化物溶剤、フロン等のフッ素化物
溶剤等)、ニトロ化炭化水素系(ニトロベンゼン等)、
アルコール類系(エチルアルコール、メチルアルコール
、プロビルアルコール等)、ケトン類系(アセトン等)
、複素環化合物系(キ7ノリン等)、アミン類系、エー
テル類系、エステル類系、酸類系などが挙げられる。
系(キシレン、ベンゼン等)、ハロゲン化炭化水素系(
クロロホルム等の塩素化物溶剤、フロン等のフッ素化物
溶剤等)、ニトロ化炭化水素系(ニトロベンゼン等)、
アルコール類系(エチルアルコール、メチルアルコール
、プロビルアルコール等)、ケトン類系(アセトン等)
、複素環化合物系(キ7ノリン等)、アミン類系、エー
テル類系、エステル類系、酸類系などが挙げられる。
本発明の保護潤滑膜はこのようなLB法の他、塗布法な
どによって成膜することもできる。
どによって成膜することもできる。
塗布法を用いる場合、塗布78液としては上記LB法に
おける展開溶液を用いることができる。 また、塗布方
法は、スビンコート、ディッピング、スプレーコート等
を適宜選択すればよい。
おける展開溶液を用いることができる。 また、塗布方
法は、スビンコート、ディッピング、スプレーコート等
を適宜選択すればよい。
このような保護潤滑層を有する本発明の磁気記録媒体の
好適実施例が第1図に示される。
好適実施例が第1図に示される。
本発明の磁気記録媒体1は、支持体としての基扱2上に
、軟磁性膜3,連続薄.摸垂直磁化膜の磁性層4、固体
保護層5および保護潤滑膜6を、この1{1頁で有する
。
、軟磁性膜3,連続薄.摸垂直磁化膜の磁性層4、固体
保護層5および保護潤滑膜6を、この1{1頁で有する
。
なお、支持体2が可どう性材質から構成されている場合
、軟磁性膜3、磁性層4、固体保護層5等の成膜時に発
生する基坂2のソリを防止するために、軟磁性膜3、磁
性層4、固体保譲層5および潤滑膜6は、第1図に示す
よ・)に基板2の両面に設けられることが好ましい。
、軟磁性膜3、磁性層4、固体保護層5等の成膜時に発
生する基坂2のソリを防止するために、軟磁性膜3、磁
性層4、固体保譲層5および潤滑膜6は、第1図に示す
よ・)に基板2の両面に設けられることが好ましい。
ただし、これらを基板2の一方の!1117に設けるこ
ともできる。
ともできる。
基板2を構成する支持体として可どう注のものを用いる
ときには、他方の側にバックコート層を設けることによ
り基坂2のソリを防止することもできる。 この場合の
バックコート層としては、Aβ、Ti等の金属、あるい
はSiOz.Six N4 .Ag2 0a .後述す
る固体保護層構成材質等の無機酸化物、窒化杓ないしこ
れらの混合物などのスバツタ膜が好適であり、さらには
塗布型のバツクコート層も用いることができる。
ときには、他方の側にバックコート層を設けることによ
り基坂2のソリを防止することもできる。 この場合の
バックコート層としては、Aβ、Ti等の金属、あるい
はSiOz.Six N4 .Ag2 0a .後述す
る固体保護層構成材質等の無機酸化物、窒化杓ないしこ
れらの混合物などのスバツタ膜が好適であり、さらには
塗布型のバツクコート層も用いることができる。
基板2は、可とう性であっても剛性であってもよく、ま
た、ディスク状であってもテープ状であってもよく、磁
気記録媒体lの使用目的に応じて選定すればよい。
た、ディスク状であってもテープ状であってもよく、磁
気記録媒体lの使用目的に応じて選定すればよい。
基坂2を可とう性とする場合、その構成材質に持に制限
はないが、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート(
PET).ポリフエニレンサルファイド(PPS).ボ
リアミド、ポリエチレンナフタレート(PEN).ポリ
エーテルエーテルケトン(PEEK)などの高分子物質
から選択することが好まし<、酬熱性、寸法安定性、表
面粗度等が良好であることから、これらのうちではポリ
イミドを用いることがより好ましい。
はないが、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート(
PET).ポリフエニレンサルファイド(PPS).ボ
リアミド、ポリエチレンナフタレート(PEN).ポリ
エーテルエーテルケトン(PEEK)などの高分子物質
から選択することが好まし<、酬熱性、寸法安定性、表
面粗度等が良好であることから、これらのうちではポリ
イミドを用いることがより好ましい。
また、基板2を剛性とする場合、その構成材質に特に制
限はないが、各種ガラス、各種セラミクス、各種金属、
例えばAJ2.Aj2系合金、各種樹脂、例えばポリイ
ミド、ボリカーボネートなどから選択することが好まし
く、熱収縮率、表面粗度等の点で成形性が良好であるこ
とから、これらのうちではガラスを用いることがより好
ましい。
限はないが、各種ガラス、各種セラミクス、各種金属、
例えばAJ2.Aj2系合金、各種樹脂、例えばポリイ
ミド、ボリカーボネートなどから選択することが好まし
く、熱収縮率、表面粗度等の点で成形性が良好であるこ
とから、これらのうちではガラスを用いることがより好
ましい。
なお、Co−Cr系合金から構成される磁性層は、磁気
特性向上のために熱処理が施されることが好ましいので
、この場合の基体2購成材質には120″C程度以上の
加熱に耐えられるものを選択することが好ましい。
特性向上のために熱処理が施されることが好ましいので
、この場合の基体2購成材質には120″C程度以上の
加熱に耐えられるものを選択することが好ましい。
基板2が可どう性である場合、そのヤング率は、3 0
0= l O O Okgf/n+m”であることが
好ましい。 ヤング率をこの範囲とすることにより、酎
久性が向上すると共にヘッドタッチが良好となる。 ヤ
ング率が上記範囲未満であると、ヘッドタッヂは良好で
あるが耐久注が低下する。 また、ヤング率が上記範囲
を超えると、耐久性は向上するがヘッドタッチが嬰化す
る。
0= l O O Okgf/n+m”であることが
好ましい。 ヤング率をこの範囲とすることにより、酎
久性が向上すると共にヘッドタッチが良好となる。 ヤ
ング率が上記範囲未満であると、ヘッドタッヂは良好で
あるが耐久注が低下する。 また、ヤング率が上記範囲
を超えると、耐久性は向上するがヘッドタッチが嬰化す
る。
基板2の表面粗さ(Rmax)は、0.02一以下であ
ることが好ましい。 R maxがこの範囲であると、
ヘッドと媒体間で生じるスベーシングロスが減少し、記
録密度を高くすることができる。 R maxが上記範
囲を超えると、十分な記録密度を得ることが困難である
。
ることが好ましい。 R maxがこの範囲であると、
ヘッドと媒体間で生じるスベーシングロスが減少し、記
録密度を高くすることができる。 R maxが上記範
囲を超えると、十分な記録密度を得ることが困難である
。
上記のようなR maxは、基板2の両面で実現してい
ることが好ましいが、少なくとも磁性層設層面で実現し
ていれば上記の効果は得られる。
ることが好ましいが、少なくとも磁性層設層面で実現し
ていれば上記の効果は得られる。
なお、基板2中には、必要に応じ摩擦係数低減のために
フィラーが含有されていてもよい。
フィラーが含有されていてもよい。
基板2をディスク状とする場合、その直径は用途に応じ
て適当な値を選択すればよく、通常、50〜130mm
程度である。 また、基板2の厚さは、可どう性である
場合7〜80μm程度、より詳細にはフロッピーディス
クとして用いる場合20〜50um程度、磁気テープと
して用いる場合7〜15μm程度であり、剛性である場
合、すなわちハードディスクとして用いる場合0.8〜
2mm程度である。
て適当な値を選択すればよく、通常、50〜130mm
程度である。 また、基板2の厚さは、可どう性である
場合7〜80μm程度、より詳細にはフロッピーディス
クとして用いる場合20〜50um程度、磁気テープと
して用いる場合7〜15μm程度であり、剛性である場
合、すなわちハードディスクとして用いる場合0.8〜
2mm程度である。
基板2上には、軟磁性膜3が設けられる。
軟磁性膜3は、再生出力の向上のために設けられる。
軟磁性膜3の構成材質は、Fe−Ni系合金であること
が好ましい。
が好ましい。
Fe−Ni系合金としては、Fe−Ni合金(パーマロ
イ),Fe−Ni−Mo合金、Fe−Ni−Cr合金、
Fe−Ni−Nb合金、Fe−Ni−Mn−Cu合金、
Fe一N i − M o − N b合金、F e
− N i − M o −Cu合金、Fe−Ni−S
i−AI2合金等を好ましく用いることができる。
イ),Fe−Ni−Mo合金、Fe−Ni−Cr合金、
Fe−Ni−Nb合金、Fe−Ni−Mn−Cu合金、
Fe一N i − M o − N b合金、F e
− N i − M o −Cu合金、Fe−Ni−S
i−AI2合金等を好ましく用いることができる。
また、Fe−Ni系合金の他、Fe−Co−V系合金も
好ましく用いることができる。
好ましく用いることができる。
なお、これら合金には、必要に応じ、Ti、Aj2、S
i.Mn.Cu%Ta.C.O.N、Ar.Ca,C
r等が含有されていてもよい。
i.Mn.Cu%Ta.C.O.N、Ar.Ca,C
r等が含有されていてもよい。
軟磁性膜3の面内方向の保磁力は、6〜200eである
ことが好ましい。 保磁力がこの範囲内であると、高い
再生出力が得られると共にモジュレーションが20%以
下に低下する。 保磁力が上記範囲未満となると再生出
力は向上するがモジュレーションが大きくなり、上記範
囲を超えるとモジュレーションは小さくなるが再生出力
が低下してしまう。
ことが好ましい。 保磁力がこの範囲内であると、高い
再生出力が得られると共にモジュレーションが20%以
下に低下する。 保磁力が上記範囲未満となると再生出
力は向上するがモジュレーションが大きくなり、上記範
囲を超えるとモジュレーションは小さくなるが再生出力
が低下してしまう。
軟磁性膜3の膜厚は0.2〜0.5μmであることが好
ましい。 膜厚がこの範囲未満であると生産性は向上す
るが十分な再生出力が得られず、この範囲を超えると再
生出力は高くなるが、成膜に時間を要し生産性が低下す
る。
ましい。 膜厚がこの範囲未満であると生産性は向上す
るが十分な再生出力が得られず、この範囲を超えると再
生出力は高くなるが、成膜に時間を要し生産性が低下す
る。
なお、軟磁性膜3は、スバッタ法により成膜されること
が好ましい。
が好ましい。
本発明の第2の態様の磁気記録媒体には垂直磁気記録が
なされるため、磁性層4は膜面と垂直方向に磁化容易軸
を有する垂直磁化膜であることが好ましい。
なされるため、磁性層4は膜面と垂直方向に磁化容易軸
を有する垂直磁化膜であることが好ましい。
このような磁性層4の構成材質としては、Co−Cr系
合金が好ましい。 Co−Cr系合金としては、Co−
Cr合金、Co−C.r−B合金、C o − C r
− M n合金、Co−Cr−Mn−B合金、Co−
Cr−Ta合金、Co一Cr−SL−An合金等が好ま
しい。
合金が好ましい。 Co−Cr系合金としては、Co−
Cr合金、Co−C.r−B合金、C o − C r
− M n合金、Co−Cr−Mn−B合金、Co−
Cr−Ta合金、Co一Cr−SL−An合金等が好ま
しい。
なお、Co−Cr系合金中のCr含有率は、16〜23
at%程度であることが好ましい。
at%程度であることが好ましい。
また、Co−Cr系合金の他、Co−V系合金も好まし
く用いることができる。
く用いることができる。
なお、これら合金には、必要に応じ、O、N.Si.A
I2.、Mn.Ar等が含有されていてもよい。
I2.、Mn.Ar等が含有されていてもよい。
磁性層4の垂直方向保磁力は4000e以上であること
が好ましい。 垂直方向保磁力がこの範囲未満であると
、再生出力が不十分である。 なお、垂直方向保磁力の
上限は特にないが、通常15000e程度まで容易に製
造することができる。
が好ましい。 垂直方向保磁力がこの範囲未満であると
、再生出力が不十分である。 なお、垂直方向保磁力の
上限は特にないが、通常15000e程度まで容易に製
造することができる。
磁性層4の厚さは0.05〜0.2μmであることが好
ましい。 厚さがこの範囲未満であると再生出力が低下
し、S/Nが低下する。
ましい。 厚さがこの範囲未満であると再生出力が低下
し、S/Nが低下する。
また、この範囲を超えると記録密度が低下し、例えば記
録密度(DS。)が1 0 0 KFRPIに達しない
。
録密度(DS。)が1 0 0 KFRPIに達しない
。
磁性層は、気相成膜法により形成されることが好ましく
、特にスバッタ法により成膜されることが好ましい。
、特にスバッタ法により成膜されることが好ましい。
固体保護層5は、Yを含む希土類元素(Y、ランタンイ
ド元素およびアクチノイド元素を意味し、以下、Rと略
称する。)を除く金属または半金属から選択される1種
以上の元素と、OおよびNとを含有し、さらに、これら
の元素に対し、Rから選択されるl fffi以上の元
素を1〜10at%含有することが好ましい。 なお、
固体保護層は、通常、非品質状態にある。
ド元素およびアクチノイド元素を意味し、以下、Rと略
称する。)を除く金属または半金属から選択される1種
以上の元素と、OおよびNとを含有し、さらに、これら
の元素に対し、Rから選択されるl fffi以上の元
素を1〜10at%含有することが好ましい。 なお、
固体保護層は、通常、非品質状態にある。
固体保護層5に含有されるR以外の金属または半金属ト
シテハ、Si.A−j2.Ti.Znj:iよびBが好
ましく、これらのうちRおよびS1を必須とするかSi
およびAffを必須として固体保護層5に含有させるこ
とが好ましい。
シテハ、Si.A−j2.Ti.Znj:iよびBが好
ましく、これらのうちRおよびS1を必須とするかSi
およびAffを必須として固体保護層5に含有させるこ
とが好ましい。
また2これらの元素の他、Fe,Mg、Ca.Sr.B
a.Ar.Mn等が全体の1at%以下程度含有されて
いてもよい。
a.Ar.Mn等が全体の1at%以下程度含有されて
いてもよい。
さらに詳述すると、固体保護層5の組成は、下記の.咀
或■または組成IIの範囲から選択することが好ましい
。
或■または組成IIの範囲から選択することが好ましい
。
1[金属または半金属としてSiおよびAj2を必須と
するもの] S1およびAl2は、通常、酸化物および窒化物の形で
含有される。
するもの] S1およびAl2は、通常、酸化物および窒化物の形で
含有される。
固体保護層5中の上記化合物は、その組成において化学
量論的な組成比を外れていてよい。
量論的な組成比を外れていてよい。
これらの元素と酸素および窒素とを含有することにより
、耐食性が向上する。
、耐食性が向上する。
組成Iにおける固体保護層5中の各元素の含有率は,下
記の範囲であることが好ましい。
記の範囲であることが好ましい。
S i : 2 0〜8 0at% 、より
好ましくは40〜70at%。
好ましくは40〜70at%。
Aj2:1〜30at%、
より好ましくは2〜loat%。
0:2〜30at%、
より好ましくは2〜20at%。
N+5 〜45at%、
より好ましくは15〜35at%。
このような組成の固体保護層には、上記したように、さ
らにRが含有される。
らにRが含有される。
Rとしては、Yおよびランタノイド元素が好ましい。
Rの含有率は、保護層中に含有されるR以外の金属また
は半金属元素と、OおよびNとの合計を100at%と
したとき、1〜10at%であり、好ましくは2〜8a
t%である。
は半金属元素と、OおよびNとの合計を100at%と
したとき、1〜10at%であり、好ましくは2〜8a
t%である。
このような含有率にてRを含有することにより、耐久性
、耐候性および耐食性がさらに向上し、特に耐久性は極
めて高いものとなる。
、耐候性および耐食性がさらに向上し、特に耐久性は極
めて高いものとなる。
この組成におけるRとしては、Y.La、Ce.Pr,
Nd.SmおよびEuがらなる詳から選ばれた元素の1
種以上であることが好ましく、特にYを必須とすること
が好ましい. R中のYの比率は、50%以上であるこ
とが好ましい。
Nd.SmおよびEuがらなる詳から選ばれた元素の1
種以上であることが好ましく、特にYを必須とすること
が好ましい. R中のYの比率は、50%以上であるこ
とが好ましい。
このとき耐久性、耐候性、耐食性専の面でより良好な結
果が得られる。
果が得られる。
また、固体保護贋5をスバッタ〆去により形成する際に
、用いるターゲットにこれらの元素を含有させることに
より緻密なターゲットが得られ、その結果、ターゲット
の冷却効率が向上し、スバッタ時の輻射熱が抑えられる
。
、用いるターゲットにこれらの元素を含有させることに
より緻密なターゲットが得られ、その結果、ターゲット
の冷却効率が向上し、スバッタ時の輻射熱が抑えられる
。
Rは、固体保護層5中にて元素単体あるいは化合物いず
れの形で含有されてもよい。 r+c合物として含有さ
れる場合は、通常、酸化物の形で含有されることが好ま
しい。
れの形で含有されてもよい。 r+c合物として含有さ
れる場合は、通常、酸化物の形で含有されることが好ま
しい。
l皇土[金属または半金属としてSiを心・頃とするも
の] この組成におけるRとして(i、少なくとちLaおよび
Ceのうち一種以上が含まれること?好ましい。
の] この組成におけるRとして(i、少なくとちLaおよび
Ceのうち一種以上が含まれること?好ましい。
LaおよびCeは、通常、酸化物として含有される。
これらの酸化物の化学量論組成はそれぞれLa203お
よびCeO■であるが、これらから偏奇したちのであっ
てもよい。
これらの酸化物の化学量論組成はそれぞれLa203お
よびCeO■であるが、これらから偏奇したちのであっ
てもよい。
CeおよびLaのはいずれか一方であってもよく、両者
が含有されてもよいが、両者が含有される場合、その量
比は任意である。
が含有されてもよいが、両者が含有される場合、その量
比は任意である。
また、Laおよび/またはCeの他、Yを含む他の希土
類元素、例えばY.Er等が含有されていてもよいが、
R中のLaおよび/またはCeの比率は50%以上であ
ることが好ましい。
類元素、例えばY.Er等が含有されていてもよいが、
R中のLaおよび/またはCeの比率は50%以上であ
ることが好ましい。
固体保護層5中には、希土類元素の酸化物に加え、Si
が含有される。
が含有される。
SLは、通常、酸化物および窒化物として含有されるが
、化学量論組成から偏奇していてもよい。
、化学量論組成から偏奇していてもよい。
組成nにおける固体保護層5中の各元素の含有率は、下
記の範囲であることが好ましい。
記の範囲であることが好ましい。
S i : 1 0〜8 0at% 、よ
り好ましくは20〜60at%。
り好ましくは20〜60at%。
O:lO〜80at%.
より好ましくは15〜60at%。
N:2〜60at%、
より好ましくは3〜50at%。
そして、Rの含有率は、保護層中に含有されろR以外の
金属または半金属元素と、0およびNとの合計を100
at%とじたとき、1〜10at%、好ましくは2〜8
at%である。
金属または半金属元素と、0およびNとの合計を100
at%とじたとき、1〜10at%、好ましくは2〜8
at%である。
このような含有率にてRを含有することにより、耐久性
、耐候性および耐食性が向上し、特に耐久性は極めて高
いものとなる。
、耐候性および耐食性が向上し、特に耐久性は極めて高
いものとなる。
固体保護層5中の各元素の含有率は、オージェ、ESC
A%SIMS等によって測定すればよい。
A%SIMS等によって測定すればよい。
このような組成を有する固体保護層5の設層は気相成膜
法により行なうことが好ましく、特にスパッタ法を用い
ることが好ましい。
法により行なうことが好ましく、特にスパッタ法を用い
ることが好ましい。
スバッタ法としては、上記組或の焼結体をターゲットと
して用いてもよく、また、2種以上のターゲットを用い
ろ多元スバツタを用いてもよい。 さらに、反応性スパ
ツタを用いることもできる。
して用いてもよく、また、2種以上のターゲットを用い
ろ多元スバツタを用いてもよい。 さらに、反応性スパ
ツタを用いることもできる。
なお、希土類元素としてLaおよび/またはCeを含有
させる場合、スパツタターゲットの少なくとも一部とし
て、発火合金であるアウエルメタル、ヒューバーメタル
、ミツシュメタル、ウエルスバツハメタル等の酸化物を
用いることもできる。
させる場合、スパツタターゲットの少なくとも一部とし
て、発火合金であるアウエルメタル、ヒューバーメタル
、ミツシュメタル、ウエルスバツハメタル等の酸化物を
用いることもできる。
また、固体保護層5の設層には、その他の気相成膜法、
例えばCVD法、蒸着法、イオンブレーティング法等を
適宜用いることも可能である。
例えばCVD法、蒸着法、イオンブレーティング法等を
適宜用いることも可能である。
固体保護層5は、十分な耐久性を確保するためにビッカ
ース硬度が700以上であることが好ましいが、本発明
における上記したような組成を選択すれば、700以上
のビツカース硬度が容易に得られる。 特にRを含有す
る場合、iooo以上のビッカース硬度を得ることもで
きる。
ース硬度が700以上であることが好ましいが、本発明
における上記したような組成を選択すれば、700以上
のビツカース硬度が容易に得られる。 特にRを含有す
る場合、iooo以上のビッカース硬度を得ることもで
きる。
固体保護層5の厚さは、30〜20OA、特に30〜1
00大とすることが好ましい。 厚さが上記範囲未満で
あると保護効果が不十分であり、上記範囲を超えるとス
ベーシングロスが増加して記録密度を向上させることが
できない。
00大とすることが好ましい。 厚さが上記範囲未満で
あると保護効果が不十分であり、上記範囲を超えるとス
ベーシングロスが増加して記録密度を向上させることが
できない。
本発明において、固体保護層5表面ほの水との接触角は
80”以下、好ましくは60゜以下、より好ましくは4
0゜以下であることが好ましい。
80”以下、好ましくは60゜以下、より好ましくは4
0゜以下であることが好ましい。
水との接触角をこのような範囲とすることにより、潤滑
膜6の成膜な均一に行なうことができる。 なお、固体
保護層5の水との接触角は、通常8゜程度以上である。
膜6の成膜な均一に行なうことができる。 なお、固体
保護層5の水との接触角は、通常8゜程度以上である。
水との接触角は、例えば、固体保護層表面に純水を滴下
して30秒後に測定すればよい。 測定雰囲気は、l8
〜23℃、40〜60%RH程度である。
して30秒後に測定すればよい。 測定雰囲気は、l8
〜23℃、40〜60%RH程度である。
固体保護層5上に設けられる保護潤滑膜6は、前記した
とおりのものである。
とおりのものである。
以上に説明したような構成を有する本発明の垂直磁気記
録媒体は,フロッピーディスク、ハードディスク、磁気
テープなどに適用される。
録媒体は,フロッピーディスク、ハードディスク、磁気
テープなどに適用される。
また、本発明の磁気記録媒体の記録再生に用いられる垂
直記録型磁気ヘッドに特に制限はないが、本発明の磁気
記録媒体は、前記薄膜型垂直磁気ヘッドと組合せて使用
した場合に、特に摩擦の低減および安定効果を発揮する
。
直記録型磁気ヘッドに特に制限はないが、本発明の磁気
記録媒体は、前記薄膜型垂直磁気ヘッドと組合せて使用
した場合に、特に摩擦の低減および安定効果を発揮する
。
薄膜型磁気ヘッドとしては、An203TiC等の前記
のセラミクス製基体上に、Co−Nb−Zr系アモルフ
ァス等の金属製の薄膜磁極層を形成し、さらにAI22
0−等の無機保護膜を被覆したものを用いることが好ま
しい。
のセラミクス製基体上に、Co−Nb−Zr系アモルフ
ァス等の金属製の薄膜磁極層を形成し、さらにAI22
0−等の無機保護膜を被覆したものを用いることが好ま
しい。
より具体的には、磁気ヘッドセラミックス基体は、ビッ
カース硬度1 0 0 0 kgf/m一以上、特に1
0 0 0〜3 0 0 0kgf/nm2程度のセ
ラミックス材料から構成されることが好ましい。
カース硬度1 0 0 0 kgf/m一以上、特に1
0 0 0〜3 0 0 0kgf/nm2程度のセ
ラミックス材料から構成されることが好ましい。
このように構成することにより、本発明の効果はさらに
顕著となる。
顕著となる。
ビッカース硬度1 0 0 0 kgf/mm2以上の
セラミックス材料としては、Affz O. −T i
Cを主成分とするセラミックス、Z r O 2を主
成分とするセラミックス、SiCを主成分とするセラミ
ックスまたはAβNを主成分とするセラミックスが好適
である。 また、これらには、添加物としてMg.Y,
ZrO2.Ti02等が含有されていてもよい。
セラミックス材料としては、Affz O. −T i
Cを主成分とするセラミックス、Z r O 2を主
成分とするセラミックス、SiCを主成分とするセラミ
ックスまたはAβNを主成分とするセラミックスが好適
である。 また、これらには、添加物としてMg.Y,
ZrO2.Ti02等が含有されていてもよい。
そして、このヘッドのフロント面には、前記の保護潤滑
膜を設けてもよい。
膜を設けてもよい。
なお、垂直型磁気ヘッドは浮動型としてもよい。
く実施例〉
以下、本発明を実例例によって具体的に説明する。
[実施例1]
第1図に示す構成で、固体保護層の組成が異なる種々の
磁気ディスクサンプルを作製した。 各部の構成の詳細
を以下に示す。
磁気ディスクサンプルを作製した。 各部の構成の詳細
を以下に示す。
[基板]
直径8t3mm.厚さ4o4、ヤング率900kgf/
mm” .表面粗さ(Rmax ) 0. O 1 5
uのポリイミドを用いた。
mm” .表面粗さ(Rmax ) 0. O 1 5
uのポリイミドを用いた。
〔軟磁性膜J
2%02を含む2XIO−’PaのAr雰囲気中で、D
Cマグネトロンスパッタ法により80at%Ni−Fe
合金を厚さ0.45叩に成膜して形成した。
Cマグネトロンスパッタ法により80at%Ni−Fe
合金を厚さ0.45叩に成膜して形成した。
軟磁性膜の面内方向の保磁力は、9 0eであった。
[磁性層]
DCマグネトロンスバッタ法により20at%Cr−C
o合金を厚さ0.18鱗に成膜して形成した。 成膜時
の雰囲気は、軟磁性膜形成の際と同様とした。
o合金を厚さ0.18鱗に成膜して形成した。 成膜時
の雰囲気は、軟磁性膜形成の際と同様とした。
磁性層の垂直方向の保磁力は、7200eであった。
[固体保護層]
2%02を含むIXIO−’PaのAr雰囲気中で、R
Fマグネトロンスバッタ法により、下記表5に示す各種
組成の固体保設層を厚さ0.01−に形成した。 なお
,スバッタに用いたターゲットは、固体保護層に対応す
る組成を有する焼結体を用いた。
Fマグネトロンスバッタ法により、下記表5に示す各種
組成の固体保設層を厚さ0.01−に形成した。 なお
,スバッタに用いたターゲットは、固体保護層に対応す
る組成を有する焼結体を用いた。
各固体保護層のビッカース硬度を表5に示す。 ビッカ
ース硬度は、各磁気ディスクサンプルの固体保護層と同
条件で2μsの厚さに形成した膜で測定した。
ース硬度は、各磁気ディスクサンプルの固体保護層と同
条件で2μsの厚さに形成した膜で測定した。
[保護潤滑膜]
C H 3(C H 2)z。COOH5モルとC H
3(c H 2)190 H sモルとの10−4モ
ル/氾クロロボノレム,゛容c夜を調製し、展開?容イ
夜とした。
3(c H 2)190 H sモルとの10−4モ
ル/氾クロロボノレム,゛容c夜を調製し、展開?容イ
夜とした。
まず、水相中に被処理体(磁気ディスク)を浸漬した後
、展開溶l夜を水相表面に均一に落し、単分子膜を展開
した。
、展開溶l夜を水相表面に均一に落し、単分子膜を展開
した。
次に、表面圧が所定圧となるまで界面を圧縮し、被処理
体を一定の速度でほぼ垂直に上昇させて被処理体上に単
分子膜を移し取り、20入の単分子膜を設層し、保護潤
滑膜とした。
体を一定の速度でほぼ垂直に上昇させて被処理体上に単
分子膜を移し取り、20入の単分子膜を設層し、保護潤
滑膜とした。
得られた各サンプルに対し、下記の試験を行なった。
(1)耐久試験A
針によるスクラッチ試験を行ない、耐久性を評価した。
針先端の曲率半径は100μ、負荷は10g、針とサン
プルとの相対速度は1 0 mm/secトした。
プルとの相対速度は1 0 mm/secトした。
耐久性の評価は、試験後のサンプル表面に存在するスク
ラッチキズの幅により行なった。
ラッチキズの幅により行なった。
なお、この際、スクラッチキズの幅が5Pを超えると実
用に際して問題が生じ、好ましくは3一以下であるとよ
い。
用に際して問題が生じ、好ましくは3一以下であるとよ
い。
(2)耐候試験
70℃、90%RHの条件下でioo日間保存後に、磁
性層面に現われた斑点状のシミ(錆)の大きさを測定し
た。
性層面に現われた斑点状のシミ(錆)の大きさを測定し
た。
(3)電磁変換特性の測定
磁極厚0.2戸、磁極幅50一の主磁極励磁型単磁極薄
膜ヘッドを用い、ヘッドとディスクの相対速度2 m
/ s e cにてf特を測定し、D,。により評価し
た。
膜ヘッドを用い、ヘッドとディスクの相対速度2 m
/ s e cにてf特を測定し、D,。により評価し
た。
薄膜ヘッドは、A氾tO− TiC基体上にCo−N
b−Zrアモルファス磁極およびAQ20s保護膜をス
バツタ法により形成したものを用いた。
b−Zrアモルファス磁極およびAQ20s保護膜をス
バツタ法により形成したものを用いた。
(4)ヘッド摩耗試験A
ヘッドとディスクとを、負荷log.相対速度2 m/
seeで摺動させ、1000時間後のヘッド摩耗量を測
定した。 ヘッド摩耗量は、走行開始時および走行開始
1 000時間後のヘッド形状を触針型表面粗さ計にて
測定し、これらを比較することにより求めた。
seeで摺動させ、1000時間後のヘッド摩耗量を測
定した。 ヘッド摩耗量は、走行開始時および走行開始
1 000時間後のヘッド形状を触針型表面粗さ計にて
測定し、これらを比較することにより求めた。
なお、用いたヘッドは、上記(3)に示す薄膜ヘッドで
あり、摩耗部は、主として磁極および保護膜であった。
あり、摩耗部は、主として磁極および保護膜であった。
これらの試験結果を表1に示す。
表1に示される結果から、本発明の効果が明らかである
。
。
すなわち、固体保護層の組成が本発明の範囲内であるサ
ンプルは、各試験の結果が良好である。 これに対し、
Rの含有量がlat%未満および10at%超である組
成の固体保護層を有するサンプルは5これらの性能が劣
っていた。
ンプルは、各試験の結果が良好である。 これに対し、
Rの含有量がlat%未満および10at%超である組
成の固体保護層を有するサンプルは5これらの性能が劣
っていた。
[実施例2]
固体保護層形成法を変えた他は実施例1と同様にして、
種々の磁気ディスクサンプルを作製した。 固体保護層
の形成法を以下に示す。
種々の磁気ディスクサンプルを作製した。 固体保護層
の形成法を以下に示す。
E固体保護M]
Arと、02および/またはN2とを含む雰囲気中で、
RFマグネトロンスバッタ法により、下記表6に示す各
種組成および接触角を有する固体保護層を厚さ0.01
−に形成した。
RFマグネトロンスバッタ法により、下記表6に示す各
種組成および接触角を有する固体保護層を厚さ0.01
−に形成した。
なお、Ar圧は1X10”’Paとし、これにl〜10
%の02および/またはN2を加えることにより接触角
を変更した。 なお、?2に示すサンプルのうち接触角
が80”を超えるものは、0■だけを加えて成膜したも
のである。
%の02および/またはN2を加えることにより接触角
を変更した。 なお、?2に示すサンプルのうち接触角
が80”を超えるものは、0■だけを加えて成膜したも
のである。
接触角は、固体保護層表面に純水を滴下して30秒後に
測定した。 接触角測定の際の雰囲気は、20℃、55
%RHとした。
測定した。 接触角測定の際の雰囲気は、20℃、55
%RHとした。
スバッタに用いたターゲットは、固体保護層に対応する
組成を有する焼結体を用いた。
組成を有する焼結体を用いた。
各固体保護層のビッカース硬度を表2に示す。 ビッカ
ース硬度は、各磁気ディスクサンプルの固体保護層と同
条件で2戸の厚さに形成した膜で測定した。
ース硬度は、各磁気ディスクサンプルの固体保護層と同
条件で2戸の厚さに形成した膜で測定した。
このようにして得られた各サンプルに対し、実施例1の
(2)耐候性試験および(3)電磁変換特性の測定に加
え、下記の試験(5)および(6)を行なった。
(2)耐候性試験および(3)電磁変換特性の測定に加
え、下記の試験(5)および(6)を行なった。
(5)嗣久試験B
垂直磁気記録用のフロッピーディスクドライブに各サン
プルを実装し、初期出力の70%まで出力が低下したと
きのパス数を求めた。
プルを実装し、初期出力の70%まで出力が低下したと
きのパス数を求めた。
磁気ヘッドには垂直記録用の薄膜ヘッドを使用し、負荷
はLog、摺動速度は2 m/sとした。
はLog、摺動速度は2 m/sとした。
(6)ヘッド摩耗試験B
実施例1の(4)ヘッド摩耗試験Aにおいで、摺動条件
をより過酷なものとした。
をより過酷なものとした。
すなわち、ヘッドとディスクとを、負荷15g、相対速
度2 m/secで摺動させ、1 000時間後のヘッ
ド摩耗量を測定した。 ヘッド摩耗潰は、走行開始時お
よび走行開始1000時間後のヘッド形状を触針型表面
粗さ計にて測定し7、これらを比較することにより求め
た。
度2 m/secで摺動させ、1 000時間後のヘッ
ド摩耗量を測定した。 ヘッド摩耗潰は、走行開始時お
よび走行開始1000時間後のヘッド形状を触針型表面
粗さ計にて測定し7、これらを比較することにより求め
た。
これらの試験結果を表2に示す。
表2に示される結果から、固体保護層の接触角が80”
以下となると、各試験の結果が良好となることがわかる
。
以下となると、各試験の結果が良好となることがわかる
。
[実施例3]
保護潤滑膜の組成を、表3のように変えて種々の磁気デ
ィスクを作製した。 保護潤滑膜以外は実施例2で作製
したサンプルNo.12と同様とした。
ィスクを作製した。 保護潤滑膜以外は実施例2で作製
したサンプルNo.12と同様とした。
なお、保護潤屑膜は下記のように成膜した。
(LB法)
表3に示す化合物の10−4モル/℃クロロホルム溶液
を調製し、展開溶液とした。
を調製し、展開溶液とした。
まず、水相中に被処理体を浸漬した後、展開溶?夜を水
相表面に均一に落し、単分子膜を展開した。
相表面に均一に落し、単分子膜を展開した。
次に、表面圧が所定圧となるまで界面を圧縮し、被処理
体を一定の速度でほぼ垂直に上昇させて被処理体上に単
分子膜を移し取り、さらに被処理体の下降および上昇を
繰り返して単分子膜を累積し、保護潤滑膜とした。
体を一定の速度でほぼ垂直に上昇させて被処理体上に単
分子膜を移し取り、さらに被処理体の下降および上昇を
繰り返して単分子膜を累積し、保護潤滑膜とした。
(塗布法)
表3に示す化合物のクロロホルム溶液を塗布溶液とした
。 濃度は、デイツビングの場合0.1wt%とし、ス
ビンコートの場合0.2wt%とした。
。 濃度は、デイツビングの場合0.1wt%とし、ス
ビンコートの場合0.2wt%とした。
ただし、基板にはガラス基板を用いた。
ガラス基板は、下記のようにして作製した。
外径130mm、内径40mm、厚さ1.9mmのアル
ミノケイ酸ガラス板を研磨し、さらに化学強化処理を施
した。 化学強化処理は、450℃の溶融硝酸カリウム
に10時間浸漬することにより行なった。
ミノケイ酸ガラス板を研磨し、さらに化学強化処理を施
した。 化学強化処理は、450℃の溶融硝酸カリウム
に10時間浸漬することにより行なった。
次いで、このガラス板表面をメカノケミカルボリッシン
グにより平滑化した。 メカノケミカルボリッシングに
は、コロイダルシリ力を含む研磨戚を用いた。 次いで
洗浄し、ガラス基板を得た。
グにより平滑化した。 メカノケミカルボリッシングに
は、コロイダルシリ力を含む研磨戚を用いた。 次いで
洗浄し、ガラス基板を得た。
このようにして得られたガラス基板の表面粗さ(Rma
x)は、50人であった。
x)は、50人であった。
これらの被検サンプルについて、初期摩擦係数および耐
久走行後の摩擦係数の測定を行なった。
久走行後の摩擦係数の測定を行なった。
扱遡』U虹医較
実施例1の(3)電磁変換特性の測定に用いた磁気ヘッ
ドを用い、20℃、60%RH雰囲気下、l rpmに
て1分間動摩擦係数を測定した。
ドを用い、20℃、60%RH雰囲気下、l rpmに
て1分間動摩擦係数を測定した。
結果を表3に示す。
,1−′の ,7.′
上記と同様な磁気ヘッドにより、20℃、60%RH雰
囲気下、l O O rpmにて30分間接触走行を行
なった後、1 rpmにて1分間動摩擦係数を測定した
。
囲気下、l O O rpmにて30分間接触走行を行
なった後、1 rpmにて1分間動摩擦係数を測定した
。
結果を表3に示す。 なお、表3に示す摩擦係数の変化
は、測定中の最小値と最大値である。
は、測定中の最小値と最大値である。
[実施例4〕
実施例3と全く同様にして、表4に示される保護潤滑膜
を有する磁気ディスクを作製した。
を有する磁気ディスクを作製した。
これらの特性を表4に示す。
表3、表4に示される結果から、
本発明の効
果があきらかである。
く発明の効果〉
本発明によれば、走行性および耐久性の高い磁気記録媒
体および信頼性の高い磁気記録再生方法が実現する。
体および信頼性の高い磁気記録再生方法が実現する。
第1図は、本発明の磁気記録媒体の好適実施例を示す部
分断面図である。 符号の説明 1・・・磁気記録媒体 2・・・基板 3・・・軟磁性膜 4・・・磁性層 5・・・固体保護層 6・・・保護潤滑膜 F 1 G 1
分断面図である。 符号の説明 1・・・磁気記録媒体 2・・・基板 3・・・軟磁性膜 4・・・磁性層 5・・・固体保護層 6・・・保護潤滑膜 F 1 G 1
Claims (4)
- (1)支持体上に軟磁性膜、垂直磁化膜、固体保護層お
よび保護潤滑膜をこの順に有する磁気記録媒体であって
、 前記保護潤滑膜が、脂肪酸であって融点30℃以上のも
のと、エステルとを含有することを特徴とする磁気記録
媒体。 - (2)支持体上に、軟磁性膜、垂直磁化膜、固体保護層
および保護潤滑膜をこの順に有する磁気記録媒体であっ
て、 前記保護潤滑膜が、脂肪酸であって融点30℃以上のも
のと、アルコールとを含有することを特徴とする磁気記
録媒体。 - (3)前記固体保護層が、R(ただしRは、Yを含む希
土類元素から選択される1種以上の元素を表わす。)を
除く金属または半金属から選択される1種以上の元素と
、OおよびNとを含有し、さらに、これらの元素に対し
1〜10at%のRを含有する請求項1または2に記載
の磁気記録媒体。 - (4)セラミックス基体上に、薄膜磁極層を有する磁気
ヘッドにより、記録再生を行う請求項1ないし3のいず
れかに記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19118289A JPH0354722A (ja) | 1989-07-24 | 1989-07-24 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19118289A JPH0354722A (ja) | 1989-07-24 | 1989-07-24 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0354722A true JPH0354722A (ja) | 1991-03-08 |
Family
ID=16270267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19118289A Pending JPH0354722A (ja) | 1989-07-24 | 1989-07-24 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0354722A (ja) |
-
1989
- 1989-07-24 JP JP19118289A patent/JPH0354722A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3661949B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH0354722A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP3168613B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH0249218A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP2625652B2 (ja) | メモリ装置 | |
| JPH02276021A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH0358302A (ja) | 磁気記録再生方法および磁気記録媒体 | |
| JP3962962B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH10289436A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP3186223B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP2666430B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH02276022A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH0520675A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP3037702B2 (ja) | 磁気記録媒体および磁気記録再生方法 | |
| JPH07102271A (ja) | 潤滑剤及び磁気記録媒体 | |
| JP3168674B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH0337825A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH02276018A (ja) | 磁気記録再生方法および磁気記録媒体 | |
| JPH10289441A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH02175791A (ja) | 有機膜、磁気記録媒体、磁気ヘッドおよび磁気記録再生方法 | |
| JPH08138233A (ja) | 潤滑剤およびこれを用いた磁気記録媒体 | |
| JPH0312817A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH02162518A (ja) | 磁気記録媒体および磁気記録再生方法 | |
| JPH0887744A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH04278220A (ja) | 磁気ディスク、浮上型磁気ヘッドおよび磁気記録再生方法 |