JPH0339970A - 電子写真像形成システム - Google Patents
電子写真像形成システムInfo
- Publication number
- JPH0339970A JPH0339970A JP1339918A JP33991889A JPH0339970A JP H0339970 A JPH0339970 A JP H0339970A JP 1339918 A JP1339918 A JP 1339918A JP 33991889 A JP33991889 A JP 33991889A JP H0339970 A JPH0339970 A JP H0339970A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- charge transport
- charge
- transport layer
- photoreceptor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/10—Bases for charge-receiving or other layers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/131—Anticurl layer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は一般に電子写真に関し、さらに詳細には、可撓
性の耐カール性光導電性像形底部材に関する。
性の耐カール性光導電性像形底部材に関する。
〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題〕静電写
真技術においては、光導電性絶縁層を含む静電写真プレ
ートを、先ずこの静電写真プレートの像形成表面上に静
電荷を均一に付着させ次いでこのプレートを光のような
活性化電磁照射像に露光させ、これによりプレートの照
射領域の電荷を選択的に消散させ一方非照射領域の静電
潜像を残存させることによって像形成させている。次に
、この静電潜像は微細な検電マーキング粒子を上記像形
成表面上に付着させることによって現像し可視1象とす
ることができる。
真技術においては、光導電性絶縁層を含む静電写真プレ
ートを、先ずこの静電写真プレートの像形成表面上に静
電荷を均一に付着させ次いでこのプレートを光のような
活性化電磁照射像に露光させ、これによりプレートの照
射領域の電荷を選択的に消散させ一方非照射領域の静電
潜像を残存させることによって像形成させている。次に
、この静電潜像は微細な検電マーキング粒子を上記像形
成表面上に付着させることによって現像し可視1象とす
ることができる。
静電写真で使用する光導電性層はガラス質セレンのよう
な単一材料の均質層でなり得あるいは光導電体と池の材
料を含有する複合層であり得る。
な単一材料の均質層でなり得あるいは光導電体と池の材
料を含有する複合層であり得る。
電子写真で用いる複合光導電性層の1つのタイプは米国
特許第4.265.99Q号:=開示されて−)る。該
米国特許:こ開示されている感光性部材はタテ;くとも
2つの電気作動層を有するっ 1つの層は正孔を光発生
させ・、この光発生正孔を隣接する電荷輸送層に注入し
得る光導電性層を含む。一般に、これら2つの電気作動
層が導電性層:二支持され上記光導電性層が隣接する電
荷輸送層と上記導電性層との間にはさまれている場合に
は、電荷輸送層の外表面を通常均一な静電荷で帯電させ
、導電性層は電極として用いる。可撓性の電子写真像形
底部材においては、その電極は通常熱可塑性附脂のウェ
ブ上に支持された薄い導電性コーティングである。
特許第4.265.99Q号:=開示されて−)る。該
米国特許:こ開示されている感光性部材はタテ;くとも
2つの電気作動層を有するっ 1つの層は正孔を光発生
させ・、この光発生正孔を隣接する電荷輸送層に注入し
得る光導電性層を含む。一般に、これら2つの電気作動
層が導電性層:二支持され上記光導電性層が隣接する電
荷輸送層と上記導電性層との間にはさまれている場合に
は、電荷輸送層の外表面を通常均一な静電荷で帯電させ
、導電性層は電極として用いる。可撓性の電子写真像形
底部材においては、その電極は通常熱可塑性附脂のウェ
ブ上に支持された薄い導電性コーティングである。
明Sかに、導電性層は電荷輸送層が導電性層と電子を光
発生させ光発生電子を電荷輸送層に注入し得る光導電性
層との間にはさまれている場合にも電極として機能し得
る。この態様における電荷輸送層(ま、勿論、光導電性
層からの光発生電子の注入を支持しこの電子を電荷輸送
層を通しで輸送し得なければならない。
発生させ光発生電子を電荷輸送層に注入し得る光導電性
層との間にはさまれている場合にも電極として機能し得
る。この態様における電荷輸送層(ま、勿論、光導電性
層からの光発生電子の注入を支持しこの電子を電荷輸送
層を通しで輸送し得なければならない。
電荷発生層及び電荷輸送層用の種々の材料の組合せが研
究されている。例えば、米国特許第4.265,990
号に記載された感光性部材はポリカーボネート樹脂と1
種以上のある種の芳香族アミン化合物を含む電荷輸送層
と隣接した電荷発生層を用いている。正孔の光発生およ
びこの正孔の電荷輸送層への注入能力を示す光導電性層
を含む種々の発生層もまた研究されている。発生層に用
いる典型的な光導電性材料には非晶質セレン、三方晶セ
レン、およびセレン−テルル、セレン−テルル−ひ素、
セレン−ひ素のようなセレン合金並びにこれらの混合物
がある。電荷発生層は均質光導電性材料またはバインダ
ー中に分散させた粒状光導電性材料であり得る。均質お
よびバインダー電荷発生層の他の例は、例えば、米国特
許第4,265,990号に開示されている。ポリ (
ヒドロキシエーテル)樹脂のようなバインダー材料のさ
らに別の例は米国特許第4,439,507号に教示さ
れている。これら米国特許第4.265,990号およ
び第、4,439,507号の記載はそのすべてを本明
細書に引用する。上述したような例えば、米国特許第4
,265,990号に記載されている少なくとも2つの
電気作動層を有する感光性部材は、均一な負静電荷で帯
電させ、光像に露光し次いで微細な現像検電マーキング
粒子で現像したとき、優れた像を与える。
究されている。例えば、米国特許第4.265,990
号に記載された感光性部材はポリカーボネート樹脂と1
種以上のある種の芳香族アミン化合物を含む電荷輸送層
と隣接した電荷発生層を用いている。正孔の光発生およ
びこの正孔の電荷輸送層への注入能力を示す光導電性層
を含む種々の発生層もまた研究されている。発生層に用
いる典型的な光導電性材料には非晶質セレン、三方晶セ
レン、およびセレン−テルル、セレン−テルル−ひ素、
セレン−ひ素のようなセレン合金並びにこれらの混合物
がある。電荷発生層は均質光導電性材料またはバインダ
ー中に分散させた粒状光導電性材料であり得る。均質お
よびバインダー電荷発生層の他の例は、例えば、米国特
許第4,265,990号に開示されている。ポリ (
ヒドロキシエーテル)樹脂のようなバインダー材料のさ
らに別の例は米国特許第4,439,507号に教示さ
れている。これら米国特許第4.265,990号およ
び第、4,439,507号の記載はそのすべてを本明
細書に引用する。上述したような例えば、米国特許第4
,265,990号に記載されている少なくとも2つの
電気作動層を有する感光性部材は、均一な負静電荷で帯
電させ、光像に露光し次いで微細な現像検電マーキング
粒子で現像したとき、優れた像を与える。
1種以上の光R電性層を可撓性支持基体に塗布させると
きには、得られる光導電性部材がカールする傾向にある
ことが判明している。カール化は光導電性部材の像形成
表面の種々の部分が電子写真像形成工程中に帯電装置お
よび現像剤アプリケーター等から種々の距離に位置しそ
れによって最終の現像品質に悪影響を及ぼすので望まし
くない。
きには、得られる光導電性部材がカールする傾向にある
ことが判明している。カール化は光導電性部材の像形成
表面の種々の部分が電子写真像形成工程中に帯電装置お
よび現像剤アプリケーター等から種々の距離に位置しそ
れによって最終の現像品質に悪影響を及ぼすので望まし
くない。
例えば、不均等な帯電距離は静電潜像の現像中に高背景
付着物における変化として表われ得る。カールした像形
成部材は支持部材に対して平坦化するのに著しい張力を
必要とする。支持部材が完全フレームフラッシュ露光用
の大きい平坦領域を含む場合、該支持部材は十分な平坦
性を得る前に破裂し得る。さらにまた、サイクル操作中
の多層型感光体ベルトの絶え間のない屈曲は疲労に基づ
く応力ひび割れを生せしめる。これらのひび割れ(クラ
ンク)は最終電子写真コピー上に印出する。
付着物における変化として表われ得る。カールした像形
成部材は支持部材に対して平坦化するのに著しい張力を
必要とする。支持部材が完全フレームフラッシュ露光用
の大きい平坦領域を含む場合、該支持部材は十分な平坦
性を得る前に破裂し得る。さらにまた、サイクル操作中
の多層型感光体ベルトの絶え間のない屈曲は疲労に基づ
く応力ひび割れを生せしめる。これらのひび割れ(クラ
ンク)は最終電子写真コピー上に印出する。
疲労による早期の欠陥は効果的な自動紙はぎ取り用の小
ロール径(例えば、19mm以下)を用いる設計におい
てこれらベルトの使用を妨げる。コーティングを光導電
性層と反対の支持基体面へ塗布してカールする傾向を防
止することができる。しかしながら、そのようなコーテ
ィングはすべての他のコーティングを施した面と反対側
の支持基体面上での追加のコーティング工程を必要とす
る。
ロール径(例えば、19mm以下)を用いる設計におい
てこれらベルトの使用を妨げる。コーティングを光導電
性層と反対の支持基体面へ塗布してカールする傾向を防
止することができる。しかしながら、そのようなコーテ
ィングはすべての他のコーティングを施した面と反対側
の支持基体面上での追加のコーティング工程を必要とす
る。
この追加のロールコーティング操作は基体ロールを抗カ
ール層を塗布するための追加の時間だけ巻き上げないで
おくことを通常必要とする。また、これらの抗カールコ
ーティングにおいては困難性が存在している。例えば、
感光体カールは高温及び高湿の緊張に満ちた条件下では
1500回程のタムい像形成サイクルにおいても時々起
り得る。
ール層を塗布するための追加の時間だけ巻き上げないで
おくことを通常必要とする。また、これらの抗カールコ
ーティングにおいては困難性が存在している。例えば、
感光体カールは高温及び高湿の緊張に満ちた条件下では
1500回程のタムい像形成サイクルにおいても時々起
り得る。
さらに、抗カールコーティングは、場合によっては、長
時間のサイクル操作中に基体から分離し光導電性像形成
部材を品質像を形成するのに許容できないものにする。
時間のサイクル操作中に基体から分離し光導電性像形成
部材を品質像を形成するのに許容できないものにする。
抗カール層はまた支持基体への貧弱は接着性:こよりは
く離し得る場合がある。
く離し得る場合がある。
キ与:二また、裏面か与の活性化電磁線の露光のために
基体および抗カール層の透明性を必要とする静電写真像
形成装置においては、抗カール層の存在に基づく透明性
のいかする減少も光導電性像形成部材の性能の低下をも
たらすであろう。透明性の低下はある場合には電磁線の
強度を増大させることによって補整できるげれども、そ
のような増大は発生する熱量および高強度を得るために
必要なより大きなコストのために一般に望ましいもので
ない。
基体および抗カール層の透明性を必要とする静電写真像
形成装置においては、抗カール層の存在に基づく透明性
のいかする減少も光導電性像形成部材の性能の低下をも
たらすであろう。透明性の低下はある場合には電磁線の
強度を増大させることによって補整できるげれども、そ
のような増大は発生する熱量および高強度を得るために
必要なより大きなコストのために一般に望ましいもので
ない。
背景的に興味ある従来技術には次のものがある。
1975年1月21日付でGuestanxに付与され
た米国特許第3.861.942号においては、凹形湾
曲を、ポリエステル写真フィルム支持体の裏面(池の面
をコーティングする前の)に、該裏面を揮発生フェノー
ル系化合物と揮発性溶媒中の界面活性剤で処理し、乾燥
させ、フィルムをポリエステルの二次転移温度以上:こ
加熱してこれらの物質を表面から揮発させることによっ
て付与しでいる。
た米国特許第3.861.942号においては、凹形湾
曲を、ポリエステル写真フィルム支持体の裏面(池の面
をコーティングする前の)に、該裏面を揮発生フェノー
ル系化合物と揮発性溶媒中の界面活性剤で処理し、乾燥
させ、フィルムをポリエステルの二次転移温度以上:こ
加熱してこれらの物質を表面から揮発させることによっ
て付与しでいる。
抗カール裏打ち鳴を有しない平坦写真フィルム製品は上
記の凹形湾曲フィルムからフィルムの他の面をフィルム
の感光性面上の構成において通常用いるコーティングの
1層以上でコーティングするとき!二得与れ、これらの
層の少iよくとも1つが乾燥時に収縮しフィルムj二対
して補整用の逆湾曲力を与えそれによってフィルムを平
坦化している。
記の凹形湾曲フィルムからフィルムの他の面をフィルム
の感光性面上の構成において通常用いるコーティングの
1層以上でコーティングするとき!二得与れ、これらの
層の少iよくとも1つが乾燥時に収縮しフィルムj二対
して補整用の逆湾曲力を与えそれによってフィルムを平
坦化している。
1981年5月5日付で5tolka等に付与された米
国特許第4.265.990号は支持基体、電荷発生層
および電荷輸送層を含む感光性部材を開示している。輸
送層はジアミンとポリカーボネート樹脂を含み得る。ア
ルミニウム蒸着マイラーが好ましい基体として記載され
ている。
国特許第4.265.990号は支持基体、電荷発生層
および電荷輸送層を含む感光性部材を開示している。輸
送層はジアミンとポリカーボネート樹脂を含み得る。ア
ルミニウム蒸着マイラーが好ましい基体として記載され
ている。
1983年7月5日付でChang等に付与された米国
特許第4.381.337号は、導電性基体、接着層、
電荷発生層および電荷輸送層を含む光導電性要素を開示
している。約60℃より高′J)ガラス転移温度を有す
るポリエステルと約30℃より低いガラス転移温度を有
するポリエステルとの混合物を接着層と電荷輸送層にお
5)て使用している。支持基体は、例えば、アルミニウ
ム蒸着ポリエチレンテレフタレートフィルムであり得る
。上記電荷輸送層もまた適当な電荷輸送剤と有機バイン
ダーを含有している。
特許第4.381.337号は、導電性基体、接着層、
電荷発生層および電荷輸送層を含む光導電性要素を開示
している。約60℃より高′J)ガラス転移温度を有す
るポリエステルと約30℃より低いガラス転移温度を有
するポリエステルとの混合物を接着層と電荷輸送層にお
5)て使用している。支持基体は、例えば、アルミニウ
ム蒸着ポリエチレンテレフタレートフィルムであり得る
。上記電荷輸送層もまた適当な電荷輸送剤と有機バイン
ダーを含有している。
1983年7月5日付でChang等に付与された米国
特許第4,391.888号はポリカーボネートバイヤ
ー層と電荷輸送層とを有する多層型有機光導電性要素を
開示している。ポリカーボネート接着結合層は導電性支
持体上に存在させて電荷発生層に対して受容性で保持力
のあるヘース層を与えている。
特許第4,391.888号はポリカーボネートバイヤ
ー層と電荷輸送層とを有する多層型有機光導電性要素を
開示している。ポリカーボネート接着結合層は導電性支
持体上に存在させて電荷発生層に対して受容性で保持力
のあるヘース層を与えている。
1983年6月28日付でWiedemannに付与さ
れた米国特許第4.390,609号は導電性支持体、
任意構成成分としての絶縁性中間層、電荷発生化合物と
電荷輸送化合物を含む少なくとも1つの光導電性層およ
び保護透明層を含む電子写真用記録材料を開示している
。種々のバインダーが、例えば、第5欄8〜19行に列
挙されている。保護透明被覆層はポリウレタン樹脂、ポ
リカーボネート樹脂、ポリウレタン、ポリカーボネート
・または他の多くのバインダーからなる耐表面摩耗性バ
インダーを含む。
れた米国特許第4.390,609号は導電性支持体、
任意構成成分としての絶縁性中間層、電荷発生化合物と
電荷輸送化合物を含む少なくとも1つの光導電性層およ
び保護透明層を含む電子写真用記録材料を開示している
。種々のバインダーが、例えば、第5欄8〜19行に列
挙されている。保護透明被覆層はポリウレタン樹脂、ポ
リカーボネート樹脂、ポリウレタン、ポリカーボネート
・または他の多くのバインダーからなる耐表面摩耗性バ
インダーを含む。
1988年9月20日付でKan等に付与された米国特
許第4,772.526号はフッ素化ポリエーテルブロ
ックを有するブロックコポリエステルまたはコポリカー
ボネートを含むバインダー樹脂を含有する光導電性表面
層を有する電子写真要素を開示している。ポリエステル
またはポリカーボネートセグメントは像形成部材に物理
的強度を与える連続相を形成しており、一方、ポリエー
テルブロックは不連続相を形成して最適の表面特性を与
えている。
許第4,772.526号はフッ素化ポリエーテルブロ
ックを有するブロックコポリエステルまたはコポリカー
ボネートを含むバインダー樹脂を含有する光導電性表面
層を有する電子写真要素を開示している。ポリエステル
またはポリカーボネートセグメントは像形成部材に物理
的強度を与える連続相を形成しており、一方、ポリエー
テルブロックは不連続相を形成して最適の表面特性を与
えている。
1980年5月13日付でFukuda等に付与された
米国特許第4.202,937号は支持層、電荷注入層
、補助の電荷注入層、光導電性層および絶縁層を含む電
子写真感光性部材を開示している。絶縁層はまた支持層
と電荷注入層との間にも挿入し得る。支持体は金属から
作製されているようである。
米国特許第4.202,937号は支持層、電荷注入層
、補助の電荷注入層、光導電性層および絶縁層を含む電
子写真感光性部材を開示している。絶縁層はまた支持層
と電荷注入層との間にも挿入し得る。支持体は金属から
作製されているようである。
即ち、1面上を少なくとも1つの光導電性層でコーティ
ングし他の1面上を抗カール層でコーティングした支持
基体を含む静電写真像形成部材の特徴は自動のサイクル
操作静電写真複写機、複製機およびプリンターにおいて
望ましくない欠点を示す。
ングし他の1面上を抗カール層でコーティングした支持
基体を含む静電写真像形成部材の特徴は自動のサイクル
操作静電写真複写機、複製機およびプリンターにおいて
望ましくない欠点を示す。
本発明の目的は上述の欠点を克服する電子写真像形成部
材を提供することである。
材を提供することである。
本発明のもう1つの目的は改良された耐カール性を有す
る薄い可撓性の電子写真像形成部材を提供することであ
る。
る薄い可撓性の電子写真像形成部材を提供することであ
る。
本発明のもう1つの目的は抗カール層なしの薄い可撓性
の電子写真像形成部材を提供することである。
の電子写真像形成部材を提供することである。
本発明のさらにもう1つの目的は電荷輸送層のひび割れ
に対して改良された抵抗性を有する薄い可撓性の電子写
真像形成部材を提供することである。
に対して改良された抵抗性を有する薄い可撓性の電子写
真像形成部材を提供することである。
本発明のさらにもう1つの目的は各層間で改良された接
着性を有する薄い可撓性の電子写真像形成部材を提供す
ることである。
着性を有する薄い可撓性の電子写真像形成部材を提供す
ることである。
本発明のさらにもう1つの目的は支持基体と支持基体が
支持する層との間で改良された接着性を有する薄い可撓
性の電子写真像形底部材を提供することである。
支持する層との間で改良された接着性を有する薄い可撓
性の電子写真像形底部材を提供することである。
上記および他の目的は、本発明によれば、可撓性支持基
体層、導電性層、任意構成成分としての接着層、電荷発
生体層および電荷輸送層を含み、上記支持層が電荷輸送
層の熱収縮率と実質的に同し熱収縮率を有することを特
徴とする像形成部材を提供することによって遠戚される
。一般に、上記支持層と電荷輸送層は約−2X10−’
、/”c〜約+ 2 X 10−’/”Cの熱収縮率に
おける差を有し得る。木像形成部材は、カールしないの
で、任意構成成分としての接着層、電荷発生体層および
電荷輸送層を他の1面上に含有する静電写真像形成部材
の支持層の1面上で通常用いる抗カール層を必要としな
い。
体層、導電性層、任意構成成分としての接着層、電荷発
生体層および電荷輸送層を含み、上記支持層が電荷輸送
層の熱収縮率と実質的に同し熱収縮率を有することを特
徴とする像形成部材を提供することによって遠戚される
。一般に、上記支持層と電荷輸送層は約−2X10−’
、/”c〜約+ 2 X 10−’/”Cの熱収縮率に
おける差を有し得る。木像形成部材は、カールしないの
で、任意構成成分としての接着層、電荷発生体層および
電荷輸送層を他の1面上に含有する静電写真像形成部材
の支持層の1面上で通常用いる抗カール層を必要としな
い。
導電性表面を有する可撓性の支持基体は電荷輸送層の熱
収縮率と実質的に同じ熱収縮率を有する任意の適当な可
撓性ウェブまたはシートを含み得る。電導性表面を有す
る可撓性支持基体層は不透明または実質的に透明であり
得、所定の機械的性能を有する多くの適当材料を含み得
る。例えば、支持基体は可撓性の導電性層でコーティン
グした下地可撓性絶縁支持層を含み得るかあるいは光導
電性層および抗カール層を支持する十分な内部強度を有
する単なる可撓性導電性層を含み得る。可撓性導電性層
は、支持基体全体を構成し得るかあるいは下地の可撓性
ウェブ部材上のコーティングとして単に存在し得、例え
ば、アルミニウム、チタン、ニッケル、クロム、黄銅、
金、ステンレススチール、カーボンブラックおよびグラ
ファイト等を包含する任意の適当な電導性材料を含み得
る。
収縮率と実質的に同じ熱収縮率を有する任意の適当な可
撓性ウェブまたはシートを含み得る。電導性表面を有す
る可撓性支持基体層は不透明または実質的に透明であり
得、所定の機械的性能を有する多くの適当材料を含み得
る。例えば、支持基体は可撓性の導電性層でコーティン
グした下地可撓性絶縁支持層を含み得るかあるいは光導
電性層および抗カール層を支持する十分な内部強度を有
する単なる可撓性導電性層を含み得る。可撓性導電性層
は、支持基体全体を構成し得るかあるいは下地の可撓性
ウェブ部材上のコーティングとして単に存在し得、例え
ば、アルミニウム、チタン、ニッケル、クロム、黄銅、
金、ステンレススチール、カーボンブラックおよびグラ
ファイト等を包含する任意の適当な電導性材料を含み得
る。
可撓性の導電性層は厚さにおいて光導電性部材の所望の
用途により実質的に広い範囲に亘って変化し得る。従っ
て、導電性層は一般に約50オングストローム単位から
数cmの厚さ範囲にあり得る。
用途により実質的に広い範囲に亘って変化し得る。従っ
て、導電性層は一般に約50オングストローム単位から
数cmの厚さ範囲にあり得る。
高度に可撓性の感光性像形成デバイスが所望される場合
には、導電性層の厚さは約100〜約750オングスト
ローム単位である。電荷輸送層の熱収縮率と実質的に同
じ線熱収縮率を有する任意の適当な材料の任意の適当な
下地可撓性支持層には熱可塑性ポリマー単独または金属
、カーボンブラック等の導電性粒子のような他の材料と
組合せた熱可塑性皮膜形成性ポリマーがある。皮膜形成
性ポリマーを含む典型的な下地可撓性支持層には、ポリ
エーテルスルホン樹脂(PES)、ポリカーボネート+
H脂〔マクロフォル(Makrofol)) 、ポリフ
ッ化ビニル(PVF)、ポリスチレン樹脂等がある。好
ましいlはポリエーテルスルホン(IC1社より入手で
きるスタバール(Stabar)S−100) 、ポリ
フッ化ビニル(E、 1.デュポン社より人手できるテ
トラ−(Tedlar)) 、ポリビスフェノール−A
ポリカーボネート(モーベイケミカル社より人手できる
マクロフォル)および非晶質ポリエチレンテレフタレー
トClCl アメリカ社より人手できるメリナー (M
elinar))である。
には、導電性層の厚さは約100〜約750オングスト
ローム単位である。電荷輸送層の熱収縮率と実質的に同
じ線熱収縮率を有する任意の適当な材料の任意の適当な
下地可撓性支持層には熱可塑性ポリマー単独または金属
、カーボンブラック等の導電性粒子のような他の材料と
組合せた熱可塑性皮膜形成性ポリマーがある。皮膜形成
性ポリマーを含む典型的な下地可撓性支持層には、ポリ
エーテルスルホン樹脂(PES)、ポリカーボネート+
H脂〔マクロフォル(Makrofol)) 、ポリフ
ッ化ビニル(PVF)、ポリスチレン樹脂等がある。好
ましいlはポリエーテルスルホン(IC1社より入手で
きるスタバール(Stabar)S−100) 、ポリ
フッ化ビニル(E、 1.デュポン社より人手できるテ
トラ−(Tedlar)) 、ポリビスフェノール−A
ポリカーボネート(モーベイケミカル社より人手できる
マクロフォル)および非晶質ポリエチレンテレフタレー
トClCl アメリカ社より人手できるメリナー (M
elinar))である。
コーティングしたまたはコーティングなしの可撓性支持
基体層は高度に可撓性であり、例えば、シート、スクロ
ール、エンドレス可撓性ベルトのような任意の多くの種
々の形状を有し得る。好ましいのは、絶縁性ウェブがエ
ンドレス可撓性ベルトの形でありICI社より人手でき
るスタバールS−100として知られる市販されている
ポリエーテルスルホン附脂を含む。この基体ttf−l
は、好ましい電荷輸送物質の熱収縮率によく一致した熱
収縮率を有するので好ましい。好ましい電荷輸送材料に
は、例えば、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリア
クリレート等がある。満足できる結果は基体層と電荷輸
送層との線熱収縮率の差が約−2X 10−’/l’〜
約+2 X 10−’/l’である場合に得られる。好
ましくは、基体層と電荷輸送層間の熱収縮率の差は約−
I X 10−S/l〜約÷1×10−’/lである。
基体層は高度に可撓性であり、例えば、シート、スクロ
ール、エンドレス可撓性ベルトのような任意の多くの種
々の形状を有し得る。好ましいのは、絶縁性ウェブがエ
ンドレス可撓性ベルトの形でありICI社より人手でき
るスタバールS−100として知られる市販されている
ポリエーテルスルホン附脂を含む。この基体ttf−l
は、好ましい電荷輸送物質の熱収縮率によく一致した熱
収縮率を有するので好ましい。好ましい電荷輸送材料に
は、例えば、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリア
クリレート等がある。満足できる結果は基体層と電荷輸
送層との線熱収縮率の差が約−2X 10−’/l’〜
約+2 X 10−’/l’である場合に得られる。好
ましくは、基体層と電荷輸送層間の熱収縮率の差は約−
I X 10−S/l〜約÷1×10−’/lである。
最適の結果は基体層と電荷輸送層間の熱収縮率の差が約
−〇、 5 X 10−’/l〜約−〇、 5 X 1
0−’/l:である場合に得られる。線熱収縮率とは℃
毎に冷却したときの微分的な寸法収縮(fractio
nal dirnensional shrmking
)として定義される。熱収縮率特性は基体層および電荷
輸送層において各層の平面に沿って2つの方向で行う測
定によって決定する、その2つの方向は約90゜離れて
いる。熱収縮率(あるいは膨張)は、例えば、“スタン
ダード テスト メソッド フォーコニフィシエンド
オフ キユービクル サーマル ニススパンジョン オ
フ プラスチックス(Standard Te5t M
ethod for Coefficient ofC
ubicle Thermal Expansion
of plastics)”A S T ?vIデザイ
グネーション:D864−52(1978年再承認);
“スタンダード テストメソッド フォー リニア
サーマル エクスパンション オフ ソリッド マテリ
アルズ ウィズ ア ビトレアス シリカ プラトメー
ター(Standard Te5t Method f
or Linear ThermalExpansio
n of 5olid 五1aterials vnt
h a VitreousSilica Dilato
meter)” 、A S TMデヂイグネーション+
E228−85;および“スタンダードテスト オフ
コニフィシエンド オフ リニアサーマル エクスパン
ション オフプラスチックス(Standard Te
5t of Coeffieient of Line
arThermal Expansion of pl
astics)″、ASTMデザイグネーション;D6
96−79に記載されているような周知のASTM法に
よって測定し得る。
−〇、 5 X 10−’/l〜約−〇、 5 X 1
0−’/l:である場合に得られる。線熱収縮率とは℃
毎に冷却したときの微分的な寸法収縮(fractio
nal dirnensional shrmking
)として定義される。熱収縮率特性は基体層および電荷
輸送層において各層の平面に沿って2つの方向で行う測
定によって決定する、その2つの方向は約90゜離れて
いる。熱収縮率(あるいは膨張)は、例えば、“スタン
ダード テスト メソッド フォーコニフィシエンド
オフ キユービクル サーマル ニススパンジョン オ
フ プラスチックス(Standard Te5t M
ethod for Coefficient ofC
ubicle Thermal Expansion
of plastics)”A S T ?vIデザイ
グネーション:D864−52(1978年再承認);
“スタンダード テストメソッド フォー リニア
サーマル エクスパンション オフ ソリッド マテリ
アルズ ウィズ ア ビトレアス シリカ プラトメー
ター(Standard Te5t Method f
or Linear ThermalExpansio
n of 5olid 五1aterials vnt
h a VitreousSilica Dilato
meter)” 、A S TMデヂイグネーション+
E228−85;および“スタンダードテスト オフ
コニフィシエンド オフ リニアサーマル エクスパン
ション オフプラスチックス(Standard Te
5t of Coeffieient of Line
arThermal Expansion of pl
astics)″、ASTMデザイグネーション;D6
96−79に記載されているような周知のASTM法に
よって測定し得る。
プラスチック類の熱収縮は熱変化に由来する単位長さ当
りの可逆的な長さの熱変化を包含する。測定は各層中の
皮膜形成性ポリマーのガラス転移温度以下の温度で行い
、通常の膨張計のような任意の適当な装置によって行い
得る。熱収縮率はガラス転移温度を越えるときには有意
に変化する。従って、本発明の目的における熱収縮率の
値はガラス転移温度より低い温度で測定する。熱収縮率
を測定する典型的な方法はASTM D69679の
“スタンダード テスト メソッド フォー コニフィ
シエンド オフ リニア サーマルエクスパンジョン
オフ プラスチックス”である。当該技術において周知
のように、1つの材料の熱収縮率はその材料の熱収縮率
と同じである。
りの可逆的な長さの熱変化を包含する。測定は各層中の
皮膜形成性ポリマーのガラス転移温度以下の温度で行い
、通常の膨張計のような任意の適当な装置によって行い
得る。熱収縮率はガラス転移温度を越えるときには有意
に変化する。従って、本発明の目的における熱収縮率の
値はガラス転移温度より低い温度で測定する。熱収縮率
を測定する典型的な方法はASTM D69679の
“スタンダード テスト メソッド フォー コニフィ
シエンド オフ リニア サーマルエクスパンジョン
オフ プラスチックス”である。当該技術において周知
のように、1つの材料の熱収縮率はその材料の熱収縮率
と同じである。
与えられたタイプの材料の熱収縮率を測定するための試
験目的においては、各層を形成させて独立の層として試
験する。好ましくは、高分子基体は約5.6 X L
O−’/’C〜約7.5 X 10−’/’C範囲の線
熱収縮率を有する。この範囲は好ましい電荷輸送層の線
熱収縮率範囲ときっちりと一致するので好ましいもので
ある。
験目的においては、各層を形成させて独立の層として試
験する。好ましくは、高分子基体は約5.6 X L
O−’/’C〜約7.5 X 10−’/’C範囲の線
熱収縮率を有する。この範囲は好ましい電荷輸送層の線
熱収縮率範囲ときっちりと一致するので好ましいもので
ある。
基体層および電荷輸送層において用いる皮膜形成性ポリ
マーは好ましくは等方性であるべきであって異方性でな
いものである。等方性材料はすべての方向において同一
である物理的機械的性質を有する材料どし7て定義され
る。等方性材料は加熱または冷却したときゆがまないの
に対し異方性材料は加熱または冷却したときゆがむ。等
方性材料は体積または線熱膨張率試験のいずれかで試験
し得る。異方性材料はすべての方向において同一でない
物理的機械的性質を有する材料として定義される。異方
性材料の例は軸配向型ポリエチレンテレフタレート (
例えば、E、 !、デュポン社より人手できるマイラー
)である。
マーは好ましくは等方性であるべきであって異方性でな
いものである。等方性材料はすべての方向において同一
である物理的機械的性質を有する材料どし7て定義され
る。等方性材料は加熱または冷却したときゆがまないの
に対し異方性材料は加熱または冷却したときゆがむ。等
方性材料は体積または線熱膨張率試験のいずれかで試験
し得る。異方性材料はすべての方向において同一でない
物理的機械的性質を有する材料として定義される。異方
性材料の例は軸配向型ポリエチレンテレフタレート (
例えば、E、 !、デュポン社より人手できるマイラー
)である。
種々の好ましい基体材料の諸性質を次の表で示す:
第一」−一麦
各種の好ましい基体の物理的/機械的性質性質
PES PVE ?り
117*−4(Makrofol) 非晶質PET 熱膨張率 (インチ/インチ−℃〉 6.0X10−’ 7、OX 10−’ 6.5 X 10−’ 7.0 X 10−’ Tg(’C) 25 3 54 9 光透明度 透 明 半透明 透 明 透明 耐CM、CJ を性 感受性 膨 潤 7g M 膨 潤必
要に応じて、任意の適当な?ilt荷プロソキング層を
導電性層と電子写真像形成層の間に押入することができ
る。ある材料は接着層および電荷プロソキング層の両方
として機能する層を形威し得る。
117*−4(Makrofol) 非晶質PET 熱膨張率 (インチ/インチ−℃〉 6.0X10−’ 7、OX 10−’ 6.5 X 10−’ 7.0 X 10−’ Tg(’C) 25 3 54 9 光透明度 透 明 半透明 透 明 透明 耐CM、CJ を性 感受性 膨 潤 7g M 膨 潤必
要に応じて、任意の適当な?ilt荷プロソキング層を
導電性層と電子写真像形成層の間に押入することができ
る。ある材料は接着層および電荷プロソキング層の両方
として機能する層を形威し得る。
典型的なプロソキング層にはポリビニルブチラール、オ
ルガノシラン、エポキシ樹脂、ポリエステル、ポリアミ
ド、ポリウレタン、シリコーン等がある。ポリビニルブ
チラール、エポキシ樹脂、ポリエステル、ボリア果ドお
よびポリウレタンは接着層としても機能し得る。接着層
および電荷プロソキング層は好ましくは約20〜約2.
000オングストロームの乾燥厚さを有する。
ルガノシラン、エポキシ樹脂、ポリエステル、ポリアミ
ド、ポリウレタン、シリコーン等がある。ポリビニルブ
チラール、エポキシ樹脂、ポリエステル、ボリア果ドお
よびポリウレタンは接着層としても機能し得る。接着層
および電荷プロソキング層は好ましくは約20〜約2.
000オングストロームの乾燥厚さを有する。
米国特許第4,464,450号に記載されているシラ
ン反応生成物は、サイクル安定性が延長されるので、プ
ロ・7キング層材料として特に好ましい。米国特許第4
,464,450号の記載はすべて参考として本明細書
に引用する。これらのシランは、次の構造式: を有し、上式中、R+は1−20個の炭素原子を含有す
るアルキリデン基であり、R2およびR1と個々にH1
1〜3個の炭素原子を有する低級アルキル基、フェニル
基およびポリ (エチレンアミン)基からなる群より選
ばれ、R4、R,およびR,は個々に1〜4個の炭素原
子を含有する低級アルキル基より選ばれる。典型的な加
水分解性シランには、3−アミノプロピルトリエトキシ
シラン、N−アミノエチル−3−アミノプロピルトリメ
1−キシシラン、N−2−アミノエチル−3−アミノプ
ロピルトリメ!・キシシラン、N−2−アミノエチル−
3−アミノプロピルトリス(エチルエトキシ)シラン、
p−アξノフェニルトリメトキシシラン、3−アミノプ
ロピルジエチルメチルシラン、(N、N’−ジメチル3
−アミン)プロピルトリエトキシシラン、3−アミノプ
ロピルメチルジェトキシシラン、3−75ノプロピルト
リメトキシシラン、N−メチルアミノプロピルトリエト
キシシラン、メチルC2−(3−トリメ1−キジシリル
プロピルアミノ)エチルアミノコ−3−プロピオネート
、(N、N’−ジメチル3−アミノ)プロピルトリエト
キシアミン、N、N−ジメチルアミノフェニルトリエト
キシシラン、トリメトキシシリルプロピルジエチレント
リアミン、およびこれらの混合物がある。プロソキング
層形成用の加水分解シラン溶液は十分な水を加えてケイ
素原子に結合したアルコキシ基を加水分解して溶液を調
製することによって調製できる。不十分な水は通常加水
分解したシランに望ましくないゲルを生せしめるであろ
う。一般的には、希溶液が薄いコーティングを得るのに
好ましい。満足できる反応生成物層は溶液の総重量基準
で約0.1〜約1重量%のシランを含有する溶液によっ
て得ることができる。溶液の総重量基準で約0.01〜
約2.5重量%のシランを含有する溶液は均一な反応生
成物層を形成する安定な溶液において好ましい。加水分
解シラン溶液のp)Iは注意深く調整して最適の電気的
安定性を得る。約4〜約10の溶液ρ11が好ましい。
ン反応生成物は、サイクル安定性が延長されるので、プ
ロ・7キング層材料として特に好ましい。米国特許第4
,464,450号の記載はすべて参考として本明細書
に引用する。これらのシランは、次の構造式: を有し、上式中、R+は1−20個の炭素原子を含有す
るアルキリデン基であり、R2およびR1と個々にH1
1〜3個の炭素原子を有する低級アルキル基、フェニル
基およびポリ (エチレンアミン)基からなる群より選
ばれ、R4、R,およびR,は個々に1〜4個の炭素原
子を含有する低級アルキル基より選ばれる。典型的な加
水分解性シランには、3−アミノプロピルトリエトキシ
シラン、N−アミノエチル−3−アミノプロピルトリメ
1−キシシラン、N−2−アミノエチル−3−アミノプ
ロピルトリメ!・キシシラン、N−2−アミノエチル−
3−アミノプロピルトリス(エチルエトキシ)シラン、
p−アξノフェニルトリメトキシシラン、3−アミノプ
ロピルジエチルメチルシラン、(N、N’−ジメチル3
−アミン)プロピルトリエトキシシラン、3−アミノプ
ロピルメチルジェトキシシラン、3−75ノプロピルト
リメトキシシラン、N−メチルアミノプロピルトリエト
キシシラン、メチルC2−(3−トリメ1−キジシリル
プロピルアミノ)エチルアミノコ−3−プロピオネート
、(N、N’−ジメチル3−アミノ)プロピルトリエト
キシアミン、N、N−ジメチルアミノフェニルトリエト
キシシラン、トリメトキシシリルプロピルジエチレント
リアミン、およびこれらの混合物がある。プロソキング
層形成用の加水分解シラン溶液は十分な水を加えてケイ
素原子に結合したアルコキシ基を加水分解して溶液を調
製することによって調製できる。不十分な水は通常加水
分解したシランに望ましくないゲルを生せしめるであろ
う。一般的には、希溶液が薄いコーティングを得るのに
好ましい。満足できる反応生成物層は溶液の総重量基準
で約0.1〜約1重量%のシランを含有する溶液によっ
て得ることができる。溶液の総重量基準で約0.01〜
約2.5重量%のシランを含有する溶液は均一な反応生
成物層を形成する安定な溶液において好ましい。加水分
解シラン溶液のp)Iは注意深く調整して最適の電気的
安定性を得る。約4〜約10の溶液ρ11が好ましい。
最適のブロッキング層はpH約7〜約8を有する加水分
解シラン溶液で達成される、何故ならば、得られた処理
感光体のサイクルアップおよびサイクルダウン特性の抑
制が最大となるからである。
解シラン溶液で達成される、何故ならば、得られた処理
感光体のサイクルアップおよびサイクルダウン特性の抑
制が最大となるからである。
加水分解シラン溶液のpHの調整は任意の適当な有機ま
たは無機の酸または酸塩によって行い得る。
たは無機の酸または酸塩によって行い得る。
典型的な有機および無機酸および酸塩には酢酸、クエン
酸、ギ酸、沃化水素、リン酸、塩化アンモニウム、ハイ
ドロフルオロケイ酸、ブロモクレゾールグリーン、ブロ
モフェノールブルー、p−トルエンスルホン酸等がある
。
酸、ギ酸、沃化水素、リン酸、塩化アンモニウム、ハイ
ドロフルオロケイ酸、ブロモクレゾールグリーン、ブロ
モフェノールブルー、p−トルエンスルホン酸等がある
。
任意の適当な方法を用いて上記の加水分解シラン溶液を
金属導電性アノード層に塗布できる。典型的な塗布方法
にはスプレー法、ディツブ塗布法、ロール塗布法、ワイ
ヤー巻きロール塗布法等がある。
金属導電性アノード層に塗布できる。典型的な塗布方法
にはスプレー法、ディツブ塗布法、ロール塗布法、ワイ
ヤー巻きロール塗布法等がある。
加水分解シランの水溶液は、金属酸化物層に塗布する前
に調整することが好ましいが、このシランを直接金属酸
化物層に塗布し、付着したシラン被膜を水蒸気で処理し
てその場で加水分解して、金属酸化物層の表面に上述し
たpHの範囲で加水分解シラン溶液を形威し°ζもよい
。水蒸気は、蒸気でも湿り空気の形体でも構わない。一
般的には、満足できる結果は加水分解シランと金属酸化
物層の反応生成物が厚さ約20〜約2.000オングス
トロームを有する層を形成するときに得られる。
に調整することが好ましいが、このシランを直接金属酸
化物層に塗布し、付着したシラン被膜を水蒸気で処理し
てその場で加水分解して、金属酸化物層の表面に上述し
たpHの範囲で加水分解シラン溶液を形威し°ζもよい
。水蒸気は、蒸気でも湿り空気の形体でも構わない。一
般的には、満足できる結果は加水分解シランと金属酸化
物層の反応生成物が厚さ約20〜約2.000オングス
トロームを有する層を形成するときに得られる。
反応生成物層がより薄くなるときには、サイクル操作の
不安定性が増大し始める。反応生成物層の厚さが増大す
るときは、反応生成物層はより非導電性となり、残留電
荷が電子を捕捉する故に増大する傾向にあり、また厚い
反応生成物層は残留電荷の増大が許容できなくなる以前
にもろくなる傾向にある。もろいコーティングは、勿論
、可撓性感光体にとって、高速高容量の複写機、複製機
およびプリンターにおいて不適である。
不安定性が増大し始める。反応生成物層の厚さが増大す
るときは、反応生成物層はより非導電性となり、残留電
荷が電子を捕捉する故に増大する傾向にあり、また厚い
反応生成物層は残留電荷の増大が許容できなくなる以前
にもろくなる傾向にある。もろいコーティングは、勿論
、可撓性感光体にとって、高速高容量の複写機、複製機
およびプリンターにおいて不適である。
ある場合には、上記ブロッキング層と隣接の電荷発生性
即ち光発生性材料との間の中間層が接着層を改良するた
めにあるいは電気的バリヤー層として機能させるために
所望される。そのような層を用いる場合、これらの層は
約0.01〜約5μmの乾燥厚さを有するのが好ましい
。典型的な接着層にはポリエステル、ポリビニルブチラ
ール、ポリビニルピロリドン、ポリウレタン、ポリメチ
ルメタクリレート等の皮膜形成性ポリマーがある。
即ち光発生性材料との間の中間層が接着層を改良するた
めにあるいは電気的バリヤー層として機能させるために
所望される。そのような層を用いる場合、これらの層は
約0.01〜約5μmの乾燥厚さを有するのが好ましい
。典型的な接着層にはポリエステル、ポリビニルブチラ
ール、ポリビニルピロリドン、ポリウレタン、ポリメチ
ルメタクリレート等の皮膜形成性ポリマーがある。
一般に、本発明の光導電性像形成部材は支持基体層、任
意構成成分としての接着層、電荷発生体層および電荷輸
送層とを含むっ任意の適当デ:電荷発生性即ち光発生性
材料を本発明の多層型光導電体中の2つの電気作動層の
1つとして使用できる。
意構成成分としての接着層、電荷発生体層および電荷輸
送層とを含むっ任意の適当デ:電荷発生性即ち光発生性
材料を本発明の多層型光導電体中の2つの電気作動層の
1つとして使用できる。
典型的デよ電荷発生材料には米国特許第3= 317.
989号に記載されているような無金属フタロシアニン
;銅フタロシアニンのような金属フタロシアニン;デュ
ポン社より商品名モナストラル(!、1onastra
l)レッド、モナストラルバイオレットおよびモナ・
ストラルレッドYとして入手できるキナクリドン類;米
国特許第3.442.781号に記載されている置換2
゜4−ジアミノ−トリアジン;およびアライドケミカル
社より商品名インドファースト(l ndofast)
ダブルスカーレット、インドファーストバイオレットレ
ーキB1インドファーストブリリアントスカーレットお
よびインドファーストオレンジとして入手できる多核芳
香族キノン類がある。電荷発生体層の他の例は米国特許
第4.265.990号、米国特許第4.233.38
4号、米国特許第4.471.041号、米国特許第4
.489.143号、米国特許第4.307.480号
、米国特許第4,306,008号、米国特許第4,2
99,897号、米国特許第4.232.102号、米
国特許第4,233,383号、米国特許第4.415
,639号および米国特許第4.439,507号に開
示されている。これらの米国特許の記載はすべて参考と
して本明細書に引用する。
989号に記載されているような無金属フタロシアニン
;銅フタロシアニンのような金属フタロシアニン;デュ
ポン社より商品名モナストラル(!、1onastra
l)レッド、モナストラルバイオレットおよびモナ・
ストラルレッドYとして入手できるキナクリドン類;米
国特許第3.442.781号に記載されている置換2
゜4−ジアミノ−トリアジン;およびアライドケミカル
社より商品名インドファースト(l ndofast)
ダブルスカーレット、インドファーストバイオレットレ
ーキB1インドファーストブリリアントスカーレットお
よびインドファーストオレンジとして入手できる多核芳
香族キノン類がある。電荷発生体層の他の例は米国特許
第4.265.990号、米国特許第4.233.38
4号、米国特許第4.471.041号、米国特許第4
.489.143号、米国特許第4.307.480号
、米国特許第4,306,008号、米国特許第4,2
99,897号、米国特許第4.232.102号、米
国特許第4,233,383号、米国特許第4.415
,639号および米国特許第4.439,507号に開
示されている。これらの米国特許の記載はすべて参考と
して本明細書に引用する。
任意の適当な不活性樹脂バインダー物質を電荷発生体層
中で使用できる。典型的な有機樹脂バインダーにはポリ
カーボネート、アクリレートポリマー、ビニルポリマー
、セルロースポリマー、ポリエステル、ポリシロキサン
、ボリア旦ド、ポリウレタン、エポキシ等がある。多く
の有機樹脂バインダーは、例えば、米国特許第3,12
1,006号及び米国特許第4,439,507号に開
示されており、該米国特許の記載はすべて参考として本
明細書に引用する。有機樹脂ポリマーはブロック、ラン
ダムまたは交互コポリマーであり得る。光発生化合物ま
たは顔料は樹脂バインダーMi戒物中で種々の星で存在
する。電気的に不活性な即ち絶縁性の樹脂を用いる場合
、光導電性粒子間で粒子対粒子接触があることが不可欠
である。これは光導電性物質がバインダー層の少!;り
とも約15容量%の量で存在することが必要であり、バ
インダー層中の光導電体の最大量については制限ははい
。マトリックス即ちバインダーが活性物質、例えば、ポ
リ−N−ビニルカルバゾールを含むときは、光導電性物
質はバインダー層の約1容量%以下を含むのみでよく、
これもバインダー層中での光導電体の最大量についての
制限はない。−船釣には、ポリビニルカルバゾールまた
はポリ (ヒドロキシエーテル)のような電気的に活性
なマトリックス即ちバインダーを含有する発生体層にお
いては、約5〜約60容量%の光発生性顔料を約40〜
約95容量%のバインダー中に分散させ、好ましくは、
約7〜約30容量%の光発生性顔料を約70〜約93容
量%のバインダー中に分散させる。使用する特定の割合
はある程度発生体層の厚さにもよる。
中で使用できる。典型的な有機樹脂バインダーにはポリ
カーボネート、アクリレートポリマー、ビニルポリマー
、セルロースポリマー、ポリエステル、ポリシロキサン
、ボリア旦ド、ポリウレタン、エポキシ等がある。多く
の有機樹脂バインダーは、例えば、米国特許第3,12
1,006号及び米国特許第4,439,507号に開
示されており、該米国特許の記載はすべて参考として本
明細書に引用する。有機樹脂ポリマーはブロック、ラン
ダムまたは交互コポリマーであり得る。光発生化合物ま
たは顔料は樹脂バインダーMi戒物中で種々の星で存在
する。電気的に不活性な即ち絶縁性の樹脂を用いる場合
、光導電性粒子間で粒子対粒子接触があることが不可欠
である。これは光導電性物質がバインダー層の少!;り
とも約15容量%の量で存在することが必要であり、バ
インダー層中の光導電体の最大量については制限ははい
。マトリックス即ちバインダーが活性物質、例えば、ポ
リ−N−ビニルカルバゾールを含むときは、光導電性物
質はバインダー層の約1容量%以下を含むのみでよく、
これもバインダー層中での光導電体の最大量についての
制限はない。−船釣には、ポリビニルカルバゾールまた
はポリ (ヒドロキシエーテル)のような電気的に活性
なマトリックス即ちバインダーを含有する発生体層にお
いては、約5〜約60容量%の光発生性顔料を約40〜
約95容量%のバインダー中に分散させ、好ましくは、
約7〜約30容量%の光発生性顔料を約70〜約93容
量%のバインダー中に分散させる。使用する特定の割合
はある程度発生体層の厚さにもよる。
光発生性バインダー層の厚さは特に臨界はない。
約0.05〜約40,0μmの層厚が満足できることが
見い出されている。光導電性組成物および/または顔料
、および樹脂バインダー物質を含有する光発生性バイン
ダー層は好ましくは約0.1〜約5、0μmの厚さ範囲
にあり、最良の光吸収および改良された暗減衰安定性と
機械的性能のためには約0.3〜約3μmの厚さが最適
である。
見い出されている。光導電性組成物および/または顔料
、および樹脂バインダー物質を含有する光発生性バイン
ダー層は好ましくは約0.1〜約5、0μmの厚さ範囲
にあり、最良の光吸収および改良された暗減衰安定性と
機械的性能のためには約0.3〜約3μmの厚さが最適
である。
他の典型的な光導電性層には非晶質セレン、またはセレ
ン−ひ素、セレン−テルル−ひ素、セレン−テルルのよ
うなセレン合金等がある。
ン−ひ素、セレン−テルル−ひ素、セレン−テルルのよ
うなセレン合金等がある。
相対的に厚い活性電荷輸送層は支持層の熱収縮率と実質
的に同じ熱収縮率を有すべきである。満足できる結果は
基体層と電荷輸送層間の熱収縮率の差が約−2X 10
−’/”C〜約+2 X 10−57”Cであるときに
得られる。好ましいのは、基体層と電荷輸送層間の熱収
縮率の差が約−IXIO”/℃〜+I X 10−’/
’Cの間である。最適の結果は基体層と電荷輸送層間の
熱収縮率の差が約−〇、 5XIO−’/’C〜約+0
.5 X 10−’/”C(7)ときに得られる。電荷
輸送層は電荷発生層からの光発生正札および電子の注入
を支持しこれら正孔または電子を電荷輸送層を通して輸
送せしめて表面電荷を選択的に放電し得なければならな
い。活性電荷輸送層は正札または電子を輸送するように
機能するだiすでなくて光導電性層を摩耗または化学的
攻撃から保護し、従って、感光体像形成部材の操作寿命
を延長させる。電荷輸送層は静電写真において有用な光
の波長、例えば、4000〜8000オングストローム
:こ露光させたとき、いずれiこしろ無視してよい放電
を示す。従って、電荷輸送層(ま光導電体を使用すべき
領域の照射に対しで実質的に透明である。即ち、活性電
荷輸送層は光発生させた正札の発生層からの注入を支持
する実質的な非光導電性性材料である。活性輸送層は露
光をこの活性層を通して行うとき通常透明であって照射
光の殆んどを下層の電荷キャリヤー発生体層が効果的に
光発生するために利用するのを確実にする。
的に同じ熱収縮率を有すべきである。満足できる結果は
基体層と電荷輸送層間の熱収縮率の差が約−2X 10
−’/”C〜約+2 X 10−57”Cであるときに
得られる。好ましいのは、基体層と電荷輸送層間の熱収
縮率の差が約−IXIO”/℃〜+I X 10−’/
’Cの間である。最適の結果は基体層と電荷輸送層間の
熱収縮率の差が約−〇、 5XIO−’/’C〜約+0
.5 X 10−’/”C(7)ときに得られる。電荷
輸送層は電荷発生層からの光発生正札および電子の注入
を支持しこれら正孔または電子を電荷輸送層を通して輸
送せしめて表面電荷を選択的に放電し得なければならな
い。活性電荷輸送層は正札または電子を輸送するように
機能するだiすでなくて光導電性層を摩耗または化学的
攻撃から保護し、従って、感光体像形成部材の操作寿命
を延長させる。電荷輸送層は静電写真において有用な光
の波長、例えば、4000〜8000オングストローム
:こ露光させたとき、いずれiこしろ無視してよい放電
を示す。従って、電荷輸送層(ま光導電体を使用すべき
領域の照射に対しで実質的に透明である。即ち、活性電
荷輸送層は光発生させた正札の発生層からの注入を支持
する実質的な非光導電性性材料である。活性輸送層は露
光をこの活性層を通して行うとき通常透明であって照射
光の殆んどを下層の電荷キャリヤー発生体層が効果的に
光発生するために利用するのを確実にする。
透明基体を用いるときには、像形成的露光は基体を介し
てこの基体を通過するすべての光によって行い得る。こ
の場合、活性輸送層は使用する波長領域で吸収性である
必要はない。本発明における発生層と接触した電荷輸送
層は、この輸送層上の静電荷を照射の不存在下で:よ伝
導しない程度に、即ち、輸送層上の静電潜1象の形成お
よグ保持を妨げるに十分な程度に絶橡体である材料であ
るっ正孔を輸送する能力を有するポリマーは多核芳香族
炭化水素の繰返し単位を含有し、この単位は、例えば、
窒素、酸素または硫黄のようなヘテロ原子も含有し得る
。典型的tポリマーには、ポリーy−ビニルカルバゾー
ル;ポIJ −1−ビニルピレン;ポリ−9−ビニルア
ントラセン;ポリアセナフタレン;ポリ−9−(4−ペ
ンテニル)−力ルバゾール;:t’!J−9−(5−ヘ
キシル)−カルバゾール:ポリメチレンビレン;ポリ−
1−(ピレニル)−ブタジェン;ピレンのN−置換高分
子アクリル酸アミド;N、N’−ジフェニルN、N’−
ビス(3−ヒドロキシフェニル)−(1,1’ビフエニ
ル)−4,4’ ジアミンとジエチレングリコールビス
クロロホルメートとの高分子反応生成物等がある。
てこの基体を通過するすべての光によって行い得る。こ
の場合、活性輸送層は使用する波長領域で吸収性である
必要はない。本発明における発生層と接触した電荷輸送
層は、この輸送層上の静電荷を照射の不存在下で:よ伝
導しない程度に、即ち、輸送層上の静電潜1象の形成お
よグ保持を妨げるに十分な程度に絶橡体である材料であ
るっ正孔を輸送する能力を有するポリマーは多核芳香族
炭化水素の繰返し単位を含有し、この単位は、例えば、
窒素、酸素または硫黄のようなヘテロ原子も含有し得る
。典型的tポリマーには、ポリーy−ビニルカルバゾー
ル;ポIJ −1−ビニルピレン;ポリ−9−ビニルア
ントラセン;ポリアセナフタレン;ポリ−9−(4−ペ
ンテニル)−力ルバゾール;:t’!J−9−(5−ヘ
キシル)−カルバゾール:ポリメチレンビレン;ポリ−
1−(ピレニル)−ブタジェン;ピレンのN−置換高分
子アクリル酸アミド;N、N’−ジフェニルN、N’−
ビス(3−ヒドロキシフェニル)−(1,1’ビフエニ
ル)−4,4’ ジアミンとジエチレングリコールビス
クロロホルメートとの高分子反応生成物等がある。
活性電荷輸送層は電気的に不活性な高分子材料中に分散
させこれらの材料を電気的に活性にする添加剤として有
用な活性化化合物を含み得る。これらの化合物は発生物
質かちの光発生正孔の注入を支持し得ずまたこれら正孔
の輸送を行い得tい高分子材料に添加し得る。これに゛
より電気的に不活性な高分子材料を発生物質かうの光発
生正孔の注入を支持することができかつこれら正札の活
性層を通しての輸送を行い得る材料:二転化して活性層
上の表面電荷を放電させるものである。
させこれらの材料を電気的に活性にする添加剤として有
用な活性化化合物を含み得る。これらの化合物は発生物
質かちの光発生正孔の注入を支持し得ずまたこれら正孔
の輸送を行い得tい高分子材料に添加し得る。これに゛
より電気的に不活性な高分子材料を発生物質かうの光発
生正孔の注入を支持することができかつこれら正札の活
性層を通しての輸送を行い得る材料:二転化して活性層
上の表面電荷を放電させるものである。
好ましい電気的に活性な層は1種以上の次の化合物、即
ち、ポリ−N−ビニルカルバゾール;ポリ−1−ビニル
ピレン;ポリ−9−ビニルアントラセン;ポリアセナフ
タレン;ポリ−9−(4−ペンテニル)−力ルバゾール
:ホ’)−9−(5−ヘキシル〉カルバゾール;ポリメ
チレンピレン;ポリ−1−(ピレニル)−ブタジェン;
ピレンのN−置換高分子アクリル酸アミド;N、N’−
ジフェニル−N、 N’−ビス(フェニルメチル)−C
1,1’−ビフェニルE−4.f−ジアミン;N、N’
−ジフェニル−N、N’ −ビス(3−メチルフェニル
)−2,2’−’/”メチル−1,ビービフェニル−4
,4′−ジアミン等の添加によって電気的に活性にした
電気的に不活性の材料、例えば、ポリカーボネート、ポ
リスチレン、またはポリエーテルカーボネートを含む。
ち、ポリ−N−ビニルカルバゾール;ポリ−1−ビニル
ピレン;ポリ−9−ビニルアントラセン;ポリアセナフ
タレン;ポリ−9−(4−ペンテニル)−力ルバゾール
:ホ’)−9−(5−ヘキシル〉カルバゾール;ポリメ
チレンピレン;ポリ−1−(ピレニル)−ブタジェン;
ピレンのN−置換高分子アクリル酸アミド;N、N’−
ジフェニル−N、 N’−ビス(フェニルメチル)−C
1,1’−ビフェニルE−4.f−ジアミン;N、N’
−ジフェニル−N、N’ −ビス(3−メチルフェニル
)−2,2’−’/”メチル−1,ビービフェニル−4
,4′−ジアミン等の添加によって電気的に活性にした
電気的に不活性の材料、例えば、ポリカーボネート、ポ
リスチレン、またはポリエーテルカーボネートを含む。
本発明の多層型光導電体の2つの電気作動層の1つにお
いて用いる特に好ましい輸送層は約25〜約75重量%
の少なくとも1種の電荷輸送芳香族アミン化合物と約7
5〜約25重盪%の該芳香族アミンが可溶性である高分
子皮膜形成性樹脂とを含む。
いて用いる特に好ましい輸送層は約25〜約75重量%
の少なくとも1種の電荷輸送芳香族アミン化合物と約7
5〜約25重盪%の該芳香族アミンが可溶性である高分
子皮膜形成性樹脂とを含む。
電荷輸送層形成用の混合物は好ましくは一般式:(式中
、R,とR2は置換または非置換のフェニル基、ナフチ
ル基およびポリフェニル基からなる群より選ばれた芳香
族基であり、R1は置換または非置換のアリール基、1
〜18個の炭素原子を有するアルキル基および3〜18
個の炭素原子を有する脂環式化合物からなる群より選ば
れる〉 を有する1種以上の化合物の芳香族アミン化合物を含む
。各置換基はNOx基、CN基等の遊離形の電子吸収基
であるべきである。上記構造式で示される典型的な芳香
族アミン化合物には次のものがある: ■0次のようなトリフェニルアミン: ■。
、R,とR2は置換または非置換のフェニル基、ナフチ
ル基およびポリフェニル基からなる群より選ばれた芳香
族基であり、R1は置換または非置換のアリール基、1
〜18個の炭素原子を有するアルキル基および3〜18
個の炭素原子を有する脂環式化合物からなる群より選ば
れる〉 を有する1種以上の化合物の芳香族アミン化合物を含む
。各置換基はNOx基、CN基等の遊離形の電子吸収基
であるべきである。上記構造式で示される典型的な芳香
族アミン化合物には次のものがある: ■0次のようなトリフェニルアミン: ■。
次のようなビスおよびポリ
トリアリールアミ
ン:
lh
■。
次のようなビスアリールアミンエーテル:■。
次のようなビスアルキル−アリ−ルアごン:好ましい芳
香族アミン化合物は、 一般式: を有し、上式中、R9とR2は前述したとおりであり、
R4は置換または非置換のビフェニル基、ジフェニルエ
ーテル基、1〜18個の炭素原子を有するアルキル基お
よび3〜12個の炭素原子を有する脂環式基からなる群
より選ばれる。置換基はNO□基、CN基等の遊離形の
電子吸引基であるべきである。
香族アミン化合物は、 一般式: を有し、上式中、R9とR2は前述したとおりであり、
R4は置換または非置換のビフェニル基、ジフェニルエ
ーテル基、1〜18個の炭素原子を有するアルキル基お
よび3〜12個の炭素原子を有する脂環式基からなる群
より選ばれる。置換基はNO□基、CN基等の遊離形の
電子吸引基であるべきである。
暗減衰および背景電圧効果を制御する場合の優れた結果
は、電荷発生層を含む像形成部材が光導電性材料の層と
、次式: (式中、R,、R1およびR4は前述のとおりであり、
Xは1〜約4個の炭素原子を有するアルキル基および塩
素原子からなる群から選ばれる) を有する化合物の1種以上を約25〜約75重量%分散
させた分子量約20,000〜約120,000のポリ
カーボネート樹脂材料の隣接した電荷輸送層とを含み、
上記光導電性層が正孔の光発生と正札の注入の能力を示
し、上記電荷輸送層が上記光導電性層が正孔を発生させ
光発生正孔を注入するスペクトル領域では実質的に非吸
収性であるが上記光導電性層からの光発生正札の注入を
支持しこれらの正孔を該電荷輸送層を通じて輸送し得る
ものであるときに、達成される。
は、電荷発生層を含む像形成部材が光導電性材料の層と
、次式: (式中、R,、R1およびR4は前述のとおりであり、
Xは1〜約4個の炭素原子を有するアルキル基および塩
素原子からなる群から選ばれる) を有する化合物の1種以上を約25〜約75重量%分散
させた分子量約20,000〜約120,000のポリ
カーボネート樹脂材料の隣接した電荷輸送層とを含み、
上記光導電性層が正孔の光発生と正札の注入の能力を示
し、上記電荷輸送層が上記光導電性層が正孔を発生させ
光発生正孔を注入するスペクトル領域では実質的に非吸
収性であるが上記光導電性層からの光発生正札の注入を
支持しこれらの正孔を該電荷輸送層を通じて輸送し得る
ものであるときに、達成される。
電荷発生層の光発生正孔の注入を支持しかつこれら正孔
を電荷輸送層を介して輸送し得る電荷輸送層用の上記構
造式で示される電荷輸送芳香族アミンの例には、不活性
バインダー中に分+11iさせたトリフェニルメタン、
ビス(4−ジエチルアごソー2−メチルフェニル)フェ
ニルメタン、4′4#−ビス(ジエチルアミ))−2’
2“−ジメチルトリフェニル−メタン、N、N’−
ビス(アルキルフェニル)−(1,1”−ビフェニルゴ
ー4.4’ジアミン(アルキルは、例えば、メチル、エ
チル、プロピル、n−ブチル等である)、N、N’−ジ
フェニル−N、N’−ビス(クロロフェニル)−(1,
1’−ビフェニル)−4,4’ジアミン、N、N’−ジ
フェニル−N、N’ビス(3#−メチルフェニル)−(
1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン等がある
。
を電荷輸送層を介して輸送し得る電荷輸送層用の上記構
造式で示される電荷輸送芳香族アミンの例には、不活性
バインダー中に分+11iさせたトリフェニルメタン、
ビス(4−ジエチルアごソー2−メチルフェニル)フェ
ニルメタン、4′4#−ビス(ジエチルアミ))−2’
2“−ジメチルトリフェニル−メタン、N、N’−
ビス(アルキルフェニル)−(1,1”−ビフェニルゴ
ー4.4’ジアミン(アルキルは、例えば、メチル、エ
チル、プロピル、n−ブチル等である)、N、N’−ジ
フェニル−N、N’−ビス(クロロフェニル)−(1,
1’−ビフェニル)−4,4’ジアミン、N、N’−ジ
フェニル−N、N’ビス(3#−メチルフェニル)−(
1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン等がある
。
適当な溶媒に可溶性の任意の適当な不活性樹脂バインダ
ーを本発明の方法において使用できる。
ーを本発明の方法において使用できる。
溶媒に可溶性の典型的な不活バインダーには、ポリ (
4,4’−イソプロピリデンジフェニルカーボネート)
およびポリ 〔1,1−シクロヘキサンビス(4−フェ
ニル)カーボネー1〜〕のようなポリカーボネート樹脂
、ポリスチレン樹脂、ポリエーテルカーボネート樹脂、
4.4′−シクロヘキシリデンジフェニルポリカーボネ
ート、ポリアクリレート等がある。分子量は約20.0
00〜約1.500.000で変化し得る。
4,4’−イソプロピリデンジフェニルカーボネート)
およびポリ 〔1,1−シクロヘキサンビス(4−フェ
ニル)カーボネー1〜〕のようなポリカーボネート樹脂
、ポリスチレン樹脂、ポリエーテルカーボネート樹脂、
4.4′−シクロヘキシリデンジフェニルポリカーボネ
ート、ポリアクリレート等がある。分子量は約20.0
00〜約1.500.000で変化し得る。
好ましい電気的に不活性な樹脂材料は約20,000〜
約100.000好ましくは約50,000〜約100
,000の分子量を有するポリカーボネート樹脂である
。
約100.000好ましくは約50,000〜約100
,000の分子量を有するポリカーボネート樹脂である
。
電気的に不活性な樹脂材料として最も好ましい材料はジ
ェネラル エレクトリック社よりレフサン(Lexan
) 145として人手できる分子量約35.000〜約
40,000のポリ (4,4’−ジプロピリデンージ
フエニレンカーボネート〉;ジェネラル エレクトリン
ク社よりレフサン141として入手できる分子量約40
,000〜約45,000のポリ (4,4’−イソプ
ロピリデン−ジフェニレンカーボネート):フアルペン
ファブリケン バイエル社よりマクロロン(Makro
lon)として入手できる分子量約50,000〜約1
00.000を有するポリカーボネート:およびモーベ
イケミカル社よりメルロン(Merlon)として入手
できる分子量約20.000〜約50,000を有する
ポリカーボネート樹脂である。塩化メチレン溶媒はすべ
ての成分を適切に溶解するためにまたその低沸点のため
に電荷輸送層コーティング混合物の望ましい成分である
。7g〜81℃を有し層の総重量基準で約50重遣%の
電気的に活性なシアくン化合物を含有させたそのような
ポリカーボネートを含む層は約5.6 X 10−’/
℃〜約7.5×10−’/’Cの熱収縮率を有する。
ェネラル エレクトリック社よりレフサン(Lexan
) 145として人手できる分子量約35.000〜約
40,000のポリ (4,4’−ジプロピリデンージ
フエニレンカーボネート〉;ジェネラル エレクトリン
ク社よりレフサン141として入手できる分子量約40
,000〜約45,000のポリ (4,4’−イソプ
ロピリデン−ジフェニレンカーボネート):フアルペン
ファブリケン バイエル社よりマクロロン(Makro
lon)として入手できる分子量約50,000〜約1
00.000を有するポリカーボネート:およびモーベ
イケミカル社よりメルロン(Merlon)として入手
できる分子量約20.000〜約50,000を有する
ポリカーボネート樹脂である。塩化メチレン溶媒はすべ
ての成分を適切に溶解するためにまたその低沸点のため
に電荷輸送層コーティング混合物の望ましい成分である
。7g〜81℃を有し層の総重量基準で約50重遣%の
電気的に活性なシアくン化合物を含有させたそのような
ポリカーボネートを含む層は約5.6 X 10−’/
℃〜約7.5×10−’/’Cの熱収縮率を有する。
上記の電荷輸送層のすべてにおいて、電気的に不活性な
高分子材料を電気的に活性にする活性化用化合物は約1
5〜約75重量%の量で存在すべきである。
高分子材料を電気的に活性にする活性化用化合物は約1
5〜約75重量%の量で存在すべきである。
任意の適当な通常の方法を用いて電荷輸送層コーティン
グ混合物を混合しその後電荷発生層に塗布し得る。典型
的な塗布方法にはスプレー法、ディツブ塗布法、ロール
塗布法、ワイヤー巻きロール塗布法等がある。付着させ
たコーティングの乾燥はオープン乾燥、赤外線照射乾燥
、空気乾燥等の任意の適当な方法によって行い得る。一
般に、輸送層の厚さは約5〜約100μmであるが、こ
の範囲外の厚さも使用できる。
グ混合物を混合しその後電荷発生層に塗布し得る。典型
的な塗布方法にはスプレー法、ディツブ塗布法、ロール
塗布法、ワイヤー巻きロール塗布法等がある。付着させ
たコーティングの乾燥はオープン乾燥、赤外線照射乾燥
、空気乾燥等の任意の適当な方法によって行い得る。一
般に、輸送層の厚さは約5〜約100μmであるが、こ
の範囲外の厚さも使用できる。
電荷輸送層は、電荷輸送層上の静電荷が照射の不存在下
で電荷輸送層上での静電潜像の形成と残留を妨げるのに
十分な速さでは伝導しない程度に絶縁体であるべきであ
る。一般には、電荷輸送層対電荷発生層の厚みの比は好
ましくは約2:l〜200:1ある場合には400 :
l程大きく維持する。
で電荷輸送層上での静電潜像の形成と残留を妨げるのに
十分な速さでは伝導しない程度に絶縁体であるべきであ
る。一般には、電荷輸送層対電荷発生層の厚みの比は好
ましくは約2:l〜200:1ある場合には400 :
l程大きく維持する。
場合によっては、薄いオーバーコート層モ1tFJ耗性
を改善するのに使用できる。これらのオーバーコーテイ
ング層は電気絶縁性またはわずかに半導体である有機ポ
リマーまたは無機ポリマーを含み得るっ 1象形底部材の感光体面が約24〜約31μmの厚さ範
囲を有するポリカーボネート樹脂と活性ジアミン輸送層
物質の輸送層、および機械的強度およびデバイスの剛性
を与えるポリエーテルスルホン基体とを含む典型的な電
子写真像形成部材においては、満足できる結果はポリエ
ーテルスルホン基体が約2ミル(51μm〜約7ミル(
178μm)の厚さ範囲を有するときに達成できる。よ
り好ましくは、ポリエーテルスルホン基体は約3ミル(
76μm)〜約6ミル(152μm)の厚さ範囲を有す
る。最適の機械的性能および平坦性のためには、ポリエ
ーテルスルホン基体は約3.5ミル(90μm)〜約4
.5ミル(l14μm〉の厚さ範囲を有する。これらの
像形成部材:′!約−2×10 ”−’/ t 〜約+
2 X 10−’/ t (D熱収縮率(Daを有する
。
を改善するのに使用できる。これらのオーバーコーテイ
ング層は電気絶縁性またはわずかに半導体である有機ポ
リマーまたは無機ポリマーを含み得るっ 1象形底部材の感光体面が約24〜約31μmの厚さ範
囲を有するポリカーボネート樹脂と活性ジアミン輸送層
物質の輸送層、および機械的強度およびデバイスの剛性
を与えるポリエーテルスルホン基体とを含む典型的な電
子写真像形成部材においては、満足できる結果はポリエ
ーテルスルホン基体が約2ミル(51μm〜約7ミル(
178μm)の厚さ範囲を有するときに達成できる。よ
り好ましくは、ポリエーテルスルホン基体は約3ミル(
76μm)〜約6ミル(152μm)の厚さ範囲を有す
る。最適の機械的性能および平坦性のためには、ポリエ
ーテルスルホン基体は約3.5ミル(90μm)〜約4
.5ミル(l14μm〉の厚さ範囲を有する。これらの
像形成部材:′!約−2×10 ”−’/ t 〜約+
2 X 10−’/ t (D熱収縮率(Daを有する
。
一般に、満足できる結果は、本発明の感光体に適する高
分子基体が約5〜約10℃の温度範囲におイテ約4.5
〜8.5 x 10−’/’c ((−2,0〜+2.
0)X 10−S/”C)の熱収縮率を有するときに得
られる。より好ましくは、高分子基体は約5.5〜7.
5 x l O−s/”c ((−1,0〜+ 1.0
) xl 0−’/l’)の熱、収縮を有する。最適の
平坦性のためには、高分子基体は約6.0〜7.0X1
0−’/℃((−0,5〜+0.5) X 10−’/
’C)の熱収縮率を有する。
分子基体が約5〜約10℃の温度範囲におイテ約4.5
〜8.5 x 10−’/’c ((−2,0〜+2.
0)X 10−S/”C)の熱収縮率を有するときに得
られる。より好ましくは、高分子基体は約5.5〜7.
5 x l O−s/”c ((−1,0〜+ 1.0
) xl 0−’/l’)の熱、収縮を有する。最適の
平坦性のためには、高分子基体は約6.0〜7.0X1
0−’/℃((−0,5〜+0.5) X 10−’/
’C)の熱収縮率を有する。
本発明の感光体は最終感光体製品において必要とするコ
ーティング層の数を低減させる。本発明の感光体を作製
するための工程数およびコストもまた低減される。さら
にまた、作製速度および製品収率も増大する。また、輸
送層内部応力蓄積の通常現象も低減され、それによって
機械的稼動身命を延長する。しかも、感光体の変形も低
減される。さらに、基体と各上部層との接着性も改善さ
れる。ポリエーテルスルホン基体と輸送層間の表面接触
摩擦係数も低下する(例えば、通常のポリカーボネート
抗カール裏打ち層の隣接輸送層j二対する2、8に比較
して0.8)、さら:二また、感光体ベルト製品のポリ
エーテルスルホンとポリエーテルスルホン間(即ち、ベ
ルトの内表面が互いに接触するところ〉の表面接触摩擦
係数も低下する(ベルトの内表面が互いに接触している
通常のポリカーボネート抗カール裏打層表面の3.5に
比較して0.4)。この改良された感光体における低減
した摩擦係数値ジャミング(jamming)問題によ
る生産ラインの遅延を防止しまたベルト製造装置におい
てそうしないと作動しないであろう感光体ロールの使用
を可能にするユボリエーテルスルホン基体はベルトモジ
ュール駆動ロールに対して高摩擦係数を維持して機械操
作中の現実的で信頼性のある感光体ベルト駆動を確実に
し得る。しかも、本発明の感光体ベルト製品においては
、ポリエーテルスルホン基体を該基体上へコーティング
した各層をびだ付けして凹部を形成させ感光体を使用で
きなくすることI;シにそれ自体で接触せしめ得るので
、費用高で手間の掛るパッケージングを不要のものとす
る。他の利点;ま感光体ロールのコストおより巻き上げ
に関して得られる。さらに、本発明は感光体のカール化
:二対するサイクル操作時の抵抗性を著しく延長するこ
と:こよりプリント欠陥を低減させる。
ーティング層の数を低減させる。本発明の感光体を作製
するための工程数およびコストもまた低減される。さら
にまた、作製速度および製品収率も増大する。また、輸
送層内部応力蓄積の通常現象も低減され、それによって
機械的稼動身命を延長する。しかも、感光体の変形も低
減される。さらに、基体と各上部層との接着性も改善さ
れる。ポリエーテルスルホン基体と輸送層間の表面接触
摩擦係数も低下する(例えば、通常のポリカーボネート
抗カール裏打ち層の隣接輸送層j二対する2、8に比較
して0.8)、さら:二また、感光体ベルト製品のポリ
エーテルスルホンとポリエーテルスルホン間(即ち、ベ
ルトの内表面が互いに接触するところ〉の表面接触摩擦
係数も低下する(ベルトの内表面が互いに接触している
通常のポリカーボネート抗カール裏打層表面の3.5に
比較して0.4)。この改良された感光体における低減
した摩擦係数値ジャミング(jamming)問題によ
る生産ラインの遅延を防止しまたベルト製造装置におい
てそうしないと作動しないであろう感光体ロールの使用
を可能にするユボリエーテルスルホン基体はベルトモジ
ュール駆動ロールに対して高摩擦係数を維持して機械操
作中の現実的で信頼性のある感光体ベルト駆動を確実に
し得る。しかも、本発明の感光体ベルト製品においては
、ポリエーテルスルホン基体を該基体上へコーティング
した各層をびだ付けして凹部を形成させ感光体を使用で
きなくすることI;シにそれ自体で接触せしめ得るので
、費用高で手間の掛るパッケージングを不要のものとす
る。他の利点;ま感光体ロールのコストおより巻き上げ
に関して得られる。さらに、本発明は感光体のカール化
:二対するサイクル操作時の抵抗性を著しく延長するこ
と:こよりプリント欠陥を低減させる。
以下、幾つかの実施例を示すが、これらは本発明の実施
において使用できる種々の組成物と条件を説明したもの
である。すべての割合は特に断わらない限り重量による
。しかしながら、本発明は多くの種類の組成物:こより
実施でき、以上の説明によりまた以下で示唆されるよう
に多くの異なった用途を有することは明らかであろう。
において使用できる種々の組成物と条件を説明したもの
である。すべての割合は特に断わらない限り重量による
。しかしながら、本発明は多くの種類の組成物:こより
実施でき、以上の説明によりまた以下で示唆されるよう
に多くの異なった用途を有することは明らかであろう。
実施例1
厚さ3ミル(76,2μm>、幅21cmおよび長さ2
8cmを有するチタンコーティングポリエチレンテレフ
タレート(ICIアメリカズ社より人手できるメリネッ
クス442)基体を用意し、この基体に、バードアプリ
ケーターを用いて、2.592gの3−アミノプロピル
トリエトキシシラン、0.784gの酢酸、180gの
190プルーフ変性アルコールおよび77.3 gのへ
ブタンを含有する溶液を塗布することによって光導電性
像形成部材を作製した。
8cmを有するチタンコーティングポリエチレンテレフ
タレート(ICIアメリカズ社より人手できるメリネッ
クス442)基体を用意し、この基体に、バードアプリ
ケーターを用いて、2.592gの3−アミノプロピル
トリエトキシシラン、0.784gの酢酸、180gの
190プルーフ変性アルコールおよび77.3 gのへ
ブタンを含有する溶液を塗布することによって光導電性
像形成部材を作製した。
この層を室温で5分間、次いで、強制送風炉中で135
℃、10分間乾燥させた。得られたブロッキング層は0
.01μmの乾燥厚さを有していた。
℃、10分間乾燥させた。得られたブロッキング層は0
.01μmの乾燥厚さを有していた。
次に、接着界面層を、上記ブロッキング層に0、5ミル
(12,7μm)の湿潤厚さを有し70:30容量比の
テトラヒドロフラン/シクロヘキサノン混合物中に溶液
の総重量基準で0.5重量%のポリエステル接着剤(デ
ュポン49,000 、E、1.デュポン社より入手で
きる)を含有するコーティングをバードアプリケーター
を用いて塗布することによって形成させた。この接着界
面層を室温で1分間、次いで、強制送風炉中で100℃
、10分間乾燥させた。得られた接着界面層は0.05
μmの乾燥厚を有していた。
(12,7μm)の湿潤厚さを有し70:30容量比の
テトラヒドロフラン/シクロヘキサノン混合物中に溶液
の総重量基準で0.5重量%のポリエステル接着剤(デ
ュポン49,000 、E、1.デュポン社より入手で
きる)を含有するコーティングをバードアプリケーター
を用いて塗布することによって形成させた。この接着界
面層を室温で1分間、次いで、強制送風炉中で100℃
、10分間乾燥させた。得られた接着界面層は0.05
μmの乾燥厚を有していた。
上記接着界面層を、その後、7.5容量%の゛三方晶S
e、25容量%のN、N’−ジフェニル−N。
e、25容量%のN、N’−ジフェニル−N。
N′−ビス(3−メチルフェニル)−1,1′ビフェニ
ル−4,4′−ジアミン、および67.5容量%のポリ
ビニルカルバゾールを含有する光発生層でコーティング
した。この光発生層は0.8gのポリビニルカルバゾー
ルと14−の1:1容量比のテトラヒドロフランとトル
エンとの混合物を2オンス(,56,7g)こはくびん
に導入することによって調製した。この溶液に、0.8
gの三方晶セレンと100gの1/8インチ(3,17
51m)径のステンレススチール球を加えた。次に、こ
の混合物をボール旦ル上に72〜96時間置いた。続い
て、得られたスラリーの5gを0.36 gのポリビニ
ルカルバゾールと0.20 gのN、N’−ジフェニル
−N、N’−ビス(3−メチルフェニル)−1,1’−
ピフェニル−4,4′−ジアミンとの1:l容量比のテ
トラヒドロフラン/トルエン7、5 d中溶液に加えた
。このスラリーをシェカー上にlO分分間中た。その後
、得られたスラリーを上記接着界面層にバードアプリケ
ーターにより塗布して0.5ミル(12,7μm)の湿
潤厚さを有する層を形成させた。この層を強制送風炉中
で135℃、5分間乾燥させて2.0ミクロンの厚さを
有する乾燥厚光発生層を形成させた。
ル−4,4′−ジアミン、および67.5容量%のポリ
ビニルカルバゾールを含有する光発生層でコーティング
した。この光発生層は0.8gのポリビニルカルバゾー
ルと14−の1:1容量比のテトラヒドロフランとトル
エンとの混合物を2オンス(,56,7g)こはくびん
に導入することによって調製した。この溶液に、0.8
gの三方晶セレンと100gの1/8インチ(3,17
51m)径のステンレススチール球を加えた。次に、こ
の混合物をボール旦ル上に72〜96時間置いた。続い
て、得られたスラリーの5gを0.36 gのポリビニ
ルカルバゾールと0.20 gのN、N’−ジフェニル
−N、N’−ビス(3−メチルフェニル)−1,1’−
ピフェニル−4,4′−ジアミンとの1:l容量比のテ
トラヒドロフラン/トルエン7、5 d中溶液に加えた
。このスラリーをシェカー上にlO分分間中た。その後
、得られたスラリーを上記接着界面層にバードアプリケ
ーターにより塗布して0.5ミル(12,7μm)の湿
潤厚さを有する層を形成させた。この層を強制送風炉中
で135℃、5分間乾燥させて2.0ミクロンの厚さを
有する乾燥厚光発生層を形成させた。
この光発生体層と電荷輸送層でオーバーコーテイングし
た。電荷輸送層はこはくガラスびんにN。
た。電荷輸送層はこはくガラスびんにN。
N′−ジフェニル−N、N’−ビス(3−メチルフェニ
ル)−1,1’−ビフェニル−4,4′ジアミンとマク
ロロンR1即ち、フアルペン ファプリケン バイエル
社より市販されている分子量約so、ooo〜too、
oooを有するポリカーボネート樹脂とを1=1の重量
比で導入することにより調製した。得られた混合物を塩
化メチレンに溶解させて15重量%の固形分を含有する
溶液を調製した。この溶液を上記光発生体層上にバード
アプリケーターを用いて塗布して乾燥させたとき厚さ2
4ミクロンを有するコーティングを得た。このコーティ
ング工程中、湿度は15%以下であった。
ル)−1,1’−ビフェニル−4,4′ジアミンとマク
ロロンR1即ち、フアルペン ファプリケン バイエル
社より市販されている分子量約so、ooo〜too、
oooを有するポリカーボネート樹脂とを1=1の重量
比で導入することにより調製した。得られた混合物を塩
化メチレンに溶解させて15重量%の固形分を含有する
溶液を調製した。この溶液を上記光発生体層上にバード
アプリケーターを用いて塗布して乾燥させたとき厚さ2
4ミクロンを有するコーティングを得た。このコーティ
ング工程中、湿度は15%以下であった。
得られた上記層のすべてを含む感光体デバイスを強制送
風炉中で135℃、5分間熱処理し、その後、周囲室温
に冷却した。
風炉中で135℃、5分間熱処理し、その後、周囲室温
に冷却した。
抗カールコーティングは基体に塗布しなかった。
基体は1.7 X 10−’/’cの熱収縮率を有し、
電荷輸送層は6.5X10−’/”Cの熱収縮率を有し
ていた。そのま\ではあるけれども、得られた感光体の
各相対する端部はコーテイング面に向って上方にカール
し1.5インチ(3,8gm)径のロールを形成した。
電荷輸送層は6.5X10−’/”Cの熱収縮率を有し
ていた。そのま\ではあるけれども、得られた感光体の
各相対する端部はコーテイング面に向って上方にカール
し1.5インチ(3,8gm)径のロールを形成した。
実施例2
厚さ3ミル(76,2μm〉、幅21cmおよび長さ2
8個を有するチタンコーティングポリエチレンテレフタ
レート (IC!アメリカズ社より入手できるメリネソ
クス442)基体を用意し、この基体に、バードアプリ
ケーターを用いて、2.592gの3−アミノプロピル
トリエトキシシラン、0.784gの酢酸、180gの
190プルーフ変性アルコールおよび77.3 gのへ
ブタンを含有する溶液を塗布することによって光導電性
像形成部材を作製した。
8個を有するチタンコーティングポリエチレンテレフタ
レート (IC!アメリカズ社より入手できるメリネソ
クス442)基体を用意し、この基体に、バードアプリ
ケーターを用いて、2.592gの3−アミノプロピル
トリエトキシシラン、0.784gの酢酸、180gの
190プルーフ変性アルコールおよび77.3 gのへ
ブタンを含有する溶液を塗布することによって光導電性
像形成部材を作製した。
この層を室温で5分間、次いで、強制送風炉中で135
℃、10分間乾燥させた。得られたブロッキング層は0
.01μmの乾燥厚さを有していた。
℃、10分間乾燥させた。得られたブロッキング層は0
.01μmの乾燥厚さを有していた。
次に、接着界面層を、上記ブロッキング層に0、5ミル
(12,7,crm)の湿潤厚さを有し70:30容量
比のテトラヒドロフラン/シクロヘキサノン混合物中に
溶液の総重量基準で0.5重量%のポリエステル接着剤
(デュポン49,000 、E、1.デュポン社より入
手できる)を含有するコーティングをバードアプリケー
ターを用いて塗布することによって形成させた。この接
着界面層を室温で1分間、次いで、強制送風炉中で10
0℃、10分間乾燥させた。得られた接着界面層は0.
05μmの乾燥厚を有していた。
(12,7,crm)の湿潤厚さを有し70:30容量
比のテトラヒドロフラン/シクロヘキサノン混合物中に
溶液の総重量基準で0.5重量%のポリエステル接着剤
(デュポン49,000 、E、1.デュポン社より入
手できる)を含有するコーティングをバードアプリケー
ターを用いて塗布することによって形成させた。この接
着界面層を室温で1分間、次いで、強制送風炉中で10
0℃、10分間乾燥させた。得られた接着界面層は0.
05μmの乾燥厚を有していた。
上記接着界面層を、その後、7.5容量%の三方晶Se
、25容量%のN、N’−ジフェニル−N。
、25容量%のN、N’−ジフェニル−N。
N′−ビス(3−メチルフェニル〉−1,1′ビフェニ
ル−4,4′−ジアミン、および67.5容量%のポリ
ビニルカルバゾールを含有する光発生層でコーティング
した。この光発生層は0.8gのポリビニルカルバゾー
ルと14dの1=1容量比のテトラヒドロフランとトル
エンとの混合物を2オンス(56,7g)こはくびんに
導入することによって調製した。この溶液に、0.8g
の三方晶セレンと100gの1/8インチ(3,175
關)径のステンレススチール球を加えた。次に、この混
合物をボールミル上に72〜96時間置いた。
ル−4,4′−ジアミン、および67.5容量%のポリ
ビニルカルバゾールを含有する光発生層でコーティング
した。この光発生層は0.8gのポリビニルカルバゾー
ルと14dの1=1容量比のテトラヒドロフランとトル
エンとの混合物を2オンス(56,7g)こはくびんに
導入することによって調製した。この溶液に、0.8g
の三方晶セレンと100gの1/8インチ(3,175
關)径のステンレススチール球を加えた。次に、この混
合物をボールミル上に72〜96時間置いた。
続いて、得られたスラリーの5gを0.36 gのポリ
ビニルカルバゾールと0.20 gのN、N’−ジフヱ
ニルーN、N’−ビス(3−メチルフェニル)■、1′
−ビフェニルー4.4′−ジアミンとの1:1容it比
のテトラヒドロフラン/トルエン7.5a+ffi中溶
液に加えた。このスラリーをシェカー上に10分間装い
た。その後、得られたスラリーを上記接着界面層にバー
ドアプリケーターにより塗布して0.5ミル(12,7
μm〉の湿潤厚さを有する層を形成させた。この層を強
制送風炉中で135℃、5分間乾燥させて2.0ミクロ
ンの厚さを有する乾燥厚光発生層を形成させた。
ビニルカルバゾールと0.20 gのN、N’−ジフヱ
ニルーN、N’−ビス(3−メチルフェニル)■、1′
−ビフェニルー4.4′−ジアミンとの1:1容it比
のテトラヒドロフラン/トルエン7.5a+ffi中溶
液に加えた。このスラリーをシェカー上に10分間装い
た。その後、得られたスラリーを上記接着界面層にバー
ドアプリケーターにより塗布して0.5ミル(12,7
μm〉の湿潤厚さを有する層を形成させた。この層を強
制送風炉中で135℃、5分間乾燥させて2.0ミクロ
ンの厚さを有する乾燥厚光発生層を形成させた。
この光発生体層と電荷輸送層でオーバーコーテイングし
た。電荷輸送層はこはくガラスびんにN。
た。電荷輸送層はこはくガラスびんにN。
N′−ジフェニル−N、N’−ビス(3−メチルフェニ
ル)−1,1’−ビフェニル−4,4′ジアミンとマク
ロロンR1即ち、フアルペン ファブリケン バイエル
社より市販されている分子量約50.000−100,
000を有するポリカーボネート樹脂とを1:1の重量
比で導入することにより調製した。得られた混合物を塩
化メチレンに溶解させて15重量%の固形分を含有する
溶液を調製した。この溶液を上記光発生体層上にバード
アプリケーターを用いて塗布して乾燥させたとき厚さ2
4ミクロンを有するコーティングを得た。このコーティ
ング工程中、湿度は15%以下であった。
ル)−1,1’−ビフェニル−4,4′ジアミンとマク
ロロンR1即ち、フアルペン ファブリケン バイエル
社より市販されている分子量約50.000−100,
000を有するポリカーボネート樹脂とを1:1の重量
比で導入することにより調製した。得られた混合物を塩
化メチレンに溶解させて15重量%の固形分を含有する
溶液を調製した。この溶液を上記光発生体層上にバード
アプリケーターを用いて塗布して乾燥させたとき厚さ2
4ミクロンを有するコーティングを得た。このコーティ
ング工程中、湿度は15%以下であった。
得られた上記層のすべてを含む感光体デバイスを強制送
風炉中で135℃、5分間熱処理し、その後、周囲室温
に冷却した。
風炉中で135℃、5分間熱処理し、その後、周囲室温
に冷却した。
抗カールコーティングを、8.81gのポリカーボネー
ト樹脂(バイエル社より人手できるマクロロン5705
)、0.09gのポリエステル樹脂(グツドイヤー タ
イヤ アンド ラバー社より人手できるバイチルPE1
00)および91.1 gの塩化メチレンをこはくガラ
ス容器中で混合して8.9%の固形分を含有するコーテ
ィング溶液を調製することによって調製した。ガラス容
器を強固にカバーしてロールミル上:こ約24時間上記
ポリカーボネートとポリエステルが塩化メチレン中:こ
溶解するまで置いた。この抗カールコーティング溶液を
バードアプリケーターにより上記光導電性像形成部材の
裏面(光発生体層と電荷輸送層との反対面)に塗布し、
135℃で約5分間乾燥させて厚さ14μmを有する乾
燥膜を生成させた。基体は1.7 X I O−’/l
の熱収縮率を有し、電荷輸送層は6.5 x I L’
/lの熱収縮率を有していた。
ト樹脂(バイエル社より人手できるマクロロン5705
)、0.09gのポリエステル樹脂(グツドイヤー タ
イヤ アンド ラバー社より人手できるバイチルPE1
00)および91.1 gの塩化メチレンをこはくガラ
ス容器中で混合して8.9%の固形分を含有するコーテ
ィング溶液を調製することによって調製した。ガラス容
器を強固にカバーしてロールミル上:こ約24時間上記
ポリカーボネートとポリエステルが塩化メチレン中:こ
溶解するまで置いた。この抗カールコーティング溶液を
バードアプリケーターにより上記光導電性像形成部材の
裏面(光発生体層と電荷輸送層との反対面)に塗布し、
135℃で約5分間乾燥させて厚さ14μmを有する乾
燥膜を生成させた。基体は1.7 X I O−’/l
の熱収縮率を有し、電荷輸送層は6.5 x I L’
/lの熱収縮率を有していた。
そのま\の状態で、得られた感光体は平坦性を有してい
た。
た。
実施例3
厚さ4ミル(1016μm)、幅21cmおよび長さ2
8cmを有するチタンコーティングポリエーテルスルホ
ン(ICIアメリカズ社より入手できるスタバールS
l 00)基体を用意し、この基体に、バードアプリケ
ーターを用いて、2.592gの3−アミノプロピルト
リエトキシシラン、0、784 gの酢酸、180gの
190プルーフ変性アルコールおよび77.3 gのへ
ブタンを含有する溶液を塗布することによって光導電性
像形成部材を作製した。
8cmを有するチタンコーティングポリエーテルスルホ
ン(ICIアメリカズ社より入手できるスタバールS
l 00)基体を用意し、この基体に、バードアプリケ
ーターを用いて、2.592gの3−アミノプロピルト
リエトキシシラン、0、784 gの酢酸、180gの
190プルーフ変性アルコールおよび77.3 gのへ
ブタンを含有する溶液を塗布することによって光導電性
像形成部材を作製した。
この層を室温で5分間、次いで、強制送風炉中で135
℃、IO分間乾燥させた。得られたブロッキング層は0
.01μmの乾燥厚さを有していた。
℃、IO分間乾燥させた。得られたブロッキング層は0
.01μmの乾燥厚さを有していた。
次に、接着界面層を、上記ブロッキング層に0、5ミル
(12,7μm)の湿潤厚さを有し70:30容量比の
テトラヒドロフラン/シクロヘキサノン混合物中に溶液
の総重量基準で0.5重量%のポリエステル接着剤〈デ
ュポン49,000 、E、!、デュポン社より入手で
きる)を含有するコーティングをバードアプリケーター
を用いて塗布することによって形成させた。この接着界
面層を室温で1分間、次いで、強制送風炉中で100℃
、10分間乾燥させた。得られた接着界面層は0.05
μmの乾燥厚を有していた。
(12,7μm)の湿潤厚さを有し70:30容量比の
テトラヒドロフラン/シクロヘキサノン混合物中に溶液
の総重量基準で0.5重量%のポリエステル接着剤〈デ
ュポン49,000 、E、!、デュポン社より入手で
きる)を含有するコーティングをバードアプリケーター
を用いて塗布することによって形成させた。この接着界
面層を室温で1分間、次いで、強制送風炉中で100℃
、10分間乾燥させた。得られた接着界面層は0.05
μmの乾燥厚を有していた。
上記接着界面層を、その後、7.5容量%の三方晶Se
、25容量%のN、N’−ジフェニル−NN′−ビス(
3−メチルフェニル)−1,1′ビフェニル−4,4′
−シアくン、および67.5容量%のポリビニルカルバ
ゾールを含有する光発生層でコーティングした。この光
発生層は0.8gのポリビニルカルバゾールと14m1
の1:1容徂比のテトラヒドロフランとトルエンとの混
合物を2オンス(56,7g)こはくびんに導入するこ
とによって調製した。この溶液に、0.8gの三方晶セ
レンと100gの1/8インチ(3,175嘗鳳)径の
ステンレススチール球を加えた。次に、この混合物をボ
ールミル上に72〜96時間置いた。
、25容量%のN、N’−ジフェニル−NN′−ビス(
3−メチルフェニル)−1,1′ビフェニル−4,4′
−シアくン、および67.5容量%のポリビニルカルバ
ゾールを含有する光発生層でコーティングした。この光
発生層は0.8gのポリビニルカルバゾールと14m1
の1:1容徂比のテトラヒドロフランとトルエンとの混
合物を2オンス(56,7g)こはくびんに導入するこ
とによって調製した。この溶液に、0.8gの三方晶セ
レンと100gの1/8インチ(3,175嘗鳳)径の
ステンレススチール球を加えた。次に、この混合物をボ
ールミル上に72〜96時間置いた。
続いて、得られたスラリーの5gを0.36gのポリビ
ニルカルバゾールと0.20 gのN、N’−ジフェニ
ル−N、N’−ビス(3−メチルフェニル)1.1′−
ビフェニル−4,4′−シアミンとの1=1容量比のテ
トラヒドロフラン/トルエン7.5−中溶液に加えた。
ニルカルバゾールと0.20 gのN、N’−ジフェニ
ル−N、N’−ビス(3−メチルフェニル)1.1′−
ビフェニル−4,4′−シアミンとの1=1容量比のテ
トラヒドロフラン/トルエン7.5−中溶液に加えた。
このスラリーをシェカー上に10分間置いた。その後、
得られたスラリーを上記接着界面層にバードアプリケー
ターにより塗布して0.5ミル(12,7μm〉の湿潤
厚さを有する層を形成させた。この層を強制送風炉中で
135℃、5分間乾燥させて2.0ミクロンの厚さを有
する乾燥厚光発生層を形成させた。
得られたスラリーを上記接着界面層にバードアプリケー
ターにより塗布して0.5ミル(12,7μm〉の湿潤
厚さを有する層を形成させた。この層を強制送風炉中で
135℃、5分間乾燥させて2.0ミクロンの厚さを有
する乾燥厚光発生層を形成させた。
この光発生体層と電荷輸送層でオーバーコーテイングし
た。電荷輸送層はこはくガラスびんにN。
た。電荷輸送層はこはくガラスびんにN。
N′−ジフェニル−N、N’−ビス(3−メチルフェニ
ル)−1,1’−ビフェニル−4,4′ジアミンとマク
ロロンR5即ち、フアルペン ファブリケン バイエル
社より市販されている分子量約50.000〜100,
000を有するポリカーボネート樹脂とを1:1の重量
比で導入することにより調製した。得られた混合物を塩
化メチレンに溶解させて15重量%の固形分を含有する
溶液を調製した。この溶液を上記光発生体層上にバード
アプリケーターを用いて塗布して乾燥させたとき厚さ2
4ミクロンを有するコーティングを得た。このコーティ
ング工程中、湿度は15%以下であった。
ル)−1,1’−ビフェニル−4,4′ジアミンとマク
ロロンR5即ち、フアルペン ファブリケン バイエル
社より市販されている分子量約50.000〜100,
000を有するポリカーボネート樹脂とを1:1の重量
比で導入することにより調製した。得られた混合物を塩
化メチレンに溶解させて15重量%の固形分を含有する
溶液を調製した。この溶液を上記光発生体層上にバード
アプリケーターを用いて塗布して乾燥させたとき厚さ2
4ミクロンを有するコーティングを得た。このコーティ
ング工程中、湿度は15%以下であった。
得られた上記層のすべてを含む感光体デバイスを強制送
風炉中で135℃、5分間熱処理し、その後、周囲室温
に冷却した。
風炉中で135℃、5分間熱処理し、その後、周囲室温
に冷却した。
抗カールコーティングは基体に塗布しなかった。
基体は6.OX l O−’/”Cの熱収縮率を有し、
電荷輸送層は6.5 X 10−”/”Cの熱収縮率を
有していた。
電荷輸送層は6.5 X 10−”/”Cの熱収縮率を
有していた。
実施例1で記載したような通常の多層型感光体の通常の
作製方法においては、前取って発生体でコーティングし
た二輪延伸ポリエチレンテレフタレート(PET)基体
をポリカーボネート電荷輸送層(CTL)でコーティン
グし室温に冷゛却したときは、冷却中のカール化現象は
次の3段階に分けられるものと想定される: (111
35°C〜81℃の温度範囲(CTLのTg)において
、CTLは高粘稠液であるのでCTL膜中で発生した熱
および容積収縮応力がCTL内の粘分子運動により直ち
に消散する。f21 CT Lの固化はCTL膜がCT
LのTgに冷却するときに起る。この時点で、CTLは
その液状性をなくしそれ自体が固体系に転化するi (
317gから室温(例えば、25℃)へのさらなる冷却
はCTLとPET基体間の熱収縮不整合によるCTL内
部応力/歪蓄積をもたらす。
作製方法においては、前取って発生体でコーティングし
た二輪延伸ポリエチレンテレフタレート(PET)基体
をポリカーボネート電荷輸送層(CTL)でコーティン
グし室温に冷゛却したときは、冷却中のカール化現象は
次の3段階に分けられるものと想定される: (111
35°C〜81℃の温度範囲(CTLのTg)において
、CTLは高粘稠液であるのでCTL膜中で発生した熱
および容積収縮応力がCTL内の粘分子運動により直ち
に消散する。f21 CT Lの固化はCTL膜がCT
LのTgに冷却するときに起る。この時点で、CTLは
その液状性をなくしそれ自体が固体系に転化するi (
317gから室温(例えば、25℃)へのさらなる冷却
はCTLとPET基体間の熱収縮不整合によるCTL内
部応力/歪蓄積をもたらす。
CTL中の内部歪(5ずみ)蓄積の計算:ま次のとおり
である。
である。
81tと25℃の間の収縮に基づ<CTL歪=(CTL
の総熱収縮−PETの総処収縮)= C(6,5X11
)−S−1,7X10−S)/l) (81t−25℃
)=0.274%この内部歪は観察された上方カール化
に応答し得るものと確信する。この時点で、実施例1で
例示したタイプの感光体は、何らかの外部より加えた制
限?jしでは、小直径ロールに自由にカールするであろ
う。感光体のカール化は望ましくないので、その後、抗
カール裏打ちコーティングを感光体裏面に塗布(実施例
2で示したタイプ)し、CTL収縮効果に対抗させ感光
体を平坦形状に維持している。
の総熱収縮−PETの総処収縮)= C(6,5X11
)−S−1,7X10−S)/l) (81t−25℃
)=0.274%この内部歪は観察された上方カール化
に応答し得るものと確信する。この時点で、実施例1で
例示したタイプの感光体は、何らかの外部より加えた制
限?jしでは、小直径ロールに自由にカールするであろ
う。感光体のカール化は望ましくないので、その後、抗
カール裏打ちコーティングを感光体裏面に塗布(実施例
2で示したタイプ)し、CTL収縮効果に対抗させ感光
体を平坦形状に維持している。
毀賊揉作条件下でベルト支持ロール上で曲げたときの2
つのタイプの多層型感光体〔(実施例3で示したように
、CTLの熱収縮率と実質的に同一の熱収i:1率を有
しその結果応力/歪不整合のテヨいポリエーテルスルホ
ン基体層を有するもの)と対比しての(実施例2で示し
たような、CTLとPET基体間の熱収縮不整合に基づ
く0.274%のCTL内部応力/歪蓄積を有するもの
)〕の総悪感光体表面は次の簡単な等式によって要約さ
れ得る: 総感光体表面歪=ε、÷ ε、+ ε7+ εム+ ε
。
つのタイプの多層型感光体〔(実施例3で示したように
、CTLの熱収縮率と実質的に同一の熱収i:1率を有
しその結果応力/歪不整合のテヨいポリエーテルスルホ
ン基体層を有するもの)と対比しての(実施例2で示し
たような、CTLとPET基体間の熱収縮不整合に基づ
く0.274%のCTL内部応力/歪蓄積を有するもの
)〕の総悪感光体表面は次の簡単な等式によって要約さ
れ得る: 総感光体表面歪=ε、÷ ε、+ ε7+ εム+ ε
。
(張力+クリープ←温度十内部十曲げ) 〔l〕ベル
トの張力(t)、クリープ(C)および温度(T)の効
果からの歪貢献度は内部(i)および曲げ(b)歪より
も少なくともI桁小さい、従って、これらの要素は計算
を単純化するために無視し得る。即ち、等式(1)は次
のように縮少する: 総感光体表面歪=εI+ ε、 〔2〕感光体曲
げ歪を示す数理的なモデルは次のように示し得る: εb =L/(2R+ t) (3
)(式中、tは感光体の厚さであり、Rはベルト支持ロ
ールの半径である) 前述したように、典型的な多層型感光体における内部歪
蓄積は0.274%であった。この値を等式〔3〕と共
に等式〔2〕に置換すると次のようになる。
トの張力(t)、クリープ(C)および温度(T)の効
果からの歪貢献度は内部(i)および曲げ(b)歪より
も少なくともI桁小さい、従って、これらの要素は計算
を単純化するために無視し得る。即ち、等式(1)は次
のように縮少する: 総感光体表面歪=εI+ ε、 〔2〕感光体曲
げ歪を示す数理的なモデルは次のように示し得る: εb =L/(2R+ t) (3
)(式中、tは感光体の厚さであり、Rはベルト支持ロ
ールの半径である) 前述したように、典型的な多層型感光体における内部歪
蓄積は0.274%であった。この値を等式〔3〕と共
に等式〔2〕に置換すると次のようになる。
聴感光体表面歪=0.274χ+t/(2R+ t)
[4)等式〔4〕は聴感光体表面歪、内部歪(ε、)
、感光体厚さ(【〉、およびベルトをベルトサイクル操
作中に曲げるロールの半径(R)との間の相互関係を示
す。抗カール裏打ちコーティングを有する感光体に比較
して、本発明の抗カール裏打ちコーティングなしの感光
体は零の内部歪を有し、従って、総感光体歪は曲げ歪に
等しい。等式〔4〕は次のように縮少する: 聴感光体表面歪−t/(2R+t) (5)等式
〔4〕および〔5〕を用いて、上記2つのタイプの多層
型感光体の一連のベルトモジュールロール上での聴感光
体表面歪を理論的に計算し次の第2表に示す: 第一ヨL−に 180°巻き角度を有するロール上で曲げた典型的な多
層型感光体と本発明の抗カール裏打ちコーティングなし
の感光体の総裏面歪の理論的計算値 実施例2 実施例3 0.863 0.745 0.588 0.509 0
.462 0..131 0.40B0.647 0.
51B 0.345 0.258 0.206 0.
172 0.147第2表において明らかなように、本
発明の抗カール裏打ちコーティングなしの感光体の2c
+o直径ロール上での総感光体歪は典型的な多層型感光
体の総感光体歪のわずかに75%である。これは小直径
ロール上で25%の歪減少を示している。しかしながら
、感光体表面歪減少はロール径が増大するにつれてもっ
と実質的になる。8.9 Cl11径ロール上で曲げた
とき、本発明の抗カール裏打ちコーティングなしの感光
体の計算値感光体歪減少は64%の値に達する。第2表
で示す計算結果は典型的な多層型感光体の力学的疲労ク
ラソク寿命を本発明の抗カール裏打ちコーティングなし
の感光体によって実質的に延長できたことを明白に示し
ている。
[4)等式〔4〕は聴感光体表面歪、内部歪(ε、)
、感光体厚さ(【〉、およびベルトをベルトサイクル操
作中に曲げるロールの半径(R)との間の相互関係を示
す。抗カール裏打ちコーティングを有する感光体に比較
して、本発明の抗カール裏打ちコーティングなしの感光
体は零の内部歪を有し、従って、総感光体歪は曲げ歪に
等しい。等式〔4〕は次のように縮少する: 聴感光体表面歪−t/(2R+t) (5)等式
〔4〕および〔5〕を用いて、上記2つのタイプの多層
型感光体の一連のベルトモジュールロール上での聴感光
体表面歪を理論的に計算し次の第2表に示す: 第一ヨL−に 180°巻き角度を有するロール上で曲げた典型的な多
層型感光体と本発明の抗カール裏打ちコーティングなし
の感光体の総裏面歪の理論的計算値 実施例2 実施例3 0.863 0.745 0.588 0.509 0
.462 0..131 0.40B0.647 0.
51B 0.345 0.258 0.206 0.
172 0.147第2表において明らかなように、本
発明の抗カール裏打ちコーティングなしの感光体の2c
+o直径ロール上での総感光体歪は典型的な多層型感光
体の総感光体歪のわずかに75%である。これは小直径
ロール上で25%の歪減少を示している。しかしながら
、感光体表面歪減少はロール径が増大するにつれてもっ
と実質的になる。8.9 Cl11径ロール上で曲げた
とき、本発明の抗カール裏打ちコーティングなしの感光
体の計算値感光体歪減少は64%の値に達する。第2表
で示す計算結果は典型的な多層型感光体の力学的疲労ク
ラソク寿命を本発明の抗カール裏打ちコーティングなし
の感光体によって実質的に延長できたことを明白に示し
ている。
実施例4
実施例2と3の各感光体から作製したサンプル片を18
0°巻き角度と179g/cmの張力を有する1、 9
cm径径ロール上周囲室内湿度下に41℃で3日間曲
げた。各サンプル片は60I11の幅および12cmの
長さであった。各サンプル片をロールから外し平らなテ
ーブル上に乗せた。実施例2のサンプル片は約10cn
+の直径を有するチューブの曲率を示したのに対し、実
施例3のサンプル片は平坦なま\であった。
0°巻き角度と179g/cmの張力を有する1、 9
cm径径ロール上周囲室内湿度下に41℃で3日間曲
げた。各サンプル片は60I11の幅および12cmの
長さであった。各サンプル片をロールから外し平らなテ
ーブル上に乗せた。実施例2のサンプル片は約10cn
+の直径を有するチューブの曲率を示したのに対し、実
施例3のサンプル片は平坦なま\であった。
実施例5
実施例2の感光体から作製したウェブ片を約123Cl
lの周長を有するベルトに接合しゼロックス1075コ
ピー装置中で約100,000回サイクル操作した。次
いで、ベルトを機械から取り出し試験した。感光体の各
端部は抗カール層の約50重量%がはく離したのでベル
トの中心から曲がっていた。
lの周長を有するベルトに接合しゼロックス1075コ
ピー装置中で約100,000回サイクル操作した。次
いで、ベルトを機械から取り出し試験した。感光体の各
端部は抗カール層の約50重量%がはく離したのでベル
トの中心から曲がっていた。
実施例6
厚さ3ミル(76,2μm)を有するチタンコーティン
グボリフソ化ビニルClCl社より人手できるテトラ−
(Tedlar) 3基体を用意し、この基体に、バー
ドアプリケーターを用いて、2.592gの3−アミノ
プロピルトリエトキシシラン、0、784 gの酢酸、
180gの190プルーフ変性アルコールおよび77.
3 gのへブタンを含有する溶液を塗布することによっ
て光導電性像形成部材を作製した。
グボリフソ化ビニルClCl社より人手できるテトラ−
(Tedlar) 3基体を用意し、この基体に、バー
ドアプリケーターを用いて、2.592gの3−アミノ
プロピルトリエトキシシラン、0、784 gの酢酸、
180gの190プルーフ変性アルコールおよび77.
3 gのへブタンを含有する溶液を塗布することによっ
て光導電性像形成部材を作製した。
この層を室温で5分間、次いで、強制送風炉中で135
℃、10分間乾燥させた。得られたプロ・7キング層は
0.01μmの乾燥厚さを有していた。
℃、10分間乾燥させた。得られたプロ・7キング層は
0.01μmの乾燥厚さを有していた。
次に、接着界面層を、上記ブロッキング層に0.5ミル
(12,7,c+m)の湿潤厚さを有し70:30容量
比のテトラヒドロフラン/シクロヘキサノン混合物中に
溶液の総重量基準で0.5重量%のポリエステル接着剤
(デュポン49,000 、 E、I、デュポン社より
入手できる)を含有するコーティングをバードアプリケ
ーターを用いて塗布することによって形成させた。この
接着界面層を室温で1分間、次いで、強制送風炉中で1
00℃、10分間乾燥させた。得られた接着界面層は0
.05μmの乾燥厚を有していた。
(12,7,c+m)の湿潤厚さを有し70:30容量
比のテトラヒドロフラン/シクロヘキサノン混合物中に
溶液の総重量基準で0.5重量%のポリエステル接着剤
(デュポン49,000 、 E、I、デュポン社より
入手できる)を含有するコーティングをバードアプリケ
ーターを用いて塗布することによって形成させた。この
接着界面層を室温で1分間、次いで、強制送風炉中で1
00℃、10分間乾燥させた。得られた接着界面層は0
.05μmの乾燥厚を有していた。
上記接着界面層を、その後、7.5容量%の三方晶Se
、25容量%のN、N’−ジフェニル−N。
、25容量%のN、N’−ジフェニル−N。
N′−ビス(3−メチルフェニル)−1,1′ビフェニ
ル−4,4′−ジアミン、および67.5容量%のポリ
ビニルカルバゾールを含有する光発生層でコーティング
した。この光発生層は0.8gのポリビニルカルバゾー
ルと14−の1:1容量比のテトラヒドロフランとトル
エンとの混合物を2オンス(56,78)こはくびんに
導入することによって調製した。この溶液に、0.8g
の三方晶セレンと100gの1?8インチ(3,175
mm)径のステンレススチール球を加えた。次に、この
混合物をボールミル上に72〜96時間置いた。続いて
、得られたスラリーの5gを0.36 gのポリビニル
カルバゾールと0.20 gのN、N’−ジフェニル−
N、N’−ビス(3−メチルフェニル)−1,1’−ビ
フェニル−4,4′−ジアミンとの1:1容量比のテト
ラヒドロフラン/トルエン7.5−中溶液に加えた。こ
のスラリーをシェカー上に10分間置いた。その後、得
られたスラリーを上記接着界面層にバードアプリケータ
ーにより塗布して0.5ミル(12,7μm)の湿潤厚
さを有する層を形成させた。この層を強制送風炉中で1
35℃、5分間乾燥させて2.0ミクロンの厚さを有す
る乾燥厚光発生層を形成させた。
ル−4,4′−ジアミン、および67.5容量%のポリ
ビニルカルバゾールを含有する光発生層でコーティング
した。この光発生層は0.8gのポリビニルカルバゾー
ルと14−の1:1容量比のテトラヒドロフランとトル
エンとの混合物を2オンス(56,78)こはくびんに
導入することによって調製した。この溶液に、0.8g
の三方晶セレンと100gの1?8インチ(3,175
mm)径のステンレススチール球を加えた。次に、この
混合物をボールミル上に72〜96時間置いた。続いて
、得られたスラリーの5gを0.36 gのポリビニル
カルバゾールと0.20 gのN、N’−ジフェニル−
N、N’−ビス(3−メチルフェニル)−1,1’−ビ
フェニル−4,4′−ジアミンとの1:1容量比のテト
ラヒドロフラン/トルエン7.5−中溶液に加えた。こ
のスラリーをシェカー上に10分間置いた。その後、得
られたスラリーを上記接着界面層にバードアプリケータ
ーにより塗布して0.5ミル(12,7μm)の湿潤厚
さを有する層を形成させた。この層を強制送風炉中で1
35℃、5分間乾燥させて2.0ミクロンの厚さを有す
る乾燥厚光発生層を形成させた。
この光発生体層と電荷輸送層でオーバーコーテイングし
た。電荷輸送層はこはくガラスびんにN。
た。電荷輸送層はこはくガラスびんにN。
N′−ジフェニル−N、N’−ビス(3−メチルフェニ
ル)−1,1’−ビフェニル−4,4′ジアミンとマク
ロロンR1即ち、メチルペン ファブリケン バイエル
社より商業的に人手できる分子量約50.01)O〜1
00.000を有するポリカーボネート樹脂とを1:1
の重量比で導入することにより調製した。得られた混合
物を塩化メチレンに溶解させて15重量%の固形分を含
有する溶液を調製した。この溶液を上記光発生体層上に
バードアプリケーターを用5)で塗布して乾燥させたと
き厚さ25ミクロンを有するコーティングを得た。この
コーティング工程中、湿度は15%以下であった。得ら
れた上記層のすべてを含む感光体デバイスを強制送風炉
中で135℃、5分間熱処理した。
ル)−1,1’−ビフェニル−4,4′ジアミンとマク
ロロンR1即ち、メチルペン ファブリケン バイエル
社より商業的に人手できる分子量約50.01)O〜1
00.000を有するポリカーボネート樹脂とを1:1
の重量比で導入することにより調製した。得られた混合
物を塩化メチレンに溶解させて15重量%の固形分を含
有する溶液を調製した。この溶液を上記光発生体層上に
バードアプリケーターを用5)で塗布して乾燥させたと
き厚さ25ミクロンを有するコーティングを得た。この
コーティング工程中、湿度は15%以下であった。得ら
れた上記層のすべてを含む感光体デバイスを強制送風炉
中で135℃、5分間熱処理した。
抗カールコーティングは基体に塗布しなかった。
基体は7. OX I O−’/l:の熱収縮率を有し
、電荷輸送層は6.5 Xl0−’/lの熱収縮率を有
していた。
、電荷輸送層は6.5 Xl0−’/lの熱収縮率を有
していた。
実施例7
厚さ3ミル(76゜2μm〉を有するチタンコーティン
グ非晶質ポリエチレンテレフタレートポリエステル(1
(lアメリカズ社より入手できるメリネナール(!Je
11nar) )基体を用意し、この基体に、バード
アプリケーターを用いて、2.592gの3−アミノプ
ロピルトリエトキシシラン、0.784gの酢酸、18
0gの190プルーフ変性アルコールおよび77.3
gのへブタンを含有する溶液を塗布することによって光
導電性像形成部材を作製した。
グ非晶質ポリエチレンテレフタレートポリエステル(1
(lアメリカズ社より入手できるメリネナール(!Je
11nar) )基体を用意し、この基体に、バード
アプリケーターを用いて、2.592gの3−アミノプ
ロピルトリエトキシシラン、0.784gの酢酸、18
0gの190プルーフ変性アルコールおよび77.3
gのへブタンを含有する溶液を塗布することによって光
導電性像形成部材を作製した。
この層を室温で5分間、次いで、強制送風炉中で135
℃、10分間乾燥させた。得られたブロッキング層は0
.01μmの乾燥厚さを有していた。
℃、10分間乾燥させた。得られたブロッキング層は0
.01μmの乾燥厚さを有していた。
次に、接着界面層を、上記ブロッキング層に0.5?、
ル(12,7μm)の湿潤厚さを有し70:30容量比
のテトラヒドロフラン/シクロヘキサノン混合物中に溶
液の総重量基準で0.5重量%のポリエステル接着剤(
デュポン49,000 、 E、1.デュポン社より入
手できる)を含有するコーティングをバードアプリケー
ターを用いて塗布することによって形成させた。この接
着界面層を室温で1分間、次いで、強制送風炉中で10
0℃、10分間乾燥させた。得られた接着界面層は0.
05μmの乾燥厚を有していた。
ル(12,7μm)の湿潤厚さを有し70:30容量比
のテトラヒドロフラン/シクロヘキサノン混合物中に溶
液の総重量基準で0.5重量%のポリエステル接着剤(
デュポン49,000 、 E、1.デュポン社より入
手できる)を含有するコーティングをバードアプリケー
ターを用いて塗布することによって形成させた。この接
着界面層を室温で1分間、次いで、強制送風炉中で10
0℃、10分間乾燥させた。得られた接着界面層は0.
05μmの乾燥厚を有していた。
上記接着界面層を、その後、7.5容量%の三方晶Se
、25容量%のN、N’−ジフェニル−N。
、25容量%のN、N’−ジフェニル−N。
N′−ビス(3−メチルフェニル)−1,1′ビフェニ
ル−4,4′−ジアミン、および67.5容量%のポリ
ビニルカルバゾールを含有する光発生層でコーティング
した。この光発生層は0.8gのポリビニルカルバゾー
ルと14−の1:1容量比のテトラヒドロフランとトル
エンとの混合物を2オンス(56,7g)こはくびんに
導入することによって調整した。この溶液に、0.8g
の三方晶セレンと100gの1/8インチ(3,175
+im)径のステンレススチール球を加えた。次に、こ
の混合物をボールミル上に72〜96時間置いた。
ル−4,4′−ジアミン、および67.5容量%のポリ
ビニルカルバゾールを含有する光発生層でコーティング
した。この光発生層は0.8gのポリビニルカルバゾー
ルと14−の1:1容量比のテトラヒドロフランとトル
エンとの混合物を2オンス(56,7g)こはくびんに
導入することによって調整した。この溶液に、0.8g
の三方晶セレンと100gの1/8インチ(3,175
+im)径のステンレススチール球を加えた。次に、こ
の混合物をボールミル上に72〜96時間置いた。
続いて、得られたスラリーの5gを0.36 gのポリ
ビニルカルバゾールと0.20 gのN、N’−ジフェ
ニル−N、N’−ビス(3−メチルフェニル)−1,1
’−ビフェニル−4,4′−シアよンとの1:1容量比
のテトラヒドロフラン/トルエン7.5−中温液に加え
た。このスラリーをシェカー上に10分間置いた。その
後、得られたスラリーを上記接着界面層にバードアプリ
ケーターにより塗布して0.5ミル(12,7μm)の
湿潤厚さを有する層を形成させた。この層を強制送風炉
中で135℃、5分間乾燥させて2.0ミクロンの厚さ
を有する乾燥厚光発生層を形成させた。
ビニルカルバゾールと0.20 gのN、N’−ジフェ
ニル−N、N’−ビス(3−メチルフェニル)−1,1
’−ビフェニル−4,4′−シアよンとの1:1容量比
のテトラヒドロフラン/トルエン7.5−中温液に加え
た。このスラリーをシェカー上に10分間置いた。その
後、得られたスラリーを上記接着界面層にバードアプリ
ケーターにより塗布して0.5ミル(12,7μm)の
湿潤厚さを有する層を形成させた。この層を強制送風炉
中で135℃、5分間乾燥させて2.0ミクロンの厚さ
を有する乾燥厚光発生層を形成させた。
この光発生体層と電荷輸送層でオーバーコーテイングし
た。電荷輸送層はこはくガラスびんにN2N′−ジフェ
ニル−N、N’−ビス(3−メチルフェニル)−1,1
’−ビフェニル−4,4′ジアミンとマクロロンR1即
ち、メチルペン ファブリケン バイエル社より市販さ
れている分子量約50.000〜100.000を有す
るポリカーボネート樹脂とを1=1の重量比で導入する
ことにより調製した。得られた混合物を塩化メチレンに
溶解させて15重量%の固形分を含有する溶液を調製し
た。この溶液を上記光発生体層上にバードアプリケータ
ーを用いて塗布して乾燥させたとき、厚さ25ミクロン
を有するコーティングを得た。このコーティング工程中
、湿度は15%以下であった。
た。電荷輸送層はこはくガラスびんにN2N′−ジフェ
ニル−N、N’−ビス(3−メチルフェニル)−1,1
’−ビフェニル−4,4′ジアミンとマクロロンR1即
ち、メチルペン ファブリケン バイエル社より市販さ
れている分子量約50.000〜100.000を有す
るポリカーボネート樹脂とを1=1の重量比で導入する
ことにより調製した。得られた混合物を塩化メチレンに
溶解させて15重量%の固形分を含有する溶液を調製し
た。この溶液を上記光発生体層上にバードアプリケータ
ーを用いて塗布して乾燥させたとき、厚さ25ミクロン
を有するコーティングを得た。このコーティング工程中
、湿度は15%以下であった。
得られた上記層のすべてを含む感光体デバイスを強制送
風炉中で135℃、5分間熱処理した。抗カールコーテ
ィングは基体に適用しなかった。基体は6.5 X 1
0−S/’Cの熱収縮率を有し、電荷輸送層は6.5
X 10−’/’Cの熱収縮率を有していた。
風炉中で135℃、5分間熱処理した。抗カールコーテ
ィングは基体に適用しなかった。基体は6.5 X 1
0−S/’Cの熱収縮率を有し、電荷輸送層は6.5
X 10−’/’Cの熱収縮率を有していた。
実施例8
厚さ3ミル(76,2μm)を有するチタンコーディン
グポリカーボネート〔モーベイケミカル社より人手でき
るマクロフォル(Makrofol) )基体を用意し
、この基体に、バードアプリケーターを用いて、2.5
92 gの3−アミノプロピルトリエトキシシラン、0
.784 gの酢酸、180gの190プルーフ変性ア
ルコールおよび77.3 gのへブタンを含有する溶液
を塗布することによって光導電性像形成部材を作製した
。
グポリカーボネート〔モーベイケミカル社より人手でき
るマクロフォル(Makrofol) )基体を用意し
、この基体に、バードアプリケーターを用いて、2.5
92 gの3−アミノプロピルトリエトキシシラン、0
.784 gの酢酸、180gの190プルーフ変性ア
ルコールおよび77.3 gのへブタンを含有する溶液
を塗布することによって光導電性像形成部材を作製した
。
この層を室温で5分間、次いで、強制送風炉中で135
℃、10分間乾燥させた。得られたブロッキング層は0
.01μmの乾燥厚さを有していた。
℃、10分間乾燥させた。得られたブロッキング層は0
.01μmの乾燥厚さを有していた。
次に、接着界面層を、上記ブロッキング層に0.5ミル
(12,7μm)の湿潤厚さを有し70:30容量比の
テトラヒドロフラン/シクロヘキサノン混合物中に溶液
の総重量基準で0.5重量%のポリエステル接着剤(デ
ュポン49,000 、E、1.デュポン社より入手で
きる)を含有するコーティングをバードアプリケーター
を用いて塗布することによって形成させた。この接着界
面層を室温で1分間、次いで、強制送風炉中で100℃
、10分間乾燥させた。得られた接着界面層は0.05
.+1mの乾燥厚を有していた。
(12,7μm)の湿潤厚さを有し70:30容量比の
テトラヒドロフラン/シクロヘキサノン混合物中に溶液
の総重量基準で0.5重量%のポリエステル接着剤(デ
ュポン49,000 、E、1.デュポン社より入手で
きる)を含有するコーティングをバードアプリケーター
を用いて塗布することによって形成させた。この接着界
面層を室温で1分間、次いで、強制送風炉中で100℃
、10分間乾燥させた。得られた接着界面層は0.05
.+1mの乾燥厚を有していた。
上記接着界面層を、その後、7.5容量%の三方晶Se
、25容量%のN、N’−ジフェニル−N。
、25容量%のN、N’−ジフェニル−N。
N′−ビス(3−メチルフェニル)−1、l′ビフェニ
ル−4,4′−ジアミン、および67.5容量%のポリ
ビニルカルバゾールを含有する光発生層でコーティング
した。この光発生層は0.8gのポリビニルカルバゾー
ルと14m1の1:l容It。
ル−4,4′−ジアミン、および67.5容量%のポリ
ビニルカルバゾールを含有する光発生層でコーティング
した。この光発生層は0.8gのポリビニルカルバゾー
ルと14m1の1:l容It。
のテトラヒドロフランとトルエンとの混合物を2オンス
(56,7g)こはくびんに導入することによって調製
した。この溶液に、0.8gの三方晶セレンと100g
の1/8インチ(3,175mm)径のステンレススチ
ール球を加えた。次に、この混合物をボールミル上に7
2〜96時間置いた。続いて、得られたスラリーの5g
を0.36 gのポリビニルカルバゾールと0.20
gのN、N’−ジフェニル〜N、N’−ビス(3−メチ
ルフェニル〉1.1′−ビフェニル−4,4′−ジアミ
ンとの1:l容量比のテトラヒドロフラン/トルエン7
.5mf中溶液溶液えた。このスラリーをシェカー上に
10分間置いた。その後、得られたスラリーを上記接着
界面層にバードアプリケーターにより塗布して0.5ミ
ル(12,7μm)の湿潤厚さをイアする層を形成させ
た。この層を強制送風炉中で135℃、5分間乾燥させ
て2.0ミクロンの厚さを有する乾燥厚光発生層を形成
させた。
(56,7g)こはくびんに導入することによって調製
した。この溶液に、0.8gの三方晶セレンと100g
の1/8インチ(3,175mm)径のステンレススチ
ール球を加えた。次に、この混合物をボールミル上に7
2〜96時間置いた。続いて、得られたスラリーの5g
を0.36 gのポリビニルカルバゾールと0.20
gのN、N’−ジフェニル〜N、N’−ビス(3−メチ
ルフェニル〉1.1′−ビフェニル−4,4′−ジアミ
ンとの1:l容量比のテトラヒドロフラン/トルエン7
.5mf中溶液溶液えた。このスラリーをシェカー上に
10分間置いた。その後、得られたスラリーを上記接着
界面層にバードアプリケーターにより塗布して0.5ミ
ル(12,7μm)の湿潤厚さをイアする層を形成させ
た。この層を強制送風炉中で135℃、5分間乾燥させ
て2.0ミクロンの厚さを有する乾燥厚光発生層を形成
させた。
この光発生体層と電荷輸送層でオーバーコーテイングし
た。電荷輸送層はこはくガラスびんにN。
た。電荷輸送層はこはくガラスびんにN。
N′−ジフェニル−N、N’−ビス(3−メチルフェニ
ル)−1,1’−ビフェニル−4,4′ジアミンとマク
ロロンR1即ち、メチルペン ファブリケン バイエル
社より市販されている分子量約50,000〜100,
000を有するポリカーボネート樹脂とをl:1の重量
比で導入することにより調製した。得られた混合物を塩
化メチレンに溶解させて15重量%の固形分を含有する
溶液を調製した。この溶液を上記光発生体層上にバード
アプリケーターを用いて塗布して乾燥させたとき厚さ2
5ミクロンを有するコーティングを得た。このコーティ
ング工程中、湿度は15%以下であった。
ル)−1,1’−ビフェニル−4,4′ジアミンとマク
ロロンR1即ち、メチルペン ファブリケン バイエル
社より市販されている分子量約50,000〜100,
000を有するポリカーボネート樹脂とをl:1の重量
比で導入することにより調製した。得られた混合物を塩
化メチレンに溶解させて15重量%の固形分を含有する
溶液を調製した。この溶液を上記光発生体層上にバード
アプリケーターを用いて塗布して乾燥させたとき厚さ2
5ミクロンを有するコーティングを得た。このコーティ
ング工程中、湿度は15%以下であった。
得られた上記層のすべてを含む感光体デバイスを強制送
風炉中で135℃、5分間熱処理した。抗カールコーテ
ィングは基体に適用しなかった。基体は6.5 X 1
0−’/’Cの熱収縮率を有し1.電荷輸送層は6.5
X 10−’/”Cの熱収縮率を有していた。
風炉中で135℃、5分間熱処理した。抗カールコーテ
ィングは基体に適用しなかった。基体は6.5 X 1
0−’/’Cの熱収縮率を有し1.電荷輸送層は6.5
X 10−’/”Cの熱収縮率を有していた。
本発明を特定の好ましい実施態様について説明して来た
けれども、本発明はこれらに限定されるものではなく、
むしろ、当業者であれば、種々の変形および修正が本発
明の精神および特許請求の範囲内においてなされ得るこ
とは理解されるであろう。
けれども、本発明はこれらに限定されるものではなく、
むしろ、当業者であれば、種々の変形および修正が本発
明の精神および特許請求の範囲内においてなされ得るこ
とは理解されるであろう。
手
続
補
正
書
(方式)
2、発明の名称
電子写真像形成システム
3、補正をする者
事件との関係
出
願
人
名
称
ゼロックス
コーポレーション
4、代
理
人
5、補正命令の日付
平成2年7月31日
7、補正の内容
別紙の通り
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、熱可塑性皮膜形成性ポリマーを含む可撓性の支持基
体層を含み、該基体層が1面上はコーティングされてな
く他の1面上は導電性層、任意構成成分としての接着層
、電荷発生体層、および熱可塑性皮膜形成性ポリマーを
含む電荷輸送層でコーティングされており、該基体層が
上記電荷輸送層の熱収縮率と実質的に同じ熱収縮率を有
することを特徴とする可撓性電子写真像形成部材。 2、可撓性支持基体層がポリエーテルスルホンを含む請
求項1記載の可撓性電子写真像形成部材。 3、電荷輸送層がポリカーボネートを含む請求項1記載
の平坦な可撓性電子写真像形成部材。 4、基体層と電荷輸送層間の熱収縮率の差が約0℃〜約
150℃の温度で約−2×10^−^5/℃〜+2×1
0^−^5/℃である請求項1記載の可撓性電子写真像
形成部材。5、可撓性支持基体層、導電性層、任意構成
成分としての接着層、電荷発生体層および電荷輸送を用
い、かつ上記基体層が上記電荷輸送層の熱収縮率と実質
的に同じ熱収縮率を有し、該像形成部材上に静電潜像を
形成させ、該像形成部材上に上記静電潜像に一致したト
ナー像を形成させ該トナー像を受像部材に転写すること
を特徴とする電子写真像形成方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US293165 | 1989-01-03 | ||
| US07/293,165 US4983481A (en) | 1989-01-03 | 1989-01-03 | Electrostatographic imaging system |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0339970A true JPH0339970A (ja) | 1991-02-20 |
| JP2601552B2 JP2601552B2 (ja) | 1997-04-16 |
Family
ID=23127935
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1339918A Expired - Lifetime JP2601552B2 (ja) | 1989-01-03 | 1989-12-27 | 電子写真像形成システム |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4983481A (ja) |
| EP (1) | EP0377318B1 (ja) |
| JP (1) | JP2601552B2 (ja) |
| DE (1) | DE68926441T2 (ja) |
Families Citing this family (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5227272A (en) * | 1989-12-12 | 1993-07-13 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Electrophotographic light-sensitive material |
| US5202208A (en) * | 1990-02-16 | 1993-04-13 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Electrophotographic light-sensitive material |
| JP2758693B2 (ja) * | 1990-04-18 | 1998-05-28 | 信越化学工業株式会社 | 光アイソレータおよびその製造方法 |
| US5021309A (en) * | 1990-04-30 | 1991-06-04 | Xerox Corporation | Multilayered photoreceptor with anti-curl containing particulate organic filler |
| US5089369A (en) * | 1990-06-29 | 1992-02-18 | Xerox Corporation | Stress/strain-free electrophotographic device and method of making same |
| US5187496A (en) * | 1990-10-29 | 1993-02-16 | Xerox Corporation | Flexible electrographic imaging member |
| US5167987A (en) * | 1991-11-04 | 1992-12-01 | Xerox Corporation | Process for fabricating electrostatographic imaging members |
| JP3318373B2 (ja) * | 1991-12-23 | 2002-08-26 | ゼロックス・コーポレーション | 可撓性電子写真像形成部材の製造方法 |
| EP0550161B1 (en) * | 1991-12-30 | 2000-06-07 | Xerox Corporation | Single layer photoreceptor |
| US5846681A (en) * | 1992-09-30 | 1998-12-08 | Xerox Corporation | Multilayer imaging member having improved substrate |
| JP3292329B2 (ja) * | 1992-10-16 | 2002-06-17 | ゼロックス・コーポレーション | 静電写真システムの中間転写部材 |
| JPH06202412A (ja) * | 1992-12-26 | 1994-07-22 | Canon Inc | 画像形成装置 |
| US5606396A (en) * | 1995-01-06 | 1997-02-25 | Xerox Corporation | Imaging process using flexible electrostatographic imaging member |
| US5681679A (en) * | 1996-09-27 | 1997-10-28 | Xerox Corporation | Overcoated electrophotographic imaging member with resilient charge transport layer |
| US5728498A (en) * | 1996-09-27 | 1998-03-17 | Xerox Corporation | Electrophotographic imaging member having an improved charge transport layer |
| US5863685A (en) * | 1997-08-19 | 1999-01-26 | Xerox Corporation | Electrophotographic imaging member having an improved charge transport layer |
| US6025102A (en) * | 1997-08-19 | 2000-02-15 | Xerox Corporation | Electrophotographic imaging member |
| US5911934A (en) * | 1997-09-05 | 1999-06-15 | Xerox Corporation | Photoreceptor calendering method |
| US6099996A (en) * | 1998-03-26 | 2000-08-08 | Xerox Corporation | Electrophotographic imaging member with an improved charge transport layer |
| US6743390B2 (en) | 2001-10-09 | 2004-06-01 | Xerox Corporation | Stress release method |
| US6660441B2 (en) | 2002-01-07 | 2003-12-09 | Xerox Corporation | Simplified flexible electrostatographic imaging member belt |
| US6939652B2 (en) * | 2002-10-15 | 2005-09-06 | Xerox Corporation | Flexible electrostatographic imaging member |
| US7182903B2 (en) * | 2003-03-07 | 2007-02-27 | Xerox Corporation | Endless belt member stress relief |
| US7455802B2 (en) * | 2003-12-23 | 2008-11-25 | Xerox Corporation | Stress release method and apparatus |
| US20060151922A1 (en) * | 2005-01-10 | 2006-07-13 | Xerox Corporation | Apparatus and process for treating a flexible imaging member web stock |
| US7829251B2 (en) * | 2005-03-24 | 2010-11-09 | Xerox Corporation | Mechanical and electrical robust imaging member and a process for producing same |
| US7642029B2 (en) * | 2005-10-28 | 2010-01-05 | Xerox Corporation | Imaging member |
| US7527903B2 (en) | 2005-10-28 | 2009-05-05 | Xerox Corporation | Imaging member |
| US20090075190A1 (en) * | 2007-09-14 | 2009-03-19 | Xerox Corporation | Imaging member having a dual charge generation layer |
| KR101537654B1 (ko) * | 2010-04-22 | 2015-07-17 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 유기 일렉트로닉스 재료, 중합 개시제 및 열중합 개시제, 잉크 조성물, 유기 박막 및 그 제조 방법, 유기 일렉트로닉스 소자, 유기 일렉트로 루미네센스 소자, 조명 장치, 표시 소자, 및 표시 장치 |
| CN107357145B (zh) * | 2017-08-24 | 2020-12-18 | 中船重工汉光科技股份有限公司 | 一种负电性单层有机光导鼓及其制备方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60254139A (ja) * | 1984-05-15 | 1985-12-14 | ゼロツクス コーポレーシヨン | 静電写真像形成方法 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3493427A (en) * | 1963-07-06 | 1970-02-03 | Fujitsu Ltd | Recording body for electrostatic recording |
| BE790087A (fr) * | 1971-10-13 | 1973-04-13 | Eastman Kodak Co | Procede de traitement d'une pellicule destinee notamment a la fabrication de produits photographiques |
| JPS52145037A (en) * | 1976-05-27 | 1977-12-02 | Canon Inc | Electrophotographic light sensitive material |
| US4265990A (en) * | 1977-05-04 | 1981-05-05 | Xerox Corporation | Imaging system with a diamine charge transport material in a polycarbonate resin |
| DE3043040A1 (de) * | 1979-11-14 | 1981-05-21 | Canon K.K., Tokyo | Verfahren zum entwickeln elektrischer latenter bilder sowie eine vorrichtung zur durchfuehrung dieses verfahrens |
| DE3032774A1 (de) * | 1980-08-30 | 1982-05-06 | Hoechst Ag, 6000 Frankfurt | Elektrophotographisches aufzeichnungsmaterial |
| US4381337A (en) * | 1981-11-23 | 1983-04-26 | Pitney Bowes Inc. | Polyester adhesive layer for photosensitive elements |
| US4391888A (en) * | 1981-12-16 | 1983-07-05 | Pitney Bowes Inc. | Multilayered organic photoconductive element and process using polycarbonate barrier layer and charge generating layer |
| JPS6025784B2 (ja) * | 1981-12-22 | 1985-06-20 | 山陽国策パルプ株式会社 | カ−ル発生量を抑制した記録用紙 |
| JPS6228767A (ja) * | 1985-07-30 | 1987-02-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 電子写真用感光体 |
| US4654284A (en) * | 1985-10-24 | 1987-03-31 | Xerox Corporation | Electrostatographic imaging member with anti-curl layer comprising a reaction product of a binder bi-functional coupling agent and crystalline particles |
| US4747992A (en) * | 1986-03-24 | 1988-05-31 | Sypula Donald S | Process for fabricating a belt |
| JPS62280752A (ja) * | 1986-05-30 | 1987-12-05 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JP2651526B2 (ja) * | 1987-09-17 | 1997-09-10 | 株式会社リコー | フレキシブル電子写真感光体 |
| US4772526A (en) * | 1987-10-13 | 1988-09-20 | Eastman Kodak Company | Electrophotographic element |
-
1989
- 1989-01-03 US US07/293,165 patent/US4983481A/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-12-22 EP EP89313567A patent/EP0377318B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-12-22 DE DE68926441T patent/DE68926441T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-12-27 JP JP1339918A patent/JP2601552B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60254139A (ja) * | 1984-05-15 | 1985-12-14 | ゼロツクス コーポレーシヨン | 静電写真像形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0377318A2 (en) | 1990-07-11 |
| DE68926441T2 (de) | 1996-11-28 |
| JP2601552B2 (ja) | 1997-04-16 |
| US4983481A (en) | 1991-01-08 |
| EP0377318A3 (en) | 1991-12-27 |
| EP0377318B1 (en) | 1996-05-08 |
| DE68926441D1 (de) | 1996-06-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0339970A (ja) | 電子写真像形成システム | |
| US5167987A (en) | Process for fabricating electrostatographic imaging members | |
| US6099996A (en) | Electrophotographic imaging member with an improved charge transport layer | |
| JPH0574817B2 (ja) | ||
| JPS60207148A (ja) | ペリレン染料組成物を含有する光導電装置 | |
| JPS63289554A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH05100453A (ja) | 高速電子写真像形成装置 | |
| JP2007293342A (ja) | 画像形成部材 | |
| US6025102A (en) | Electrophotographic imaging member | |
| EP1918779A1 (en) | Photoreceptor containing substituted biphenyl diamine and method of forming same | |
| US4467023A (en) | Layered photoresponsive device containing hole injecting ground electrode | |
| US5728498A (en) | Electrophotographic imaging member having an improved charge transport layer | |
| US5863685A (en) | Electrophotographic imaging member having an improved charge transport layer | |
| JP4865261B2 (ja) | 光導電性部材 | |
| JPH02228673A (ja) | 電子写真像形成部材 | |
| US5229239A (en) | Substrate for electrostatographic device and method of making | |
| JP4191728B2 (ja) | 電子写真感光体の製造方法 | |
| US5066557A (en) | Styrene butadiene copolymers as binders in mixed pigment generating layer | |
| US5356741A (en) | Control of the acid/base environment in photoconductive elements | |
| JP4617235B2 (ja) | 電子写真感光体及び電子写真感光体の製造方法 | |
| JP2004093809A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JP2013246307A (ja) | 電子写真感光体、それを用いた画像形成装置 | |
| US8098925B2 (en) | Photoconductors and processes thereof | |
| JP3574779B2 (ja) | 感光体および画像形成装置 | |
| GB2258737A (en) | Photoreceptor. |