JPH0340249A - 光磁気記録方法及びそれに使用する光磁気記録装置並びに光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） この発明は書き替え容易、重ね書き容易の光磁気記録方
法及びそれに使用する光磁気記録装置並びに光磁気記録
媒体に関する。

（従来の技術） 光磁気記録は、以下の原理により行われる。

すなわち、「記録」は、第１６図（ａ）に示すように、
光磁気材料薄膜１へ光ビーム２を照射すると共に、照射
部分へ、外部から磁界３を加えると、光ビーム照射部分
は加熱され昇温するので、その部分の保磁力Ｈｅは小さ
くなり、磁化４は加えた磁界３の方向に反転しやすくな
る。

そして、光ビーム２の照射を中止すると、光ビーム照射
部分は冷却されて常温にもどり、保磁力も旧に戻るので
、磁化４は反転した状態で固定する。こうして光磁気材
料薄膜１とは磁化の向きが反対の領域が形成され、情報
の記録が可能になる。

また以上のようにして情報を記録した光磁気記録材料薄
膜（以下「光磁気記録膜」という）１にｙ・ｔ　ｔ、て
、第１６図（ｂ）のように直線偏光５を照射し、その反
射光（又は透過光）５ａの偏光面の回転状態が磁化の向
きによって相違する現象（磁気カー効果及びファラデー
効果）により「読み取る」　（再生）ことができる。

さらに、以上のようにして情報を記録した光磁気記録膜
１へ、第１６図（Ｃ）に示すごとく再び光ビーム２を照
射して、記録領域を加熱昇温すると、その領域の保磁力
Ｈｅは減少するので、外部磁界３の磁界の向きを、光磁
気記録膜１ａの磁化方向と同じ向きにすると、記録領域
の磁化は反転し、記録は「消去」される。

以上の原理を具現化した従来の光磁気記録装置は第１７
図に示すごとく、ディスク基板８上に光磁気記録材料薄
膜で形成した光磁気記録層１を設けた光磁気記録媒体つ
と、この光磁気記録媒体９へ情報にしたがって変調され
た光ビームを照射する光照射手段６と、光照射手段６か
ら投射される光ビーム６ａを光磁気記録媒体９の光磁気
記録層１上に集光レンズ７と、光磁気記録媒体９上の光
磁気記録層１上の光ビーム投射領域上に設けた磁界印加
手段３ａから成り、さらにこの光磁気記録装置は光ビー
ム６ａにより光磁気記録媒体９上面を走査できるように
ディスク基板８を矢印方向へ（時計回り）に回転できる
構成になっている。

また、この光磁気記録装置は記録情報を再生するために
、光磁気記録層１からの反射光を読取り装置１２へ導く
ために、光ビーム照射光路中に光ビームスプリッタ１１
を配している。

しかし、上述した従来の光磁気記録装置を用いると、「
記録」時に、光磁気記録層１の光ビーム投射領域のみ加
熱昇温されて、保磁力が低下し、記録適温に達して、投
射領域の磁化は外部から加えられた磁界３の方向に従う
。しかしながら、光磁気記録媒体９に、前に記録してい
る情報を新しい情報へ「書き替え」ようとするると、光
磁気記録媒体９に記録してある情報を、−旦「消去」す
る作業、つまり光磁気記録媒体の記録領域の磁化を、も
ともとの光磁気記録層１の磁化状態に揃える作業が必要
である。そして、その後更に外部磁界を原記録時と反対
の方向にした状態で、記録領域へ情報信号に従って強度
変調した光ビームを照射して新情報に「書き替え」る作
業の二度手間を必要とし、磁気記録のような「重ね書き
」は不可能である。

このような難点のうち、「書き替え」の問題を解決する
ため、例えば特開昭６０−１４７９５０号公報明細書（
発明の名称：　「消去同時記録が可能な情報ファイル」
）３頁右欄、第６行から右欄の最終行及び第２図におい
て、非磁性体円盤上に希土類遷移動金属合金からなる強
磁性体薄膜を設けた光磁気ディスク上に情報を記録した
同一トラック列を無変調の光ビームの走査に続いて、情
報信号に従って強度変調した光ビームを走査し、旧記録
情報を消去すると同時に、新情報を記録する「書き替え
」装置について開示している。

また、特開昭６０−１０６０４２号公報明細書（発明の
名称：　「光学式記録再生装置」）の第３頁左欄、発明
の構成の項には、磁気光学効果を有する情報記録媒体と
、記録再生、消去のそれぞれの作用を行わせる複数個の
微小光スポットを近接して形成する一個の光ヘッドと、
情報の記録時に記録用、消去用の２個の微小スポット位
置で互いに逆方向の磁界を加える磁気バイアス付加装置
を備えた光学式記録再生装置について記載し、上述した
構成により一個の光学ヘッド、−個の磁気バイアス付加
装置で、再記録の場合情報の消去開始とほぼ同時に新た
な情報の記録開始が可能な装置を構成できることについ
て提案している。

（発明が解決しようとする課題） ところが、上述した特開昭６０−１４７９５０号に開示
している発明は、記録媒体上を無変調の光ビームの走査
に続いて、情報信号に従って変調した光ビニムを走査し
、記録用（変調）光ビームが投射される前記記録媒体の
第１の部位と無変調の光ビームが投射される第２の部位
に、互いに逆方向の磁界を与えるため先端部が磁極対で
構成されている補助磁極を設けることを開示しているが
（特開昭６０−１４７９５０号公報明細書の特許請求の
範囲の項）、特開昭６０−１４７９５０号公報明細書の
「消去同時記録が可能な情報ファイル」に開示されてい
る記録媒体への情報の書き込みも、特開昭６０−１０６
０４２号公報明細書の「光学式記録再生装置」らに開示
されている記録媒体への情報の書き込みも、一つの光ヘ
ッドから出した消去用ビームと、記録用ビームは、記録
媒体上では、たかだか数１０μｍの距離しか離れておら
ず、この間隔で両方の光ビームの照射位置に互いに逆方
向の磁界を加えるような外部磁界印加装置を現実に具体
化することは構造的に困難である。　また「重ね書き」
は、上述したように光ビーム変調方式を取る限り、困難
であるが、照射する光ビームの光強度を固定し、バイア
ス磁界の印加方向を光束で変調する磁気記録に準じた方
法を行えば、重ね書きも可能である。しかし、磁界を、
例えば数メガヘルツで変調するためには、通常の磁気記
録同様、バイアス磁界発生装置を記録媒体に近接（数マ
イクロメータないし１０数マイクロメータまで）接近さ
せなければならず、光磁気ディスク本来の利点である記
録媒体の可換性が損なわれる。

そこで、この発明は上述した従来の光磁気方法の欠点を
除去するためになされたものであって、大型な付属設備
を必要とする外部磁界の助けを借りることなく、光磁気
記録媒体に容易に情報信号の記録、「書き替え」、「重
ね書き」を行うことのできる光磁気記録方法を提供しよ
うとするものである。

また、この発明はこのような光磁気記録方法の実施に使
用する光磁気記録装置及び光磁気記録媒体を提供しよう
とするものである。

［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 以上の目的を達成するためこの発明の光磁気記録方法の
第１は、第１図に示すごとき時系列的なプロセスにより
行われる。

すなわち、非磁性層とバイアス磁性層を設けてなる光磁
気記録媒体を用い、（プロセス１）該光磁気記録媒体の
書き替え領域上のバイアス磁性層へ第１の光ビームを集
光して、一定強度で連続照射しバイアス磁性層を加熱上
昇して磁化不均衡磁界を発生させると共に、書き替え領
域上の光磁気記録層をも加熱昇温して保磁力を低下させ
、前記バイアス磁性層に発生した不均衡磁界により光磁
気記録層に書き込まれている旧記録を消去し、（プロセ
ス２） さらに第１光ビームによる書き替え領域走行に続いて第
２の光ビームを、前記光磁気記録媒体の書き替え領域上
の光磁気記録層へ集光すると共に、第２光ビームの強度
を情報信号に対応して高強度と低強度間に変調せて書き
替え領域を走行し、高強度光ビーム照射時には光磁気記
録層を加熱昇温して保磁力を低下させ、光磁気記録層の
自己漏洩磁界により、書き替え領域の光磁気記録層を消
去状態と逆方向磁化状態に記録し、低強度光ビーム照射
時には光磁気記録層の自然冷却により保磁力を増大させ
て磁化状態を固定することを特徴とするものである。（
プロセス３） また、この発明にかかる光磁気記録媒体方法の第２は、
第２図に示すように、非磁性層を挾んでその上下面に、
それぞれ光磁気記録層とバイアス磁性層とを設けてなる
光磁気記録媒体を用い、（プロセス２ａ） 該光磁気記録媒体の書き替え領域上のバイアス磁性層へ
第１の光ビームを集光し、光磁気記録層へ第２の光ビー
ムを集光させて重ね書き領域を第１光ビームと同時に走
査し、さらにバイアス磁性層へ集光させた第１光ビーム
の強度を情報信号に対応して高強度と低強度間に変調さ
せてバイアス磁性層の加熱温度を補償点温度を挾んで上
下に変動せしめると共に、その加熱温度の上下の変動に
対応してそれぞれ磁性層の磁化方向を互いに反対方向へ
変え、光磁気記録層に加わるバイアス磁界を互いに反対
方向へ向くように制御し、さらに光磁気記録層へ集光さ
れた第２光ビームは一定の強度で光磁気記録層を連続照
射して光磁気記録層を加熱昇温して保磁力を低下させ、
光磁気記録層に形成される磁化方向を前記バイアス磁性
層のバイアス磁界方向に向けることに重ね書きするもの
である。（プロセス２ａ） また、この発明の光磁気記録媒体の一つは第３図に示す
ごとく、 非磁性層１３を挾んでその上下面に、それぞれ光磁気記
録層１とバイアス磁性層１４とを設けてなる光磁気記録
媒体１５と、 光磁気記録媒体１５を移動する手段２ｏと、光磁気記録
媒体１５の書き替え領域を先後して走査する第１及び第
２ビーム１６ａ、１７ａ、を発生する手段１６．１７と
、 第１及び第２光ビーム１６ａ、１７ａのうち、第１光ビ
ーム１６ａを前記書き替え領域のバイアス磁性層１４に
、第２光ビーム１７ａを光磁気紀録層１へ集光せしめる
集光手段７と、 第１光ビーム１６ａを前記バイアス磁性層１４に一定の
強度で連続照射すると共に光磁気記録層１をも照射する
光強度一定連続照射手段１８と、前記書き替え領域の光
磁気記録層１に対し第２光ビーム１７ａを情報信号に対
応して光強度を変調する光強度変調手段１つとからなっ
ている。

また、この発明の光磁気記録装置のもう一つは、第４図
に示すごとく、非磁性層１３を挾んでその上下面に、そ
れぞれ光磁気記録層１とバイアス磁性層１４とを設けて
なる光磁気記録媒体１５と、光磁気記録媒体１５を移動
する手段２０と、光磁気記録媒体１５上の重ね書き領域
を同時に走査する第１及び第２光ビーム発生手段１６．
１７と、 第１ビームを前記重ね書き領域のバイアス磁性層１４に
、第２光ビーム１７ａを光磁気記録層１に集光せしめる
集光手段７と、 前記第１光ビーム１６を、情報信号に対応して高強度と
低強度間に変調して照射する光強度変調手段１９と、 前記第２光ビーム１７ａを一定の光強度で光磁気記録層
を連続照射する光強度一定連続照射手段１８とからなっ
ている。

また、この発明の光磁気記録媒体は、第５図に示すごと
く、 非磁性層を挾んでその上下面に、それぞれ光磁気記録層
とバイアス磁性層とを設けたことを特徴とする。

（作用） 以上のようにこの発明にかかる第１の光磁気記録方法は
非磁性層を挾んで上下面にそれぞれ光磁気記録層とバイ
アス磁性層を設けた光磁気記録媒体を用い、当該光磁気
記録媒体の書き替え領域上のバイアス磁性層へ第１の光
ビームを集光し一定強度で連続照射しながら先行走査す
ると共に光磁気記録層をも照射するから、第５図に示す
ように光磁気記録層加熱昇温して保磁力Ｈｅが低下し、
同時にバイアス磁性層も第１光ビームの集光加熱により
昇温し、温度の不均一分布により磁化不均衡磁界（第５
図の磁化特性曲線Ｍの温度依存性に注目）が現われ、光
磁気記録層にバイアス磁界を加え、磁化不均衡磁界のバ
イアス磁界方向に磁化を反転させる。この結果、光磁気
記録層に書き込まれている旧記録は消去される。

さらに、前記光ビームの走査に続いて第２光ビームが書
き替え領域上の光磁気記録層に集光され、情報信号に対
応して高強度・低強度間に変調されながら層−を走査す
るので旧記録の消去され°た光磁気記録層へは高強度照
射時に新情報が書き込まれ、低強度照射時には自然冷却
されて記録は固定される。

また、この発明の光磁気記録方法は第１の記録方法に使
用したと同様の光磁気記録媒体を用い、この光磁気記録
媒体の重ね書き領域上のバイアス磁性層を希土類遷移金
属合金を一定の組成比で構成した補償点材料でつくった
ものを使用した上、当該層第１の光ビームを集光し、こ
の第１の光ビームを情報信号に対応して高強度と低強度
間に変調させ、当該バイアス磁性層を加熱し、補償点温
度Ｔ　ｅｏＩｐを中心としてその上、下に温度を変動さ
せると、補償点温度”ｒ　ｃｏｓｐを中心とした上、下
の温度ではバイアス磁性層の磁化は第６図に示すように
、減少から増大へ転するため、光磁気記録層へ加えられ
るバイアス磁界の方向が反転する。

方、第２の光ビームは前記第１光ビームと同時に重ね書
き領域の光磁気記録層へ一定の強度で連続照射されるか
ら、光磁気記録層は加熱昇温し、保磁力Ｈｅは低下する
ので、光磁気記録層に形成される磁化は、前記バイアス
磁性層の変調磁界方向に従い、光ビームの通過後は自然
冷却されて磁化は保存される。

さらに、この発明の光磁気記録装置の第１は上述した構
成の光磁気記録媒体を移動させながら、書き替え領域の
バイアス磁性層に第１の光ビームを集光させながら同時
に光磁気記録層へも一定強度で照射走査した後、続いて
第１の光ビームと波長の異なる第２の光ビームを書き替
え領域の光磁気記録層へ集光させ情報記録に対応した高
強度及び低強度間で強度変調させながら光磁気記録層を
走査するから、外部磁界を使用することなく容易に情報
の書き替えができる。

また、この発明の光磁気記録装置の第２は、前記光磁気
記録装置と同じように、非磁性層を挾んで上下面をそれ
ぞれバイアス磁性層と光磁気記録層を設けてなる光磁気
記録媒体を移動させながら、重ね書き領域のバイアス層
に第１の光ビームを集光させ、情報信号に対応させて高
強度及び低強度間で強度変調させながら光照射すると同
時に、重ね書き領域の光磁気記録層へ第１の光ビームと
波長の異なる第２の光ビームを集光させ、一定強度で連
続照射するから、容易に当該重ね書き領域へ新たな記録
を書き込むことができる。

さらに、この発明の光磁気記録媒体は、非磁性層を挾ん
でその上下面にそれぞれバイアス磁性層と光磁気記録層
を設けた構成になっているから、これらのバイアス磁性
層及び磁気記録層へそれぞれ光ビームを照射して加熱昇
温して、その保磁力Ｈｅや磁化Ｍを増減させることによ
り外部磁界の助けを借りずに光磁気記録層の磁化を制御
できる。

（実施例） 次に、本発明の実施例について説明する。ただし、以下
に述べる実施例は光磁気記録装置を代表例とし、光磁気
記録方法及び光磁気記録媒体はいずれも、本実施例の光
磁気記録装置において説明される。

第７図はこの発明による光磁気記録装置の構成を示し、
ガラス又は透明樹脂製のディスク基板８上にＴｂなどの
希土類金属とＦｅ、Ｇｏなどの遷移金属の希土類−遷移
金属合金（以下、ｒＲＥ−ＴＭ金合金という）で作った
光磁気記録層１上に、順次非磁性層１３、ＲＥ−７Ｍ合
金製のバイアス層１４を積層させた光磁気記録媒体１５
の軸１５ａを中心として、回転駆動装置２０ａで回転さ
せる。光磁気記録媒体１５上の非磁性層１３は例えばＳ
ｉＮ製で、バイアス磁性層１４及び光磁気記録層１を静
磁結合するはたらきをする。

光磁気記録、媒体１５のディスク基板８の裏面に対物レ
ンズ７ａ、ビームプリッタ１１−１及び１１−２を介し
、半導体レーザ光源１６ｂ及び１７ｂから放出されるレ
ーザ光をそれぞれ書き替え領域上のバイアス磁性層１４
及び光磁気記録層１の互いに異なる位置、つまり光磁気
記録媒体１５の回転移動（矢印Ｃで示す）につれて時間
的に先後して同−書き替え領域を走査させるもので、先
行レーザ光（１６ａ）に続いて後行レーザ光（１７ａ）
が走査するように構成する。

半導体レーザ光源１６ｂ及び１７ｂからそれぞれ放出さ
れるレーザ光は波長が互いに異なり、共に平行光で、同
じ対物レンズ７ａを通して光磁気記録媒体１５へ入射す
る。

光磁気記録媒体１５上のバイアス磁性層１４と光磁気記
録層１間の間隔は、対物レンズ７ａの焦点距離と、半導
体レーザ光源１６ｂ、１７ｂから放射されるレーザ光の
波長によって定まる。

例えば、光源１６ｂから放射されるレーザ光の波長を８
３０　ｎｍ、光源１７ｂから放射されるレーザ光の波長
を７８ＯｎＩｌとすると、１０マイクロメータ程度であ
る。

情報の記録は、両方の光ビームで行うが、情報の再生に
は、光源１７ｂのレーザ光を低パワーで照射し読み出し
光とする。

上述した装置による書き替え過程を説明する。

第８図（ａ）に示すように、光磁気記録媒体１５は、デ
ィスク基板８上に、光磁気記録層１とバイアス磁性層１
４を非磁性層１３を介して積層させたものである。書き
替え領域へ照ｎ＝ｔするニレーザ光１６ａ、１７ａは、
同一の対物レンズ７ａで集光させるが、レーザ光１６ａ
はバイアス磁性層１６ａ上に集光され、主にバイアス磁
性層を加熱するが、同時に光磁気記録層１も加熱する。

レーザ光１７ａは光磁気記録層１上に集光され、当該光
磁気記録層１を主として加熱する。レーザ光１６ａ、１
７ａは光磁気記録媒体１５の回転方向（Ｃ方向）にずれ
て、同一の書き替え領域を先後して走査するよう回転移
動方向に焦点位置をずらして集光させている。したがっ
て書き替え領域は、レーザ光１６ａで走査した後、同じ
書き替え領域をレーザ光１７ａで走査する。

そして書き替え時には第８図（ｂ）に示すように、バイ
アス磁性層１４へは一定強度バワーＰ１のレーザ光を連
続照射する。するとバイアス磁性層１４の光照射領域は
加熱されて昇温し、第９図（ａ）の温度対磁化特性図に
示すごとく、温度Ｔに加熱され不均一な温度分布に起因
して、場所ごとに磁化減少の度合が異なるため、磁化不
均衡が生じ、光磁気記録層１ヘバーイアス磁界を加える
ようになる。また、レーザ光１．６　ａは光磁気記録層
１にも吸収されて光磁気記録＠１を加熱昇温すると共に
、バイアス磁性層１４から熱伝導による熱供給を受は続
け、第９図（ｂ）の温度対保磁力特性図に示すごとくレ
ーザ光１６ａの照射時には光磁気記録層１は照射中心部
分で保磁力Ｈｅは相当程度低下する結果（温度Ｔ＋’）
、磁化方向はバイアス磁性層１４から印加されるバイア
ス磁界方向に従う。すなわち、レーザ光１．６　ａ照射
後は磁化方向が一方向に揃った「消去」状態となる。

次いで「消去」状態になった光磁気記録層１へ、レーザ
光１７ａを、第８図（ｂ）に示すごとく、情報信号に対
応して高パワーＰ２、低パワ・−ｐ　３間に変調して照
射する。

高パワーＰ２照射時には光磁気記録層１の温度は保磁力
Ｈｅが十分低下する温度Ｔ２に加熱されるが、このとき
のバイアス磁性層１４の温度Ｔ２は低い（第９図参照）
、バイアス磁界が小さいため、光磁気記録層１では自己
漏洩磁界によって「消去」と逆方向の磁化が形成される
。

また、低パワーＰ３のレーザの照射時には、光磁気記録
層１の温度Ｔ３では、温度低下のため保磁力Ｈｅは大き
く、磁化は「消去」時のまま保持される。

上述した、書き替え領域における特定のバイアス磁性層
１４及び光磁気記録層１へのレーザ光１６　ａ＋　　１
７　ａ照射に伴う情報記録、消去の変化過程を、図示す
ると第１０図（ａ）からＣｅ’）のごとく変化する。た
だしくｄ）（ｅ）の上段は記録過程におけるバイアス磁
性層１４及び光磁気記録層の磁化状態を、下段は消去過
程でのバイアス磁性層１４及び光磁気記録層１での磁化
状態を示す。

また、第１０図では常温におけるバイアス磁性層１４の
磁化方向を上向きの矢印で表し、光磁気記録層１に上向
きの磁化を形成することを「記録」、下向き磁化が形成
することを「消去」として記録、消去過程を示す。

第１０図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）によ
り、レーザ光照射以前の記録情報（光磁気記録層磁化方
向）によらず光強度Ｐ２のレーザ光１７ａ照射領域は「
記録」、光強度Ｐ３のレーザ光１７ａ照射領域は「消去
」となる。照射領域に対するレーザスポット通過後は記
録層の温度が記録時温度Ｔ３から常温Ｔｏに降下し、保
磁力Ｈｃは大きくなるため、光磁気記録層１に形成され
た磁化方向は保持され、記録情報は損なわれることはな
い。

以上のように、本実施例によれば、三波長のレーザ光ビ
ームの強度変調による光磁気記録層とバイアス磁性層の
加熱温度制御によって、光磁気記録媒体に対する情報の
書き替えが可能となる。

本実施例では従来の光磁気ディスクに従って記録媒体を
回転する円盤としたが、例えばテープ状のものでも良い
。また第９図で説明したバイアス磁性層は常温以上に補
償点温度を持たない材料で構成した例について説明した
が常温以上に補償点温度を持った材料で構成してもよい
。一方、光磁気記録層は第９図（ｂ）ではキュリー点記
録材料のもので説明したが、第６図に示す如く補償点記
録材料で構成した場合には、記録時の光磁気記録層の自
己漏洩磁界が不足、あるいは逆方向に働く可能性がある
。この場合には、消去時に印加されるバイアス磁界強度
以下の一定磁界をバイアス磁界印加方向と逆方向に印加
する手法で、本発明の実施は可能である。

また、光磁気記録装置を第１１図に示すように半導体レ
ーザ光源１６ｂ、１７ｂから放射されたレーザ光１６ａ
、１７ｂを、対物レンズ７ａを通して光磁気記録媒体１
５の同一の重ね書き領域に同時に集光するように構成し
た（ただし、非磁性層１３を隔ててバイアス磁性層１４
、光磁気記録層・１が配置されている）以外は上述した
実施例の光磁気記録装置と同じ構成にして、重ね書き可
能の装置を構成することができる。

本実施例による光磁気記録装置では、レーザ光ビーム１
６ａと１７ａは波長が異なり、両者とも平行光で、同一
の対物レンズ７ａを通って、レーザ光１６ａは光磁気記
録媒体１５の重ね書き領域のバイアス磁性層１４上へ、
またレーザ光１７は同じ重ね書き領域の光磁気記録層１
へ同時に集光される。光記録媒体１５上のバイアス磁性
層１４と光磁気記録層１間の間隔は対物レンズ７ａの焦
点距離と使用するレーザ光ビーム１６ａ、１７ａの波長
により定まる間隔、例えばレーザ光ビームの波長が８３
０　ｒｖ、レーザ光ビーム１７ａの波長が７８０　ｒｖ
のものを選んだ場合は、１０μｍ程度であり、通常この
間隔をＳｉＮ等の非磁性層１３を充填させる。

この光磁気記録媒体１５に対する記録は両光ビーム１６
ａ、１７ａにより行い、情報の再生にはレーザ光ビーム
１７ａを低パワーで記録領域へ投射し、その反射光を読
み出し光とする。その他の機構、光学系及び電気系の装
置は従来の装置と同様の構成にしている。

次に、本実施例における重ね書きの原理を、第１２図（
ａ）、（ｂ）により説明する。第１２図（ａ）において
、光磁気記録媒体１５はディスク基板８上に光磁気記録
層１とバイアス磁性層１４とを積層させた構成にしてい
る。光磁気記録層１とバイアス磁性層１４間には非磁性
層１３を設け、光磁気記録層１とバイアス磁性層１４は
静磁結合とする。重ね書きする領域に照射するレーザ光
は対物レンズ７ａで集光するが波長によって焦点を結ぶ
位置が異なり、第１の波長を有するレーザ光ビーム１６
ａはバイアス磁性層１４上へ、第２の波長を有するレー
ザ光ビーム１７ａは光磁気記録層上へ集光させ、当該部
分を加熱する。

レーザ光１６ａを、記録情報に対応させて第１２図（ｂ
）に示す如く高低のパワーＰ、　　　Ｐ２間で変調し、
バイアス磁性層１４の照射中心温度を、第１３図（ａ）
の温度対磁化特性図に示すごとく補償点温度Ｔ　８０１
ｐを中心としその上、下の温度Ｔ、、Ｔ２にすると、温
度”ｒｌ　、　Ｔ２でバイアス磁性層の磁化Ｍ方向（矢
印で示す）が逆転する。

そのため光磁気記録層１へ印加されるバイアス磁界が変
調される。一方、レーザ光１７ａで光磁気記録層１の保
磁力Ｈｅが十分低下する温度Ｔ３に加熱するパワーＰ３
で重ね書き領域を連続照射すると、第１３図（ｂ）の温
度対保磁力特性図に示すごとく光磁気記録層１の保磁力
Ｈｅは低下し、光磁気記録層１に形成される磁化方向は
、バイアス磁性層１４から印加されるバイアス磁界方向
へ向くように固定される。第１４図（ａ）〜（Ｃ）では
バイアス磁性層の常温磁化方向を上向きとし、光磁気記
録層に上向き磁化を形成することを「記録」、下向き磁
化を形成することを「消去」として記録、消去過程を示
す。すなわち照射以前の記録情報（光磁気記録層磁化方
向）によらず、光強度Ｐ２のレーザ光１７ａ照射領域は
「記録」、光強度Ｐ３のレーザ光１７照射領域は「消去
」となる。レーザスポット通過後は記録層温度が記録時
温度Ｔ３から常温Ｔｏに温度降下し、保磁力Ｈｅは大き
くなるため、光磁気記録層に形成された磁化方向は保存
され、記録情報は損なわれることはない。

以上の原理により、本発明は２波長のレーザ光強度変調
による光磁気記録層とバイアス磁性層の温度制御によっ
て情報の重ね書きが可能になる。

本実施例では従来の光磁気ディスクに従って記録媒体を
回転する円盤としたが、例えばテープ状のものでも良い
。また、第１３図で説明した光磁気記録層はキュリー点
記録材料であったが、これは第６図に示すように補償点
温度記録材料でもよい。同様にバイアス磁性層は第１３
図では温度（Ｔ＋　、Ｔ２　）間で補償点温度Ｔｃｏｍ
ｐを持ち、バイアス磁界のみで光磁気記録層の磁化方向
を制御できる材料のもので説明したが、変調温度間に補
償点温度を持たない材料、あるいは補償点温度を持つ材
料であっても記録時と消去時に誘起されるバイアス磁界
の強度が異なる場合には、一定磁界を外部から印加して
、バイアス磁界に付加することによって、記録時と消去
時に光磁気記録層に印加される磁界を逆方向、かつほぼ
同じ強度とすることかでき、本発明の実施は６■能であ
る。

波長の異なるレーザ光ビーム１６ａとレーザ光ビーム１
７ａの集光系は別個に設けることも可能だが、本実施例
のごとく同一の集光系を使用することで、効率のよい装
置化を図ることができる。

また、本実施例の光磁気記録装置は上述した構成に限ら
ず、例えば第１５図に示すように、レーザ光ビーム１６
ａとレーザ光ビーム１７ａを同一波長のものを用い、レ
ーザ光ビーム１６ａを凹レンズ７ａ、レーザ光ビーム１
７ａを凸レンズ１７Ｃを通した後、ビームスプリッタ１
１−１．１１−２及び対物レンズ７ａを介してレーザ光
１６ａをバイアス磁性層１４上に、レーザ光ビーム１７
ａを光磁気記録層１へ集光する構成にしてもよい。

また、本実施例は、光磁気記録媒体への光照射は、透明
ディスク基板の下側から投射する構成のものについて説
明したが、ディスク基板の上側から照射してもよい。た
だし、この場合はディスク基板に接する面にバイアス磁
性層を配し、その上に非磁性層、最上層に光磁気記録層
を積層した構成にする必要がある。

以上の実施例ではレーザ光１１ａとレーザ光１７ａを波
長が異なる平行光とし、３の実施例ではレーザ光１６ａ
とレーザ光１７ａを同一波長かつレーザ光１６ａを発散
光、レーザ光１７ａを集束光とすることによって、同一
の対物レンズに入射したレーザ光１をバイアス磁性層１
４上、レーザ１７ａを光磁気記録層１上にそれぞれ集光
して、本発明の実施を可能にした。

本発明はこれらの実施例に限定されるものではなく、例
えばレーザ光１６ａとレーザ光１７ａが同一波長で片側
のレーザ光が平行光、あるいは共に集束光または発散光
であっても集束または発散の程度が異なっていれば良く
、更には波長が異なる光を集束光や発散光として使用す
ることによっても本発明の実施が可能である。

［発明の効果］ 以上の説明から明らかなように、この発明にかかる光磁
気記録方法は、従来の光磁気記録方法のように、光磁気
記録薄膜だけで構成した光磁気記録媒体を用いるのでは
なく、非磁性層を挟んでその両面にそれぞれ光磁気記録
装置及びバイアス磁性層を配置したものを用いるから、
光磁気記録媒体の外部からバイアス磁界を加える必要が
ない。

しかも、バイアス磁界の操作も、光磁気記録媒体を構成
するバイアス磁性層及び光磁気記録層に対し二光ビーム
をそれぞれ照射時間を先後させたり、又は同時に照射す
るだけで当該バイアス磁性層及び光磁気記録層を加熱昇
温して磁化を変え、記録情報を消去し、新情報を記録し
たり、重ね書きが容易にできる。

さらに上記バイアス磁界の制御は、バイアス磁性層及び
光磁気記録層へ照射する三光ビームを、一方は一定の光
強度パワーで連続照射し、他方は情報信号に従って高、
低の強度変調するだけであるから、全く非接触で書き替
え・重ね書きが可能である。

また、この発明にかかる光磁気記録装置は、ディスク基
板上に配置する光磁気記録媒体を、上述の構成したもの
を用い、照射する光ビームを、二光ビームを用い、集光
レンズを通して光ビームを集点距離の違いを利用し、光
磁気記録媒体内の違う高さ位置にあるバイアス磁性層及
び光磁気記録層への照射光ビームの集光を容易にしてい
るから、特開昭６０−１４７９５０号に開示されている
消去同時記録が可能な情報ファイルや、特開昭６０１０
６０４２号の光学式記録再生装置と異なり、光磁気記録
媒体へバイアス磁化を加える外界磁界発生装置が不要で
ある。また、−個の集光レンズで光磁気記録媒体のバイ
アス磁性層及び光磁気記録層へ集光照射できるから、装
置全体が小型化され、使いやすく、しかも書き替え容易
、重ね書き容易な光磁気記録装置を提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図はそれぞれこの発明にかかる一光磁気
記録方法のに第１及び第２の発明の原理的な流れを示す
プロセス図、第３図及び第４図はこの発明にかかる光磁
気記録装置の第１及び第２の発明の原理的構成図、第５
図はこの発明の光磁気記録媒体のバイアス磁性層をキュ
ーリー点材料で溝底した層における温度対保磁力及び磁
化の関係を示す特性図、第６図はバイアス磁性層を補償
点温度材料で構成したときの温度対保磁力及び磁化の関
係を示す特性図、第７図はこの発明の光磁気記録装置の
実施例の概略図、第８図（ａ）、（ｂ）は第７図の光磁
気記録装置に使用する光磁気記録媒体上の光集光状況を
示す要部断面図及び光磁気記録媒体へ照射する光強度パ
ワー図、第９図（ａ）（ｂ）はキューリー点材料のバイ
アス磁性層及びキュリー点材料の光磁気記録層ヘレーザ
光を連続照射したときのバイアス磁性層の磁化及び光磁
気記録層の保磁力の加熱温度に対する変化状況を示す特
性図、第１０図（ａ）〜（ｅ）は第７図に示す光磁気装
置を作動したときの光磁気記録媒体上の記録・消去過程
を示す説明図、第１１図はこの発明の光磁気記録装置の
他の実施例の概略構成図、第１２図（ａ）、（ｂ）は第
１１図の光磁気記録媒体上における光磁気記録媒体上の
集光状況を示す要部断面図及び照射光強度パワー図、第
１３図（ａ）、（ｂ）は補償点温度材料を使用したバイ
アス磁性層及びキュリー点材料の光磁気記録層における
加熱温度対磁化及び保磁力の関係を示す特性図、第１４
図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は第１１図に示す光磁気記録
装置における光磁気記録媒体の記録・消去過程を示す説
明図、第１５図はこの発明の光磁気記録装置における集
光系の他の実施例の概略構成図、第１６図（ａ）、（ｂ
）、（ｃ）は光磁気記録方法における記録・再生の原理
説明図、第１７図は従来の光磁気記録装置の概略構成図
である。 １・・・光磁気記録層　　３・・・外部磁界７ａ・・・
対物レンズ ９・・・従来の光磁気記録媒体 １３・・・非磁性層 １４・・・バイアス磁性層 １５・・・本発明の磁気記録媒体 １６．１．７・・・光ビーム発生手段 １６ａ、１７ａ・・・半導体レーザ光源１８・・・一定
連続手段 １つ・・・光強度変調手段 ０・・・光磁気記録媒体移動手段

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）非磁性層を挾んでその上下面に、それぞれ光磁気
   記録層とバイアス磁性層とを設けてなる光磁気記録媒体
   を用い、 該光磁気記録媒体の書き替え領域上のバイアス磁性層へ
   第１の光ビームを集光して、一定強度で連続照射しバイ
   アス磁性層を加熱昇温して磁化不均衡磁界を発生させる
   と共に、書き替え領域上の光磁気記録層をも加熱昇温し
   て保磁力を低下させ、前記バイアス磁性層に発生した不
   均衡磁界により光磁気記録層に書き込まれている旧記録
   を消去し、 さらに第１光ビームによる書き替え領域走行に続いて第
   ２の光ビームを、前記光磁気記録媒体の書き替え領域上
   の光磁気記録層へ集光すると共に、第２光ビームの強度
   を情報信号に対応して高強度と低強度間に変調して書き
   替え領域を走行し、 高強度光ビーム照射時には当該光磁気記録層を加熱昇温
   して保磁力を低下させ、光磁気記録層の自己漏洩磁界に
   より、書き替え領域の光磁気記録層を消去状態と逆方向
   磁化状態に記録し、低強度光ビーム照射時には光磁気記
   録層の自然冷却により保磁力を増大させて磁化状態を固
   定することを特徴とする光磁気記録方法。
2. （２）非磁性層を挾んでその上下面に、それぞれ光磁気
   記録層とバイアス磁性層とを設けてなる光磁気記録媒体
   を用い、 該光磁気記録媒体の書き替え領域上のバイアス磁性層へ
   第１の光ビームを集光して、光磁気記録層へは第２の光
   ビームを集光させて重ね書き領域を第１ビームと同時に
   走査し、さらにバイアス磁性層へ集光させた第１光ビー
   ムの強度を情報信号に対応して高強度と低強度間に変調
   させてバイアス磁性層の加熱温度を補償点温度を挾んで
   上下に変動せしめると共に、その加熱温度の上下の変動
   に対応してそれぞれ磁性層の磁化方向を互いに反対方向
   へ変え、光磁気記録層に加わるバイアス磁界を互いに反
   対方向へ向くように制御し、さらに光磁気記録層へ集光
   された第２光ビームは一定の強度で光磁気記録層を連続
   照射して光磁気記録層を加熱昇温して保磁力を低下させ
   、光磁気記録層に形成される磁化方向を前記バイアス磁
   性層のバイアス磁界方向に向けることにより重ね書きす
   ることを特徴とする光磁気記録方法。
3. （３）非磁性層を挾んでその上下面に、それぞれ光磁気
   記録層とバイアス磁性層とを設けてなる光磁気記録媒体
   と、 光磁気記録媒体を移動する手段と、 該光磁気記録媒体の書き替え領域を走査する第１及び第
   ２のビーム発生手段と、 第１及び第２光ビームのうち、第１光ビームを前記書き
   替え領域のバイアス磁性層に、第２光ビームを光磁気記
   録層へ集光せしめる集光手段と、 第１光ビームを前記バイアス磁性層に一定の強度で連続
   照射すると共に光磁気記録層をも照射する光強度一定連
   続照射手段と、 前記書き替え領域の光磁気記録層に対し第２光ビームを
   情報信号に対応して光強度を変調する光強度変調手段と
   からなることを特徴とする光磁気記録装置。
4. （４）非磁性層を挾んでその上下面に、それぞれ光磁気
   記録層とバイアス磁性層とを設けてなる光磁気記録媒体
   と、 光磁気記録媒体を移動する手段と、 光磁気記録媒体上の重ね書き領域を同時に走査する第１
   及び第２の光ビーム発生手段と、第１ビームを重ね書き
   領域のバイアス磁性層に、第２光ビームを光磁気記録層
   に集光せしめる集光手段と、 前記第１光ビームを、情報信号に対応して高強度と低強
   度間に変調して照射する光強度変調手段と、 前記第２光ビームを一定光強度で光磁気記録層へ連続照
   射する光強度連続照射手段とからなることを特徴とする
   光磁気記録装置。
5. （５）非磁性層を挾んでその上下面に、それぞれ光磁気
   記録層とバイアス磁性層とを設けたことを特徴とする光
   磁気記録媒体。