JPH0339722A - 画像表示装置 - Google Patents
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- JPH0339722A JPH0339722A JP1173020A JP17302089A JPH0339722A JP H0339722 A JPH0339722 A JP H0339722A JP 1173020 A JP1173020 A JP 1173020A JP 17302089 A JP17302089 A JP 17302089A JP H0339722 A JPH0339722 A JP H0339722A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は−像表示装置に関するものである。
（従来の技術）
近年、液晶デイスプレィは、ポケットサイズＴＶに用い
られるなど、すでに実用段階にある。特に画質の点から
考えると、画素の一つ一つに薄膜トランジスタ（以下、
ＴＰＴと略す）スイッチを設けたアクティブマトリック
ス型が優位であり、スイッチＴＰＴの特性、特にリーク
電流を減少させる研究が行われている。
られるなど、すでに実用段階にある。特に画質の点から
考えると、画素の一つ一つに薄膜トランジスタ（以下、
ＴＰＴと略す）スイッチを設けたアクティブマトリック
ス型が優位であり、スイッチＴＰＴの特性、特にリーク
電流を減少させる研究が行われている。
第３図に従い、従来の液晶表示素子の画素部について説
明する。第３図（、）は平面図、第３図（ｂ）は第３図
（ａ）のＢ−Ｂ’の断面図である。同図において、３１
は石英基板、３２は能動ポリシリコン膜、３３はシリコ
ン酸化膜、３４はゲートのポリシリコン膜、３５は層間
絶縁膜、３６はアルミ配線、３７はクロム屯極、３８は
コンタクトホールであり、３９は透明電極である。
明する。第３図（、）は平面図、第３図（ｂ）は第３図
（ａ）のＢ−Ｂ’の断面図である。同図において、３１
は石英基板、３２は能動ポリシリコン膜、３３はシリコ
ン酸化膜、３４はゲートのポリシリコン膜、３５は層間
絶縁膜、３６はアルミ配線、３７はクロム屯極、３８は
コンタクトホールであり、３９は透明電極である。
第３図に示すように、従来はゲートポリシリコン膜３４
と能動ポリシリコン膜３２との間のゲート酸化膜である
シリコン酸化膜３３を使って付加容量を構成する画素構
造がしばしばとられてきた。
と能動ポリシリコン膜３２との間のゲート酸化膜である
シリコン酸化膜３３を使って付加容量を構成する画素構
造がしばしばとられてきた。
（発明が解決しようとする課題）
上記、従来の画素表示装置では１画素数の増大とともに
画素サイズが小さくなると、負荷容量も小さくなり、液
晶に書き込まれた情報がＴＰＴのノーク電流によって放
電されるため、画素部での情報の保持が困難となる。ま
た、負荷容量を増加するために、シリコン酸化膜を薄く
すると、能動ポリシリコン膜とゲートポリシリコン膜と
の間の導通が悪くなる欠点があった。
画素サイズが小さくなると、負荷容量も小さくなり、液
晶に書き込まれた情報がＴＰＴのノーク電流によって放
電されるため、画素部での情報の保持が困難となる。ま
た、負荷容量を増加するために、シリコン酸化膜を薄く
すると、能動ポリシリコン膜とゲートポリシリコン膜と
の間の導通が悪くなる欠点があった。
本発明の目的は、従来の欠点を解消し、大なる負荷容量
をもった画像表示装置を提供することである。
をもった画像表示装置を提供することである。
（課題を解決するための手段）
本発明の画像表示装置は、ゲート、シリコン酸化膜、ポ
リシリコンで構成される薄膜トランジスタの、ポリシリ
コンの少なくとも一部の上に、シリコン酸化膜よりも大
なる誘電率をもつ薄膜とゲートが形成されているもので
ある。
リシリコンで構成される薄膜トランジスタの、ポリシリ
コンの少なくとも一部の上に、シリコン酸化膜よりも大
なる誘電率をもつ薄膜とゲートが形成されているもので
ある。
（作 用）
上記構成により、画素の負荷容量の大きさは。
薄膜の誘電率をεいシリコン酸化膜の、１＃電率をε、
とすれば、同一膜厚１面積で比較してε、／ε９５倍と
なる。したがって１画素の小型化にともない、液晶の容
量が低下しても保持情報は負荷容量にたくわえられるの
で、ＴＰＴのリーク電流によって保持情報がもれること
はない。
とすれば、同一膜厚１面積で比較してε、／ε９５倍と
なる。したがって１画素の小型化にともない、液晶の容
量が低下しても保持情報は負荷容量にたくわえられるの
で、ＴＰＴのリーク電流によって保持情報がもれること
はない。
（実施例）
本発明の一実施例を第１図および第２図に基づいて説明
する。
する。
第１図（ａ）は本発明の画像表示装置の平面図であり、
第を図（ｂ）は第１図（ａ）のＡ−Ａ’の断面図である
。第２図は第１図を形成するプロセス・フローである。
第を図（ｂ）は第１図（ａ）のＡ−Ａ’の断面図である
。第２図は第１図を形成するプロセス・フローである。
第１図、第２図において、１１は石英基板、１２は能動
ポリシリコン膜、１３はシリコン酸化膜、 １４はゲー
トポリシリコン膜、１５はシリコン窒化膜、１６は層間
絶縁膜、 １７はアルミ配線、 １８はクロム電極、１
９はコンタクトホール、２０は透明電極であり、２１は
不純物イオンである。
ポリシリコン膜、１３はシリコン酸化膜、 １４はゲー
トポリシリコン膜、１５はシリコン窒化膜、１６は層間
絶縁膜、 １７はアルミ配線、 １８はクロム電極、１
９はコンタクトホール、２０は透明電極であり、２１は
不純物イオンである。
次に第１図を形成するまでのプロセスを第２図に基づい
て説明する。石英基板１１上に能動ポリシリコン膜１２
を２０００Å程度堆積したのち、エツチングにより、島
状に形成する。次に負荷容量となる部分に不純物イオン
２１を注入する（第２図（ａ））。
て説明する。石英基板１１上に能動ポリシリコン膜１２
を２０００Å程度堆積したのち、エツチングにより、島
状に形成する。次に負荷容量となる部分に不純物イオン
２１を注入する（第２図（ａ））。
次にゲート酸化膜としてシリコン酸化膜１３を１３００
人程度形成したのち、負荷容量の部分だけ、シリコン酸
化膜１３を除去する（第２図（ｂ））。次にＬＰＣＶＤ
法を用いてシリコン窒化膜１５を５００人程形成成し、
負荷容量の部分以外を除去する（第２図（Ｃ））。さら
に、ゲートポリシリコン膜１４を堆積したのち（第２図
（ｄ））、通常の画像表示装置プロセスを用いて第１図
に示す構造を形成する。
人程度形成したのち、負荷容量の部分だけ、シリコン酸
化膜１３を除去する（第２図（ｂ））。次にＬＰＣＶＤ
法を用いてシリコン窒化膜１５を５００人程形成成し、
負荷容量の部分以外を除去する（第２図（Ｃ））。さら
に、ゲートポリシリコン膜１４を堆積したのち（第２図
（ｄ））、通常の画像表示装置プロセスを用いて第１図
に示す構造を形成する。
第１図のような構成とすれば、負荷容量の大きさは１通
常の構成の画素の約１０倍となる。したがって、画素の
小型化にともない画素容量が低下しても、大きな負荷容
量を確保できるので、ＴＰＴのリーク電流によって保持
情報がもれることはない。したがって、高画質を確保す
ることができる。
常の構成の画素の約１０倍となる。したがって、画素の
小型化にともない画素容量が低下しても、大きな負荷容
量を確保できるので、ＴＰＴのリーク電流によって保持
情報がもれることはない。したがって、高画質を確保す
ることができる。
なお、シリコン窒化膜のかわりに、５ｉＯＮ。
Ｔａ、○、、Ａ＃２０．．Ｔｉｅ２．Ｓｍ２Ｏ３，５ｒ
ＴｉＯ，。
ＴｉＯ，。
ＢａＴａ、Ｏ，などのシリコン酸化膜よりも大なる誘電
率をもつ薄膜を用いても同様な効果が得られる。
率をもつ薄膜を用いても同様な効果が得られる。
（発明の効果）
本発明によれば、大なる負荷容量を確保することができ
１画素が小型になっても情報の保持を保証することがで
き、その実用上の効果は大である。
１画素が小型になっても情報の保持を保証することがで
き、その実用上の効果は大である。
第１図（ａ）は本発明の一実施例における画像表示装置
の平面図、第工図（ｂ）は同断面図、第２図は第１図を
形成するプロセス・フロー、第３図（ａ）、 （ｂ）は
従来の画像表示装置の平面図と断面図である。 １１・・・石英基板、１２・・・能動ポリシリコン膜、
１３・・・シリコン酸化膜、１４・・・ゲートポリシリ
コン膜、１５・・・シリコン窒化膜、１６・・・層間絶
縁膜、１７・・・アルミ配線、 １８・・・ クロム電
極、１９・・・コンタクトホール、２０・・・−透明電
極。 ２１・・・不純物イオン。
の平面図、第工図（ｂ）は同断面図、第２図は第１図を
形成するプロセス・フロー、第３図（ａ）、 （ｂ）は
従来の画像表示装置の平面図と断面図である。 １１・・・石英基板、１２・・・能動ポリシリコン膜、
１３・・・シリコン酸化膜、１４・・・ゲートポリシリ
コン膜、１５・・・シリコン窒化膜、１６・・・層間絶
縁膜、１７・・・アルミ配線、 １８・・・ クロム電
極、１９・・・コンタクトホール、２０・・・−透明電
極。 ２１・・・不純物イオン。
Claims (1)
- ゲート、シリコン酸化膜、ポリシリコンで構成される薄
膜トランジスタの、前記ポリシリコンの少なくとも一部
の上に、前記シリコン酸化膜よりも大なる誘電率をもつ
薄膜と、前記ゲートが形成されていることを特徴とする
画像表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1173020A JPH0339722A (ja) | 1989-07-06 | 1989-07-06 | 画像表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1173020A JPH0339722A (ja) | 1989-07-06 | 1989-07-06 | 画像表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0339722A true JPH0339722A (ja) | 1991-02-20 |
Family
ID=15952721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1173020A Pending JPH0339722A (ja) | 1989-07-06 | 1989-07-06 | 画像表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0339722A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007108513A (ja) * | 2005-10-14 | 2007-04-26 | Koninkl Philips Electronics Nv | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| JP2008151826A (ja) * | 2006-12-14 | 2008-07-03 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| US9443455B2 (en) | 2011-02-25 | 2016-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device having a plurality of pixels |
-
1989
- 1989-07-06 JP JP1173020A patent/JPH0339722A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007108513A (ja) * | 2005-10-14 | 2007-04-26 | Koninkl Philips Electronics Nv | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| JP2008151826A (ja) * | 2006-12-14 | 2008-07-03 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| US9443455B2 (en) | 2011-02-25 | 2016-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device having a plurality of pixels |
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