JPH0338846A - ボンディング方法及びボンディング装置 - Google Patents
ボンディング方法及びボンディング装置Info
- Publication number
- JPH0338846A JPH0338846A JP1174587A JP17458789A JPH0338846A JP H0338846 A JPH0338846 A JP H0338846A JP 1174587 A JP1174587 A JP 1174587A JP 17458789 A JP17458789 A JP 17458789A JP H0338846 A JPH0338846 A JP H0338846A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bonding
- laser
- lead
- bump
- semiconductor element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/072—Connecting or disconnecting of bump connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
- H10W72/07141—Means for applying energy, e.g. ovens or lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/072—Connecting or disconnecting of bump connectors
- H10W72/07231—Techniques
- H10W72/07232—Compression bonding, e.g. thermocompression bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/072—Connecting or disconnecting of bump connectors
- H10W72/07231—Techniques
- H10W72/07235—Applying EM radiation, e.g. induction heating or using a laser
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/072—Connecting or disconnecting of bump connectors
- H10W72/07231—Techniques
- H10W72/07236—Soldering or alloying
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/072—Connecting or disconnecting of bump connectors
- H10W72/07251—Connecting or disconnecting of bump connectors characterised by changes in properties of the bump connectors during connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/077—Connecting of TAB connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はテープキャリア方式のボンディング方法及び装
置に関し、特に半導体素子のバンプとリードとの接合部
の加熱にレーザを用いる方法及び装置に関する。
置に関し、特に半導体素子のバンプとリードとの接合部
の加熱にレーザを用いる方法及び装置に関する。
テープキャリア方式による従来の半導体素子のボンディ
ングについて、第3図の縦断面図を用いて説明する。
ングについて、第3図の縦断面図を用いて説明する。
テープキャリア18の構造は、一般的にポリイミドある
いはガラスエポキシなどのテープに接着剤により銅箔を
貼り合せ、さらに銅箔をエツヂング加工し、Snなどの
めっきを施し、リード1つが形成されている。
いはガラスエポキシなどのテープに接着剤により銅箔を
貼り合せ、さらに銅箔をエツヂング加工し、Snなどの
めっきを施し、リード1つが形成されている。
また、半導体素子16の電極上には、バリアメタル層を
蒸着した後めっきによりAuなとのバンプ17が形成さ
れている。このリード19とバンプ17の接合を行なう
方法は、まずリードT9をテープキャリア18に等間隔
に開けられたスプロケットホールを用いて所定の位置に
搬送し、さらに固定した後、半導体素子16を固定した
ボンディングステージ20をテープキャリア18の下へ
移動させ、テープキャリア18を下げてリード1つとバ
ンプ177の位置合せを行なう。ボンディングステージ
20はヒーター22を有し、ボンディング時の半導体素
子16への熱衝撃を緩和するため、通常ホンディング温
度以下の1.50’C前後の温度に加熱されている。次
に、ヒータ23を有し300〜550℃に加熱されたボ
ンディングツール21を下降させ、リード■9とバンプ
17を加熱、加圧する。リード19がSnめっきでバン
プ17がAuの場合は共晶合金ができ接合される。
蒸着した後めっきによりAuなとのバンプ17が形成さ
れている。このリード19とバンプ17の接合を行なう
方法は、まずリードT9をテープキャリア18に等間隔
に開けられたスプロケットホールを用いて所定の位置に
搬送し、さらに固定した後、半導体素子16を固定した
ボンディングステージ20をテープキャリア18の下へ
移動させ、テープキャリア18を下げてリード1つとバ
ンプ177の位置合せを行なう。ボンディングステージ
20はヒーター22を有し、ボンディング時の半導体素
子16への熱衝撃を緩和するため、通常ホンディング温
度以下の1.50’C前後の温度に加熱されている。次
に、ヒータ23を有し300〜550℃に加熱されたボ
ンディングツール21を下降させ、リード■9とバンプ
17を加熱、加圧する。リード19がSnめっきでバン
プ17がAuの場合は共晶合金ができ接合される。
なお、ボンディングツール21の加熱方式は、今述べた
ようにヒータ23を有し常時加熱されるいわゆるコンス
タントヒート方式の他に、ボンディング時のみボンディ
ングツールに電流を流し加熱するいわゆるパルスヒート
方式もあり、この場合一般的にはボンディングステージ
の加熱は行なわれず、その代リボンディングツールがら
の熱がホンティングステージに逃げるのを防ぐために、
ホンティングステージには断熱材が用いられる。
ようにヒータ23を有し常時加熱されるいわゆるコンス
タントヒート方式の他に、ボンディング時のみボンディ
ングツールに電流を流し加熱するいわゆるパルスヒート
方式もあり、この場合一般的にはボンディングステージ
の加熱は行なわれず、その代リボンディングツールがら
の熱がホンティングステージに逃げるのを防ぐために、
ホンティングステージには断熱材が用いられる。
また、上述したギヤングボンディング方式に対し、一箇
所ごとに接合を行なう一点ボンティンク方式がある。こ
れは超音波ウェッジボンディングに似た方法でボンデイ
ンクを行なうものである。
所ごとに接合を行なう一点ボンティンク方式がある。こ
れは超音波ウェッジボンディングに似た方法でボンデイ
ンクを行なうものである。
まず、キャリアテープを個片に切断し、ホンティングス
テージ上でリートとバンプの位置合せを行ない、ホンテ
ィングステージを回転させながら、ウェッジツールによ
りリードとバンプを加圧し、リードと同じ方向に超音波
振動を加え接合を行なう。
テージ上でリートとバンプの位置合せを行ない、ホンテ
ィングステージを回転させながら、ウェッジツールによ
りリードとバンプを加圧し、リードと同じ方向に超音波
振動を加え接合を行なう。
上述した従来のポンプインク方法では、リードに接する
平面を有するボンディングツールと、半導体素子に接す
る平面を有するホンティングステージとが、一方あるい
は双方とも加熱されるため、熱によりボンディングツー
ルのリートに接する而のそりが生じたり、またはその保
持部、駆動系の変形が生じることによるツール面と半導
体素子面又はリード面間の平行度が狂い、半導体素子上
の各接合点を均一に加圧することができないという欠点
がある。加圧が弱いと接合が不十分になり接合部のはか
れが生じ、加圧が強いと半導体素子の電極が破損する問
題が生じる。したがって通常、室温において、ボンディ
ングツールとボンディングステージとの平行度を調整し
た後、ボンディング時と同じ温度に加圧し、熱による変
形が飽和した時点で再びボディングツールとボディング
ステージとの平行度の調整を行なっていた。しかしボン
デインク時の温度は300〜550℃とかなりの高温で
あり、通常の測定器が使えないため、実際には、ザンブ
ルでボンディングを行ないサンプル上の各接合点のリー
ド及びバンプのつぶれ具合を見て平行度の調整を行なう
。このような作業により、十分な平行度が得られるまで
繰り返すという経験に頼った調整を行なわなければなら
なかった。
平面を有するボンディングツールと、半導体素子に接す
る平面を有するホンティングステージとが、一方あるい
は双方とも加熱されるため、熱によりボンディングツー
ルのリートに接する而のそりが生じたり、またはその保
持部、駆動系の変形が生じることによるツール面と半導
体素子面又はリード面間の平行度が狂い、半導体素子上
の各接合点を均一に加圧することができないという欠点
がある。加圧が弱いと接合が不十分になり接合部のはか
れが生じ、加圧が強いと半導体素子の電極が破損する問
題が生じる。したがって通常、室温において、ボンディ
ングツールとボンディングステージとの平行度を調整し
た後、ボンディング時と同じ温度に加圧し、熱による変
形が飽和した時点で再びボディングツールとボディング
ステージとの平行度の調整を行なっていた。しかしボン
デインク時の温度は300〜550℃とかなりの高温で
あり、通常の測定器が使えないため、実際には、ザンブ
ルでボンディングを行ないサンプル上の各接合点のリー
ド及びバンプのつぶれ具合を見て平行度の調整を行なう
。このような作業により、十分な平行度が得られるまで
繰り返すという経験に頼った調整を行なわなければなら
なかった。
一方、−点ポンディング方式においては、上述した通常
のギヤングボンディング方式での二千面の平行度の調整
という作業が必要でなく、そのため品種切り換えが容易
であるという利点があるが、超音波振動を加えて接合を
行なうため、ウェー5 ッジボンディングのようにボンディングの方向が一方向
に限定され、その為にキャリアテープ及び半導体素子を
回転させ、リードの方向と超音波振動の方向を合せなけ
ればならなかった。したがって、テープキャリアを回転
させるために、テープキャリアを個片に切断して使用す
るので、テープキャリア方式での搬送の容易性が失われ
るという欠点があった。
のギヤングボンディング方式での二千面の平行度の調整
という作業が必要でなく、そのため品種切り換えが容易
であるという利点があるが、超音波振動を加えて接合を
行なうため、ウェー5 ッジボンディングのようにボンディングの方向が一方向
に限定され、その為にキャリアテープ及び半導体素子を
回転させ、リードの方向と超音波振動の方向を合せなけ
ればならなかった。したがって、テープキャリアを回転
させるために、テープキャリアを個片に切断して使用す
るので、テープキャリア方式での搬送の容易性が失われ
るという欠点があった。
上述した従来のボンディング方法に対し、本発明はレー
ザが透過する材料でできた治具またはレーザが通過する
穴を有する加圧治具を用いて接合個所を加圧しながら、
レーザ光により接合部を加熱してボンディングを行なう
ようにしたものである。
ザが透過する材料でできた治具またはレーザが通過する
穴を有する加圧治具を用いて接合個所を加圧しながら、
レーザ光により接合部を加熱してボンディングを行なう
ようにしたものである。
本発明は、テープキャリアの形成されたリードと半導体
素子のバンプとを接合するテープキャリア方式のボンデ
ィング方法において、前記リードとバンプとの接合部を
加圧しながらレーザをこの接合部に照射して接合を行な
うボンディング方=6− 法、及び前記接合部を加圧する治具がレーザを透過する
材質て楢或されるか、あるいはレーザを通過させる穴を
有する加圧治具を備えたホンディング装置である。
素子のバンプとを接合するテープキャリア方式のボンデ
ィング方法において、前記リードとバンプとの接合部を
加圧しながらレーザをこの接合部に照射して接合を行な
うボンディング方=6− 法、及び前記接合部を加圧する治具がレーザを透過する
材質て楢或されるか、あるいはレーザを通過させる穴を
有する加圧治具を備えたホンディング装置である。
次に、本発明について図面を参照して説明する。第1図
は本発明の第1の実施例の縦断面図である。テープキャ
リア3上に形成されたリード4と半導体素子1上に形成
されたバンプ2の位置合せを行ない、レーザが透過する
ように石英で製作した加圧治具5を降下させ、リード4
とバンプ2を押しつけ、所定の圧力を加える。次にレー
ザ発振器で発生したレーザ7を図示しない光学系を通し
、更に加圧治具5を透過させ、バンプ2上のり一ド4上
に照射する。
は本発明の第1の実施例の縦断面図である。テープキャ
リア3上に形成されたリード4と半導体素子1上に形成
されたバンプ2の位置合せを行ない、レーザが透過する
ように石英で製作した加圧治具5を降下させ、リード4
とバンプ2を押しつけ、所定の圧力を加える。次にレー
ザ発振器で発生したレーザ7を図示しない光学系を通し
、更に加圧治具5を透過させ、バンプ2上のり一ド4上
に照射する。
また、このとき、バンプ2の下の半導体素子1の急激な
温度上昇を防ぐためにレーザの出力を弱め、照射を複数
回に分けて徐々に加熱するなどのレーザ発振器の制御を
行なう。
温度上昇を防ぐためにレーザの出力を弱め、照射を複数
回に分けて徐々に加熱するなどのレーザ発振器の制御を
行なう。
本実施例において、接合に必要なエネルギはレーザによ
り直接リード]4に供給される。そのため加圧治具5と
ボンデインクステージ6は加熱ぜす、熱による変形がな
いのて、その平行度の調整は容易に行なえる。
り直接リード]4に供給される。そのため加圧治具5と
ボンデインクステージ6は加熱ぜす、熱による変形がな
いのて、その平行度の調整は容易に行なえる。
第2図は本発明の第2の実施例の縦断面図である。ホン
ディングステージエ2はヒータ]4を有し、ボンディン
グ時の熱衝撃を緩和するための半導体素子8を予加熱す
る。そしてまずテープキャリア上に形成されたり一ド1
1と半導体素子8上に形成されたバンプ9の位置合せを
行ない、レーザが通過する穴を有するセラミックででき
た加圧治具13により、リード11上の一点づつ加圧し
、加圧治具13に開けた穴を通してレーザ光14をり一
1〜11上に照射し接合する。
ディングステージエ2はヒータ]4を有し、ボンディン
グ時の熱衝撃を緩和するための半導体素子8を予加熱す
る。そしてまずテープキャリア上に形成されたり一ド1
1と半導体素子8上に形成されたバンプ9の位置合せを
行ない、レーザが通過する穴を有するセラミックででき
た加圧治具13により、リード11上の一点づつ加圧し
、加圧治具13に開けた穴を通してレーザ光14をり一
1〜11上に照射し接合する。
この実施例では、従来の一点ホンディング方法とは異な
り、超音波接合ではないのでホンディング方向が限定さ
れることがなく、テープキャリア10を長尺のまま使用
できるという利点がある。
り、超音波接合ではないのでホンディング方向が限定さ
れることがなく、テープキャリア10を長尺のまま使用
できるという利点がある。
以上説明したように本発明は、テープキャリア上に形成
されたリードと半導体素子との接合を、リードを押える
治具を通してレーザをリードの接合箇所に照射すること
により行なうので、従来のギヤングボンディングのよう
に、接合箇所に熱を伝えるために平行度を調整する必要
のあるボンディングツールまたはボンディングステージ
を加熱するということを行なわなくて済むため、平行度
の補正を行なう必要がなくなるという効果がある。
されたリードと半導体素子との接合を、リードを押える
治具を通してレーザをリードの接合箇所に照射すること
により行なうので、従来のギヤングボンディングのよう
に、接合箇所に熱を伝えるために平行度を調整する必要
のあるボンディングツールまたはボンディングステージ
を加熱するということを行なわなくて済むため、平行度
の補正を行なう必要がなくなるという効果がある。
一方、−点ボンディングにおいては、超音波振動を加振
する代わりにレーザにより加熱し接合するので、ホンデ
ィング方向が限定されなくなり、テープを回転させる必
要がない為、長尺テープが使用できるようになるという
効果がある。
する代わりにレーザにより加熱し接合するので、ホンデ
ィング方向が限定されなくなり、テープを回転させる必
要がない為、長尺テープが使用できるようになるという
効果がある。
第1図は本発明の第1の実施例の断面図、第2図は第2
の実施例の縦断面図、第3図は従来のボンディング方法
及び装置を説明する縦断面図である。 =9 1・・・半導体素子、2・・・バンプ、3・・テープキ
ャリア、4・・・リード、5・・加圧治具、6・・・ポ
ンティングステージ、7・・・レーザ、8・半導体素子
、9・バンプ、10・・・テープキャリア、11・・り
一ト、12・・・ボンディングステージ、13・・・加
圧治具、14・・・レーザ、15・・ヒータ、16・・
・半導体素子、17・・バンプ、18・・テープキャリ
ア、19・・リード、20・・・ボンディングステージ
、21・・・ボンディングツール、22・・・ヒータ、
23・・・ヒータ。
の実施例の縦断面図、第3図は従来のボンディング方法
及び装置を説明する縦断面図である。 =9 1・・・半導体素子、2・・・バンプ、3・・テープキ
ャリア、4・・・リード、5・・加圧治具、6・・・ポ
ンティングステージ、7・・・レーザ、8・半導体素子
、9・バンプ、10・・・テープキャリア、11・・り
一ト、12・・・ボンディングステージ、13・・・加
圧治具、14・・・レーザ、15・・ヒータ、16・・
・半導体素子、17・・バンプ、18・・テープキャリ
ア、19・・リード、20・・・ボンディングステージ
、21・・・ボンディングツール、22・・・ヒータ、
23・・・ヒータ。
Claims (2)
- (1)テープキャリアに形成されたリードと半導体素子
のバンプとを接合するボンディング方法において、前記
リードとバンプとの接合部を加圧しながらこの接合部に
レーザを照射して接合を行なうことを特徴とするボンデ
ィング方法。 - (2)前記接合部を加圧する治具がレーザを透過又は通
過させる手段を備えた請求項(1)記載のボンディング
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1174587A JPH0338846A (ja) | 1989-07-05 | 1989-07-05 | ボンディング方法及びボンディング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1174587A JPH0338846A (ja) | 1989-07-05 | 1989-07-05 | ボンディング方法及びボンディング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0338846A true JPH0338846A (ja) | 1991-02-19 |
Family
ID=15981169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1174587A Pending JPH0338846A (ja) | 1989-07-05 | 1989-07-05 | ボンディング方法及びボンディング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0338846A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04352440A (ja) * | 1991-05-30 | 1992-12-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | インナーリード接合方法 |
-
1989
- 1989-07-05 JP JP1174587A patent/JPH0338846A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04352440A (ja) * | 1991-05-30 | 1992-12-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | インナーリード接合方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10497665B2 (en) | Apparatus for laser bonding of flip chip and method for laser bonding of flip chip | |
| US6478906B1 (en) | Method for bonding a flexible substrate to a chip | |
| CN105047572B (zh) | 引线接合装置以及引线接合方法 | |
| US20080237313A1 (en) | Soldering method and apparatus | |
| US3669333A (en) | Bonding with a compliant medium | |
| KR102678062B1 (ko) | 레이저 본딩 시스템 | |
| JP5076163B2 (ja) | 超音波振動接合方法および超音波振動接合装置 | |
| JP3227357B2 (ja) | リード付き基板の接合方法 | |
| JP4001341B2 (ja) | ボンディング方法およびその装置 | |
| JP2006253665A (ja) | 接合方法および接合装置 | |
| JPH0338846A (ja) | ボンディング方法及びボンディング装置 | |
| KR102678063B1 (ko) | 레이저 본딩 시스템 | |
| JP2008205003A (ja) | 実装方法、実装体および基板 | |
| JPS62101040A (ja) | 半導体素子の接続法および装置 | |
| US6962437B1 (en) | Method and apparatus for thermal profiling of flip-chip packages | |
| DE3739333A1 (de) | Verfahren zur herstellung von klebeverbindungen mittels laser | |
| KR20180076544A (ko) | 레이저 리플로우 방법 | |
| JPH02213075A (ja) | リードの接合方法 | |
| JP2707909B2 (ja) | 集積回路チップのボンディング方法 | |
| JP2004031902A (ja) | 実装方法および実装装置 | |
| JPH04300254A (ja) | 圧電セラミツクスの接合方法 | |
| JP2536425B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び製造装置 | |
| JP2661439B2 (ja) | ボンディング方法およびその治具 | |
| JPH02133378A (ja) | 窒化珪素セラミックスと金属の接合方法 | |
| JPS6386530A (ja) | 半導体装置の製造方法 |