JPH0337880B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0337880B2 JPH0337880B2 JP59186966A JP18696684A JPH0337880B2 JP H0337880 B2 JPH0337880 B2 JP H0337880B2 JP 59186966 A JP59186966 A JP 59186966A JP 18696684 A JP18696684 A JP 18696684A JP H0337880 B2 JPH0337880 B2 JP H0337880B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon carbide
- sintered body
- shielding material
- electromagnetic wave
- present
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は主としてコンピユーター機器から発生
する低周波ノイズの吸収特性を有する炭化珪素焼
結体から構成される筐体形態の電磁波シールド材
に関する。
する低周波ノイズの吸収特性を有する炭化珪素焼
結体から構成される筐体形態の電磁波シールド材
に関する。
Ｃ−MOSなどのIC半導体を搭載したコンピユ
ーター機器から発生するノイズは、１〜500MHz
程度といわれており、なかでもパーソナルコンピ
ユーターは30〜200MHzの低周波領域のノイズを
多く発生することが知られているが、本発明はこ
れらの電子部品等のシールド効果を有する炭化珪
素質焼結体から構成される筐体の電磁波シールド
材を提供するものである。
ーター機器から発生するノイズは、１〜500MHz
程度といわれており、なかでもパーソナルコンピ
ユーターは30〜200MHzの低周波領域のノイズを
多く発生することが知られているが、本発明はこ
れらの電子部品等のシールド効果を有する炭化珪
素質焼結体から構成される筐体の電磁波シールド
材を提供するものである。
従来、電磁波シールド材としては、例えば(イ)特
開昭58−66399号公報、(ロ)特開昭58−66400号公報
及び(ハ)特開昭58−49665及び(ニ)特開昭59−27596号
公報に開示されている。
開昭58−66399号公報、(ロ)特開昭58−66400号公報
及び(ハ)特開昭58−49665及び(ニ)特開昭59−27596号
公報に開示されている。
前記(イ)は、炭素珪素を主成分とする中間層又は
炭化珪素と炭素とを主成分とする中間層を有し、
表層及び裏層が合成樹脂層であることを特徴とす
るシールド用シート材に関するものである。
炭化珪素と炭素とを主成分とする中間層を有し、
表層及び裏層が合成樹脂層であることを特徴とす
るシールド用シート材に関するものである。
前記(ロ)は、炭化珪素粉末を主成分とするシール
ド層又は炭化珪素粉末と炭素粉末とが主として混
在するシールド層を有する筐体に関するものであ
る。
ド層又は炭化珪素粉末と炭素粉末とが主として混
在するシールド層を有する筐体に関するものであ
る。
また前記(ハ)は、70重量％以上の炭化珪素を含有
してなる誘電加熱用セラミツク体に関するもので
ある。
してなる誘電加熱用セラミツク体に関するもので
ある。
そして前記(ニ)は、比抵抗１オーム・cm以上を有
する緻密質炭化珪素よりなることを特徴とするマ
イクロ波吸収体に関するものである。
する緻密質炭化珪素よりなることを特徴とするマ
イクロ波吸収体に関するものである。
前記(イ)及び(ロ)の従来技術は、炭化珪素の半導体
としての性質、また機械的には高強度でかつ硬質
であり、電気的には電磁波吸収特性のある特徴を
利用しているが、前記シート材又は筐体には合成
樹脂が多量に使用されているため熱伝導性が低く
半導体等の電子部品に蓄熱する熱を容易に放散す
ることができず半導体などの故障の原因となり、
また耐摩耗性や機械的強度もセラミツクや金属に
比べて劣るため耐久性に乏しい欠点がある。
としての性質、また機械的には高強度でかつ硬質
であり、電気的には電磁波吸収特性のある特徴を
利用しているが、前記シート材又は筐体には合成
樹脂が多量に使用されているため熱伝導性が低く
半導体等の電子部品に蓄熱する熱を容易に放散す
ることができず半導体などの故障の原因となり、
また耐摩耗性や機械的強度もセラミツクや金属に
比べて劣るため耐久性に乏しい欠点がある。
一方前記(ハ)及び(ニ)の従来技術は、炭化珪素焼結
体から成る誘電加熱用セラミツク体であるため熱
伝導率、曲げ強度が大きく、さらには熱膨張係数
が小さいので、耐熱衝撃性がきわめて大きく急加
熱、急冷却に対してもクラツクが発生するおそれ
がない特徴を利用しているが、使用目的が誘電加
熱用又は高周波の吸収体に関するものであり、例
えば家庭等で使用される調理用電子レンジで発振
周波数が2450MHz以上の高周波領域で主として使
用される炭化珪素質焼結体、すなわち炭化珪素を
主成分とするセラミツク焼結体であつて、炭化珪
素の含有率を種々異にして誘導加熱される場合の
発熱効率（熱変換効率）を変化させることを特徴
とするものである。
体から成る誘電加熱用セラミツク体であるため熱
伝導率、曲げ強度が大きく、さらには熱膨張係数
が小さいので、耐熱衝撃性がきわめて大きく急加
熱、急冷却に対してもクラツクが発生するおそれ
がない特徴を利用しているが、使用目的が誘電加
熱用又は高周波の吸収体に関するものであり、例
えば家庭等で使用される調理用電子レンジで発振
周波数が2450MHz以上の高周波領域で主として使
用される炭化珪素質焼結体、すなわち炭化珪素を
主成分とするセラミツク焼結体であつて、炭化珪
素の含有率を種々異にして誘導加熱される場合の
発熱効率（熱変換効率）を変化させることを特徴
とするものである。
本発明は前記従来技術(イ)及び(ロ)の欠点を解消
し、さらに従来技術(ハ)及び(ニ)では解決されていな
い低周波領域における電磁波吸収特性を高め、特
に１〜500MHzのコンピユーターICから発生する
ノイズのシールド効果を向上させることを主目的
とし、前記特許請求の範囲記載の電磁波シールド
材を提供することによつて、前記目的を達成する
ものである。
し、さらに従来技術(ハ)及び(ニ)では解決されていな
い低周波領域における電磁波吸収特性を高め、特
に１〜500MHzのコンピユーターICから発生する
ノイズのシールド効果を向上させることを主目的
とし、前記特許請求の範囲記載の電磁波シールド
材を提供することによつて、前記目的を達成する
ものである。
以下、本発明の電磁波シールド材を炭化珪素質
焼結体の特性並びにその特性を表示するグラフ図
面に基づいて具体的に説明する。
焼結体の特性並びにその特性を表示するグラフ図
面に基づいて具体的に説明する。
第１図は、炭化珪素質焼結体からなる本発明の
電磁波シールド材イの周波特性と比較例である導
電性塗料ロ又はプラスチツク成形品ハから成る電
磁波シールド材の周波特性を示すグラフである。
第１図から明らかなように本発明の電磁波シール
ド材イは特に低周波領域である１〜500MHzにお
いて吸収特性がよく、特に10〜100MHzでは40dB
以上の電磁波吸収特性を示していることが判る。
その理由としては、本発明のシールド材はSi−Ｃ
結合のボンドで吸収される電磁波が１〜500MHz
であると考えられ、特に10〜100MHzの領域であ
り、さらにβ型結晶を主体として構成されてお
り、特にβ型結晶が65重量％以上含有されている
ことから、従来技術(ハ)及び(ニ)の炭化珪素焼結体と
は異なり、例えば結晶の短軸と長軸との比である
アスペクト比が嵩密度との関連で任意に変更し得
るからであると考えられる。このことは、第２図
に示す本発明の炭化珪素質焼結体のシールドにお
いて、比較的高密度である理論密度95％TDの焼
結体Ａと比較的低密度である理論密度86％TDの
焼結体Ｂとの周波特性が相違することとも関連す
る。それは、β型結晶が65重量％以上含有される
炭化珪素質焼結体にあつては、嵩密度が小さくな
ればアスペクト比は大きくなる性質を有するから
であると考えられる。
電磁波シールド材イの周波特性と比較例である導
電性塗料ロ又はプラスチツク成形品ハから成る電
磁波シールド材の周波特性を示すグラフである。
第１図から明らかなように本発明の電磁波シール
ド材イは特に低周波領域である１〜500MHzにお
いて吸収特性がよく、特に10〜100MHzでは40dB
以上の電磁波吸収特性を示していることが判る。
その理由としては、本発明のシールド材はSi−Ｃ
結合のボンドで吸収される電磁波が１〜500MHz
であると考えられ、特に10〜100MHzの領域であ
り、さらにβ型結晶を主体として構成されてお
り、特にβ型結晶が65重量％以上含有されている
ことから、従来技術(ハ)及び(ニ)の炭化珪素焼結体と
は異なり、例えば結晶の短軸と長軸との比である
アスペクト比が嵩密度との関連で任意に変更し得
るからであると考えられる。このことは、第２図
に示す本発明の炭化珪素質焼結体のシールドにお
いて、比較的高密度である理論密度95％TDの焼
結体Ａと比較的低密度である理論密度86％TDの
焼結体Ｂとの周波特性が相違することとも関連す
る。それは、β型結晶が65重量％以上含有される
炭化珪素質焼結体にあつては、嵩密度が小さくな
ればアスペクト比は大きくなる性質を有するから
であると考えられる。
したがつて、本発明によれば炭化珪素質焼結体
は少くともβ型結晶を少なくとも65重量％以上、
特に好ましくは80重量％以上含有していることが
好適である。そして、本発明のシールド材は、理
論密度が20〜95％TDであつて多孔質のものから
高密度の緻密質のものまで広範囲の嵩比度の炭化
珪素質焼結体であつて、熱伝導率が高いものであ
る。その理由は、本発明のシールド材は第１図で
示したような低周波領域において特に優れた電磁
波吸収特性を有する炭化珪素を主成分とするセラ
ミツクス焼結体により構成された筐体であるた
め、ノイズの発生源であるＣ−MOSなどのIC半
導体を筐体で被覆しておくことにより、半導体か
ら発生する熱を効率よく放散することができると
共に電磁波吸収特性によつて電磁波のシールド効
果をより完全なものとすることができるからであ
る。
は少くともβ型結晶を少なくとも65重量％以上、
特に好ましくは80重量％以上含有していることが
好適である。そして、本発明のシールド材は、理
論密度が20〜95％TDであつて多孔質のものから
高密度の緻密質のものまで広範囲の嵩比度の炭化
珪素質焼結体であつて、熱伝導率が高いものであ
る。その理由は、本発明のシールド材は第１図で
示したような低周波領域において特に優れた電磁
波吸収特性を有する炭化珪素を主成分とするセラ
ミツクス焼結体により構成された筐体であるた
め、ノイズの発生源であるＣ−MOSなどのIC半
導体を筐体で被覆しておくことにより、半導体か
ら発生する熱を効率よく放散することができると
共に電磁波吸収特性によつて電磁波のシールド効
果をより完全なものとすることができるからであ
る。
なお、本発明のシールド材は特に10〜100MHz
の如き低周波領域において優れた電磁波吸収特性
を有するものであるが、第１図に示した比較例と
しての導電性塗料ロ又は導電性プラスチツク成形
品ハの如き200MHz以上の比較的高い周波数の領
域においても電磁波吸収特性を有するシールド材
との組み合せによる筐体を形成することにより比
較的高周波領域における電磁波シールド材として
もその応用範囲を拡大することができる。また、
前記導電塗料ロ又は導電性プラスチツク形成品ハ
の中に電磁波吸収特性の優れた炭化珪素微粉末を
充填材として混入した電磁波シールド材と本発明
の炭化珪素質焼結体のシールド材との組み合せか
らなる筐体を形成することもできる。
の如き低周波領域において優れた電磁波吸収特性
を有するものであるが、第１図に示した比較例と
しての導電性塗料ロ又は導電性プラスチツク成形
品ハの如き200MHz以上の比較的高い周波数の領
域においても電磁波吸収特性を有するシールド材
との組み合せによる筐体を形成することにより比
較的高周波領域における電磁波シールド材として
もその応用範囲を拡大することができる。また、
前記導電塗料ロ又は導電性プラスチツク形成品ハ
の中に電磁波吸収特性の優れた炭化珪素微粉末を
充填材として混入した電磁波シールド材と本発明
の炭化珪素質焼結体のシールド材との組み合せか
らなる筐体を形成することもできる。
次に本発明の最も代表的な実施例について説明
する。
する。
実施例 １
出発原料として特開昭52−142697号に開示され
た主としてβ型結晶よりなる炭化珪素微粉を94重
量％含有する生成形体を焼成し、理論密度97％
TDの炭化珪素質焼結体を得た。この焼結体の平
均アスペクト比は短軸１に対し長軸が１１のもの
であつた。そしてこの焼結体を板厚４mmの板状物
に加工し、150mm×45mmと45mm×60mmの板状物を
それぞれ使用して筐体を形成し、Ｃ−MOSのIC
のシールド材に供した。その周波特性の結果は、
第２図のＡに示す通りのものであつた。
た主としてβ型結晶よりなる炭化珪素微粉を94重
量％含有する生成形体を焼成し、理論密度97％
TDの炭化珪素質焼結体を得た。この焼結体の平
均アスペクト比は短軸１に対し長軸が１１のもの
であつた。そしてこの焼結体を板厚４mmの板状物
に加工し、150mm×45mmと45mm×60mmの板状物を
それぞれ使用して筐体を形成し、Ｃ−MOSのIC
のシールド材に供した。その周波特性の結果は、
第２図のＡに示す通りのものであつた。
実施例 ２
出発原料は実施例１と同様のβ型結晶よりなる
炭化珪素微粉末を85重量％含有する生成形体を焼
成し、理論密度86％TDの炭化珪素質焼結体を得
た。この焼結体の平均アスペクト比は短軸１に対
し長軸が29のものであつた。
炭化珪素微粉末を85重量％含有する生成形体を焼
成し、理論密度86％TDの炭化珪素質焼結体を得
た。この焼結体の平均アスペクト比は短軸１に対
し長軸が29のものであつた。
そしてこの焼結体を実施例１と同様に加工して
筐体を形成し、Ｃ−MOSのICのシールド材に供
した。その周波特性の結果は、第２図のＢに示す
通りのものであつた。
筐体を形成し、Ｃ−MOSのICのシールド材に供
した。その周波特性の結果は、第２図のＢに示す
通りのものであつた。
以上のように、本発明によれば特に１〜500M
Hzの如き低周波領域において優れた電磁波吸収特
性と熱放散性を有するシールド材を提供すること
ができ、さらには一定の密度範囲の炭化珪素質焼
結体とすることにより電磁波の反射特性も付与
し、さらにまた比較的高周波領域においても優れ
た電磁波吸収特性を有する導電性プラスチツク又
は金属などを多孔質の炭化珪素質焼結体に含浸さ
せることなどにより、低周波に限定されることな
く広範囲のノイズのシールド効果を向上させるこ
とができる。
Hzの如き低周波領域において優れた電磁波吸収特
性と熱放散性を有するシールド材を提供すること
ができ、さらには一定の密度範囲の炭化珪素質焼
結体とすることにより電磁波の反射特性も付与
し、さらにまた比較的高周波領域においても優れ
た電磁波吸収特性を有する導電性プラスチツク又
は金属などを多孔質の炭化珪素質焼結体に含浸さ
せることなどにより、低周波に限定されることな
く広範囲のノイズのシールド効果を向上させるこ
とができる。
第１図は本発明のシールド材イと比較例の導電
性塗料ロ又はプラスチツク成形品ハのシールド材
の周波特性を示すグラフ、第２図は本発明の高密
度炭化珪素焼結体Ａと低密度炭化珪素焼結体Ｂと
の周波特性を示すグラフである。
性塗料ロ又はプラスチツク成形品ハのシールド材
の周波特性を示すグラフ、第２図は本発明の高密
度炭化珪素焼結体Ａと低密度炭化珪素焼結体Ｂと
の周波特性を示すグラフである。
Claims (1)
- １ β型結晶を少なくとも65重量％含有し、結晶
のアスペクト比が２〜50であり、理論密度が20〜
95％TDである炭化珪素質焼結体により構成され
てなることを特徴とする主として１〜500MHzの
低周波領域における電磁波吸収特性に優れた電磁
波シールド材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59186966A JPS6165499A (ja) | 1984-09-06 | 1984-09-06 | 炭化珪素質焼結体の電磁波シ−ルド材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59186966A JPS6165499A (ja) | 1984-09-06 | 1984-09-06 | 炭化珪素質焼結体の電磁波シ−ルド材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6165499A JPS6165499A (ja) | 1986-04-04 |
| JPH0337880B2 true JPH0337880B2 (ja) | 1991-06-06 |
Family
ID=16197841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59186966A Granted JPS6165499A (ja) | 1984-09-06 | 1984-09-06 | 炭化珪素質焼結体の電磁波シ−ルド材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6165499A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01163994A (ja) * | 1987-12-21 | 1989-06-28 | Yoshiyuki Naito | 線路用妨害波吸収体 |
| JPH0797612B2 (ja) * | 1989-12-26 | 1995-10-18 | 三菱マテリアル株式会社 | セラミックスパッケージ |
| FR2668145B1 (fr) * | 1990-10-17 | 1993-01-22 | Ceramiques Composites | Corps fritte en carbure de silicium notamment pour garniture mecanique et garniture comportant un tel corps fritte. |
| WO1993025495A1 (en) * | 1992-06-12 | 1993-12-23 | The Carborundum Company | Porous silicon carbide |
| CN112266252A (zh) * | 2020-11-04 | 2021-01-26 | 黑龙江冠瓷科技有限公司 | 一种无压烧结微纳混合碳化硅造粒粉的制备方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5864706A (ja) * | 1981-10-15 | 1983-04-18 | パイオニア株式会社 | 配線被覆材 |
| JPS60260197A (ja) * | 1984-06-07 | 1985-12-23 | 島田理化工業株式会社 | マイクロ波吸収体 |
-
1984
- 1984-09-06 JP JP59186966A patent/JPS6165499A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6165499A (ja) | 1986-04-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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| EXPY | Cancellation because of completion of term |